專利名稱：用于襯底處理室的處理配件和靶材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于襯底處理室的處理配件和靶材。
背景技術(shù)：
在處理諸如半導(dǎo)體晶圓和顯示器的襯底的過程中，將襯底放置在處理室中并設(shè)定處理室中的處理條件以在該襯底上沉積或者蝕刻材料。典型的處理室包括多個室部件，其包括包圍處理區(qū)的圍墻壁、用于在室內(nèi)提供氣體的氣源、對處理氣體施加能量以處理襯底的激發(fā)器、用于保持襯底的襯底支架，以及去除廢氣并保持室內(nèi)氣壓的排氣裝置。該室可以包括CVD、PVD和蝕刻室。在PVD室中，濺射靶材以促使靶材料沉積在與靶材相對的襯底上。在濺射工藝中，將惰性氣體或者反應(yīng)氣體提供到室內(nèi)，通常對靶材施加電偏壓，并且對襯底保持某一浮動電壓，從而在室內(nèi)產(chǎn)生導(dǎo)致靶材濺射的等離子體。
PVD室可以包括包含室部件的處理配件，將該室部件設(shè)置在襯底支架處以減少在室側(cè)壁或者其他區(qū)域上沉積PVD形成物。例如，典型的PVD室處理配件可以包括沉積、覆蓋和/或遮蔽環(huán)，所有這些均位于襯底的周圍。設(shè)置不同的環(huán)結(jié)構(gòu)來接收濺射沉積，否則這些沉積物將會聚集在支架的側(cè)面或者襯底的暴露背面上。該處理配件還可以包括通過采用容納表面來接收PVD濺射沉積物從而保護(hù)室側(cè)壁的室護(hù)板和內(nèi)襯，否則這些沉積物會沉積在室的側(cè)壁上。這些處理配件部件還減少了在所述表面上的濺射沉積物的累積，否則最終這些沉積物將會脫落從而形成沉積在襯底上的污染顆粒。所述配套元件還可以通過施加能量的等離子體減少內(nèi)部室結(jié)構(gòu)的腐蝕。同時為了清洗累積的沉積物，還可以將這些部件設(shè)計為方便拆卸的配件。在經(jīng)過成批襯底處理后，例如，處理1000個襯底后，通常去除所述處理配套部件并采用包括HF和HNO3的酸性溶液清洗從而去除在工藝循環(huán)期間累積在配套部件上的濺射沉積物。
人們希望存在一種包括相對于彼此成型并設(shè)置的元件的處理配件，該配件可以降低室內(nèi)壁上形成的濺射沉積物的數(shù)量。減少累積沉積物使得在不必關(guān)機(jī)或者為了清洗分解所述室的情況下在該室中連續(xù)處理更大量的襯底。每次該室需要清洗時，其造成的停機(jī)時間提高了襯底的處理成本。因此，人們希望在不關(guān)掉處理室以清洗其內(nèi)表面的情況下最大化采用該室在襯底上沉積濺射材料的時間量。
而且，在某些PVD工藝中，諸如鋁PVD工藝，濺射的鋁沉積在累積在各種沉積、覆蓋和襯底周圍的其他環(huán)之間的間隙中，并且還形成在襯底的背面。該累積的濺射沉積物導(dǎo)致在試圖從所述支架上去除襯底時所述襯底粘在沉積環(huán)上從而導(dǎo)致襯底損傷。人們希望存在一種可以減少襯底背面沉積以及支架側(cè)面沉積的環(huán)，在該環(huán)上不會累積導(dǎo)致襯底粘結(jié)在環(huán)上的沉積物。同時還希望在從支架上提升襯底時防止部分粘連的沉積環(huán)隨著襯底一起升高從而減少對襯底和/或沉積環(huán)的損傷。
當(dāng)圍繞襯底的內(nèi)襯和護(hù)板由于暴露在室內(nèi)的濺射等離子體中而升溫時又產(chǎn)生另一問題。通常，在室的低壓環(huán)境中內(nèi)襯和護(hù)板不會和周圍的室部件交換很多的熱量以將所述部件的溫度降低到可接受的水平。由于所述部件熱擴(kuò)散產(chǎn)生在完成工藝循環(huán)后護(hù)板和內(nèi)襯上形成的濺射沉積物發(fā)生剝落或者散裂的熱應(yīng)力，因此所述部件上的過量的熱量是不利的。因此，在處理襯底的過程中希望護(hù)板和內(nèi)襯保持在較低的溫度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種處理配件，該配件可以降低處理室內(nèi)壁上由于濺射工藝而沉積的沉積物數(shù)量，從而在不必關(guān)機(jī)或者為了清洗分解所述室的情況下在該處理室中連續(xù)處理更多的襯底。
本發(fā)明的另一目的在于減少襯底背面沉積，從而減少對襯底的損傷。
本發(fā)明的再一目的在于在處理襯底的過程中將護(hù)板和內(nèi)襯保持在較低的溫度，從而減少護(hù)板和內(nèi)襯上形成的濺射沉積物發(fā)生剝落或者散裂導(dǎo)致引入污染顆粒的現(xiàn)象。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中位于襯底支架周圍的沉積環(huán)，在該處理室中形成處理氣體等離子體，所述支架包括中止于所述襯底懸伸邊的外壁，并且所述沉積環(huán)包括(a)圍繞所述支架外壁的環(huán)形帶，所述環(huán)形帶包括(i)從所述環(huán)形帶橫向延伸處的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；(ii)凸起的脊；(iii)位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；以及(iv)所述凸起的脊向外呈放射狀的壁架。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種至少部分覆蓋具有凸起的脊和內(nèi)部開口通道的沉積環(huán)的蓋環(huán)，在襯底處理室中所述覆蓋和沉積環(huán)位于襯底支架的周圍，在所述襯底處理室形成處理氣體的等離子體從而處理所述襯底，所述支架包括終止于所述襯底懸伸邊的外壁，并且所述蓋環(huán)包括(a)環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及進(jìn)入疊加在所述沉積環(huán)的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及(b)一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中位于襯底支架周圍的環(huán)組件，在該處理室中形成處理氣體等離子體以處理所述襯底，所述支架包括中止于所述襯底懸伸邊的外壁，并且所述環(huán)組件包括(a)圍繞所述支架外壁的環(huán)形帶，所述環(huán)形帶包括(i)從所述環(huán)形帶橫向延伸處的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；(ii)凸起的脊；(iii)位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；以及(iv)所述凸起的脊向外呈放射狀的壁架；以及(b)至少部分覆蓋所述沉積環(huán)的蓋環(huán)，所述蓋環(huán)包括(i)環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及進(jìn)入與所述沉積環(huán)疊加的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及(ii)一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁，從而所述凸起的脊和所述蓋環(huán)限定了阻止等離子體通過所述間隙的彎曲間隙。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中用于在襯底支架周圍保持沉積環(huán)的固定組件，所述沉積環(huán)包括具有固定柱的外圍凹槽，并且所述固定組件包括(a)包括兩端的限制梁，所述限制梁可以與所述襯底支架連接；(b)防升托架包括(i)包括用于容納限制梁一端的直通通道的部件；(ii)與所述部件連接固定環(huán)，設(shè)計所述固定環(huán)的尺寸使其在所述沉積環(huán)的外圍凹槽中的固定柱上部滑動，從而，在使用時，所述直通通道在限制梁上滑動使得所述固定環(huán)環(huán)繞所述固定柱，所述固定柱允許使所述部件的重量穩(wěn)定地將所述沉積環(huán)固定到支架上。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中可以圍繞與襯底支架相對的濺射靶材的濺射表面的整體護(hù)板，其可以減少沉積在支架和室側(cè)壁上的濺射沉積物，所述護(hù)板包括(a)具有圍繞濺射靶材的濺射表面和所述襯底支架的直徑尺寸的圓柱形外部帶，所述外部帶具有頂端和底端，所述頂端具有與所述濺射靶材相鄰沿徑向向外的錐形表面；(b)從所述外部帶底端向內(nèi)徑向延伸的底板；(c)與底板接合的圓錐形內(nèi)部帶，并且其至少部分圍繞所述襯底支架的外圍邊緣。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種用于在襯底處理室中冷卻圓柱形護(hù)板的熱交換器，所述熱交換器包括(a)一板，其內(nèi)周包括設(shè)計尺寸適于圍繞圓柱形護(hù)板的圓孔；以及(b)位于所述板中的多邊形導(dǎo)管，在所述導(dǎo)管中流過熱交換液體，所述多邊形導(dǎo)管包括以多邊形圖案形狀圍繞所述圓孔互連的多個分支，并且所述多邊形導(dǎo)管包括入口和出口。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中可以固定在護(hù)板內(nèi)以及位于隔離器上的濺射靶材，所述濺射靶材包括(a)由要濺射到所述襯底上的濺射材料構(gòu)成的濺射板，所述濺射板包括傾斜邊緣；(b)用于支撐所述濺射板的背板，所述背板包括超出所述濺射板的傾斜邊緣延伸的外圍突出部分，所述外圍突出部分包括在該室中位于所述隔離器上的底腳，以及內(nèi)部凸起，設(shè)計所述內(nèi)部凸起的形狀和尺寸以減少沉積在所述隔離器和護(hù)板上的濺射沉積物。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種在襯底處理室中可以圍繞與襯底支架相對的濺射靶材的濺射表面的處理配件，其可以減少沉積在支架和室側(cè)壁上的濺射沉積物，所述支架包括中止于所述襯底懸伸邊下部的外壁和限制梁，所述處理配件包括(a)包括圍繞所述支架的環(huán)形帶的沉積環(huán)，所述沉積環(huán)具有從所述環(huán)形帶橫向延伸的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；凸起的脊；位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；所述凸起的脊徑向向外的壁架；以及具有固定柱的外圍凹槽；(b)至少部分覆蓋沉積環(huán)的蓋環(huán)，所述蓋環(huán)包括環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及并具有進(jìn)入疊加在所述沉積環(huán)的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁；以及(c)防升托架包括用于容納限制梁一端的直通通道的部件和與固定環(huán)，設(shè)計所述固定環(huán)的尺寸使其在所述沉積環(huán)的外圍凹槽中的固定柱上部滑動。
本發(fā)明可實現(xiàn)包括以下的一個或多個優(yōu)點。本發(fā)明可以降低處理室內(nèi)壁上由于濺射工藝而沉積的沉積物數(shù)量，從而在不必關(guān)機(jī)或者為了清洗分解所述室的情況下在該處理室中連續(xù)處理更多的襯底，減少對襯底的損傷，減少護(hù)板和內(nèi)襯上形成的濺射沉積物發(fā)生剝落或者散裂導(dǎo)致引入污染顆粒的現(xiàn)象等。
以下將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的一個或多個實施方式。本發(fā)明的其它目的、特征、方面和優(yōu)點在以下描述并結(jié)合附圖和權(quán)利要求書中將變得更加明顯可見。


通過如下的說明書、所附權(quán)利要求以及表示本發(fā)明實施例的附圖可以使本發(fā)明的所述特征、方面和優(yōu)點更加顯而易見。但是，應(yīng)該認(rèn)識到在本發(fā)明中所采用的各個特征，不應(yīng)僅限于具體示圖，并且本發(fā)明包括這些特征的任意組合，其中圖1為具有處理配件的實施方式的襯底處理室的截面?zhèn)纫暿疽鈭D；圖2為圖1所示的處理配件的界面?zhèn)纫晥D；圖3為圖2的處理配件透視圖；圖4A為用于防升托架的保持架的透視圖；圖4B為位于防升托架的保持架處的支架背面的透視圖；圖5為在圍繞襯底支架的沉積環(huán)上凹槽中的固定柱上滑動的防升托架的透視圖；圖6為在將防升托架固定到圍繞襯底支架的沉積環(huán)的固定柱上后該防升托架的透視圖；圖7為在陶瓷隔離器上滑動的防升托架的分解透視圖，其中該陶瓷隔離器通過針固定組件與限制梁的叉連接在一起；
圖8為防升托架、陶瓷隔離器、針和限制梁裝配到襯底支架上的透視圖；圖9為具有內(nèi)置多邊形導(dǎo)管的熱交換器的頂部截面圖；以及圖10為作為到襯底和支架的距離的函數(shù)，形成在部件上沉積物厚度的鋁沉積工藝中處理配件等比例尺寸獲得的模擬結(jié)果曲線圖。
具體實施例方式
適用的處理室100的實施例可以處理圖1所示的襯底104。處理室100包括包圍處理區(qū)域106的包圍壁108，所述壁108包括側(cè)壁116、底部壁120和頂板124。處理室100可以室具有一系列通過機(jī)械手互連的室的多室平臺(未示出)的一部分，其中所述機(jī)械手機(jī)械裝置可以在室106之間傳輸襯底104，在所示的實例中，處理室100包括濺射沉積室，還成為物理汽相沉積或者PVD室，其可以在沉積104上濺射沉積材料，諸如鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銅、鎢、氮化鎢和鋁。
室100包括用于支撐襯底104的襯底支架130，該支架包括底座134。底座134具有在工藝期間承載并支撐襯底104的容納表面。并可以包括靜電卡盤和加熱器，諸如電阻式加熱器或者熱交換器(未示出)。在工作中，通過位于室100的側(cè)壁上的襯底加載入口將襯底104引入室100并將其放置于襯底支架130上。通過支架提升風(fēng)箱提升或者降低支架130和/或在支架130上定位襯底104期間可以采用升降指狀組件在支架130上提升或者降低襯底。在等離子工作期間所述底座134保持在電浮動電勢或者地電勢狀態(tài)。
處理室100還包括具有面向襯底104的濺射表面的濺射靶材140，其包括向襯底104濺射的材料。靶材104通過一般由介電或絕緣材料組成的絕緣體144電絕緣處理室100。靶材140連接靶材功率源148和/或電氣浮接的電支架130，該靶材功率源140給靶材140和位于處理室前壁的護(hù)板150施加偏壓。靶材140、護(hù)板150、支架130和連接靶材功率源148作為氣體激發(fā)器以形成等離子濺射氣體。氣體激發(fā)器152還可包括源線圈153其用于利用通過該線圈的電流在處理室100中產(chǎn)生等離子體。所產(chǎn)生的等離子體激發(fā)地撞擊并轟擊靶材140的濺射表面142以將表面142的材料濺射到襯底104上。
通過送氣系統(tǒng)160將濺射氣體通入到處理室100中，提供來自氣源162的氣體以設(shè)定的流速經(jīng)由具有氣流控制閥166的導(dǎo)管164諸如質(zhì)量流量控制器通過其中。氣體送入混合的歧管裝置(也未示出)其中該氣體混合以形成所需的處理氣體并送入處理室100中具有氣體出口的氣體分布器168。工藝氣體可包括諸如氬氣或氙氣的非反應(yīng)氣體，其能激發(fā)地撞擊并濺射靶材。工藝氣體也可包括諸如一種或多種含氧氣體和含氮氣體的反應(yīng)氣體，其能與濺射的材料反應(yīng)以形成襯底104上的層。消耗的工藝氣體和副產(chǎn)品通過包括排氣口172的排氣170從處理室100排出，該排氣口接收消耗的工藝氣體并使該消耗的工藝氣體通入具有節(jié)流閥176用以控制處理室100中氣壓的排氣導(dǎo)管174。該排氣導(dǎo)管174連接一個多個泵178。一般地，處理室中濺射氣體的氣壓設(shè)置在諸如真空環(huán)境的低于大氣壓水平，例如1mTorr到400mTorr的氣壓。
處理室100通過包含具有指令設(shè)置的程序代碼的控制器180控制以操作處理室100的元件在處理室100中處理襯底104。例如，控制器180可包含程序代碼其包括襯底位置設(shè)置指令以操作襯底支架130以及執(zhí)行襯底傳送，氣流控制指令以操作氣流控制閥設(shè)置進(jìn)入處理室100的濺射氣體的氣流；氣壓控制指令設(shè)置以操作排氣節(jié)流閥保持處理室100中的氣壓；氣體激發(fā)控制指令設(shè)置以操作氣體激發(fā)器設(shè)置氣體激發(fā)功率值；溫度控制指令設(shè)置以控制溫度控制系統(tǒng)從而設(shè)置處理室100中不同元件的溫度；以及處理監(jiān)控指令設(shè)置以監(jiān)控處理室100中的工藝。
處理室包括工藝套件200，其包括可便于從處理室100移除的不同部件，例如清除元件表面的濺射沉積，替換或修理腐蝕的部件，或者使處理室用于其它工藝。在一種類型中，工藝套件200包括環(huán)組件202用于設(shè)置襯底支架130的外壁204，該襯底支架130終止于襯底的懸伸邊206前。環(huán)組件202包括沉積環(huán)208和蓋環(huán)212其互相結(jié)合用于減少在支架130的外壁204或襯底104的懸伸邊206上形成濺射沉積。
如圖2和圖3中所示沉積環(huán)208包括環(huán)狀帶216其擴(kuò)展至并包圍支架130的外壁204。環(huán)狀帶216包括內(nèi)唇218其從該帶橫向擴(kuò)展并基本上平行襯底130的外壁204。內(nèi)唇218終止在襯底104的懸伸邊206的下方。內(nèi)唇218限定沉積環(huán)208的內(nèi)周長，該沉積環(huán)208包圍襯底104和支架130的外圍以在工藝期間保護(hù)沒有被襯底104覆蓋的支架130的區(qū)域。例如，內(nèi)唇218包圍并至少部分覆蓋襯底130的外壁204，否則其將暴露在工藝環(huán)境中，以減少或甚至完全阻止在外壁204上濺射沉積。有利地，沉積環(huán)208能容易地移除以將濺射沉積暴露從環(huán)表面清除，從而支架130不必拆除清洗。沉積環(huán)208還可用于保護(hù)支架130暴露側(cè)的表面以降低由于激發(fā)的多種等離子體的腐蝕。沉積環(huán)208通常由諸如不銹鋼或鋁的金屬組成，或可由諸如氧化鋁的陶瓷材料組成。
在如圖2和圖3所示的類型中，沉積環(huán)208的環(huán)狀帶216具有凸起的脊224其沿著帶216的中心部分?jǐn)U展。凸起的脊224具有平坦的頂面228，該頂面228與蓋環(huán)212相隔以在兩者之間形成彎曲間隙229其作為汽封以減少多種等離子體進(jìn)入彎曲間隙。開口內(nèi)管230位于內(nèi)唇218和凸起的脊224之間開口內(nèi)管230徑向向內(nèi)擴(kuò)展并至少部分終止于襯底104的懸伸邊206下方。內(nèi)管230具有與內(nèi)唇218聯(lián)結(jié)的第一圓角232和與凸起的脊224聯(lián)結(jié)的略微傾斜的表面234。平滑角232和傾斜表面234有助于在清潔沉積環(huán)208的期間從這些部分移除濺射沉積。沉積環(huán)208還具有壁架236其位于凸起的脊224的徑向向外處并用于支撐蓋環(huán)212。另外，U型槽237設(shè)置在凸起的脊224和壁架236之間以在兩者之間形成彎曲的通道其進(jìn)一步防止等離子體或氣態(tài)物流經(jīng)該通道從而減少工藝沉積物在該通道的徑向向外的區(qū)域中沉積。因此形成沉積環(huán)的形狀和大小以減少通過這些區(qū)域的工藝沉積物。不同于現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計，由于在傳送至處理室期間在處理室中準(zhǔn)確放置襯底，即使襯底104滑動或在處理室中100放置錯誤，在沉積環(huán)208中不需要用釘以固定襯底104。
環(huán)組件202的蓋環(huán)212包圍并至少部分覆蓋沉積環(huán)208以接收并因此為沉積環(huán)208阻擋大量濺射沉積。蓋環(huán)212由能抗濺射的等離子體腐蝕的材料例如諸如不銹鋼、鈦或鋁的金屬材料或諸如氧化鋁的陶瓷材料組成。在一種類型中，蓋環(huán)212由鈦制造。蓋環(huán)212包括具有底腳的環(huán)形楔224，該底腳位于沉積環(huán)208的壁架236上以支撐蓋環(huán)212。底腳246從楔244向下擴(kuò)展以支撐沉積環(huán)208并基本上不會使環(huán)208壓裂破壞。
蓋環(huán)212的環(huán)形楔224具有傾斜表面248其用作在靶材和支架130之間的工藝區(qū)內(nèi)包含濺射的等離子體。傾斜表面248具有光滑和連續(xù)的表面，其中濺射沉積物可沉積在其上并可易于除去。在一種型號中，該傾斜表面248以相對于軸成一角度，該軸垂直于由襯底104的處理表面形成的平面。在一種型號中，該角度至少約為60°，并可甚至約為65°到約85°，或甚至為約80°。蓋環(huán)212傾斜表面的角度設(shè)計為使最接近襯底104的懸伸邊206的濺射沉積物的堆積最小化，否則其將負(fù)面影響襯底104獲得均勻沉積。
楔244逐漸變細(xì)成突出邊緣252其覆蓋沉積環(huán)208的內(nèi)管230。該突出邊緣252端部為圓形邊緣256并具有平坦底表面260。突出邊緣252減少濺射沉積物沉積在沉積環(huán)208的開口內(nèi)管上。有利地，突出邊緣252突出的長度至少約為沉積環(huán)208的開口內(nèi)管寬度的一半。例如，如果內(nèi)管230有至少約12mm寬，突出邊緣252的寬度至少約為6mm。突出邊緣252在沉積環(huán)208的開口內(nèi)管230上方伸出以更接近襯底的外邊206，從而覆蓋沉積環(huán)208的開口內(nèi)管230的一部分。另外，突出邊緣252具有凸起的脊253，該凸起的脊253的外形與沉積環(huán)208下的表面234的形狀相匹配并與其接合。這種成形的并非常匹配的形狀阻止建設(shè)沉積物沉積在襯底的外懸伸邊206上并還減少沉積物在支架130的外壁204上。通過限制多種氣態(tài)等離子體和外邊緣204上濺射沉積物的流動它們還使沉積產(chǎn)生在管230的表面。因此，突出邊緣252外形大小、形狀成形并設(shè)置以與沉積環(huán)208的開口內(nèi)管230一起相輔從而在蓋環(huán)212和沉積環(huán)208之間形成回旋的和狹窄的通道以阻止外邊204上工藝沉積物的流動。該狹窄的流動通道還阻止低能量的濺射沉積物堆積在沉積環(huán)和蓋環(huán)212的配合面上，否則其將使該濺射沉積物彼此粘接或粘附到襯底104的外懸伸邊206上。在襯底懸伸邊206下擴(kuò)展的沉積環(huán)208的開口內(nèi)管230設(shè)計為與由蓋環(huán)208的突出邊緣252的阻擋相結(jié)合以收集例如在鋁濺射處理室100中最小量3900μm的鋁濺射沉積，同時減少或甚至基本上阻止濺射沉積在兩個環(huán)208、212的配面上。
蓋環(huán)212還具有一對圓柱形壁260其從環(huán)形楔244向下擴(kuò)展。該圓柱形壁260位于楔244的底腳徑向向外處。圓柱形壁260包括內(nèi)壁260a和外壁260b，內(nèi)壁260a具有小于外壁260b的高度。內(nèi)壁260a的徑向內(nèi)表面262為傾斜的以與沉積環(huán)208的徑向外表面264的傾斜角一致從而形成另一彎曲的通道266其阻止等離子體進(jìn)入周圍區(qū)域和對周圍區(qū)域輝光放電。一般地，外壁260a的高度至少約為內(nèi)壁260b高度的1.2倍。例如，對于具有內(nèi)徑約154mm的蓋環(huán)212，外壁160a的高度約25mm，以及內(nèi)壁的高度約19mm。
在另一類型中，如圖3-6中所示，工藝套件200還包括防升托架270用于在處理室100內(nèi)在襯底支架130的外圍固定沉積環(huán)208。防升托架270與沉積環(huán)208和支架130的附加結(jié)構(gòu)相結(jié)合。例如，沉積環(huán)208包括兩個外圍凹槽274其具有從槽274伸出的固定柱以在每側(cè)固定一對防升托架270，其中一側(cè)如圖5中所示。一對槽沿徑彼此相對地位于支架130上。在該型號中，如圖4A和4B中所示，限制梁280也裝配在支架130的背面276以固定防升托架270。該限制梁280包括兩個相對的平插腳282a、282b，其在支架130的背面276中的圓環(huán)284的徑向外圍擴(kuò)展。兩個相對的平插腳282a、282b裝配在聯(lián)接圓環(huán)284的垂直臂286a、286n上。圓環(huán)284在形狀和大小上適合在支架背面中的凹槽287。
如圖5和圖6中所示，防升托架270包括部件290，該部件290包含直通通道294其固定限制梁280的插腳端282。直通通道294包括橢圓形孔296其大小大于限制梁280的插腳282a。連接部件290的固定環(huán)298在大小上能在沉積環(huán)208的凹槽274的固定柱278上方移動。在組裝期間，如圖5中所示，防升托架270放置在沿著沉積環(huán)208的外圍并且直通通道274的孔296移動至如箭頭283所示的限制梁280的插腳282上從而固定環(huán)298的進(jìn)入孔299直接在固定柱278的上方。接著如圖6中所示，如箭頭285所示降低防升托架274，從而固定環(huán)298下降并包圍固定柱278，使托架270的部件290的重量穩(wěn)固地托住沉積環(huán)208。當(dāng)沉積環(huán)208向上拉時，例如當(dāng)沉積環(huán)開始粘附襯底104時，防升托架270僅接觸限制支架280。這種設(shè)計使在通常使用中的陶瓷沉積環(huán)208和蓋環(huán)212上的熱應(yīng)變和機(jī)械應(yīng)變最小。
如圖7和圖8中所示，組件的另一類型包括防升托架270其用于在處理室100中在襯底支架130的外圍上固定沉積環(huán)208。在該類型中，防升托架270粘接陶瓷絕緣體400，該陶瓷絕緣體400接著耦合限制梁280的平插腳282a、282b。防升托架270移動至壁架402上，該壁架由陶瓷絕緣體400的部件404外部擴(kuò)展。陶瓷絕緣體400用于通過在支架130和沉積環(huán)208之間的電路中提供絕緣元件使限制梁280與其它部件電絕緣。當(dāng)沉積環(huán)208由金屬組成時，切斷電路用于降低這兩個結(jié)構(gòu)之間的干擾。陶瓷絕緣體400的部件404還具有凹面408用于放置限制梁280。部件404中的直通孔410具有銷414以在限制梁280的插腳282a的正對和平行延伸420a、420b上使陶瓷絕緣體400連接配向孔418a、418b。銷414具有兩個減小直徑的柱418a、408b其通過直通孔和平邊，該平邊安置在插腳282a的平行延伸420a、420b的表面上。銷414可由諸如不銹鋼的金屬組成。陶瓷絕緣體的壁架402從部件404徑向向外擴(kuò)展并具有突出物424其作為在防升托架270的接收表面430上的終點。陶瓷絕緣體400由諸如氧化鋁的陶瓷組成。應(yīng)當(dāng)注意雖然只描述了一種陶瓷，其它陶瓷結(jié)構(gòu)部件也可放置在限制梁280和防升托架270之間以進(jìn)一步絕緣諸如放置在它們界面上的梁280和襯底支架130之間的陶瓷部件(未示出)的結(jié)構(gòu)。
工藝套件200還包括包圍單圓柱形護(hù)板150，其面向襯底支架130的濺射靶材的濺射表面，襯底支架130的外圍和處理室100的側(cè)壁116的陰影。護(hù)板150用于減少來自支架130表面上的濺射靶材140的濺射表面，和側(cè)壁116以及處理室100的底壁120上的濺射沉積物的沉積。護(hù)板150包括圓柱形外部帶314其具有的直徑大小包圍濺射靶材140的濺射表面142和襯底支架130。外部帶314具有頂端316和底端318。頂端316具有徑向向外的與濺射靶材140的傾斜外表面322相鄰的錐形表面。護(hù)板150還包括底平面324其從外部帶314的底端318徑向向內(nèi)擴(kuò)展以聯(lián)接圓柱形內(nèi)部帶328，該內(nèi)部帶328至少部分地包圍襯底支架130的外側(cè)204。內(nèi)部帶328包含小于外部帶314的高度，例如內(nèi)部帶328高度比外部帶314小0.8倍。內(nèi)部帶328和外部帶314之間的間隙，以及蓋環(huán)212的外壁260b和內(nèi)壁260a還分別用于阻止并限制等離子體進(jìn)入該區(qū)域。
整體護(hù)板的外部帶314、底板324和內(nèi)部帶328包括作為單片的整體獨立結(jié)構(gòu)。例如，整個護(hù)板150可以由300系列的不銹鋼制成。這優(yōu)于包括多個元件的現(xiàn)有護(hù)板，其通常需要兩個或者三個分離層才能構(gòu)成完整的護(hù)板，這給清洗時的拆卸護(hù)板帶來的更大的難度和工作量。同時，單片護(hù)板150具有暴露在濺射沉積物中的連續(xù)的表面330，而沒有更難清洗的交界面或者拐角。而且，單片護(hù)板150比多測護(hù)板受熱更加均勻，這不管對于周期性維護(hù)期間的加熱還是對于等離子體加熱護(hù)板時的冷卻過程都是非常有利的。單片護(hù)板150僅具有和熱交換器330接觸的一個受熱界面。單片護(hù)板150在工藝循環(huán)期間還保護(hù)室壁108不收到濺射沉積。護(hù)板150還在靶材140區(qū)域(這里稱之為“暗區(qū)”)產(chǎn)生波狀縫隙以幫助成型等離子體同時避免在靶材140和室100之間產(chǎn)生輝光放電。
采用熱交換器330冷卻護(hù)板150以減小熱擴(kuò)散應(yīng)力。由于暴露在襯底處理室中導(dǎo)致部分護(hù)板150可能會變得很熱。過熱的護(hù)板150產(chǎn)生熱擴(kuò)散，該熱擴(kuò)散使得在護(hù)板上形成的濺射沉積物從該護(hù)板上剝落并污染該襯底104。該熱交換器330包括又金屬構(gòu)成的板332，諸如不銹鋼。如圖9所示，板332具有包括尺寸適于環(huán)繞圓柱形護(hù)板150的圓孔336的內(nèi)周334，以及包括六邊形邊340的外周338。
熱交換器330具有多邊形導(dǎo)管334，來自流體源的流體從所述多邊形導(dǎo)管334經(jīng)過從而冷卻板332。多邊形導(dǎo)管334包括多個以多邊形圖案圍繞圓形孔336互連的多個邊344。從所述板332的外圍的六邊形邊340開始在銳角處研磨邊344a-h，該銳角為約20到45°。導(dǎo)管334還包括由蓋板345a-c覆蓋的通道342a-c，其中蓋板345a-c位于板345a-c中的槽349a-c中用于密封接觸面的橢圓形O圈。多邊形導(dǎo)管334還具有用于容納和傳輸熱交換流體的入口346和出口348。入口346和出口348包括注入多路管350的通道352a和352b。
該熱交換流體流過多邊形導(dǎo)管330從而和護(hù)板150進(jìn)行熱交換并控制其溫度。適用的熱交換流體可以是水。對護(hù)板溫度進(jìn)行控制減少了等離子體環(huán)境中護(hù)板溫度的擴(kuò)散，限制了濺射沉積物從該護(hù)板上片狀剝離。將該護(hù)板150固定到熱交換器330上可以在所述護(hù)板和熱交換器板之間提供更好的熱傳輸。通過固件358將所述護(hù)板固定到熱交換器上，并且這里，護(hù)板包括具有從其本身穿過的基本垂直開口的突出部分360。設(shè)計固件358的形狀和尺寸使其經(jīng)過突出部分360的開口362以將所述護(hù)板150固定在所述熱交換器330上。優(yōu)選地，該熱交換器330在固定護(hù)板150的同時，與源線圈153和靶材140一體集成到室100上。在工藝期間水冷還可以對單片護(hù)板150提供更大的熱穩(wěn)定性。
濺射靶材140包括通常由高強(qiáng)度鋁合金制成的背板370，該背板370支撐包括濺射表面142的濺射板374。靶材140的背板370通過隔離器144與室100分離并電絕緣，其中隔離器144通常由陶瓷材料構(gòu)成，諸如氧化鋁。濺射板374包括要濺射在襯底104上的高純度濺射材料，諸如鋁、鉭、以及其他金屬，通常純度為99.99％或者更高。濺射板374包括與護(hù)板150的傾斜表面320相鄰的具有傾斜邊緣322的周邊，在二者之間支架限定了用于另一等離子體阻滯旋轉(zhuǎn)曲徑的縫隙380。
一方面，靶材140的背板包括超過濺射板374半徑延伸的外圍突出部分390。該外圍突出部分390通過設(shè)置在隔離器144上支撐靶材140并可以固定到隔離器144或者室側(cè)壁116上。外圍突出部分390超出濺射板374的傾斜邊緣322延伸并且包括設(shè)置于室100的隔離器344上的底腳部分392。外圍突出部分390包括內(nèi)部凸起394，設(shè)計內(nèi)部凸起394的形狀和尺寸從而減小沉積在隔離器144和護(hù)板150上的濺射沉積物。凸起394于前面的槽396接合起來減少等離子體形成以及減少濺射工藝沉積在室側(cè)壁108、隔離器144和熱交換器330等不希望沉積的區(qū)域沉積量。設(shè)計凸起394的形狀、尺寸并定位以限制等離子體和濺射物質(zhì)流過或者移動進(jìn)過靶材140和隔離器144之間的間隙。具體地，凸起394阻止低角度濺射沉積物進(jìn)入靶材和隔離器之間的間隙。凸起394包括高度為約1.5到約2mm的曲線截面。
處理配件200和靶材140的各種元件明顯提高了處理循環(huán)的數(shù)量以及不必為了清洗拆除處理配件的情況下該處理配件在室中的工藝工作時間。通過減少在襯底周圍難于清洗的元件上濺射沉積物的數(shù)量來實現(xiàn)這一點。設(shè)計處理配件200和靶材140的元件使其允許在濺射區(qū)域106具有提高的功率和壓力以通過降低暗區(qū)的溫度來獲得更高的沉積產(chǎn)量，其中該暗區(qū)靠近護(hù)板150的頂端并靠近靶材140。同時通過采用熱交換器330也提高了護(hù)板150的熱均勻性。此外，設(shè)計處理配件200使得在必須更換配件200并因此執(zhí)行維護(hù)循環(huán)以前允許至少在室100中沉積大于85％的鋁。從而使得室的正常工作時間得到了明顯改善并提高了工藝產(chǎn)量。
圖10為在鋁沉積工藝中作為到襯底104和支架130的距離的函數(shù)，形成在沉積環(huán)208和蓋環(huán)212上沉積物厚度等比例尺寸處理配件獲得的模擬結(jié)果曲線圖。該模擬程序為PVD ProTM程序并且其應(yīng)用了要沉積的金屬類型以及靶材和其他室元件的幾何尺寸。該模型可以比較對蓋環(huán)212和沉積環(huán)208形狀和位置的不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)行比較。這使得對于在沉積環(huán)208的槽230以及蓋環(huán)212的邊緣252的可視區(qū)域上最小化鋁沉積物進(jìn)行優(yōu)化。通過運行原始硬件對模擬的準(zhǔn)確性進(jìn)行確定，并且還可以通過模擬公知性能的幾何尺寸以獲得這里所提到的設(shè)計。可以看到改變室元件的形狀和設(shè)計結(jié)構(gòu)以及他們之間的空間和分析可以明顯改變在元件表面上沉積材料的厚度。此外，在沉積環(huán)上沉積的沉積速率隨著到襯底中心的距離的增加基本保持不變，如曲線圖x軸的0.5和1.5之間的同一角度線性部分所述。在不同的結(jié)構(gòu)中凈沉積量會發(fā)生垂直變化，但是曲線的形狀實質(zhì)上沒有變化。
已經(jīng)參照某些優(yōu)選方案對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是，也存在其他方案。例如，處理配件200和環(huán)組件202也可以用在其他類型應(yīng)用中，這對于普通技術(shù)人員來說是顯而易見的，例如用于蝕刻、CVD室。沉積環(huán)208、蓋環(huán)212、護(hù)板150和防升托架270還可以采用其他形狀和結(jié)構(gòu)。因此，所附權(quán)利要求的精神和范圍不應(yīng)該限于這里所包含的優(yōu)選實施方式的描述。
權(quán)利要求
1.一種在襯底處理室中位于襯底支架周圍的沉積環(huán)，在該處理室中形成處理氣體的等離子體以處理襯底，所述支架包括終止于所述襯底懸伸邊前的外壁，并且所述沉積環(huán)包括(a)圍繞所述支架外壁的環(huán)形帶，所述環(huán)形帶包括(i)從所述環(huán)形帶橫向延伸處的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；(ii)凸起的脊；(iii)位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；以及(iv)所述凸起的脊的徑向向外的壁架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積環(huán)，其特征在于，所述凸起的脊沿著所述帶的中心部分延伸并具有平坦頂面，在使用時，所述平坦頂面與蓋環(huán)間隔一定距離以在二者之間形成彎曲間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積環(huán)，其特征在于，所述內(nèi)部通道具有與所述內(nèi)唇接合的第一圓角以及與所述凸起的脊接合的傾斜表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積環(huán)，其特征在于，還包括位于所述凸起的脊和所述壁架之間的U型槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積環(huán)，其特征在于，所述環(huán)形帶包括不銹鋼。
6.一種至少部分覆蓋具有凸起的脊和內(nèi)部開口通道的沉積環(huán)的蓋環(huán)，在襯底處理室中所述覆蓋和沉積環(huán)位于襯底支架的周圍，在所述襯底處理室形成處理氣體的等離子體從而處理所述襯底，所述支架包括終止于所述襯底懸伸邊的外壁，并且所述蓋環(huán)包括(a)環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及進(jìn)入疊加在所述沉積環(huán)的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及(b)一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述沉積環(huán)的凸起的脊和所述蓋環(huán)的突出邊限定了阻止等離子體通過所述間隙的彎曲間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述蓋環(huán)的環(huán)形楔的傾斜表面相對于和所述襯底平面垂直的軸呈傾斜角度，所述角度至少為約60°。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述蓋環(huán)包括沿所述底腳徑向向外設(shè)置的一對圓柱形壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述圓柱形壁包括內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁高度小于所述外壁高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述蓋環(huán)的突出邊緣的傾斜頂面端部為圓形邊緣形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述蓋環(huán)的突出邊包括平坦底面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述突出邊還包括位于圓形邊緣前的凸起的脊。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述凸起的脊具有與下面沉積環(huán)的表面形狀相匹配以及與其接合的外部形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蓋環(huán)，其特征在于，所述蓋環(huán)包括鈦。
16.一種在襯底處理室中位于襯底支架周圍的環(huán)組件，在該處理室中形成處理氣體等離子體以處理所述襯底，所述支架包括中止于所述襯底懸伸邊的外壁，并且所述環(huán)組件包括(a)圍繞所述支架外壁的環(huán)形帶，所述環(huán)形帶包括(i)從所述環(huán)形帶橫向延伸處的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；(ii)凸起的脊；(iii)位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；以及(iv)所述凸起的脊向外呈放射狀的壁架；以及(b)至少部分覆蓋所述沉積環(huán)的蓋環(huán)，所述蓋環(huán)包括(i)環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及進(jìn)入與所述沉積環(huán)疊加的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及(ii)一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁，從而所述凸起的脊和所述蓋環(huán)限定了阻止等離子體通過所述間隙的彎曲間隙。
17.一種在襯底處理室中用于在襯底支架周圍保持沉積環(huán)的固定組件，所述沉積環(huán)包括具有固定柱的外圍凹槽，并且所述固定組件包括(a)包括兩端的限制梁，所述限制梁可以與所述襯底支架連接；(b)防升托架包括(i)包括用于容納限制梁一端的直通通道的部件；(ii)與所述部件連接固定環(huán)，設(shè)計所述固定環(huán)的尺寸使其在所述沉積環(huán)的外圍凹槽中的固定柱上部滑動，從而，在使用時，所述直通通道在限制梁上滑動使得所述固定環(huán)環(huán)繞所述固定柱，所述固定柱允許使所述部件的重量穩(wěn)定地將所述沉積環(huán)固定到支架上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的固定組件，其特征在于，還包括位于所述防升托架和限制梁之間的陶瓷隔離器。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的固定組件，其特征在于，所述陶瓷隔離器包括氧化鋁。
20.一種在襯底處理室中可以圍繞與襯底支架相對的濺射靶材的濺射表面的整體護(hù)板，其可以減少沉積在支架和室側(cè)壁上的濺射沉積物，所述護(hù)板包括(a)具有圍繞濺射靶材的濺射表面和所述襯底支架的直徑尺寸的圓柱形外部帶，所述外部帶具有頂端和底端，所述頂端具有與所述濺射靶材相鄰沿徑向向外的錐形表面；(b)從所述外部帶底端向內(nèi)徑向延伸的底板；(c)與底板接合的圓錐形內(nèi)部帶，并且其至少部分圍繞所述襯底支架的外圍邊緣。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的護(hù)板，其特征在于，所述外部帶、底板和內(nèi)部帶包括整體結(jié)構(gòu)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的護(hù)板，其特征在于，所述內(nèi)部帶的高度低于所述外部帶。
23.一種用于在襯底處理室中冷卻圓柱形護(hù)板的熱交換器，所述熱交換器包括(a)一板，其內(nèi)周包括設(shè)計尺寸適于圍繞圓柱形護(hù)板的圓孔；以及(b)位于所述板中的多邊形導(dǎo)管，在所述導(dǎo)管中流過熱交換液體，所述多邊形導(dǎo)管包括以多邊形圖案形狀圍繞所述圓孔互連的多個分支，并且所述多邊形導(dǎo)管包括入口和出口。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的熱交換器，其特征在于，所述板包括包含六邊形邊的外周并且所述支柱在銳角處鉆透所述六邊形。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的熱交換器，其特征在于，所述銳角為約20°到約45°。
26.一種在襯底處理室中可以固定在護(hù)板內(nèi)以及位于隔離器上的濺射靶材，所述濺射靶材包括(a)由要濺射到所述襯底上的濺射材料構(gòu)成的濺射板，所述濺射板包括傾斜邊緣；(b)用于支撐所述濺射板的背板，所述背板包括超出所述濺射板的傾斜邊緣延伸的外圍突出部分，所述外圍突出部分包括在該室中位于所述隔離器上的底腳，以及內(nèi)部凸起，設(shè)計所述內(nèi)部凸起的形狀和尺寸以減少沉積在所述隔離器和護(hù)板上的濺射沉積物。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的靶材，其特征在于，所述凸起包括高度為約1.5mm到約2mm的曲線截面。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的靶材，其特征在于，所述背板包括高強(qiáng)度的鋁合金。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的靶材，其特征在于，所述濺射板包括含有鋁的濺射表面。
30.一種在襯底處理室中可以圍繞與襯底支架相對的濺射靶材的濺射表面的處理配件，其可以減少沉積在支架和室側(cè)壁上的濺射沉積物，所述支架包括中止于所述襯底懸伸邊下部的外壁和限制梁，所述處理配件包括(a)包括圍繞所述支架的環(huán)形帶的沉積環(huán)，所述沉積環(huán)具有從所述環(huán)形帶橫向延伸的內(nèi)唇，其基本上和所述支架的外壁平行，并且在所述襯底懸伸邊的下部終止；凸起的脊；位于所述內(nèi)唇和凸起的脊之間的內(nèi)部開口通道，并至少部分沿所述襯底的懸伸邊延伸；所述凸起的脊徑向向外的壁架；以及具有固定柱的外圍凹槽；(b)至少部分覆蓋沉積環(huán)的蓋環(huán)，所述蓋環(huán)包括環(huán)形楔，其包括位于所述沉積環(huán)的凸起的脊上的底腳以及并具有進(jìn)入疊加在所述沉積環(huán)的內(nèi)部開口通道的突出邊的傾斜表面；以及一個或者多個從環(huán)形楔向下延伸的圓柱形壁；以及(c)防升托架包括用于容納限制梁一端的直通通道的部件和與固定環(huán)，設(shè)計所述固定環(huán)的尺寸使其在所述沉積環(huán)的外圍凹槽中的固定柱上部滑動。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，所述沉積環(huán)還包括所述凸起的脊徑向向外設(shè)置并沿所述環(huán)形帶橫向延伸的外唇。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，所述蓋環(huán)的環(huán)形楔的傾斜表面與垂直于襯底的方向呈傾斜角度，所述角度至少為約60°。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，所述蓋環(huán)包括內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁高度小于所述外壁高度。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，所述蓋環(huán)的突出邊的傾斜頂面端部為圓形邊緣形狀并具有平坦的底面。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，所述防升托架的部件包括用于容納將所述部件固定到支架上的固件的垂直通孔。
36.根據(jù)權(quán)利要求30所述的處理配件，其特征在于，還包括整體護(hù)板，包括(a)具有圍繞濺射靶材的濺射表面和所述襯底支架的直徑尺寸的圓柱形外部帶，所述外部帶具有頂端和底端，所述頂端具有與所述濺射靶材相鄰沿徑向向外的錐形表面；(b)從所述外部帶底端向內(nèi)徑向延伸的底板；(c)與底板接合的圓錐形內(nèi)部帶，并且其至少部分圍繞所述襯底支架的外圍邊緣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種處理配件，該處理配件包括在襯底處理室中設(shè)置于襯底支架周圍的環(huán)組件，其用于減少沉積在室組件和襯底的懸伸邊上的工藝沉積物。該處理配件包括沉積環(huán)、蓋環(huán)以及防升托架，并且還包括整體護(hù)板。同時還對靶材進(jìn)行了說明。
文檔編號H01L21/363GK101089220SQ20061013669
公開日2007年12月19日 申請日期2006年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者凱瑟琳·沙伊貝爾, 邁克爾·艾倫·弗拉尼根, 良土芽吾一, 阿道夫·米勒·艾倫, 克里斯托弗·帕夫洛夫 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司