專利名稱：針對大錫球的晶圓減薄制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，具體地說，涉及針對大錫球的晶圓減薄制程。
背景技術(shù)：
目前晶背減薄制程如

圖1所示，首先在晶圓上生長錫球，在錫球成型以后 再在晶圓上粘貼紫外膠作為保護膠，然后在進行晶背研磨該紫外膠以獲取較為 薄的晶圓，采用紫外光照射以去除紫外膠和晶圓之間的粘性，去除紫外膠。
然而，在實際制程中，由于采用的紫外膠保護厚度有效，通常只能粘貼在
100微米的錫球上。如果錫球過大，例如超過200微米，普通的紫外膠則由于厚 度不夠而不能達到很好保護錫球的效果。此外，厚度較大的紫外膠的價格太高， 又會大幅增加生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種改進的針對大錫球的晶圓減薄制程，其不會損 傷錫球。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其中，該 制程在錫球尚未回流成型之前先粘貼保護膠，然后再進行晶背研磨。
該制程包括如下步驟a.在晶圓上沉積一層金屬介質(zhì)層，并在金屬介質(zhì)層 上覆蓋一層光膠層；b.利用光刻法在光膠層開孔；c.在光膠層的開孔內(nèi)形成 錫球；d.在光膠正面粘貼保護膠后進行晶背研磨。
所述步驟d還包括如下步驟e.去除保護膠及光膠層；f.蝕刻金屬以去除 生長錫球之外的金屬介質(zhì)層；g.回流晶圓使錫球成型。
該制程包括如下步驟a.在晶圓上沉積一層金屬介質(zhì)層，并在金屬介質(zhì)層 上覆蓋一層光膠層；b.利用光刻法在生長錫球的位置形成光膠保護區(qū)；c.蝕 刻光膠保護區(qū)以外的金屬介質(zhì)層并去除光膠層；d.在金屬介質(zhì)層的上方粘貼保
護膠，然后進行晶背研磨。
光膠保護區(qū)是通過曝光顯影工藝去除生長錫球位置以外的光膠而形成。
步驟d還包括如下步驟e.去除保護膠及光膠；f.〗吏用錫球貼裝法將錫球 貼到金屬介質(zhì)層上；g.蝕刻金屬以去除生長錫球之外的金屬介質(zhì)層；h.回流 晶圓使錫球成型。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的制程在錫球尚未回流成型之前先粘貼保護膠， 然后再進行晶背研磨，即使利用普通的紫外膠也能很好地保護大錫球。
附圉說明
通過以下對本發(fā)明的一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進一步理解其發(fā)明 的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的針對大錫球的晶圓減薄制程的示意圖2為本發(fā)明針對大錫球的晶圓減薄制程的示意圖3為本發(fā)明另一針對大錫球的晶圓減薄制程的示意圖。
具體宍施方式
本發(fā)明晶背減薄制程并不是在晶圓上的錫球制程結(jié)束后再進行，而是在錫 球制程前就貼上保護膠進行晶背研磨。
本發(fā)明的第一實施例中的晶背減薄制程包括如下步驟，首先用濺鍍法在晶 圓1上沉積一層金屬介質(zhì)層2，然后在金屬介質(zhì)層2上覆蓋一層光膠層3，并利 用光刻法在光膠層3上形成開孔。然后在光膠層3的開孔內(nèi)用電鍍法或其他方 法形成錫球4;在光膠層3正面粘貼紫外膠5后進行晶背研磨，然后經(jīng)過紫外光 照射去除紫外膠5的粘性，去除紫外膠5及光膠3，最后蝕刻金屬以去除生長錫 球4之外的金屬介質(zhì)層2，回流晶圓1使錫球4成型，并去除助焊劑。
本發(fā)明還提供一個晶背減薄制程的實施例，該晶背減薄制程包括如下步驟， 該制程首先用濺鍍法在晶圓1上沉積一層金屬介質(zhì)層2,在金屬介質(zhì)層2上涂布 光膠層3,利用光刻法的曝光顯影工藝在要生長錫球4的位置形成光膠保護區(qū)； 然后蝕刻光膠保護區(qū)以外的金屬介質(zhì)層2，之后去除光膠3，露出金屬介質(zhì)層2， 再在金屬介質(zhì)層2的上方粘貼紫外膠5，然后進行晶背研磨，最后經(jīng)過紫外光照射去除紫外膠5的粘性以去除紫外膠5，并使用錫球貼裝法將錫球4貼到金屬介
質(zhì)層2上，回流晶圓1使錫球4成型，并去除助焊劑。
權(quán)利要求
1、一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于，該制程在錫球尚未回流成型之前先粘貼保護膠，然后再進行晶背研磨。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于該制程 包括如下步驟a. 在晶圓上沉積一層金屬介質(zhì)層，并在金屬介質(zhì)層上覆蓋一層光膠層；b. 利用光刻法在光膠層開孔；c. 在光膠層的開孔內(nèi)形成錫球；d. 在光膠正面粘貼保護膠后進行晶背研磨。
3、 如權(quán)利要求2所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于步驟d 還包括如下步驟e. 去除保護膠及光膠層；f. 蝕刻金屬以去除生長錫球之外的金屬介質(zhì)層；g. 回流晶圓使錫球成型。
4、 如權(quán)利要求3所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于保護膠 為紫外膠。
5、 如權(quán)利要求4所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于通過紫 外光照射紫外膠以去除紫外膠的粘性。
6、 如權(quán)利要求1所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于該制程 包括如下步驟a. 在晶閨上沉積一層金屬介質(zhì)層，并在金屬介質(zhì)層上覆蓋一層光膠層；b. 利用光刻法在生長錫球的位置形成光膠保護區(qū)；c. 蝕刻光膠保護區(qū)以外的金屬介質(zhì)層并去除光膠層；d. 在金屬介質(zhì)層的上方粘貼保護膠，然后進行晶背研磨。
7、 如權(quán)利要求6所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于光膠保 護區(qū)是通過膝光顯影工藝去除生長錫球位置以外的光膠而形成。
8、 如權(quán)利要求6所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于步驟d 還包括如下步驟e. 去除保護膠及光膠；f. 使用錫球貼裝法將錫球貼到金屬介質(zhì)層上；g. 蝕刻金屬以去除生長錫球之外的金屬介質(zhì)層；h. 回流晶圓使錫球成型。
9、 如權(quán)利要求8所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于保護膠為紫外膠。
10、 如權(quán)利要求9所述的一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其特征在于通過紫外光照射紫外膠以去除紫外膠的粘性。
全文摘要
本發(fā)明提供一種針對大錫球的晶圓減薄制程，其中，該制程在錫球尚未回流成型之前先粘貼保護膠，然后再進行晶背研磨。該制程首先在晶圓上沉積一層金屬介質(zhì)層，在金屬介質(zhì)層上覆蓋一層光膠層；利用光刻法在光膠層開孔；在光膠層的開孔內(nèi)形成錫球；在光膠正面粘貼保護膠后進行晶背研磨。本發(fā)明還提供另一制程，首先在晶圓上沉積一層金屬介質(zhì)層，并在金屬介質(zhì)層上覆蓋一層光膠層；利用光刻法在生長錫球的位置形成光膠保護區(qū)；蝕刻光膠保護區(qū)以外的金屬介質(zhì)層并去除光膠層；最后，在金屬介質(zhì)層的上方粘貼保護膠，然后進行晶背研磨。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明即使利用普通的紫外膠也能很好地保護大錫球。
文檔編號H01L21/00GK101202201SQ200610119538
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者靳永剛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司