專利名稱：采用ocd量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體涉及量測(cè)臺(tái)階高度的方法。
背景技術(shù)：
臺(tái)階高度(Step height)是芯片基底和填充介質(zhì)之間的高度差值。隨著電 子設(shè)備的尺寸日益減小，臺(tái)階高度對(duì)于過(guò)程控制愈加重要。目前常用AFM(原子 力顯微鏡)測(cè)量臺(tái)階高度。AFM需要掃描許多線以不同亮暗顏色表示的狀態(tài)。然 后分析STI(淺溝槽隔離)和單晶硅的顏色以獲取臺(tái)階高度。如果臺(tái)階高度太小， 會(huì)導(dǎo)致顏色對(duì)比不明顯，從而導(dǎo)致分析失敗。所以AFM分析必須需要臺(tái)階高度 最夠高。此外，AFM需要使用探針掃描芯片的界面形狀(Topography),探針的 花費(fèi)很高，而且AFM分析一個(gè)芯片大致需要30分鐘，工作效率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種量測(cè)臺(tái)階高度的方法，其可以有效節(jié)約成本并 提高量測(cè)成功率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種采用OCD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，該 方法包括如下步驟a.從光譜線中獲取填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度 參數(shù)；b.計(jì)算填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度參數(shù)的差值以得到臺(tái)階高度。
所述的光譜線是OCD在芯片上照射反射光，根據(jù)反射光獲取的一組光譜線。 填充介質(zhì)是STI (淺溝槽隔離)。所述芯片基底是單晶硅。所述OCD是光學(xué)特征 尺寸測(cè)量。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中采用OCD更為有效并且節(jié)約開(kāi)支地量測(cè)臺(tái)階高 度。在同一時(shí)間測(cè)量?jī)蓚€(gè)不同介質(zhì)，并輸出高度的差值，而且不會(huì)對(duì)芯片表面 造成損傷。


通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的
目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為 圖1為本發(fā)明中需要量測(cè)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，本發(fā)明采用0CD (光學(xué)特征尺寸測(cè)量)量測(cè)芯片的 臺(tái)階高度。OCD可以在需要量測(cè)的芯片上照射反射光，從反射光中獲取一組光譜 線，該光語(yǔ)線內(nèi)包含量測(cè)部分的信息。
圖1是需要量測(cè)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。該芯片包括填充介質(zhì)21和芯片基底22。 在本發(fā)明實(shí)施例中，芯片基底22是單晶硅，填充介質(zhì)21是單晶硅中間的STI (淺溝槽隔離)。
首先通過(guò)OCD收到的光譜線中獲取填充介質(zhì)21的高度參數(shù)和芯片基底22 的高度參數(shù)，然后通過(guò)計(jì)算填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底22的高度參數(shù)的差 值以得到臺(tái)階高度d。
0CD量測(cè)相比AFM量測(cè)更為有效，其可以模擬量測(cè)物件的線寬，間隔以及溝 壑等參數(shù)。實(shí)驗(yàn)表明0CD只需要花費(fèi)5分鐘就可以分析3個(gè)芯片，有效提高了 工作效率，而且不用和芯片有物理接觸。本發(fā)明提供的量測(cè)方法也可以適用于 65nm以下的半導(dǎo)體制程。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，本發(fā)明的量測(cè)方法也可以適 用于芯片上兩種不同介質(zhì)的高度差值的量測(cè)。
權(quán)利要求
1、一種采用OCD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟a.從光譜線中獲取填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度參數(shù)；b.計(jì)算填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度參數(shù)的差值以得到臺(tái)階高度。
2、 如權(quán)利要求l所述的采用OCD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，其特征在于所述的光譜線是0CD在芯片上照射反射光，根據(jù)反射光獲取的一組光譜線。
3、 如權(quán)利要求1所述的采用OCD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，其特征在于填充介質(zhì)是STI (淺溝槽隔離)。
4、 如權(quán)利要求l所述的采用OCD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，其特征在于所述 芯片基底是單晶硅。
5、 如權(quán)利要求1所述的采用0CD量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，其特征在于所述 0CD是光學(xué)特征尺寸測(cè)量。
全文摘要
本發(fā)明提供一種采用OCD(光學(xué)特征尺寸測(cè)量)量測(cè)芯片臺(tái)階高度的方法，該方法包括如下步驟a.從光譜線中獲取填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度參數(shù)；b.計(jì)算填充介質(zhì)的高度參數(shù)和芯片基底的高度參數(shù)的差值以得到臺(tái)階高度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中采用OCD更為有效并且節(jié)約開(kāi)支地測(cè)試臺(tái)階。在同一時(shí)間測(cè)量?jī)蓚€(gè)不同介質(zhì)，并輸出高度的差值，而且不會(huì)對(duì)芯片表面造成損傷。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101202236SQ20061014739
公開(kāi)日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者張海洋, 杜珊珊, 馬擎天, 怡 黃 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司