專利名稱：利用抗反射涂層作為注入阻擋層的制造集成電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路的制造方法，且更具體而言涉及一種被用來制造集成電路的注入工藝。
背景技術(shù)：
集成電路被廣泛地用于許多家用、商用和其他的應(yīng)用。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的，集成電路包括在比如半導(dǎo)體襯底的集成電路襯底中的大量的比如晶體管的有源器件。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的，集成電路制造可以包括大量的掩模工藝，其選擇性地暴露了集成電路襯底和/或其上的層的區(qū)域?？梢酝ㄟ^所暴露的掩模的區(qū)域?qū)诫s劑和/或其他的物質(zhì)注入到集成電路襯底和/或其上的層中。例如，在也被稱為絕緣柵場效應(yīng)晶體管、MOSFET或CMOS器件的集成電路場效應(yīng)晶體管的制造中，已知利用各種掩模將摻雜劑選擇性地注入集成電路襯底的有源區(qū)中。不幸的是，隨著集成電路器件的集成密度和/或復(fù)雜度繼續(xù)增加，掩模步驟的數(shù)量也不期望地增加和/或難于使用傳統(tǒng)的材料來形成這些器件。
在制造集成電路晶體管中，已知使用第一掩模和第一柵間隔物來形成源極/漏極延伸區(qū)、也被稱為延伸區(qū)或暈區(qū)。已知使用第二掩模和第二柵間隔物來形成源極/漏極區(qū)域。
具體而言，參考圖1A，在注入第一摻雜劑110中可以使用第一掩模100，以在絕緣柵120的相對側(cè)形成延伸區(qū)130，同時遮蔽其他的器件140。隨后，如圖1B所示，可以結(jié)合側(cè)壁間隔物160和第二掩模150，以注入源極/漏極摻雜劑180，且由此形成源極/漏極區(qū)170。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的某些實施例，集成電路晶體管可以通過以下方法制造在集成電路襯底中形成包括其上的第一絕緣柵的第一有源區(qū)和包括其上的第二絕緣柵的第二有源區(qū)。在第二有源區(qū)上選擇性地形成注入阻擋掩模。然后將延伸摻雜劑注入到第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)，同時注入阻擋掩模阻擋摻雜劑進入第二有源區(qū)。然后在第一有源區(qū)上形成抗反射涂層。然后在第一有源區(qū)上定向地蝕刻抗反射涂層，以在第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在第二有源區(qū)上保留注入阻擋掩模。然后將源極/漏極摻雜劑注入到第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，同時該注入阻擋掩模阻擋該摻雜劑進入該第二有源區(qū)，且抗反射涂層側(cè)壁間隔物阻擋至少一些源極/漏極摻雜劑進入抗反射涂層側(cè)壁間隔物下的第一有源區(qū)，且源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)保留在抗反射涂層側(cè)壁間隔物下。然后去除注入阻擋掩模和抗反射涂層側(cè)壁間隔物。
在本發(fā)明的某些實施例中，在第二有源區(qū)上形成注入阻擋掩模通過在第一和第二有源區(qū)上毯式形成注入阻擋層和從第一有源區(qū)去除注入阻擋層來進行。在某些實施例中，注入阻擋掩模包括光致抗蝕劑。在這些實施例中，通過相對于光致抗蝕劑選擇性地定向蝕刻抗反射涂層，可以蝕刻第一有源區(qū)上的抗反射涂層來形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物。
在本發(fā)明的某些實施例中，在形成注入阻擋掩模之前，在第一和第二絕緣柵的側(cè)壁上形成氧化物側(cè)壁間隔物。然后通過將延伸摻雜劑以傾斜角度注入到第一有源區(qū)中進行注入延伸區(qū)摻雜劑，以延伸氧化物側(cè)壁間隔物下的源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)。在這些實施例中，進行了第一有源區(qū)上的抗反射涂層的定向蝕刻，以在第一絕緣柵的相對側(cè)壁上的氧化物側(cè)壁間隔物上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在第二有源區(qū)上保留注入阻擋掩模。然后可以去除注入阻擋掩模和抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留氧化物側(cè)壁間隔物。然后可以在保留的氧化物側(cè)壁間隔物上形成氮化物側(cè)壁間隔物。
在本發(fā)明的其它實施例中，在第一有源區(qū)上形成抗反射涂層，且在第二有源區(qū)上形成注入阻擋掩模。然后在第一有源區(qū)上定向蝕刻抗反射涂層，同時從第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模去除抗反射涂層，以形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模。
在本發(fā)明的另一些實施例中，抗反射涂層側(cè)壁間隔物可以被用于制造集成電路晶體管中的任何期望的注入阻擋。因此，在這些實施例中，形成了包括第一絕緣柵的第一有源區(qū)和包括第二絕緣柵的第二有源區(qū)，且在第二有源區(qū)上形成了注入阻擋掩模。在第一有源區(qū)上形成抗反射涂層且將其定向蝕刻以在第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在第二有源區(qū)上保留注入阻擋掩模。然后將源極/漏極摻雜劑注入到第一絕緣柵的相對兩側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，同時注入阻擋掩模阻擋源極/漏極摻雜劑進入第二有源區(qū)，且抗反射涂層側(cè)壁間隔物阻擋至少一些源極/漏極摻雜劑進入抗反射涂層側(cè)壁間隔物下的第一有源區(qū)。然后可以去除注入阻擋掩模和抗反射涂層側(cè)壁間隔物?？梢匀缟鲜鲂纬勺⑷胱钃跹谀！Ｒ部梢匀缟鲜鎏峁┭趸飩?cè)壁間隔物和/或側(cè)壁間隔物，且可以如上述在第一有源區(qū)上形成抗反射涂層。
因此，本發(fā)明的某些實施例可以在集成電路晶體管的制造過程中使用構(gòu)圖的抗反射涂層作為選擇注入阻擋層。在某些實施例中，構(gòu)圖的抗反射涂層被用作柵側(cè)壁間隔物，以阻擋至少一些摻雜劑進入柵側(cè)壁間隔物下的集成電路襯底。還可以使用構(gòu)圖的抗反射涂層作為其他集成電路制造工藝中的選擇注入阻擋層。


圖1A和1B是在中間制造步驟中制造集成電路晶體管的傳統(tǒng)制造方法的側(cè)剖面圖。
圖2-6是在根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的中間制造步驟中根據(jù)本發(fā)明的各種實施例制造的集成電路晶體管的側(cè)剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將參考其中顯示本發(fā)明的示范性實施例的附圖在其后更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里所闡釋的示范性實施例。相反，提供這些實施例使得本公開充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。另外，這里所描述和示出的每個實施例也包括其互補導(dǎo)電型的實施例。通篇相似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。
可以理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”和/或“耦合到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在其他元件或?qū)由匣蜻B接到、耦合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接”在其他元件“上”、“直接”“連接到”和/或“直接”“耦合到”另一元件或?qū)訒r，則沒有中間元件或?qū)哟嬖?。這里所用的術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項目的一個或更多的任何和所有組合。
可以理解雖然術(shù)語第一、第二和第三可以用于此來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
在這里為了描述的方便，可以使用空間相對術(shù)語，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來描述一個元件或特征和其他元件或特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g相對術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語“下方”可以包含下方和上方兩個方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對描述語。
這里所使用的術(shù)語是只為了描述特別的實施例的目的且不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，“一”、“該”等單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。可以進一步理解當(dāng)在此說明書中使用時術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排出存在或添加一個或更多其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分和/或其組。
參考橫截面圖示在這里描述了本發(fā)明的實施例，該圖示是本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)將通常具有倒圓或彎曲的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起埋入?yún)^(qū)和通過其進行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不旨在示出器件區(qū)域的實際形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍，除非這里清楚地如此界定。
除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明屬于的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)解釋為一種與在相關(guān)技術(shù)和本公開的背景中的它們的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。
本發(fā)明的一些實施例來自于以下認識當(dāng)將源極/漏極延伸摻雜劑注入第一有源區(qū)且當(dāng)將源極/漏極摻雜劑注入第一有源區(qū)時，可以使用單個掩模作為第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模。因此，可以減少掩模和掩模步驟的數(shù)量。
另外，在本發(fā)明的一些實施例中，在制造集成電路晶體管的過程中使用了構(gòu)圖的抗反射涂層(ARC)作為選擇性注入阻擋層?？狗瓷渫繉?ARC)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且還可以被稱為底抗反射涂層(BARC)和/或頂抗反射涂層(TARC)?？狗瓷渫繉油ǔＴ诠庵驴刮g劑上方和/或下方以提供了更大的光學(xué)反射率控制且由此允許改善的光學(xué)成像。出于光學(xué)目的的抗反射涂層的制造和使用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。
在一些實施例中，抗反射涂層可以被用作柵側(cè)壁間隔物來阻擋至少一些摻雜劑進入柵側(cè)壁間隔物下的集成電路襯底。由此，通常形成于光致抗蝕劑上的用于光學(xué)目的的抗反射涂層還可以被用來形成用于注入阻擋目的的側(cè)壁間隔物。
圖2-6是在根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的中間制造步驟中根據(jù)本發(fā)明的各種實施例制造的集成電路晶體管的側(cè)剖面圖。
具體而言，參考圖2，在集成電路襯底200中形成了第一有源區(qū)202和第二有源區(qū)204。集成電路襯底200可以包括在其上具有一層或多層外延層的單質(zhì)和/或化合物半導(dǎo)體襯底，和/或可以包括在襯底上的單質(zhì)和/或化合物半導(dǎo)體層。集成電路襯底200的示例包括硅半導(dǎo)體襯底和絕緣體上硅(SOI)襯底。集成電路襯底200的制造方法對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。另外，第一和第二有源區(qū)202和204可以使用比如淺溝槽隔離區(qū)的隔離區(qū)206和/或其他對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言公知的常規(guī)技術(shù)來界定。有源區(qū)202和204可以具有相同的導(dǎo)電型，或可以具有相對的導(dǎo)電型以形成CMOS器件。
仍參考圖2，第一有源區(qū)202包括其上的第一絕緣柵212，第二有源區(qū)204包括其上的第二絕緣柵214。絕緣柵212和214均可以包括柵絕緣層216和柵電極218，柵絕緣層216可以具有相同和/或不同的組成和/或厚度，柵電極218可以包括具有相同和/或不同的組成和/或厚度的一層以上的子層。絕緣柵的制造對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。還如圖2所示，絕緣柵212和214可以包括分別在第一和第二絕緣柵212和214的相對側(cè)壁212s、214s上的第一側(cè)壁間隔物222。第一側(cè)壁間隔物222可以包括二氧化硅且還可以被稱為氧化物側(cè)壁間隔物。第一側(cè)壁間隔物222的設(shè)計和制造對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。
仍參考圖2，在第二有源區(qū)204上而不在第一有源區(qū)202上選擇性地設(shè)置注入阻擋掩模230。在一些實施例中，注入阻擋掩模230可以包括光致抗蝕劑且可以通過在第一和第二有源區(qū)202和204上毯狀地形成光致抗蝕劑層、然后從第一有源區(qū)202去除光致抗蝕劑來制造。
仍參考圖2，然后將延伸摻雜劑240注入到第一絕緣柵212的相對側(cè)上的第一有源區(qū)202中，以形成源極和漏極延伸區(qū)250。如圖2所示，注入阻擋掩模230選擇性地阻擋摻雜劑進入第二有源區(qū)204。還如圖2所示，摻雜劑240的注入可以以相對于襯底200的傾斜角來進行，從而延伸區(qū)250在第一側(cè)壁間隔物222下延伸。然而在其他實施例中，延伸區(qū)250不需以傾斜角注入和/或延伸區(qū)250不需在第一側(cè)壁間隔物222和/或第一絕緣柵212下延伸。延伸區(qū)250的設(shè)計和制造對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。另外，可以基于晶體管的期望的導(dǎo)電型和/或?qū)τ诒绢I(lǐng)域的技術(shù)人員公知的其他設(shè)計和/或工藝準則來選擇摻雜劑240和注入?yún)?shù)。
現(xiàn)參考圖3，在第一有源區(qū)202上形成抗反射涂層310。在一些實施例中，如圖3所示，在第一和第二有源區(qū)202和204上均毯式地形成抗反射涂層310。
現(xiàn)參考圖4，然后定向地蝕刻抗反射涂層310，以在第一絕緣柵212的相對側(cè)壁212s上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物410，同時在第二有源區(qū)204上保留注入阻擋掩模230。利用反應(yīng)離子蝕刻和/或其他傳統(tǒng)的定向蝕刻技術(shù)可以進行抗反射涂層310的定向(各向同性)蝕刻來形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物410。還如圖4所示，還可以在注入阻擋掩模230的側(cè)壁上形成包括抗反射涂層材料的側(cè)壁間隔物412。還可以理解的是，當(dāng)注入阻擋掩模230包括光致抗蝕劑時，通過相對于光致抗蝕劑注入阻擋掩模230來選擇性地定向蝕刻圖3的抗反射涂層310，可以進行圖4的定向蝕刻。相對于光致抗蝕劑的抗反射涂層的選擇性蝕刻對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是公知的，且不需在此進一步描述。
現(xiàn)參考圖5，然后將源極/漏極摻雜劑510注入到第一絕緣柵212的相對側(cè)上的第一有源區(qū)212中，以形成源極和漏極區(qū)520，同時注入阻擋掩模230阻擋源極/漏極摻雜劑510進入第二有源區(qū)204，且抗反射涂層側(cè)壁間隔物410阻擋至少一些源極/漏極摻雜劑510進入抗反射涂層側(cè)壁間隔物410下的第一有源區(qū)202，且在抗反射涂層側(cè)壁間隔物410下保留的源極/漏極延伸區(qū)250’。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解源極/漏極摻雜劑510和/或注入?yún)?shù)可以取決于晶體管期望的特性和/或制造工藝。因此，如圖5所示，注入阻擋掩模230除了阻擋暈注入劑240注入第一有源區(qū)204之外，還可以被用來阻擋源極/漏極摻雜劑進入第一有源區(qū)204，如圖2所示。
最后，參考圖6，去除了注入阻擋掩模230和抗反射涂層側(cè)壁間隔物410。利用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的干法/濕法抗蝕劑剝離工藝可以提供注入阻擋掩模230和抗反射涂層側(cè)壁間隔物410的去除。在一些實施例中，利用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的技術(shù)形成用于隨后的硅化物接觸結(jié)構(gòu)的氮化物側(cè)壁間隔物610。在圖6的一些實施例中，還可以去除氧化物間隔物222。在一些實施例中，可以保留氧化物間隔物222，如圖6所示。在其他實施例中，不需去除抗反射涂層側(cè)壁間隔物410，而將其保留在最終的器件中。
在本發(fā)明的其他實施例中，不需在形成圖2的延伸區(qū)之后制造圖4中的抗反射涂層側(cè)壁間隔物410。另外，在一些實施例中，圖4的抗反射涂層側(cè)壁間隔物410可以被用于在圖5中來進行源極/漏極摻雜劑的任何期望的注入，比如用于源極/漏極區(qū)自身、用于延伸區(qū)、用于接觸區(qū)和/或用于任何于源極/漏極相關(guān)的其他摻雜區(qū)。在本發(fā)明的其他實施例中，圖4的抗反射涂層側(cè)壁間隔物410可以被用來阻擋至少一些摻雜劑進入柵側(cè)壁間隔物下，而不使用注入阻擋掩模230。在其他實施例中，當(dāng)形成不與絕緣柵場效應(yīng)晶體管的源極/漏極區(qū)相關(guān)的其他區(qū)域時，構(gòu)圖的抗反射涂層可以被用來選擇性地阻擋注入劑。而是，構(gòu)圖的抗反射涂層可以在集成電路晶體管制造的任何工藝步驟中被用作選擇性注入阻擋層。最后，這里所述的本發(fā)明的實施例可以以各種組合和子組合來組合。
因此，本發(fā)明的一些實施例通過在制造場效應(yīng)晶體管的源極/漏極延伸區(qū)和源極/漏極區(qū)中使用同一光掩模而可以減少絕緣柵場效應(yīng)晶體管制造中光掩模的總數(shù)，和/或可以使用常規(guī)用于光學(xué)目的抗反射涂層來用于注入阻擋目的。由此可以提供更高效的制造集成電路晶體管的方法。
在附圖和說明書中，已經(jīng)披露了本發(fā)明的實施例，盡管使用了具體的術(shù)語，但是它們僅以上位和描述性的意思來被使用，且不用于限制的目的，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求來闡述。
權(quán)利要求
1.一種集成電路晶體管的制造方法，包括在集成電路襯底中形成包括其上的第一絕緣柵的第一有源區(qū)和包括其上的第二絕緣柵的第二有源區(qū)；在該第二有源區(qū)上選擇性地形成注入阻擋掩模；將延伸摻雜劑注入到該第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)，同時該注入阻擋掩模阻擋該摻雜劑進入該第二有源區(qū)；在該第一有源區(qū)上形成抗反射涂層；在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻該抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模；將源極/漏極摻雜劑注入到該第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，同時該注入阻擋掩模阻擋該源極/漏極摻雜劑進入該第二有源區(qū)，且該抗反射涂層側(cè)壁間隔物阻擋至少一些該源極/漏極摻雜劑進入該抗反射涂層側(cè)壁間隔物下的第一有源區(qū)，且該源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)保留在該抗反射涂層側(cè)壁間隔物下；且去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在該第二有源區(qū)上選擇性地形成該注入阻擋掩模包括在該第一和第二有源區(qū)上毯式地形成注入阻擋層；和從該第一有源區(qū)去除該注入阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成該注入阻擋掩模之前，在該第一和第二絕緣柵的側(cè)壁上形成氧化物側(cè)壁間隔物；其中將延伸摻雜劑注入到該第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中以形成源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)包括將該延伸摻雜劑以傾斜角度注入到該第一有源區(qū)中以延伸氧化物側(cè)壁間隔物下的源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)；和其中在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻該抗反射涂層包括定向蝕刻該第一有源區(qū)上的抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上的氧化物側(cè)壁間隔物上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物包括去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留該氧化物側(cè)壁間隔物；和去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物之后，在該保留的氧化物側(cè)壁間隔物上形成氮化物側(cè)壁間隔物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該注入阻擋掩模包括光致抗蝕劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模包括相對于該光致抗蝕劑選擇性地定向蝕刻該抗反射涂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在該第一有源區(qū)上形成抗反射涂層包括在該第一有源區(qū)上且在該第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模上毯式形成抗反射涂層；和其中在該第一有源區(qū)上定向蝕刻該抗反射涂層包括在該第一有源區(qū)上定向蝕刻該反射涂層，同時從該第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模以去除該抗反射涂層的至少一些，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成該抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留該第二有源區(qū)上的該注入阻擋掩模。
8.一種集成電路晶體管的制造方法，包括在集成電路襯底中形成包括其上的第一絕緣柵的第一有源區(qū)和包括其上的第二絕緣柵的第二有源區(qū)；在該第二有源區(qū)上選擇性地形成注入阻擋掩模；在該第一有源區(qū)上形成抗反射涂層；在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模；將源極/漏極摻雜劑注入到該第一絕緣柵的相對側(cè)上的第一有源區(qū)中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，同時該注入阻擋掩模阻擋該摻雜劑進入該第二有源區(qū)，且該抗反射涂層側(cè)壁間隔物阻擋至少一些源極/漏極摻雜劑進入該抗反射涂層側(cè)壁間隔物下的第一有源區(qū)，且該源極和漏極延伸區(qū)保留在該抗反射涂層側(cè)壁間隔物下；且去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在該第二有源區(qū)上選擇性地形成該注入阻擋掩模包括在該第一和第二有源區(qū)上毯式地形成注入阻擋層；和從該第一有源區(qū)去除該注入阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在形成該注入阻擋掩模之前，在該第一和第二絕緣柵的側(cè)壁上形成氧化物側(cè)壁間隔物；和其中在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻抗反射涂層包括定向蝕刻該第一有源區(qū)上的抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上的氧化物側(cè)壁間隔物上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物包括去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留該氧化物側(cè)壁間隔物；和去除該注入阻擋掩模和該抗反射涂層側(cè)壁間隔物之后，在該保留的氧化物側(cè)壁間隔物上形成氮化物側(cè)壁間隔物。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該注入阻擋掩模包括光致抗蝕劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在該第一有源區(qū)上定向地蝕刻抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時在該第二有源區(qū)上保留該注入阻擋掩模，包括相對于該光致抗蝕劑選擇性地定向蝕刻該抗反射涂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在該第一有源區(qū)上形成抗反射涂層包括在該第一有源區(qū)上且在該第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模上毯式地形成抗反射涂層；和其中在該第一有源區(qū)上定向蝕刻該抗反射涂層包括在該第一有源區(qū)上定向蝕刻該反射涂層，同時從該第二有源區(qū)上的注入阻擋掩模去除該抗反射涂層的至少一些，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成該抗反射涂層側(cè)壁間隔物，同時保留該第二有源區(qū)上的該注入阻擋掩模。
15.一種集成電路晶體管的制造方法，包括在制造集成電路晶體管的過程中使用構(gòu)圖的抗反射涂層作為選擇注入阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在制造該集成電路晶體管的過程中使用構(gòu)圖的抗反射涂層作為選擇注入阻擋層包括使用該構(gòu)圖的抗反射涂層作為柵側(cè)壁間隔物以阻擋至少一些摻雜劑進入該柵側(cè)壁間隔物下的集成電路襯底。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中使用該構(gòu)圖的抗反射涂層作為柵側(cè)壁間隔物以阻擋至少一些摻雜劑進入該柵側(cè)壁間隔物下的集成電路襯底包括在集成電路襯底中形成包括其上的絕緣柵的有源區(qū)；在該有源區(qū)上形成抗反射涂層；在該有源區(qū)上定向地蝕刻該抗反射涂層，以在該第一絕緣柵的相對側(cè)壁上形成抗反射涂層側(cè)壁間隔物；和將摻雜劑注入到該絕緣柵的相對側(cè)上的有源區(qū)中，同時該抗反射涂層側(cè)壁間隔物阻擋至少一些摻雜劑進入該抗反射涂層側(cè)壁間隔物下的有源區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成電路晶體管的制造方法。在集成電路晶體管的制造過程中，構(gòu)圖的抗反射涂層可以被用作選擇性的注入阻擋層。具體而言，該抗反射涂層可以被用作柵側(cè)壁間隔物來阻擋至少一些摻雜劑進入柵側(cè)壁間隔物下的集成電路襯底。另外，當(dāng)制造集成電路晶體管的源極和漏極延伸區(qū)以及源極區(qū)和漏極區(qū)時，可以使用單個掩模。
文檔編號H01L21/266GK1967807SQ200610144710
公開日2007年5月23日 申請日期2006年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日
發(fā)明者樸相真, 張鐘光, 李錫圭, 洛瑟·多尼 申請人:三星電子株式會社, 因菲尼奧恩技術(shù)股份公司