專(zhuān)利名稱(chēng)：：結(jié)合ic整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及其與電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種結(jié)合集成電路(IC)整合基板(IntegratedSubstrate)與載板的結(jié)構(gòu)及其制造方法、與電子裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：10隨著資訊、通訊及消費(fèi)性電子等產(chǎn)品朝向輕、薄、短、小及搭配多功能化的趨勢(shì)發(fā)展，晶片的線(xiàn)寬、線(xiàn)間距與尺寸日益微型化，且晶片所要求的傳輸速度愈來(lái)愈快，因此也相對(duì)應(yīng)地提高晶片電連接到外部的構(gòu)裝技術(shù)的要求，以產(chǎn)生高密度細(xì)導(dǎo)線(xiàn)與導(dǎo)線(xiàn)間距。因此，晶片構(gòu)裝的技術(shù)從引腳插入型漸漸轉(zhuǎn)進(jìn)到表面粘著15型，從導(dǎo)線(xiàn)架打金線(xiàn)的連接型態(tài)漸漸轉(zhuǎn)換到使用凸塊的方式，電路板從PCB硬板、軟性印刷電路板FPC漸漸轉(zhuǎn)換到多層薄膜基板。一般六層BT材質(zhì)的PCB硬板重約4克，厚度約lmm，因而無(wú)法撓曲，而軟性印刷電路板在厚度約50pm的情況下，僅能制20作2層內(nèi)連線(xiàn)，相對(duì)的，在厚度約50nm的情況下，多層薄膜基板可以制作出6層內(nèi)連線(xiàn)，總重量約0.21克，因此多層薄膜基板的可撓曲性最好，并且最輕薄。此外在內(nèi)連線(xiàn)密度上，PCB硬板與軟性印刷電路板的通孔最小需為5(Him，通孔焊墊最小需為10(Him，線(xiàn)寬與線(xiàn)間距最小需為25nm，而相對(duì)的，多層薄膜基板25的通孔最小需為2(Him，通孔焊墊最小需為25tim，線(xiàn)寬與線(xiàn)間距最小需為2(Him，因此多層薄膜基板可大幅增加內(nèi)連線(xiàn)密度。由于其可撓特性，對(duì)于體積有特殊限制或結(jié)構(gòu)中有可撓設(shè)計(jì)的產(chǎn)品尤其適合。一般而言，上述多層薄膜基板主要是作為IC封裝用的承載基板(ICpackagingsubstrate),傳統(tǒng)上僅扮演電氣訊號(hào)傳送與介面接5合的角色。隨著電子產(chǎn)品需求朝向高功能化、訊號(hào)傳輸高速化及電路裝置高密度化發(fā)展，多層薄膜基板將因具有如電容、電阻等功能性的被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)IC、或TFT等半導(dǎo)體裝置而大幅提升其功能性，因此賦予多層薄膜基板技術(shù)更大的成長(zhǎng)空間。以下將以IC整合基板來(lái)表示此等高功能性的多層薄膜基板。10在光電、電子、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，隨著IC整合基板尺寸的縮小化且所搭配的各種功能性電子裝置數(shù)量亦隨之劇增，對(duì)于IC整合基板的精密度要求也同時(shí)提高，IC整合基板的制造程序也面臨新的挑戰(zhàn)，尤其是在制造程序中如何提高線(xiàn)路密度、或結(jié)合各種電子裝置成為具有高功能性的IC整合基板已成為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的一15環(huán)。上述IC整合基板制造之中一關(guān)鍵技術(shù)在于制造程序中IC整合基板的尺寸安定性。公知的一種解決方法是在一剛性載板上進(jìn)行IC整合基板的制作，借助于載板較佳的尺寸安定性而來(lái)增加IC整合基板在制程中的尺寸安定性，但是在IC整合基板制作完成后要如何將IC整合基板與載板分離是此類(lèi)技術(shù)的一大課題。20在美國(guó)專(zhuān)利第4480288號(hào)中，其先將雙層薄膜基板形成于由鋁所組成的載板上，接著再用鹽酸將鋁載板去除。此外，在美國(guó)專(zhuān)利第4812191號(hào)中，揭露一種以犧牲載板制造技術(shù)來(lái)制作具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的多層薄膜基板的方法，其在載板上制作多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，載板的熱膨脹系數(shù)小于多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，接著進(jìn)行硬25化，在升溫、降溫的程序中使得載板與多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)之間產(chǎn)生足夠的張力，再以支持裝置吸附在多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)上及酸液浸蝕的方式將多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)與載板分離開(kāi)。在美國(guó)專(zhuān)利第5258236號(hào)中，揭露一種以雷射剝離法分離載板與具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的多層薄膜基板的方法，如圖1所示，其中在以聚合物層2、金屬層3與多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)4的次序依序地5形成在透明載板1上之后，再以雷射紫外光透過(guò)透明載板1照射在聚合物層2上來(lái)分解聚合物層2，而使得透明載板1能夠與其他部分結(jié)構(gòu)分離開(kāi)。然而，上述公知技術(shù)的分離方法非常繁瑣、復(fù)雜。因此，如何提供一個(gè)方法與結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)制作尺寸精密度高的IC整合基10板，又能在不增加生產(chǎn)成本的情況下，輕易使IC整合基板與載板分離，仍是IC整合基板制造工藝目前所努力追尋的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)及15其制造方法、與電子裝置的制造方法，其中IC整合基板與載板的分離是簡(jiǎn)單、快速且低成本的。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其包含一載板；及一IC整合基板，形成于載板上，且IC整合基板具有一與載板貼合的第一介電層。20本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，包含下列歩驟提供一載板；及形成一IC整合基板于載板上，且IC整合基板具有一與載板貼合的第一介電層。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一電子裝置的制造方法，包含以下步驟提供一載板；形成一IC整合基板于載板上，且IC整合25基板具有一與載板貼合的第一介電層；以及切割I(lǐng)C整合基板，使切割后的IC整合基板與載板自然分離而形成電子裝置。在上述的結(jié)構(gòu)與制造方法中，可選擇載板與第一介電層的材料，以借助于載板與第一介電層之間的附著力，使IC整合基板不會(huì)在制程中自載板剝離，且在最后切割處理時(shí)，使切割后的IC整5合基板與載板自然分離，在本發(fā)明中所謂「自然分離」意指在不施加外力或施加少許外力的情況下(如以膠帶粘附、夾具夾取、或真空吸附等方式)進(jìn)行IC整合基板與載板的分離而不破壞其結(jié)構(gòu)。此外，在本發(fā)明中，「IC整合基板」是與傳統(tǒng)封裝用的多層io薄膜基板有所不同。具體而言，本發(fā)明的IC整合基板可具有用于電氣連接的多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)、或至少一半導(dǎo)體裝置，例如被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)電子裝置、薄膜電晶體(TFT)裝置及其它電子裝置等、或其組合等。借助于本發(fā)明的技術(shù)手段，相較于公知技術(shù)須以溶劑、雷射15等繁復(fù)的方式來(lái)將多層薄膜基板與載板分離，本發(fā)明可以簡(jiǎn)單、快速且低成本的方式將IC整合基板與載板分離，以制作具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)、具有至少一半導(dǎo)體裝置、或其組合的電子裝置。20圖1顯示一種公知以雷射剝離法分離載板與電子裝置的方法。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例中，結(jié)合具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)、及其制造方法、及電子裝置的制造方法流程圖。25圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中，結(jié)合具有至少一半導(dǎo)體裝置的IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)、及其制造方法、及電子裝置的制造方法流程圖。具體實(shí)施方式5以下將參照?qǐng)D式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例以促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的徹底了解。其中使用適當(dāng)、相同的附圖標(biāo)記代表相同的特征部。然而，應(yīng)該了解在此所提出的實(shí)施例僅作為說(shuō)明性、而非限制性的范例。因此，本發(fā)明并不僅限于所提出的實(shí)施例、更包含熟習(xí)此項(xiàng)技藝者所了解的任意變化及其同等物。io圖2顯示根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例，結(jié)合IC整合基板8與載板10的結(jié)構(gòu)28、及其制造方法、及電子裝置6的制造方法流程圖。本實(shí)施例所例示的IC整合基板8具有一多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，此為一雙面基板，即正面與背面皆電氣連接至外部，在此雙面基板之中，基板正面是電連接至基板背面，但多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)也可以是15其他內(nèi)連接方式，如同面多點(diǎn)的內(nèi)連接或其他各種情形，此外，多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的層數(shù)也沒(méi)有限制，可依各種應(yīng)用來(lái)作適當(dāng)?shù)淖兓Ｔ诒緦?shí)施例中，在步驟Sl中使用八寸硅晶圓作為載板10，其中載板亦可使用任何尺寸的基板、硅晶圓等。20圖2所示的步驟S2至S4，是于載板10上形成具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的IC整合基板8的流程圖。首先在步驟S2中，在載板IO上形成第一介電層14。具體而言，是在未經(jīng)任何附著處理的情況下，將如圖2所示的IC整合基板8的第一介電層14旋轉(zhuǎn)涂布于載板10的全區(qū)域上。然后在步驟S3至S4中，在第一介電層1425上依序交疊金屬層22、24、26與介電層16、18、20以形成具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的IC整合基板8。在如上所述的結(jié)合IC整合基板8與載板10的結(jié)構(gòu)28中，可選擇載板10與第一介電層14的材料，以單純借助于二者之間的附著力(如未經(jīng)附著強(qiáng)化處理時(shí))，使IC整合基板8既不會(huì)因制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力而自載板IO剝離，又能在最后切割處理(步驟5S5，詳述于后)時(shí)，使切割后的IC整合基板8與載板10自然分離。在本實(shí)施例及以下將說(shuō)明的各實(shí)施例中，所謂「自然分離J意指在不施加外力或施加少許外力的情況下(如以膠帶黏附、夾具夾取、或真空吸附等方式)進(jìn)行IC整合基板與載板的分離而不破壞其結(jié)構(gòu)。io此外，附著于載板10與IC整合基板8的邊緣外側(cè)的殘余介電層材料7(圖2所示的粗曲線(xiàn))亦具有固定兩者且使之貼合的作用。根據(jù)本實(shí)施例，介電層14、16、18、20是選用低介電系數(shù)(小于4)的聚醯亞胺PI(polyimide，杜邦公司所生產(chǎn)的PI-2611)，厚度為8nm，上金屬層26與下金屬層22選用Cr/Cu/Ni/Au結(jié)構(gòu)的15凸塊底層金屬(UBM，underbumpmetallurgy),以作為后續(xù)鐋球電連接之用，中間的金屬層24選用Cr/Cu/Cr多層金屬線(xiàn)?；蛘?，各金屬層可為非限于上述的金屬層，可根據(jù)所需的應(yīng)用而選用適當(dāng)?shù)慕饘賹?。或者，可于步驟S2的另一實(shí)施例中，在載板IO上旋轉(zhuǎn)涂布20第一介電層14之前，若其二者間的附著力較強(qiáng)，可先進(jìn)行減弱附著處理，舉例來(lái)說(shuō)，如果第一介電層14與載板10的材料均為PI時(shí)，可利用Silane系統(tǒng)的附著促進(jìn)劑降低其二者間的介面附著力。然后將第一介電層14旋轉(zhuǎn)涂布于載板10的全區(qū)域上。此處需了解，可視第一介電層14與載板10所選擇的材料而決定上述25減弱附著處理是否必要或其處理方法，以借助于載板10與第一介電層14之間的減弱附著力，使IC整合基板8既不會(huì)因制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力而自載板IO剝離，又能在最后切割處理(步驟S5，詳述于后)時(shí)，使切割后的IC整合基板8與載板10自然分離。此夕卜，附著于載板10與IC整合基板8的邊緣外側(cè)的殘余介電層材料7亦具有固定兩者且使之貼合的作用。具體而言，上述殘余介5電層材料7是來(lái)自于IC整合基板8中的復(fù)數(shù)介電層的邊緣多余部分，可在沒(méi)有洗邊處理下而殘留于載板10與IC整合基板8的邊緣外側(cè)。此外，可利用附著強(qiáng)化處理，增加上述IC整合基板8的各介電層14、16、18、20之間的附著力，借此使IC整合基板8中的io各介電層14、16、18、及20之間分別形成全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域15、17、及19(圖2所示的粗實(shí)線(xiàn))。此處與以下實(shí)施例中所謂附著強(qiáng)化處理，可利用介電層表面的原生特性、或利用提升表面能的方式，如以02、Ar電漿處理等方式加以達(dá)成。另外，在IC整合基板8上可利用蝕刻方法或雷射鉆孔方法貫通介電層16或1815以形成導(dǎo)電介層孔，使得金屬內(nèi)連線(xiàn)22、24、26可以彼此電氣連接。最后，如圖2中所示的步驟S5，在適當(dāng)位置切割載板10上的IC整合基板8，使得IC整合基板8與載板IO(基底介電層12)自然分離而形成具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的電子裝置6。由于切割后的IC20整合基板8與載板IO之間僅存在著微弱的附著力，因此兩者可自然分離，舉例來(lái)說(shuō)，可借助于真空吸取、夾具夾取、或膠帶粘附等方式輕易地將其二者分離。相較于公知技術(shù)須以溶劑、雷射等繁復(fù)的方式將多層薄膜基板與載板分離以形成電子裝置，本實(shí)施例可以此簡(jiǎn)單、快速且低成本的方式將IC整合基板與載板分離，25以制作尺寸精密度高、輕薄、且可撓性佳的具有多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)的電子裝置。此外，在切割處理后，例如，可在電子裝置6的頂端與底端介電層上，利用蝕刻方法或雷射鉆孔方法形成導(dǎo)電介層孔，而電連接至外部。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例，結(jié)合IC整合基板38與載板30的結(jié)構(gòu)40、及其制造方法、及電子裝置36的制造方法流程5圖。本實(shí)施例所例示的IC整合基板38包含至少一半導(dǎo)體裝置35，例如被動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)電子裝置、薄膜電晶體(TFT)裝置、及其它電子裝置其中至少一者、或其組合等。須注意在圖3中，僅顯示具有一半導(dǎo)體裝置的IC整合基板，但熟習(xí)此項(xiàng)技藝人士可知，一IC整合基板可包含許多半導(dǎo)體裝置，并可在后續(xù)制程利用io切割而制作成數(shù)百數(shù)千個(gè)電子裝置，在此僅為了方便表示與說(shuō)明而將其結(jié)構(gòu)加以簡(jiǎn)化。在本實(shí)施例中，在步驟Sl'中使用八寸硅晶圓作為載板30，其中載板亦可使用任何尺寸的基板、硅晶圓等。圖3所示的步驟S2'至S3'，是于載板30上形成具有至少一半15導(dǎo)體裝置的IC整合基板38的流程圖。首先在步驟S2'中，于載板30上形成第一介電層34。具體而言，該形成步驟是在未經(jīng)任何附著處理的情況下，將IC整合基板38的第一介電層34旋轉(zhuǎn)涂布于載板30的全區(qū)域上。然后在步驟S3'中，在第一介電層34上形成至少一半導(dǎo)體裝置35以形成ic整合基板38。在如上所述的結(jié)20合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)40中，可選擇載板30與第一介電層34的材料，以單純借助于二者之間的附著力(如未經(jīng)附著強(qiáng)化處理時(shí))，使IC整合基板38既不會(huì)因制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力而自載板30剝離，又能在最后切割處理(步驟S4'，詳述于后)時(shí)，使切割后的IC整合基板38與載板30自然分離。此外，附著于載板2530與IC整合基板38的邊緣外側(cè)的殘余介電層材料37(圖3所示的粗曲線(xiàn))亦具有固定兩者且使之貼合的作用。在本實(shí)施例，介電層34是選用低介電系數(shù)(小于4)的聚醯亞胺PI(polyimide,杜邦公司所生產(chǎn)的PI-2611)?；蛘?，另外在步驟S2'的另一實(shí)施例中，在載板30上旋轉(zhuǎn)涂布第一介電層34之前，若其二者間的附著力較強(qiáng)，可先進(jìn)行減弱5附著處理，舉例來(lái)說(shuō)，如果第一介電層34與載板30的材料均為PI時(shí)，可利用Silane系統(tǒng)的附著促進(jìn)劑降低其二者間的介面附著力，然后將第一介電層34旋轉(zhuǎn)涂布于載板30的全區(qū)域上。此處需了解，可視第一介電層34與載板30所選擇的材料而決定上述減弱附著處理是否必要或其處理方法，以借助于載板30與第一介io電層34之間的減弱附著力，使IC整合基板38既不會(huì)因制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力而自載板30剝離，又能在最后切割處理時(shí)(步驟S4'，詳述于后)，使切割后的IC整合基板38與載板30自然分離。此夕卜，附著于載板30與IC整合基板38的邊緣外側(cè)的殘余介電層材料37亦具有固定兩者且使之貼合的作用。具體而言，上述殘余介15電層材料37是來(lái)自于介電層的邊緣多余部分，在沒(méi)有洗邊處理下而殘留于載板30與IC整合基板38的邊緣外側(cè)。另外，可利用附著強(qiáng)化處理增加上述介電層34與半導(dǎo)體裝置35之間的附著力，借此形成一全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域39(圖3所示的粗實(shí)線(xiàn))。另外，在IC整合基板38上可利用蝕刻方法或雷射鉆孔20方法貫通介電層與半導(dǎo)體裝置的絕緣層以形成導(dǎo)電介層孔，并以金屬內(nèi)連線(xiàn)與導(dǎo)電介層孔使半導(dǎo)體裝置之間可以電氣互連、或電氣連接至外部。最后，如圖3中所示的步驟S4'，在適當(dāng)位置切割載板30上的IC整合基板38，使切割后的IC整合基板38與載板30(基底介25電層32)自然分離以形成電子裝置36。由于切割后的IC整合基板38與載板30之間僅存在著微弱的附著力，因此兩者可自然分離，舉例來(lái)說(shuō)，可借助于真空吸取、夾具夾取、或膠帶粘附等方式輕易地將其二者分離。相較于公知技術(shù)須以溶劑、雷射等繁復(fù)的方式將IC整合基板與載板分離以形成電子裝置，本實(shí)施例可以此簡(jiǎn)單、快速且低成本的方式將ic整合基板與載板分離，以制作5尺寸精密度高、輕薄、且可撓性佳的具有至少一半導(dǎo)體裝置的電子裝置。須注意在本發(fā)明中，載板可以是所有的固體材料，包含金屬(如鋁)、玻璃、陶瓷、硅晶圓、藍(lán)寶石基板、砷化鎵、聚醯亞胺(如Kapton、PI-2611等商用材料)等。介電層材料可為任何有機(jī)材io料，包含聚醯亞胺PI(如PI-2611、Durimide9005等商用材料)、苯并環(huán)丁烯BCB(benzo-cyclobutene，如Cyclotene4024)、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA(poly(methyl-methacrylate))、液晶聚合物L(fēng)CP(liquidcrystalpolymer)等。就舉例的目的，以下表格1為上述實(shí)施例中所采用的減弱附著處理與不同載板及介電層材料的示范15性組合。表格2則為上述實(shí)施例中在未經(jīng)附著處理下，不同載板及介電層材料的示范性組合。表格L減弱附著處理與載板及介電層材料的組合減弱附著處理法載板材料介電層材料<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表格2:未經(jīng)附著處理下的載板及介電層材料的組合<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>材料選擇與處理原則5本發(fā)明所述的"選擇"或"處理"載板與介電層材料以控制附著力的原則可參考下列文獻(xiàn)中所提出的附著力理論1.Berg，J.C.，"Wettability"MarcelDekker，Inc.,NewYork,1993.2.Fowkes,F.M.,"ContactAngle,Wettability,andAdhesion，，ioAmericanChemicalSociety,Washington,D.C.，1964.3.薛敬和，"接著劑全書(shū)"高立，臺(tái)北，19S5.此理論說(shuō)明附著的3個(gè)必要條件濕潤(rùn)、固體化、充分變形以減少接合時(shí)的彈性壓力，秉持此三項(xiàng)原則即可選擇及控制附著力以達(dá)到本發(fā)明所需的功效，以下詳述此三原則。15對(duì)于濕潤(rùn)原則可以參考Cooper&1^11311理論，對(duì)于一液體l于一固體s表面的濕潤(rùn)條件濕潤(rùn)S>0不濕潤(rùn)S<01=該固體與飽和蒸汽介面自由能Y產(chǎn)該液體與飽和蒸汽介面自由能Ys產(chǎn)該固體與該液體介面自由能S-起始擴(kuò)散系數(shù)5對(duì)于以涂布方式形成的介電層可以根據(jù)濕潤(rùn)原則，S值越大最終的附著力也越大，S值越小最終的附著力也越小，根據(jù)此原則可以選擇材料以達(dá)到本發(fā)明所需要的附著力結(jié)果，同樣的，也可以利用表面處理的方式來(lái)適當(dāng)改變自由能，以增強(qiáng)或減弱附著性質(zhì)，以達(dá)到本發(fā)明所需要的附著力結(jié)果。由于附著力實(shí)際數(shù)值io受制程品質(zhì)影響甚巨，所以熟悉此項(xiàng)技藝者應(yīng)該了解本原則為一定性上的結(jié)果，而非以具體S值限定其適用范圍，但依此定性原則與試誤法同時(shí)進(jìn)行，即可在本發(fā)明中得到載板與介電層間的適當(dāng)附著力，以達(dá)成本發(fā)明所謂「自然分離」的功效。對(duì)于非涂布方式形成的介電層，如壓合、冷鍛等，濕潤(rùn)原15則亦可適用，因?yàn)閴汉稀⒗溴懙忍幚淼奈⒂^接觸點(diǎn)會(huì)形成所謂的"塑性流動(dòng)"，濕潤(rùn)原則亦可適用。由于本發(fā)明產(chǎn)品必為固體，自然符合固體化原則。對(duì)于非涂布方式形成的介電層需要同時(shí)參考充分變形原則，接觸面處理時(shí)若能充分變形則附著力較大，反之較小，適當(dāng)利用20此原則也可達(dá)成本發(fā)明所謂「自然分離」的功效。雖然以上僅詳述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但凡熟習(xí)此項(xiàng)技藝者應(yīng)了解上述的說(shuō)明僅是描述性而非限制性，在不脫離本發(fā)明的新穎教示及優(yōu)點(diǎn)的情況下，可根據(jù)上述實(shí)施例而進(jìn)行各種變化修改。因此，所有此類(lèi)修改應(yīng)視為包含于本發(fā)明的專(zhuān)利范疇內(nèi)。符號(hào)的說(shuō)明Sl~步驟S2~步驟S3~步驟5S4~步驟S5步驟sr步驟S2'~步驟S3'~步驟10S4'步驟l透明載板2~聚合物層3~金屬層4~多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)156~電子裝置7殘余介電層材料8~IC整合基板10載板14第一介電層2015~全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域16介電層17~全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域18~-介電層-全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域20~"介電層22~-金屬層24~'金屬層26"金屬層28-結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)30'載板34、-第一介電層1035'半導(dǎo)體裝置36電子裝置37殘余介電層材料38IC整合基板39~全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域1540~結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)權(quán)利要求1.一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，包含一載板；及一IC整合基板，形成于該載板上，且該IC整合基板具有一與該載板貼合的第一介電層，其中選擇該載板與該第一介電層的材料，借助于該載板與該第一介電層之間的附著力，使該IC整合基板不會(huì)在制程中自該載板剝離，且在最后切割處理時(shí)，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離。2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其中該載板與該第一介電層之間未經(jīng)任何附著處理。3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其15中該載板與該第一介電層之間經(jīng)過(guò)減弱附著處理。4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其中該IC整合基板具有一多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包含至少一介電層，其包含該第一介電層；及至少一金屬層，其中該至少一介電層與至少一金屬層依序交疊形成于該載板上。5.如權(quán)利要求4所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其中該多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的各介電層之間是經(jīng)由附著強(qiáng)化處理而25分別形成全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域。6.如權(quán)利要求1所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其中該IC整合基板還包含至少一半導(dǎo)體裝置，形成于該第一介電層上。7.如權(quán)利要求6所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其中該第一介電層與該至少一半導(dǎo)體裝置之間是經(jīng)由附著強(qiáng)化處理而形成全區(qū)附著強(qiáng)化區(qū)域。8.—種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，包含以下步驟提供一載板；及形成一IC整合基板于該載板上，該IC整合基板具有一與該載板貼合的第一介電層，其中選擇該載板與該第一介電層的材料，借助于該載板與該第一介電層之間的附著力，使該IC整合15基板不會(huì)在制程中自該載板剝離，且在最后切割處理時(shí)，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離。9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該載板與該第一介電層之間未經(jīng)任何附著處理。10.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，還包含在該載板與該第一介電層之間進(jìn)行減弱附著處理。11.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該IC整合基板具有一多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，且形成該IC整合基板的步驟包含形成至少一介電層，其包含該第一介電層；及形成至少一金屬層，以使該至少一介電層與至少一金屬層依序交疊形成于該載板上。12.如權(quán)利要求11所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟還包含在該多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的各介電層之間進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。13.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的10制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟包含形成該第一介電層于該載板上；及形成至少一半導(dǎo)體裝置于該第一介電層上。14.如權(quán)利要求13所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的15制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟還包含在該第一介電層與該至少一半導(dǎo)體裝置之間進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。15.—種電子裝置的制造方法，包含以下步驟-提供一載板；形成一IC整合基板于該載板上，該IC整合基板具有一與該載板貼合的第一介電層；及切割該IC整合基板，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離而形成電子裝置；'其中選擇該載板與該第一介電層的材料，以借助于該載板25與該第一介電層之間的附著力，使該IC整合基板不會(huì)在制程中自該載板剝離，且在最后切割處理時(shí)，使切割后的ic整合基板與該載板自然分離。16.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其中切割5后的IC整合基板與該載板是借助于膠帶粘附、夾具夾取、或真空吸附而自然分離。17.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其中該載板與該第一介電層之間未經(jīng)任何附著處理。18.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，還包含在該載板與該第一介電層之間進(jìn)行減弱附著處理。19.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其中該IC15整合基板具有一多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)，且形成該IC整合基板的步驟包含形成至少一介電層，其包含該第一介電層；及形成至少一金屬層，以使該至少一介電層與至少一金屬層依序交疊形成于該載板上。20.如權(quán)利要求19所述的電子裝置的制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟還包含在該多層內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的各介電層之間進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。21.如權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟包含形成該第一介電層于該載板上；及形成至少一半導(dǎo)體裝置于該第一介電層上。22.如權(quán)利要求21所述的結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該IC整合基板的步驟還包含在該第一介電5層與該至少一半導(dǎo)體裝置之間進(jìn)行附著強(qiáng)化處理。全文摘要本發(fā)明提供一種結(jié)合IC整合基板與載板的結(jié)構(gòu)，其包含一載板；及一IC整合基板，形成于載板上，且IC整合基板具有一與載板貼合的第一介電層，其中選擇該載板與該第一介電層的材料，以借助于該載板與該第一介電層之間的附著力，使該IC整合基板不會(huì)在制程中自該載板剝離，且在最后切割處理時(shí)，使切割后的IC整合基板與該載板自然分離。本發(fā)明亦提供上述結(jié)構(gòu)的制造方法、及電子裝置的制造方法。文檔編號(hào)H01L23/538GK101127330SQ200610115529公開(kāi)日2008年2月20日申請(qǐng)日期2006年8月18日優(yōu)先權(quán)日2006年8月18日發(fā)明者楊之光申請(qǐng)人:巨擘科技股份有限公司