專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及這樣一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光二極管被構(gòu)造為減少或消除當(dāng)形成有機(jī)層時(shí)在有機(jī)層和其下面的層之間的氣體滯留。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管可以包括有機(jī)層來(lái)作為器件結(jié)構(gòu)的部分。例如，在形成有機(jī)發(fā)光器件如有機(jī)發(fā)光二極管的過(guò)程中，下電極(例如，陽(yáng)極)和/或像素限定層可具有在其上形成的薄的有機(jī)層。有機(jī)層可以是例如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。然后可在有機(jī)層上形成其它層如上電極(例如，陰極)。
已經(jīng)研發(fā)了各種方法來(lái)形成有機(jī)發(fā)光二極管中的有機(jī)層。這些方法包括例如沉積法和平版印刷法(lithographic)。沉積法可包含通過(guò)利用陰罩(shadowmask)真空沉積有機(jī)材料來(lái)形成有機(jī)層。然而，利用這種方法會(huì)難以形成高分辨率的圖案，例如具有非常精細(xì)的節(jié)距的圖案，而且這種沉積方法也難以應(yīng)用于大面積的顯示裝置。
平版印刷法可包含沉積有機(jī)材料，在沉積有機(jī)材料后通過(guò)利用光致刻蝕劑使該材料形成圖案來(lái)形成有機(jī)層。這種平版印刷法可適用于形成高分辨率圖案。然而，一些平版印刷法的圖案形成步驟(例如，刻蝕、用顯影溶液顯影等)會(huì)導(dǎo)致有機(jī)層的劣化。
為了避免與沉積法和平版印刷法相關(guān)的難題，可以采用噴墨法來(lái)直接使有機(jī)層形成圖案。在噴墨法中，從噴墨打印機(jī)的打印頭(head)噴射包含有機(jī)材料的溶液以形成有機(jī)層。這種溶液可包括溶解或分散在溶劑中的有機(jī)材料。噴墨法的優(yōu)點(diǎn)在于這種方法相對(duì)簡(jiǎn)單。然而，這種方法不能形成厚度均勻的有機(jī)層，產(chǎn)量會(huì)低而且也會(huì)難以應(yīng)用于大面積的顯示裝置。
已經(jīng)提出了將熱轉(zhuǎn)印法用于形成有機(jī)發(fā)光二極管中的有機(jī)層，并且這種方法可提供優(yōu)于上述各種方法的優(yōu)點(diǎn)。熱轉(zhuǎn)印法可利用例如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印來(lái)形成有機(jī)層，其中，在供體基底上提供有機(jī)材料，供體基底以與器件基底緊密接觸的方式放置，橫過(guò)供體基底進(jìn)行激光掃描。由激光提供的熱能致使有機(jī)材料轉(zhuǎn)印到供體基底上，從而形成有機(jī)層。
可應(yīng)用熱轉(zhuǎn)印法來(lái)形成例如有機(jī)可處理的空穴轉(zhuǎn)印層(organic-processible hole transfer layer)，如有機(jī)發(fā)光二極管的次陣列(underarray)，紅色、綠色和藍(lán)色有機(jī)層等。激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印可提供各種優(yōu)點(diǎn)，如形成高分辨率的圖案、厚度均勻的薄膜、形成層疊的多層的能力，玻璃母板中的可延展性等，這些優(yōu)點(diǎn)使得激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印適于制造大規(guī)模的有機(jī)發(fā)光二極管。這種激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印可用于制造用于液晶顯示裝置的濾色器，形成發(fā)光材料的圖案等。
圖1示出了在制造有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的傳統(tǒng)方法中一個(gè)階段的平面圖，圖2示出了沿著圖1中的線A-A’截取的在制造有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的傳統(tǒng)方法中一個(gè)階段的剖視圖。
參照?qǐng)D1和圖2，可在基底200上形成薄膜晶體管107和第一電極層209。薄膜晶體管107可包括緩沖層201和半導(dǎo)體層102，其中，半導(dǎo)體層102具有有源溝道層102a和歐姆接觸層102b?？稍谟性礈系缹?20a和歐姆接觸層102b上形成柵極絕緣層203和柵電極204。中間介電層205可覆蓋柵電極204和柵極絕緣層203，并且中間介電層205可具有穿過(guò)其的電極接觸106a和106b。平坦化層208可位于這些特征上，在平坦化層208的頂部上可形成電極層209。電極層209通過(guò)通孔202可與電極接觸106a接觸。在平坦化層208和電極層209上可形成像素限定層100，像素限定層100可具有在該層中形成的開(kāi)口114，以暴露電極層209的部分。
可利用例如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印在像素限定層100的開(kāi)口114中形成有機(jī)層101，該有機(jī)層101可以是例如發(fā)光區(qū)域。有機(jī)層101可橫向延伸超出開(kāi)口114，以設(shè)置在電極層209和像素限定層100上。像素限定層100可以沿著有機(jī)層101的外圍橫向延伸超過(guò)有機(jī)層101?？赏ㄟ^(guò)沿著有機(jī)層101的縱向掃描激光，即在圖1示出的向下的方向上掃描激光來(lái)實(shí)現(xiàn)有機(jī)層的熱轉(zhuǎn)印。
參照?qǐng)D2，熱轉(zhuǎn)印供體膜216可包括形成在基礎(chǔ)基底(base substrate)213上光熱轉(zhuǎn)換層214，并且可包括在光熱轉(zhuǎn)換層214上沉積的包含有機(jī)材料的轉(zhuǎn)印層。供體膜216還可以包括在光熱轉(zhuǎn)換層214和轉(zhuǎn)印層之間的中間層215。
供體膜216可鄰近于并面向像素限定層100的上部布置?？蓪⒓す庹丈洳呙铏M過(guò)供體膜216，從而光熱轉(zhuǎn)換層214將激光轉(zhuǎn)換成熱。轉(zhuǎn)印層可熔化并與供體膜216分離，以在像素限定層100上形成有機(jī)層101。
當(dāng)轉(zhuǎn)印層從供體膜216轉(zhuǎn)印到像素限定層100上時(shí)，會(huì)滯留氣體。具體地說(shuō)，會(huì)在有機(jī)層101和像素限定層100之間和/或在有機(jī)層101和電極層209之間滯留氣體。
在有機(jī)層101和像素限定層100之間和/或在有機(jī)層101和電極層209之間的界面的最后區(qū)域中，即，在被激光掃描的最后區(qū)域中，氣體滯留會(huì)更顯著。例如，參照?qǐng)D1，當(dāng)激光從有機(jī)層101的上部區(qū)域向下部區(qū)域掃描時(shí)，會(huì)在靠近有機(jī)層101的下部區(qū)域之處滯留氣體。結(jié)果，由于滯留的氣體使得有機(jī)層101和像素限定層100之間和/或在有機(jī)層101和電極層209之間的粘附不能令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出了一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光二極管基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷所引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征在于提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管包括階梯部分，該階梯部分被構(gòu)造為減少或消除在涂覆的有機(jī)層下方氣體的滯留。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的另一特征在于提供了一種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法，該方法包括將有機(jī)層轉(zhuǎn)印到基底上，其中，所述基底包括被定位成與轉(zhuǎn)印的有機(jī)層的最后部分對(duì)應(yīng)的階梯部分。
可通過(guò)提供一種有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括像素限定層，位于基底上，該像素限定層具有在其中的開(kāi)口并具有鄰近于所述開(kāi)口形成的至少一個(gè)階梯部分；有機(jī)層，位于所述開(kāi)口中，并至少部分地覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
所述至少一個(gè)階梯部分直接鄰近所述開(kāi)口，并且所述有機(jī)層部分地，并不是完全地，覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。所述至少一個(gè)階梯部分可位于所述開(kāi)口的角落處。所述至少一個(gè)階梯部分可橫跨所述開(kāi)口的一例。所述至少一個(gè)階梯部分的厚度可以是所述像素限定層的厚度的大約1/4至大約1/3。所述像素限定層的厚度可在大約50至大約10,000的范圍內(nèi)。所述至少一個(gè)階梯部分的寬度可以是像素區(qū)域?qū)挾鹊拇蠹s1/4至大約1/2。
所述有機(jī)發(fā)光二極管還可以包括至少一個(gè)突出，所述至少一個(gè)突出從所述至少一個(gè)階梯部分突出并背離所述基底延伸，其中，所述有機(jī)層覆蓋所述至少一個(gè)突出。所述至少一個(gè)突出可延伸成與所述像素限定層的高度相同的高度。
電極層可在所述基底和所述像素限定層之間位于所述基底上，通過(guò)所述開(kāi)口可至少部分地暴露所述電極層，所述有機(jī)層可至少部分地覆蓋所述電極層的通過(guò)所述開(kāi)口被暴露的部分。所述有機(jī)層可形成發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。
還可通過(guò)提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)，所述方法包括在基底上形成像素限定層，所述像素限定層具有開(kāi)口和至少一個(gè)階梯部分；將有機(jī)層轉(zhuǎn)印到所述基底上，使得所述有機(jī)層位于所述開(kāi)口中并至少部分地覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
所述至少一個(gè)階梯部分可相對(duì)于所述開(kāi)口來(lái)定位，以與將被轉(zhuǎn)印到所述基底上的所述有機(jī)層的最后部分對(duì)應(yīng)。所述有機(jī)層的轉(zhuǎn)印可在所述開(kāi)口的第一側(cè)開(kāi)始，在所述開(kāi)口的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)結(jié)束。所述開(kāi)口可以是長(zhǎng)方形的，所述第一和第二側(cè)可以是所述長(zhǎng)方形開(kāi)口的窄部分。所述轉(zhuǎn)印可包括激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印，所述激光掃描的方向是這樣的，即所述激光掃描在靠近所述至少一個(gè)階梯部分處結(jié)束。
還可通過(guò)提供一種有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)的至少一個(gè)，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括基礎(chǔ)層；中間層，在所述基礎(chǔ)層上，所述中間層具有在其中的開(kāi)口以暴露所述基礎(chǔ)層的部分；有機(jī)層，所述有機(jī)層位于所述中間層上并位于所述開(kāi)口內(nèi)以覆蓋所述基礎(chǔ)層的暴露的部分，其中，所述中間層包括與所述開(kāi)口鄰近的凹進(jìn)部分，所述有機(jī)層部分地覆蓋所述凹進(jìn)部分并部分地暴露所述凹進(jìn)部分。
所述凹進(jìn)部分可從所述開(kāi)口的第一邊緣橫向延伸并超過(guò)所述有機(jī)層。當(dāng)所述凹進(jìn)部分達(dá)到所述開(kāi)口的所述第一邊緣時(shí)可具有第一高度，所述開(kāi)口可具有第二邊緣，第二邊緣具有第二高度，所述第一高度可小于所述第二高度。所述有機(jī)層可具有至少三個(gè)面，并且所述凹進(jìn)部分可延伸超過(guò)所述有機(jī)層的至少兩個(gè)面。


通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地描述，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1示出了在制造有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的傳統(tǒng)方法中的一個(gè)階段的平面圖；圖2示出了沿圖1中的線A-A’截取的在制造有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的傳統(tǒng)方法中的一個(gè)階段的剖視圖；圖3示出了在制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖；圖4示出了沿圖3中的線B-B’截取的局部剖視圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沿圖3中的線B-B’截取的局部剖視圖；圖6示出了在制造根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖；圖7示出了沿圖6中的線C-C’截取的剖視圖；圖8示出了制造根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖；圖9示出了沿圖8中的線D-D’截取的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
2005年9月28日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的題為“發(fā)光二極管及其制造方法”的第2005-0090738號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用全部包含于此。
現(xiàn)在，在下文中，將參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)實(shí)施，并不應(yīng)該被理解為限于在此提出的實(shí)施例。當(dāng)然，提供這些實(shí)施例，從而本公開(kāi)將是徹底和完全的，并將把本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了示例的清晰，擴(kuò)大了層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)該理解，當(dāng)層被稱作在另一層或基底“上”時(shí)，該層可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。另外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在另一層“之下”時(shí)，該層可以直接在另一層之下，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)層被稱作在兩層“之間”時(shí)，該層可以是這兩層之間的唯一的一層，也可以在這兩層之間存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。
圖3示出了在制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖，圖4示出了沿著圖3中的線B-B’截取的局部剖視圖。參照?qǐng)D3和圖4，可在基底400上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管可包括設(shè)置在基底400上的薄膜晶體管307。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法可被構(gòu)造為使得涂覆的有機(jī)層和其下面的層(例如，可為像素限定層和/或電極層)之間的氣體泄出，從而減少或消除有機(jī)層和其下面的層之間的氣體滯留。階梯部分可鄰近于開(kāi)口設(shè)置在像素限定層上，用于有機(jī)層的放置，從而有助于通過(guò)例如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印將有機(jī)層轉(zhuǎn)印到開(kāi)口中。因此，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可在有機(jī)層和其下面的層之間提供改進(jìn)的粘合強(qiáng)度。
例如，可在基底400上設(shè)置緩沖層401，并在緩沖層401上設(shè)置包括有源溝道層302a和歐姆接觸層302b的半導(dǎo)體層302。可在有源溝道層302a和歐姆接觸層302b之間設(shè)置輕摻雜漏極(LDD)區(qū)?？稍诎雽?dǎo)體層上順序地沉積柵極絕緣層403和柵電極404，并將沉積的柵極絕緣層403和柵電極404圖案化。可在柵電極404上設(shè)置中間介電層405。可在中間介電層405上形成電極接觸306a和306b，例如源電極接觸和漏電極接觸，并且電極接觸306a和306b可穿過(guò)中間介電層405，從而與半導(dǎo)體層302的歐姆接觸層302b接觸。
可在薄膜晶體管307上設(shè)置平坦化層408。電極層409可形成在平坦化層408的區(qū)域上，并可以通過(guò)通孔402穿過(guò)平坦化層408，以與薄膜晶體管307的電極接觸306a和306b中的至少一個(gè)接觸。電極層409可電連接到電致發(fā)光元件。
例如，電極層409可連接到有機(jī)層301，例如發(fā)光區(qū)?？衫美缂す庹T導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印在像素限定層300的開(kāi)口414中形成有機(jī)層301。可在電極層409和平坦化層408上形成像素限定層300，并且像素限定層300可包括位于開(kāi)口414的外圍的階梯部分303。
參照?qǐng)D3，階梯部分303可部分地位于有機(jī)層301的下面，并可以被有機(jī)層301部分地暴露。即，有機(jī)層301的邊緣301a可位于階梯部分303上，從而有機(jī)層301部分地覆蓋階梯部分303。
可將有機(jī)層301轉(zhuǎn)印到開(kāi)口414中和像素限定層300的階梯部分303上。在有機(jī)發(fā)光器件是有機(jī)發(fā)光二極管的情況下，有機(jī)層301可形成例如發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。
根據(jù)在激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印過(guò)程中激光的掃描方向，可相對(duì)于開(kāi)口414來(lái)定位階梯部分303，以使得階梯部分303在靠近開(kāi)口414的部分處定位，所述的開(kāi)口414的部分與有機(jī)層301被激光掃描的最后部分對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，參照?qǐng)D3，在激光掃描方向在有機(jī)層301的縱向，即，從圖3的頂部掃描到底部的情況下，階梯部分303可形成在開(kāi)口414的角上，例如，圖3中的右下角。
在像素限定層300中鄰近開(kāi)口414的階梯部分303可有效地排放在轉(zhuǎn)印的有機(jī)層301和像素限定層300之間和/或在轉(zhuǎn)印的有機(jī)層301和電極層409之間滯留的氣體。階梯部分303可形成在像素限定層300的角中，例如圖3中的右下角上，所述角與有機(jī)層301通過(guò)橫過(guò)熱轉(zhuǎn)印供體基底的激光掃描而轉(zhuǎn)印的最后部分對(duì)應(yīng)。
階梯部分303可通過(guò)包括例如干蝕刻、濕蝕刻等若干適合的工藝中的任何一種形成。參照?qǐng)D4，像素限定層300的厚度可以在大約50至大約10,000的范圍內(nèi)，階梯部分303的厚度可以是像素限定層300的厚度的大約1/4至1/3。參照?qǐng)D3，階梯部分303的寬度可以對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域的寬度的大約1/4至大約1/2?？筛鶕?jù)熱轉(zhuǎn)印供體膜的種類和/或?qū)⒈粡臒徂D(zhuǎn)印供體膜轉(zhuǎn)印的有機(jī)層的厚度來(lái)調(diào)整階梯部分303的相對(duì)寬度，以改善排氣效果。可在有機(jī)層301和像素限定層300上形成第二電極層413。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D5至圖9來(lái)描述本發(fā)明的第二、第三和第四實(shí)施例。圖5至圖9中的各種特征可以與以上相對(duì)于圖3和圖4描述的特征基本相似。因此，為了避免重復(fù)，在下面對(duì)圖5至圖9的描述中會(huì)省略對(duì)相似特征的詳細(xì)描述。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沿圖3中的線B-B’截取的局部剖視圖。參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管可包括至少一個(gè)薄膜晶體管307，形成在基底500上；平坦化層508，形成在薄膜晶體管307上；電極層509，位于平坦化層508的部分上并連接到電極接觸306a和306b中的至少一個(gè)。
像素限定層300中的開(kāi)口514可位于電極層509的部分上，使得至少部分地暴露電極層509。為了在有機(jī)層301的轉(zhuǎn)印過(guò)程中易于排放氣體，可鄰近于開(kāi)口514設(shè)置階梯部分303。可在像素限定層300的與被轉(zhuǎn)印的有機(jī)層301的最后部分對(duì)應(yīng)的角落處形成階梯部分303。
如圖5所示，突出515可以從階梯部分303突出，背離基底500延伸，使得突出515的高度大于階梯部分303的高度?？梢灾辽僖源笥陔A梯部分303的高度的高度來(lái)形成突出515，可以以與像素限定層300的高度相同的高度來(lái)形成突出515?？稍陂_(kāi)口514中、階梯部分303上和突出515上形成有機(jī)層301。由于突出515而形成的階梯高度，使得可以容易排放在有機(jī)層301和像素限定層300之間和/或有機(jī)層301和電極層509之間的另外滯留的氣體?？稍谟袡C(jī)層301和像素限定層300上形成第二電極層513。
圖6示出了在制造根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖，圖7示出了沿圖6中的線C-C’截取的剖視圖。參照?qǐng)D6和圖7，可利用例如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印在像素限定層600的開(kāi)口714中形成有機(jī)層601，例如發(fā)光區(qū)域?？稍陔姌O層709和平坦化層708上形成像素限定層600，并且像素限定層600可包括位于開(kāi)口714的外圍的階梯部分603。
參照?qǐng)D6，階梯部分603可部分地位于有機(jī)層601的下方，可部分地被有機(jī)層601暴露。階梯部分603可橫穿像素限定層600的整個(gè)邊緣部分形成，例如，圖6中的下部，并可以根據(jù)材料轉(zhuǎn)印的方向相對(duì)于開(kāi)口714來(lái)定位。在材料轉(zhuǎn)印包括激光掃描的情況下，階梯部分可位于靠近開(kāi)口714的與有機(jī)層601的最后部分對(duì)應(yīng)的部分處，所述最后部分是在有機(jī)層601的熱轉(zhuǎn)印過(guò)程中被激光最后掃描的部分。
參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管可包括形成在基底700上的至少一個(gè)薄膜晶體管607和形成在薄膜晶體管607上的平坦化層708。電極層609可與第一和第二電極接觸606a、606b(例如，可以是源電極接觸和漏電極接觸)之一連接。電極層709可位于平坦化層708上，并通過(guò)通孔702穿過(guò)平坦化層708，從而與電極接觸606a、606b之一連接。像素限定層600中的開(kāi)口714可部分地暴露電極層709。可沿著開(kāi)口714的整個(gè)下邊緣形成階梯部分603。階梯部分603可相對(duì)于開(kāi)口714來(lái)定位，以與被轉(zhuǎn)印的有機(jī)層601的最后部分對(duì)應(yīng)?？稍陂_(kāi)口714中和階梯部分603上形成有機(jī)層601。有機(jī)層601可部分地覆蓋階梯部分603?？稍谟袡C(jī)層601和像素限定層600上形成第二電極層713。
圖8示出了在構(gòu)造根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的像素單元的方法中的一個(gè)階段的平面圖，圖9示出了沿圖8中的線D-D’截取的剖視圖。參照?qǐng)D8，可利用例如激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印在像素限定層800的開(kāi)口914中形成有機(jī)層801，例如發(fā)光區(qū)域。階梯部分803可形成在像素限定層800的角落處，例如左角。
階梯部分803可相對(duì)于開(kāi)口914定位，以與在激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印的過(guò)程中被轉(zhuǎn)印的有機(jī)層801的最后部分對(duì)應(yīng)。在薄膜晶體管807也形成在靠近開(kāi)口914的端部處的情況下，階梯部分803可形成在與薄膜晶體管807相對(duì)的角落處，例如形成在如圖8所示的左下角，其中，所述開(kāi)口914的端部與被轉(zhuǎn)印的有機(jī)層801的最后部分對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D9，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管可包括形成在基底900上的至少一個(gè)薄膜晶體管807，可在薄膜晶體管807上形成平坦化層908。電極層909可與第一和第二電極接觸806a、806b(例如，可以是源電極接觸和漏電極接觸)之一連接。電極層909可形成在平坦化層908上，并通過(guò)通孔902穿過(guò)平坦化層。開(kāi)口914可形成在像素限定層800中，并可以部分地暴露電極層909。階梯部分803可形成在例如像素限定層800的左角，并可相對(duì)于開(kāi)口914定位以與被轉(zhuǎn)印的有機(jī)層801的最后部分對(duì)應(yīng)。有機(jī)層801可形成在開(kāi)口914中和階梯部分803上。有機(jī)層801可以部分地覆蓋階梯部分803。第二電極層813可形成在有機(jī)層801和像素限定層800上。
在此已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管采用的特定的術(shù)語(yǔ)，但是僅以通用和描述性的意思來(lái)使用和解釋這些術(shù)語(yǔ)，而不是出于限制的目的。例如，除了在以上各實(shí)施例中描述的階梯部分的位置之外，可在可以排放氣體的其它位置處形成階梯部分，也可以在階梯部分上形成兩個(gè)或更多的突出。此外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)轉(zhuǎn)印有機(jī)層時(shí)可層壓一層或多層。而且，盡管已經(jīng)利用有機(jī)發(fā)光二極管作為示例性的有機(jī)發(fā)光器件解釋了本發(fā)明的一些方面，但是本發(fā)明的實(shí)施例并不限于這種類型的器件，而是還應(yīng)用于例如無(wú)源器件。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)方面做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括像素限定層，位于基底上，所述像素限定層具有在其中的開(kāi)口并具有鄰近所述開(kāi)口形成的至少一個(gè)階梯部分；有機(jī)層，設(shè)置在所述開(kāi)口中，并至少部分地覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)階梯部分直接鄰近所述開(kāi)口，所述有機(jī)層部分地，并不是完全地，覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)階梯部分位于所述開(kāi)口的角落處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)階梯部分橫跨所述開(kāi)口的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)階梯部分的厚度是所述像素限定層的厚度的大約1/4至大約1/3。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述像素限定層的厚度在大約50至大約10,000的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)階梯部分的寬度是像素區(qū)域的寬度的大約1/4至大約1/2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，還包括至少一個(gè)突出，所述至少一個(gè)突出從所述至少一個(gè)階梯部分突出并背離所述基底延伸，其中，所述有機(jī)層覆蓋所述至少一個(gè)突出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述至少一個(gè)突出延伸至與所述像素限定層的高度相同的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，電極層在所述基底和所述像素限定層之間位于所述基底上，通過(guò)所述開(kāi)口至少部分地暴露所述電極層，所述有機(jī)層至少部分地覆蓋所述電極層的通過(guò)所述開(kāi)口被暴露的部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述有機(jī)層形成發(fā)射層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)。
12.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法，包括在基底上形成像素限定層，所述像素限定層具有開(kāi)口和至少一個(gè)階梯部分；將有機(jī)層轉(zhuǎn)印到所述基底上，使得所述有機(jī)層位于所述開(kāi)口中并至少部分地覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述至少一個(gè)階梯部分相對(duì)于所述開(kāi)口來(lái)定位，以與被轉(zhuǎn)印到所述基底上的所述有機(jī)層的最后部分對(duì)應(yīng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述有機(jī)層的轉(zhuǎn)印在所述開(kāi)口的第一側(cè)開(kāi)始，在所述開(kāi)口的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)結(jié)束。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述開(kāi)口是長(zhǎng)方形的，所述第一和第二側(cè)是所述長(zhǎng)方形開(kāi)口的窄部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)印包括激光誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)印，所述激光掃描的方向是這樣的，即所述激光掃描在靠近所述至少一個(gè)階梯部分處結(jié)束。
17.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基礎(chǔ)層；中間層，在所述基礎(chǔ)層上，所述中間層具有在其中的開(kāi)口以暴露所述基礎(chǔ)層的部分；有機(jī)層，所述有機(jī)層位于所述中間層上并位于所述開(kāi)口內(nèi)以覆蓋所述基礎(chǔ)層的暴露的部分，其中，所述中間層包括與所述開(kāi)口鄰近的凹進(jìn)部分，所述有機(jī)層部分地覆蓋所述凹進(jìn)部分并部分地暴露所述凹進(jìn)部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述凹進(jìn)部分從所述開(kāi)口的第一邊緣橫向延伸并超過(guò)所述有機(jī)層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，當(dāng)所述凹進(jìn)部分達(dá)到所述開(kāi)口的所述第一邊緣時(shí)具有第一高度，所述開(kāi)口具有第二邊緣，所述第二邊緣具有第二高度所述第一高度小于所述第二高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，所述有機(jī)層具有至少三個(gè)面，并且所述凹進(jìn)部分延伸超過(guò)所述有機(jī)層的至少兩個(gè)面。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光二極管包括像素限定層，位于基底上，該像素限定層具有在其中的開(kāi)口并具有鄰近于所述開(kāi)口形成的至少一個(gè)階梯部分；有機(jī)層，位于所述開(kāi)口中，并至少部分地覆蓋所述至少一個(gè)階梯部分。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1941400SQ20061013938
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月28日
發(fā)明者魯碩原, 金茂顯, 成鎮(zhèn)旭, 金善浩, 宋明原 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社