專利名稱：：隔離溝槽的填充方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及豐導(dǎo)休制造技米領(lǐng)城，轉(zhuǎn)別步及一補(bǔ)隔禽為槽A填免分法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體得到了極為廣泛的應(yīng)用。等離子體的產(chǎn)生通常是在低壓環(huán)境下，在反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體并引入電子流，利用射頻(RF)電場(chǎng)使電子加速，使電子與氣體分子發(fā)生碰撞而轉(zhuǎn)移動(dòng)能，從而使氣體分子發(fā)生電離成為等離子體。產(chǎn)生的等離子體可用于各種半導(dǎo)體制造工藝，例如等離子刻蝕、淀積等。申請(qǐng)?zhí)枮?5307268.3的歐洲專利公開了一種產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，圖l為現(xiàn)有產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化示意圖，如圖1所示，所述系統(tǒng)包括反應(yīng)室IO,其內(nèi)底部設(shè)有卡盤50,卡盤50表面放置需進(jìn)行工藝處理的晶片60，在反應(yīng)室的上部和頂部具有線圈20，射頻功率源30輸出的射頻電壓驅(qū)動(dòng)線圈20產(chǎn)生射頻電場(chǎng)將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體40。隨著IC器件的高密度化和微細(xì)化，半導(dǎo)體器件有源區(qū)之間均采用淺溝槽隔離(shallowtrenchisolation,STI)結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離和絕緣。STI隔離結(jié)構(gòu)的形成首先在襯底表面形成襯墊氧化層(padoxide)和氮化硅層，然后刻蝕氮化硅、襯墊氧化層和襯底形成溝槽；接著在溝槽側(cè)壁和底部形成襯墊氧化層，再利用化學(xué)氣相淀積(CVD)在淺溝槽中填入絕緣介質(zhì)，例如氧化硅。在填入絕緣介質(zhì)之后，利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)的方法研磨上述填充的絕緣物質(zhì)使溝槽表面平坦化。在器件特征尺寸進(jìn)入65納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)后，隔離溝槽的深寬比(AspectRate)通常大于4。對(duì)于高深寬比的溝槽，為了增強(qiáng)溝槽的填充能力，通常是在等離子反應(yīng)室內(nèi)交替進(jìn)行淀積-刻蝕-再淀積的工藝步驟對(duì)溝槽進(jìn)行填充。圖2A至圖2F為說明現(xiàn)有STI溝槽填充過程的器件剖面示意圖。如圖2A所示，首先在襯底100刻蝕出溝槽200,并在溝槽表面形成襯墊氧化層(lineroxide)(圖中未示出)；然后，如圖2B所示，在溝槽200中淀積氧化硅300;隨后回刻溝槽200中淀積的氧化硅300，如圖2C所示；繼續(xù)在溝槽200中淀積氧化硅300,如圖2D所示；并再次刻蝕該淀積的氧化硅300,如圖2E所示；這樣循環(huán)幾次，直至將所述溝槽200填滿，如圖2F所示。現(xiàn)有用于處理12英寸大圓片的等離子反應(yīng)室受大面積線圏自身電感的影響，產(chǎn)生的電磁場(chǎng)均勻度不一致，線圈的中間部分產(chǎn)生的電磁場(chǎng)強(qiáng)度要大于邊緣部分的電磁場(chǎng)強(qiáng)度。此外還受到電子與反應(yīng)室壁的碰撞導(dǎo)致的能量耗散的影響，使產(chǎn)生的等離于體在中間區(qū)域和邊緣部分的密度不一致，中間區(qū)域的等離子體能量要高于邊緣部分的等離子體能量，使等離子體對(duì)中心區(qū)域的刻蝕和淀積速率要高于邊緣區(qū)域的刻蝕和淀積速率。由于上述等離子體中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的能量差異，晶片邊緣部分的等離子能量較弱，隨著淀積和刻蝕工藝的交替進(jìn)行，晶片邊緣部分填充的物質(zhì)和刻蝕掉的物質(zhì)均少于晶片中心區(qū)域，因此，溝槽填滿后，在晶片邊緣區(qū)域會(huì)出現(xiàn)如圖2F中所示的尖峰400,使晶片邊緣區(qū)域和中心區(qū)域的平坦程度差異較大，給后續(xù)的晶片平坦化帶來了較高難度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種隔離溝槽的填充方法，在大尺寸晶片在隔離溝槽填充后，能夠增加晶片邊緣區(qū)域絕緣層的厚度，從而提高晶片的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域絕緣層厚度的一致性和平坦程度。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的隔離溝槽的填充方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述襯底表面具有隔離溝槽；執(zhí)行第一填充工藝，在所述溝槽中沉積絕緣物質(zhì)直至所述絕緣物質(zhì)填滿所述溝槽；執(zhí)行第二填充工藝，在所述絕緣物質(zhì)表面沉積一覆蓋層；以及執(zhí)行第三填充工藝，在所述覆蓋層表面沉積又一覆蓋層。所述第二填充工藝為具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，所述第三填充工藝為具有第二賊射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝。所述具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為57006000W;氫氣的流量為130300sccm;氧氣的流量為180250sccm。所述具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為67008000W;氫氣的流量為130150sccm;氧氣的流量為180200sccm。所述第一濺射率為500600A/min;所述第二濺射率為850950A/min。所述第一填充工藝至少包括一高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝和至少一刻蝕工藝。所述淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為33004000W;氬氣的流量為130200sccm;氦氣的流量為3005000sccm;氧氣的流量為190300sccm;石圭烷的流量為50150sccm。所述刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為11002000W;氟化氮NF3的流量為150200sccm;氫氣的流量為130300sccm;氦氣的流量為120200sccm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)高深寬比隔離溝槽的填充方法采用HDP-CVD(高密度等離子化學(xué)氣相淀積)工藝加原位(insuit)等離子刻蝕工藝，通過上述工藝組合的淀積+賊射、刻蝕、再淀積的工藝步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)高深寬比溝槽的無孔隙(void)填充。然而受刻蝕設(shè)備所產(chǎn)生的等離子均勻度的影響，大面積晶片的邊緣區(qū)域的刻蝕-淀積速率要低于中心區(qū)域的刻蝕-淀積速率。因此，利用上述工藝填充隔離溝槽后，晶片邊緣區(qū)域的隔離溝槽上方會(huì)出現(xiàn)尖峰現(xiàn)象，溝槽上方填充的絕緣層的厚度要低于中心區(qū)域的溝槽上方絕緣層厚度，造成晶片平坦度下降。本發(fā)明的隔離溝槽填充方法在執(zhí)行上述工藝HDP-CVD加原位等離子刻蝕工藝填滿晶片表面的隔離溝槽后，繼續(xù)原位執(zhí)行一低濺射率的HDP-CVD工藝在晶片表面形成一覆蓋層；由于采用了低濺射率的HDP-CVD工藝，保證了在形成覆蓋層的同時(shí)，溝槽上方有源區(qū)不會(huì)因?yàn)R射工藝的刻蝕作用而造成損傷。隨后，再進(jìn)行一高濺射率的HDP-CVD工藝，于上述覆蓋層表面形成又一層覆蓋層。在這層覆蓋層的形成過程中，由于使用了高濺射率的HDP-CVD工藝，使得在形成覆蓋層的同時(shí)，濺射工藝的刻蝕作用會(huì)大幅度削減晶片邊緣區(qū)域的尖峰，削減掉的物質(zhì)填充于尖峰之間，進(jìn)一步提高了邊緣區(qū)域的厚度。本發(fā)明的方法借助兩步不同濺射率的HDP-CVD工藝，一方面提高了晶片表面中心和邊緣區(qū)域的平坦程度，有利于后續(xù)晶片表面的平坦化；另一方面，增加了隔離溝槽上方有源區(qū)的厚度，提高了晶片中心區(qū)域和邊緣區(qū)域有源區(qū)厚度的一致性，有利于保證晶片中心區(qū)域和邊緣區(qū)域器件制造工藝窗口的一致性。通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。在附圖中，為清楚明了，放大了層和區(qū)域的厚度。圖1為現(xiàn)有產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化示意圖2A至圖2F為說明現(xiàn)有STI溝槽填充過程的器件剖面示意圖3A至圖3C為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例填充晶片邊緣區(qū)域隔離溝槽的剖面示意圖。具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體集成電路制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是關(guān)于在半導(dǎo)體器件制造過程中填充隔離溝槽的方法。這里需要說明的是，本說明書提供了不同的實(shí)施例來說明本發(fā)明的各個(gè)特征，但這些實(shí)施例僅是利用特別的組成和結(jié)構(gòu)以方便說明，并非對(duì)本發(fā)明的限定。由于深亞微米元件溝槽的深寬比相對(duì)較高，通常大于4。因此采用高密度等離子化學(xué)氣相淀積法(High-Density-PlasmaCVD，HDP-CVD)加原位刻蝕工藝在溝槽中填充絕緣物，例如氧化硅(可以認(rèn)為本文以下的內(nèi)容中絕緣物和氧化硅的含義和作用相同)。HDP-CVD工藝是在同一個(gè)反應(yīng)腔中，同時(shí)使用淀積用反應(yīng)氣體與濺射用的氫、氦等氣體，以便同步地進(jìn)行淀積與賊射反應(yīng)。因此，HDP-CVD工藝兼具淀積和刻蝕的功能。具體來^LHDP-CVD中的淀積工藝是由硅烷(SiH4)和氧氣(02)的反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)，而蝕刻工藝則是由氫氣(H2)和氦氣(He)的濺射作用來完成。在溝槽填充過程中，隨著淀積的進(jìn)行在溝槽頂部沉積物會(huì)不斷積累使頂部開口縮小，影響沉積物質(zhì)的進(jìn)一步沉積，同步進(jìn)行的賊射作用將不斷積累的沉積物質(zhì)刻蝕掉，再沉積進(jìn)入溝槽底部，從而避免了孔隙的產(chǎn)生。原位刻蝕工藝回刻填充的絕緣物質(zhì)，使溝槽進(jìn)一步打開，有利于后續(xù)的絕緣物質(zhì)沉積。這里借助圖2A至圖2F說明上述過程。如圖2A至圖2F所示，所述示意圖只是實(shí)例，在此不應(yīng)過多限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。在襯底100上形成溝槽200后，進(jìn)行溝槽填充工藝。HDP-CVD工藝中使用的反應(yīng)氣體包括淀積用的反應(yīng)氣體SiEU及02,以及'減射用的氣體Hb和He。反應(yīng)室內(nèi)氦氣(He)/氫氣(H2)等氣體的含量影響濺射率，02和SiH4的含量影響淀積率。濺射率和淀積率的比影響填充的效果，而賊射率和淀積率的比與淀積氣體SiH4和02以及濺射氣體H2和He的含量比有關(guān)。由于淀積和濺射工藝是同時(shí)進(jìn)行的，SiH4和02以及H2的含量要適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，以便填充量達(dá)到最佳。本實(shí)施例的HDP-CVD工藝中，通過調(diào)整SiH4和02以及H2和He的含量以使濺射淀積比為l:1，這種工藝適用于高深寬比的溝槽填充工藝，能夠有效地避免削角和孔洞現(xiàn)象的產(chǎn)生，達(dá)到最佳的填充效果。利用HDP-CVD工藝填充氧化硅300時(shí)，首先將襯底置于反應(yīng)室的真空容器內(nèi)，并在襯底表面形成溝槽。反應(yīng)室的真空容器內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電性隔壁板，導(dǎo)電性隔壁板將真空容器內(nèi)部隔離為兩個(gè)空間，一個(gè)空間內(nèi)部形成為配置了射頻電極的等離子體生成空間、另一個(gè)空間為成膜處理空間，內(nèi)部配置有承栽襯底的襯底保持機(jī)構(gòu)。上述導(dǎo)電性隔壁板具有使等離體生成空間和成膜處理空間連通的多個(gè)貫通孔，并且具有與等離體生成空間隔離，且通過多個(gè)擴(kuò)散孔與成膜空間連通的內(nèi)部空間。H2和He從外部供給到導(dǎo)電性隔壁板的內(nèi)部空間中與材料氣體SiH4相混合，并通過該多個(gè)擴(kuò)散孔被導(dǎo)入成膜處理空間，同時(shí)將02通入等離子體生成空間。利用射頻電極提供射頻電壓，反應(yīng)室底部提供射頻偏置功率，在等離子體生成空間中使02電離生成高密度氧原子等離子體，由等離子體產(chǎn)生原子團(tuán)，將該原子團(tuán)穿過上述隔壁板的多個(gè)孔導(dǎo)入到成膜處理空間，同時(shí)在成膜處理空間中直接導(dǎo)入材料氣體SiH4(從反應(yīng)室的頂部和側(cè)面分別導(dǎo)入)。將該等離子體穿過上述隔壁板的多個(gè)孔導(dǎo)入到成膜處理空間，在成膜處理空間該等離子體放電而與材料氣體SiH4進(jìn)行化學(xué)氣相淀積反應(yīng)，H2和He與材料氣體SiH4進(jìn)行濺射反應(yīng)，&的作用是與淀積過多而形成凸角的Si02反應(yīng)重新還原生成SiH4。同時(shí)通入惰性氣體He力口以保護(hù)，從而在襯底上淀積生成氧化硅膜。在成膜處理空間02和SiH4反應(yīng)生成二氧化硅膜的化學(xué)反應(yīng)式為SiH4+02=Si02+H20上述HDP-CVD的基本工藝參數(shù)的范圍列于表1中，濺射淀積比與(VSiH4的含量比即可由這些基本工藝參數(shù)調(diào)整而得。表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>蝕工藝為原位刻蝕，即在執(zhí)行一HDP-CVD工藝后，在同一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)繼續(xù)執(zhí)行刻蝕工藝?？涛g的目的是將溝槽內(nèi)填充的氧化硅減薄以便擴(kuò)大溝槽開口，便于繼續(xù)沉積。本刻蝕工藝在反應(yīng)室內(nèi)淀積工藝結(jié)束之后原位進(jìn)行，通過改變反應(yīng)條件即可將淀積工藝改變?yōu)榭涛g工藝。本實(shí)施例中采用NF3作為氧化硅的刻蝕氣體，其流量為150200sccm;射頻功率分別/人反應(yīng)室的上方和側(cè)面引入，從上方引入的射頻功率為20003000W，從反應(yīng)室側(cè)面引入的射頻功率為和6000~7000W。同時(shí)還要通入H2和He,流量分別為150300sccm和120200sccm。交替進(jìn)行34次上述HDP-CVD工藝和原位刻蝕工藝，便可在隔離溝槽中實(shí)現(xiàn)無孔隙填充。前已述及，因設(shè)備所產(chǎn)生的等離子體不均勻，造成的在大面積晶片的邊緣區(qū)域的刻蝕-淀積速率要低于中心區(qū)域的刻蝕-淀積速率。通過上述工藝填充隔離溝槽后，晶片邊緣區(qū)域的溝槽上方會(huì)出現(xiàn)尖峰現(xiàn)象。使溝槽上方填充的氧化硅層厚度低于中心區(qū)域溝槽上方氧化硅層厚度，導(dǎo)致晶片平坦度下降。本發(fā)明的隔離溝槽填充方法在執(zhí)行上述工藝HDP-CVD加原位等離子刻蝕工藝填滿晶片表面的隔離溝槽后，繼續(xù)原位執(zhí)行兩次不同濺射率的HDP-CVD工藝在晶片表面形成填平上述尖峰的覆蓋層。圖3A至圖3C為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例填充晶片邊緣區(qū)域隔離溝槽的剖面示意圖。所述示意圖只是實(shí)例，在此不應(yīng)過多限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖3A所示，為簡(jiǎn)便起見，襯底110包括了未示出的溝槽和溝槽中填充的氧化硅。為突出起見，用并列的尖峰400表示圖2F中晶片邊緣的表面形態(tài)。如圖3B所示，本發(fā)明的方法在原位采用一具有低濺射率的HDP-CVD工藝，在填充的氧化硅表面繼續(xù)淀積一層氧化硅作為覆蓋層500，以填充尖峰400之間的縫隙，使晶片邊緣區(qū)域氧化硅層的厚度增加，尖峰400的高度也隨之降低。采用低賊射率的HDP-CVD工藝是為了確保形成覆蓋層時(shí)，溝槽上方將要用于形成有源區(qū)的氧化硅層不會(huì)因賊射的刻蝕作用而造成損傷。上述具有低濺射率的HDP-CVD工藝在同一反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行，為了得到所需的低濺射率，將反應(yīng)室的射頻偏置功率設(shè)置在57006000W之間；H2的流量控制在130300sccm;He的流量為300500sccm;02的流量為180250sccm;淀積氣體SiH4從反應(yīng)室側(cè)面通入的流量為100200sccm,從頂部通入的流量為1020sccm。通過上述工藝參數(shù)得到的賊射率為500~600A/min。正常的淀積速率和較^[氐的'減射速率使沉積氧化硅的過程成為主導(dǎo)，形成覆蓋層500的同時(shí)對(duì)尖峰的削減作用相對(duì)較弱。接下來如圖3C所示，繼續(xù)在進(jìn)行一具有高濺射率的HDP-CVD工藝，于上述覆蓋層500表面沉積氧化硅，形成覆蓋層600。在此過程中，由于使用了高濺射率的HDP-CVD工藝，使得在形成覆蓋層的同時(shí)，濺射的刻蝕作用大幅度削減了尖峰400,削減掉的物質(zhì)繼續(xù)填充于尖峰之間，進(jìn)一步提高了邊緣區(qū)域的厚度。上述具有高濺射率的HDP-CVD工藝也在同一反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行，為了得到所需的高濺射率，將反應(yīng)室的射頻偏置功率設(shè)置在67008000W之間；1€2的流量控制在130-150sccm;He的流量為300500sccm;02的流量為180200sccm;淀積氣體SiHt從反應(yīng)室側(cè)面通入的流量為50100sccm，從頂部通入的流量為510sccm。通過上述工藝參數(shù)得到的濺射率為850~950A/min。正常的淀積速率和較高的濺射速率使刻蝕尖峰400的過程成為主導(dǎo)，形成覆蓋層600的同時(shí)對(duì)尖峰的削減作用大大增強(qiáng)，尖峰400被大幅度削減，形成了較為平坦的覆蓋層600。通過兩步不同濺射率的HDP-CVD工藝，一方面提高了晶片表面中心和邊緣區(qū)域的平坦程度，有利于后續(xù)晶片表面的平坦化；另一方面，增加了晶片邊緣隔離溝槽上方氧化層的厚度，使晶片中心區(qū)域和邊緣區(qū)域氧化層的厚度趨于一致，所述氧化層作為后續(xù)形成器件的有源區(qū)，有利于保證晶片中心區(qū)域和邊緣區(qū)域器件制造工藝窗口的一致性。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和4支術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、一種隔離溝槽的填充方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述襯底表面具有隔離溝槽；執(zhí)行第一填充工藝，在所述溝槽中沉積絕緣物質(zhì)直至所述絕緣物質(zhì)填滿所述溝槽；執(zhí)行第二填充工藝，在所述絕緣物質(zhì)表面沉積一覆蓋層；以及執(zhí)行第三填充工藝，在所述覆蓋層表面沉積又一覆蓋層。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第二填充工藝為具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，所述第三填充工藝為具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為57006000W;氫氣的流量為130300sccm;氧氣的流量為180250sccm。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為67008000W;氬氣的流量為130150sccm;氧氣的流量為180200sccm。5、根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于所述第一濺射率為500~600A/min;所述第二賊射率為850950A/min。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一填充工藝至少包括一高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝和至少一刻蝕工藝。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為33004000W;氬氣的流量為130200sccm;氦氣的流量為3005000sccm;氧氣的流量為19(K300sccm;硅烷的流量為50150sccm。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為11002000W;氟化氮NF3的流量為150200sccm;氮?dú)獾牧髁繛?30300sccm;氦氣的流量為120200sccm。9、一種隔離溝槽的填充方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述襯底表面具有隔離溝槽；執(zhí)行至少一高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝和至少一刻蝕工藝，在所述溝槽中沉積絕緣物質(zhì)，直至填滿所述溝槽；其特征在于繼續(xù)執(zhí)行一具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，在所述絕緣物質(zhì)表面沉積一覆蓋層；以及執(zhí)行一具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，在所述覆蓋層表面沉積又一覆蓋層，所述第二濺射率大于所述第一賊射率。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述第一賊射率為500600A/min;所述第二濺射率為850~950A/min。11、根據(jù)權(quán)利要求9或IO所述的方法，其特征在于所述具有第一賊射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為57006000W;氫氣的流量為130300sccm;氧氣的流量為180250sccm。12、根據(jù)權(quán)利要求9或IO所述的方法，其特征在于所述具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝的工藝參數(shù)包括射頻偏置功率為67008000W;氫氣的流量為130150sccm;氧氣的流量為180200sccm。全文摘要本發(fā)明一種隔離溝槽的填充方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述襯底表面具有隔離溝槽；執(zhí)行至少括一高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝和至少一刻蝕工藝，在所述溝槽中沉積絕緣物質(zhì)，直至填滿所述溝槽；繼續(xù)執(zhí)行一具有第一濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，在所述絕緣物質(zhì)表面沉積一覆蓋層；以及執(zhí)行一具有第二濺射率的高密度等離子化學(xué)氣相淀積工藝，在所述覆蓋層表面沉積又一覆蓋層，所述第二濺射率大于所述第一濺射率。本發(fā)明的隔離溝槽的填充方法能夠在大尺寸晶片在隔離溝槽填充后增加晶片邊緣區(qū)域絕緣層的厚度，從而提高晶片的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域絕緣層厚度的一致性和平坦程度。文檔編號(hào)H01L21/762GK101197305SQ20061011914公開日2008年6月11日申請(qǐng)日期2006年12月5日優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日發(fā)明者劉明源申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司