專利名稱：插件板、半導(dǎo)體封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及插件板、半導(dǎo)體封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常將半導(dǎo)體芯片安裝在印刷電路板上以形成封裝體。在芯片尺寸封裝體(Chip Scale Package，CSP)、晶片級(jí)封裝體(Wafer LevelPackage，WLP)、直接芯片貼裝(Direct Chip Attachment，DCA)封裝體、球柵陣列(Ball Grid Array，BGA)封裝體、覆晶封裝體、以及通孔封裝體中，將半導(dǎo)體芯片的隆起(bump)與板上的電路電連接。一般地，將半導(dǎo)體芯片安裝在板上，從而使隆起和電路對(duì)準(zhǔn)，其中，凸起焊盤和電路通過(guò)回流形成在板和半導(dǎo)體芯片之間的焊料的技術(shù)連接。在覆晶封裝體和芯片尺寸封裝體中，在芯片和板之間存在空間或縫隙。
通常，半導(dǎo)體芯片和板由具有不同熱膨脹系數(shù)的不同材料制成。所以，由于制造半導(dǎo)體封裝體的過(guò)程中施加的熱，導(dǎo)致板和半導(dǎo)體芯片之間的電連接發(fā)生大量變形。這種熱膨脹的不平衡損害了半導(dǎo)體芯片的性能，并減弱了芯片和板之間的連接，從而導(dǎo)致整個(gè)封裝體的故障。當(dāng)半導(dǎo)體芯片的尺寸增加時(shí)，這種現(xiàn)象更加明顯。
為了解決上述問(wèn)題并改進(jìn)板和半導(dǎo)體芯片的電連接的可靠性，使用了一種在板和芯片之間的縫隙中填充密封劑的底層填料法。這種制造半導(dǎo)體封裝體的方法避免了電連接暴露在周圍環(huán)境中，并向半導(dǎo)體封裝體提供了機(jī)械強(qiáng)度，從而使得其能抵抗動(dòng)態(tài)和靜態(tài)機(jī)械荷載。此外，密封劑從半導(dǎo)體芯片移除熱量，并提供用于減小半導(dǎo)體芯片和板之間的溫度差的另外的導(dǎo)熱通道。結(jié)果，使用密封劑的用于半導(dǎo)體封裝體的底層填料處理大大增長(zhǎng)了半導(dǎo)體封裝體的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種插件板、半導(dǎo)體封裝體及其制造方法，其中，改善密封劑的填充特性用于使芯片和板之間的電連接更加可靠。
本發(fā)明的一方面提供了一種半導(dǎo)體封裝體，其包括板，具有電路線；阻焊層，形成在板的表面上；以及芯片，安裝在板上并且具有連接至電路線的至少一部分的至少一個(gè)隆起，其中，阻焊層包括使電路線的至少一部分露出的周邊凹槽(perimeter groove)和連接至該周邊凹槽的延伸凹槽(extension groove)，其中在周邊凹槽和延伸凹槽中填充有密封劑。
延伸凹槽可以具有相對(duì)于密封劑的注入方向的預(yù)定注入角。
阻焊層可以包括由周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，其中，延伸凹槽可以形成在內(nèi)部或外部中。
當(dāng)延伸凹槽露出不需要焊接的電路線部分時(shí)，延伸凹槽可以包括形成在電路線的之間的部分的第一延伸凹槽、和形成在第一延伸凹槽上且具有位于電路線的至少一部分上的部分的第二延伸凹槽。
電路線的至少一部分和至少一個(gè)隆起可以通過(guò)焊料連接。另外，密封劑可以是環(huán)氧樹(shù)脂。
本發(fā)明的另一方面提供了一種制造半導(dǎo)體封裝體的方法，該方法包括在形成有電路線的板的表面上形成阻焊層；形成用于露出電路線的至少一部分的周邊凹槽和連接至該周邊凹槽的延伸凹槽；在板上安裝芯片，其中該芯片具有連接至電路線的至少一部分的至少一個(gè)隆起；以及注入密封劑以填充周邊凹槽和至少一個(gè)延伸凹槽。
周邊凹槽和至少一個(gè)延伸凹槽可以通過(guò)曝光和顯影阻焊層而形成。
至少一個(gè)延伸凹槽可以以相對(duì)于密封劑的注入方向的預(yù)定注入角度形成在至少一條電路線側(cè)。
電路線的至少一部分和至少一個(gè)隆起可以通過(guò)焊料連接。阻焊層可以包括由周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且至少一個(gè)延伸凹槽可以形成在內(nèi)部或外部中。密封劑可以是環(huán)氧樹(shù)脂。
當(dāng)通過(guò)至少一個(gè)延伸凹槽露出不需要焊接的電路線部分時(shí)，形成延伸凹槽的步驟還可以包括形成電路線的第一延伸凹槽之間的部分，以及形成具有位于電路線的至少一部分上且位于第一延伸凹槽上的部分的第二延伸凹槽。
本發(fā)明的再一方面提供了一種插件板，該插件板包括具有電路線的板；形成在板的表面上的阻焊層，其中，阻焊層包括使電路線的至少一部分露出的周邊凹槽和連接至該周邊凹槽的延伸凹槽，并且在周邊凹槽和延伸凹槽中填充有密封劑。
延伸凹槽可以具有相對(duì)于密封劑的注入方向的預(yù)定注入角。
阻焊層可以包括由周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且延伸凹槽形成在內(nèi)部中。同樣，阻焊層可以包括由周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且延伸凹槽形成在外部中。
延伸凹槽可以包括形成在電路線之間的部分的第一延伸凹槽、和形成在第一延伸凹槽上且具有位于電路線的至少一部分上的部分的第二延伸凹槽。
電路線的至少一部分可以通過(guò)焊料連接至芯片的至少一個(gè)隆起，并且密封劑可以是環(huán)氧樹(shù)脂。
本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說(shuō)明中部分地闡述，并且可以部分地從說(shuō)明中變得明顯，或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而獲知。


圖1是示出形成有多條電路線的板的透視圖；圖2是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，形成在板上的阻焊層的透視圖；圖3是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，形成在阻焊層中的周邊凹槽和延伸凹槽的透視圖；圖4是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，與圖3中一樣形成在阻焊層中的周邊凹槽和延伸凹槽的平面圖；
圖5a是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，通過(guò)形成延伸凹槽露出的電路線部分的平面圖；圖5b是示出形成為不露出電路線的第一延伸凹槽的平面圖；圖5c是示出形成在第一延伸凹槽上的第二伸展槽的平面圖；圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，涂敷在由周邊凹槽露出的電路線上的焊料的透視圖；圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，安裝在板上的芯片的透視圖；以及圖8是示出在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，形成為具有相對(duì)于注入方向的預(yù)定注入角的延伸凹槽的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖更加詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的插件板、半導(dǎo)體封裝體及其制造方法。在參考附圖的描述中，在不同的附圖中相同或相似的元件由相同的參考標(biāo)號(hào)表示，所以省略了多余的解釋。
圖1是形成有多條電路線21的板20的透視圖。
在板20上，在絕緣層23上形成有連接芯片的隆起的多條電路線21。電路線21可以通過(guò)諸如蝕刻一般銅箔基板(Copper CladLaminate，CCL)的表面的方法形成。雖然為了便于描述，如示沿著板20的周邊以固定間隔排列電路線21，但是電路線的排列不限于此。電路線21還可以形成在板20的另一面上。
絕緣層23使形成在板20的上表面和下表面上的電路線21絕緣，其中在板上形成用于連接形成在板的上表面和下表面上的特定電路線21的多個(gè)電鍍(plated)通孔或過(guò)孔。板20不僅可以是諸如圖1中所示的印刷電路板，還可以由有機(jī)或陶瓷材料制成(諸如倒裝芯片模塊或倒裝芯片座)。
圖2是示出形成在圖1的板20上的預(yù)定厚度的阻焊層30的透視圖。
阻焊層(solder resist)30是聚合物，在該聚合物中，向可以被熱或紫外線固化的光敏樹(shù)脂中添加了固化劑。阻焊劑30保護(hù)形成在板20的表面上的電路線21，防止板表面氧化，并保持電路線21之間的電絕緣穩(wěn)定性。另外，當(dāng)在板20上安裝芯片時(shí)，其防止在將要安裝芯片的部分以外的部分中附著焊料，并且防止當(dāng)安裝芯片時(shí)電路線之間的短路。
為了在板20上施加阻焊層30，預(yù)先處理板20，然后涂上阻焊層30并預(yù)先干燥。
板20的預(yù)處理指的是用于從板20去除雜質(zhì)、氧化銅層、及油組分以及用于增加到阻焊層的附著力的處理。預(yù)處理的方法包括諸如拋光研磨(buff polishing)和噴射研磨(jet polishing)等的物理方法，還包括諸如軟蝕刻和MEC處理的化學(xué)方法。由于這些焊料板(solder board)的預(yù)處理、阻焊層30的涂敷及預(yù)干燥都是公知技術(shù)，所以，這里不提供關(guān)于這方面的詳細(xì)說(shuō)明。
圖3是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，形成在阻焊層30中的周邊凹槽(perimeter groove)31和延伸凹槽(extension groove)33的透視圖，圖4是其對(duì)應(yīng)的平面圖。
如圖3所示，在阻焊層30中形成有用于使形成在板20上的電路線21露在外部的周邊凹槽31和連接至周邊凹槽31的延伸凹槽33。而且，阻焊層30還具有由周邊凹槽31劃分的內(nèi)部35和外部37。電路線21形成在板20上的部分在周邊凹槽31處露出。
可以在阻焊層30的表面中形成對(duì)應(yīng)于安裝在板20上的芯片的形狀的四邊形的周邊凹槽31。然后，通過(guò)底層填料處理(underfillprocess)，在周邊凹槽31中填充密封劑。在周邊凹槽31的一側(cè)，插入用于注入密封劑的針(未示出)等，如圖4所示，密封劑被填充到電路線21a周圍的相對(duì)較小的區(qū)域中，其中，電路線21a在與密封劑的注入方向(箭頭方向)垂直的方向(與形成在與注入方向的相同方向的電路線21b相比)形成。因此，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，阻焊層30具有連接至周邊凹槽31的、用于增加填充密封劑的程度的延伸凹槽33。當(dāng)然，也可以將延伸凹槽33設(shè)置成與密封劑的注入方向垂直，還可以設(shè)置預(yù)定的斜面(a)。
將延伸凹槽33設(shè)置在阻焊層30的內(nèi)部35中、并與垂直于密封劑的注入方向的電路線21a相鄰。然后將芯片安裝在內(nèi)部35中。不但可以在阻焊層的內(nèi)部35中形成延伸凹槽33，而且可以在外部37中形成。將延伸凹槽33與周邊凹槽31連接，從而使注入到周邊凹槽31中的密封劑流入延伸凹槽33，以改善垂直于注入方向設(shè)置的電路線21a周圍的密封劑的填充。換句話說(shuō)，延伸凹槽33改善了密封劑的流動(dòng)，從而改善密封劑的填充。
延伸凹槽33可以具有包括圖3和圖4中所示的 形的各種形狀中的任何一種。例如，可以將延伸凹槽形成為具有相對(duì)于密封劑的注入方向的預(yù)定角度，或形成為曲線形。
可以通過(guò)阻焊層30的曝光和顯影形成周邊凹槽31和延伸凹槽33。曝光是指對(duì)準(zhǔn)涂敷有阻焊層30的板20和具有預(yù)設(shè)圖像的工作膜層，然后應(yīng)用紫外線僅光固化必需的部分的處理。顯影是指使用顯影液去除在曝光處理中沒(méi)有暴露在紫外線下的阻焊層30的部分的處理?？梢允褂锰妓徕c(Na2CO3)溶液作為顯影液。
在曝光和顯影處理后，可以執(zhí)行另外的UV固化處理，其中，未反應(yīng)的光引發(fā)劑和單一聚合物開(kāi)始發(fā)生聚合反應(yīng)，從而完成光致反應(yīng)。在UV固化處理后，還可以執(zhí)行最后的固化后處理，以完成固化阻焊層30。在最后的固化后處理中，以150℃的溫度加熱阻焊層大約30至60分鐘。
圖5a是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，通過(guò)形成的延伸凹槽33露出的電路線21的部分的平面圖，圖5b是示出形成為使得不露出電路線21a的第一延伸凹槽的平面圖，以及圖5c是示出在第一延伸凹槽上形成的第二延伸凹槽的平面圖。
如圖5a所示，在形成延伸凹槽33期間，可以露出阻焊層30的內(nèi)部35中的電路線部分，這可以使得當(dāng)在焊接過(guò)程中將不需要焊接的部分焊接時(shí)，導(dǎo)致整個(gè)封裝的故障。當(dāng)形成長(zhǎng)延伸凹槽33或電路線21a比較復(fù)雜時(shí)，可能發(fā)生這種情況。
為了防止露出電路線，當(dāng)延伸凹槽延伸至不需要焊接的部分時(shí)，在施加阻焊層30及形成周邊凹槽31的過(guò)程中，在電路線21a之間形成如圖5b所示的第一延伸凹槽38。第一延伸凹槽38是由覆蓋電路線21a的阻焊層限定的凹槽，并且當(dāng)它們鄰近電路線21a形成時(shí)，將它們排列為不使電路線21a露出。在下面的步驟中，第一延伸凹槽38與第二延伸凹槽39的部分重疊，并且通過(guò)底層填料處理填充有密封劑。
然后，為了改進(jìn)密封劑的填充，使具有與圖4中示出的延伸凹槽33的形狀相同形狀的第二延伸凹槽39形成在第一延伸凹槽38上?？梢栽陔娐肪€21a上的、電路線21a被阻焊層30覆蓋從而沒(méi)有露出到外部的位置設(shè)置第二延伸凹槽39。第二延伸凹槽39可以具有與第一延伸凹槽38重疊的部分，且可以為 形。通過(guò)底層填料處理，向與第一延伸凹槽38一起的第二延伸凹槽39填充密封劑，使密封劑更好地填充。形成第二延伸凹槽39的方法可以和形成第一延伸凹槽38的方法一樣。即，在向形成有第一延伸凹槽38的板上涂敷阻焊層后，可以通過(guò)化學(xué)方法等去除對(duì)應(yīng)于第二延伸凹槽39的形狀的阻焊層部分。
參考圖6和圖7，描述在板20上安裝芯片的操作。
圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，涂敷在由周邊凹槽露出的電路線上的焊料的透視圖；圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，安裝在板上的芯片的透視圖。
芯片可以具有適當(dāng)?shù)念A(yù)定形狀，而不限于圖6和圖7中示出的四邊形形狀。在芯片50的另一面上形成用于電和機(jī)械地連接芯片和板的隆起51。隆起51的位置和數(shù)目與由周邊凹槽31露出的電路線21對(duì)應(yīng)。
如圖6所示，在由周邊凹槽31露出的電路線21上涂敷焊料70。涂敷方法的實(shí)例包括使用金屬掩模施加焊料墨(solder ink)和使用噴墨打印機(jī)印刷。然后，將芯片50的隆起51設(shè)置在電路線21上，接著執(zhí)行回流處理，以熔解設(shè)置在電路線21上的焊料?；亓魈幚硎侵讣訜岚惭b有芯片和/或其他元件的板到特定溫度，并熔解焊料70的處理。回流溫度可以隨著所使用的焊料類型改變。同樣，回流時(shí)間可以根據(jù)板的大小和芯片的類型或數(shù)目而改變。
如圖7所示，這樣的回流處理將電路線21和隆起51電和機(jī)械地連接起來(lái)，從而將芯片50安裝在板20上。然后，使用底層填料分配器(underfill dispenser)(未示出)執(zhí)行底層填料處理，以向周邊凹槽31和延伸凹槽33填充密封劑。
底層填料分配器可以是用于分配液態(tài)密封劑或底層填料材料的技術(shù)領(lǐng)域中公知的任何形式。適用于用于分配密封劑的底層填料分配器的泵的實(shí)例包括可以從Nordson Asymtek(Carlsbad CA)獲得的DP-3000泵。底層填料分配器和泵可以實(shí)現(xiàn)為自動(dòng)化系統(tǒng)，諸如可以從Nordson Asymtek(Carlsbad CA)獲得的M-1020、X-1020、M-620、或C-720底層填料分配系統(tǒng)。
通過(guò)底層填料處理填充在周邊凹槽31和延伸凹槽33中的密封劑可以是一般的環(huán)氧樹(shù)脂。密封劑避免了電路線21和隆起51之間的連接露在外部，并且向半導(dǎo)體封裝體提供抵抗靜態(tài)荷載和動(dòng)態(tài)荷載的機(jī)械強(qiáng)度。同樣，密封劑移除來(lái)自半導(dǎo)體芯片的熱量，并提供用于減小半導(dǎo)體芯片和板之間的溫度差的導(dǎo)熱通道。
由于延伸凹槽33形成在垂直于密封劑的注入方向設(shè)置的電路線21a周圍，所以使得密封劑更平穩(wěn)地流動(dòng)。從而，不僅改善了位于與注入方向相同方向的電路線21b周圍的密封劑的填充，而且改善了位于與注入方向垂直的方向的電路21a周圍的密封劑的填充，從而獲得板和芯片之間的穩(wěn)定電連接。
圖8是示出在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝體的方法中，形成為具有相對(duì)于注入方向的預(yù)定注入角的延伸凹槽33的平面圖。
如圖8所示，延伸凹槽33可以具有相對(duì)于密封劑的注入方向(箭頭方向)的預(yù)定注入角(a)。注入角的值可以介于0°至180°之間。具有注入角的延伸凹槽33還便于使密封劑流入延伸凹槽33，從而改善了垂直于注入方向的電路線21a周圍的密封劑的填充。
根據(jù)上述本發(fā)明，提供了插件板、半導(dǎo)體封裝體及其制造方法，其中，改善了密封劑的填充特性，使得芯片和板之間的電連接更加可靠。
盡管參考具體實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明的思想，但是實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不是限制本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝體，包括板，具有電路線；阻焊層，形成在所述板的表面上；以及芯片，安裝在所述板上并且具有連接至所述電路線的至少一部分的至少一個(gè)隆起；其中，所述阻焊層包括周邊凹槽和延伸凹槽，所述周邊凹槽使所述電路線的至少一部分露出，并且所述延伸凹槽連接至所述周邊凹槽，以及其中，在所述周邊凹槽和所述延伸凹槽中填充有密封劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述延伸凹槽具有相對(duì)于所述密封劑的注入方向的預(yù)定注入角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且所述延伸凹槽形成在所述內(nèi)部中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且所述延伸凹槽形成在所述外部中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述延伸凹槽包括第一延伸凹槽和第二延伸凹槽，所述第一延伸凹槽形成在所述電路線之間的部分，所述第二延伸凹槽形成在所述第一延伸凹槽上并且具有位于所述電路線的至少一部分上的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述電路線的至少一部分和至少一個(gè)所述隆起通過(guò)焊料相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述密封劑是環(huán)氧樹(shù)脂。
8.一種制造半導(dǎo)體封裝體的方法，所述方法包括(a)在其上形成有電路線的板的表面上形成阻焊層；(b)在所述阻焊層上形成周邊凹槽和至少一個(gè)延伸凹槽，其中，所述周邊凹槽使所述電路線的至少一部分露出，并且所述至少一個(gè)延伸凹槽連接至所述周邊凹槽；(c)在所述板上安裝芯片，其中，所述芯片具有連接至所述電路線的至少一部分的至少一個(gè)隆起；以及(d)注入密封劑以填充所述周邊凹槽和所述至少一個(gè)延伸凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過(guò)曝光和顯影所述阻焊層形成所述周邊凹槽和所述至少一個(gè)延伸凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，至少一個(gè)延伸凹槽以相對(duì)于所述密封劑的注入方向的預(yù)定注入角形成在至少一個(gè)所述電路線側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述電路線的至少一部分和所述至少一個(gè)隆起通過(guò)焊料連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且至少一個(gè)所述延伸凹槽形成在所述內(nèi)部中。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且至少一個(gè)所述延伸凹槽形成在所述外部中。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述密封劑是環(huán)氧樹(shù)脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述形成所述延伸凹槽的步驟進(jìn)一步包括形成所述電路線的第一延伸凹槽之間的部分；以及在所述第一延伸凹槽上形成第二延伸凹槽，所述第二延伸凹槽具有位于所述電路線的至少一部分上的部分。
16.一種插件板，包括板，具有電路線；以及阻焊層，形成在所述板的表面上；其中，所述阻焊層包括周邊凹槽和延伸凹槽，所述周邊凹槽使所述電路線的至少一部分露出，所述延伸凹槽連接至所述周邊凹槽，以及其中，在所述周邊凹槽和所述延伸凹槽中填充有密封劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述延伸凹槽具有相對(duì)于所述密封劑的注入方向的預(yù)定注入角。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且所述延伸凹槽形成在所述內(nèi)部中。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述阻焊層包括由所述周邊凹槽劃分的內(nèi)部和外部，并且所述延伸凹槽形成在所述外部中。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述延伸凹槽包括第一延伸凹槽和第二延伸凹槽，所述第一延伸凹槽形成在所述電路線之間的部分，所述第二延伸凹槽形成在所述第一延伸凹槽上并且具有位于所述電路線的至少一部分上的部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述電路線的至少一部分通過(guò)焊料連接至芯片的至少一個(gè)隆起。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的插件板，其中，所述密封劑是環(huán)氧樹(shù)脂。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的一方面的半導(dǎo)體封裝體包括具有電路線的板、形成在板的表面上的阻焊層、以及安裝在板上且具有連接至電路線的至少一部分的至少一個(gè)隆起的芯片。其中，阻焊層包括用于露出電路線的至少一部分的周邊凹槽、以及連接至該周邊凹槽的延伸凹槽，并且在周邊凹槽和延伸凹槽中填充有密封劑。其中，密封劑的填充特性被改善，從而使得芯片和板之間的電連接更加可靠。
文檔編號(hào)H01L23/498GK1945819SQ20061014002
公開(kāi)日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月7日
發(fā)明者金承九, 柳濟(jì)光, 李容彬, 魏由錦, 許碩桓, 柳彰燮 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社