專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制作方法，特別涉及一種半導(dǎo)體器件之間的 相互連接結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)例如申請?zhí)枮?3145409的中國專利提供 的存儲器結(jié)構(gòu)，如圖l所示，半導(dǎo)體襯底l上依次形成有柵;fe介電層2和柵極3, 所述柵極介電層2為二氧化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅層等，所述柵極3 為多晶硅層。柵極介電層2以及柵極3的兩側(cè)具有間隙壁(spacer) 5 ，間隙壁5 的材料為二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等，在間隙壁5兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1 內(nèi)形成有源漏極6。在實際的應(yīng)用與制作工藝上，由于源漏極的工程設(shè)計的考量，為了避免 熱栽流離子引起的碰撞電離效應(yīng)，通常采用輕摻雜源/漏極(lightly d叩ed source/drain, LDD)結(jié)構(gòu)。如圖2所示，半導(dǎo)體襯底ll上依次具有柵極介電層 12和柵極13 ，在柵極介電層12兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底11內(nèi)形成有低摻雜源漏區(qū)14, 柵極介電層12以及柵極13的兩側(cè)具有間隙壁15,在間隙壁15兩側(cè)的半導(dǎo)體襯 底11內(nèi)形成有重?fù)诫s源漏區(qū)16。重?fù)诫s源漏區(qū)16的一個作用在于與接觸孔 內(nèi)連接金屬接觸，形成低接觸電阻的歐姆接觸(Ohmic Contact) 。 17表示進 行金屬布線時與接觸孔內(nèi)連接金屬接觸的歐姆接觸區(qū)，為了達到較低的接觸 電阻，要求將金屬滲入重?fù)诫s源漏區(qū)。歐姆接觸區(qū)具有相當(dāng)?shù)纳疃?。上述具有間隙壁的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的推動力。隨著 半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體芯片朝向更高的器件密度、高集成度方
向發(fā)展。因此，半導(dǎo)體元件的尺寸也越做越小；元件的溝道長度愈來愈短， 要求的摻雜源/漏極深度也愈來愈淺。對于歐姆接觸區(qū)的制作工藝發(fā)展與接觸電阻的測量方法可參考Silicon Material and Device Characterization 2nd Edition 1998 John Wiley and Sons, by Dieter K. Schroder,第133至142頁，當(dāng)重?fù)诫s離子濃度范圍由2E17增加到5E20 /cm3時，n型硅與金屬所形成歐姆接觸的接觸電阻值范圍由1E-3減少到 3E-$Q/cm2，當(dāng)重?fù)诫s離子濃度范圍由lE16增加到5E20/cmS時，p型硅與金屬 所形成歐姆接的接觸電阻值從6E-3減少到1.5E-$Q/cm2。這種工藝的摻雜離子 濃度改變4次階，接觸電阻值的變化達到5次階，接觸電阻的變化是通過調(diào)節(jié) 摻雜區(qū)域摻雜離子濃度并調(diào)節(jié)電子勢壘的，摻雜離子濃度愈高，勢壘降低。 因此，這種工藝嚴(yán)格依賴摻雜離子的濃度，限制了源漏區(qū)的深度。根據(jù)德州儀器的研究成果(1996正EE Symposium on VLSI Technology Digest,第14-15頁)，利用鈦硅化物形成的源漏區(qū)，源漏區(qū)的深度可以降到 500埃。又例如東芝7〉司的研究i侖文(1994 IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, No. 12,第2305-2317頁)，利用鈦或鎳硅化物形成的源漏區(qū)， 其中鈦硅化物的深度可達到接近300埃。隨著半導(dǎo)體元件供電電壓、隧道深度以及結(jié)深的不斷減小，低摻雜源漏 區(qū)的摻雜離子密度已經(jīng)接近重?fù)诫s源漏區(qū)的摻雜離子密度，以滿足減d、接觸 電阻的需要。因此，通過間隙壁區(qū)分重?fù)诫s源漏區(qū)和輕摻雜源漏區(qū)的工藝已 經(jīng)顯得不是十分需要，而且，間隙壁的存在也擴大了器件的尺寸，不利于器 件尺寸越來越小的趨勢。連接有源器件(Active Devices)與無源器件(Passive Devices)的技術(shù)要求也愈來愈高，而且，形成更淺的源漏區(qū)，也是其中非常 重要的一個環(huán)節(jié)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，降低器件摻雜
區(qū)域與接觸孔內(nèi)連接金屬的接觸電阻，并且有利于減小器件的尺寸。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，位于 半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極，以及半導(dǎo)體襯底內(nèi) 位于柵極介電層兩側(cè)的源極和漏極，還包括位于源極和漏極表面延伸的連接 界面層和沿柵極表面延伸的連接界面層，所述連接界面層與柵介電層絕緣隔 離。其中，所述連接界面層為金屬反應(yīng)摻雜物，所述摻雜物為氧、氮、氫、 硼、砷或者磷中的任意一種，所述金屬反應(yīng)摻雜物為鈷、鎳、鉬、鈦、銅、 或者鈮的反應(yīng)摻雜物。或者，所述連接界面層為鈷、鎳、鉬、鈦、銅、或者鈮的金屬硅化物。 所述金屬硅化物中含有氧、氮、氫、硼、砷或者磷中的任意一種摻雜物。所述連接界面層的厚度連接界面層的厚度大于0小于等于100埃，較好 的為10到50埃。本發(fā)明還提供了 一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括如下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上在所述半導(dǎo)體襯底上形成掩膜，覆蓋柵極和柵極介電層的側(cè)壁以及源漏 之外的半導(dǎo)體襯底；形成沿源極和漏極表面延伸的連接界面層和沿柵極表面延伸的連接界面層；去除所述掩膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點界面層，所述連接界面層內(nèi)含有連續(xù)可用的電子狀態(tài)，在較低的電場作用下
即可完成電子傳輸，降低了與接觸孔的連接金屬之間的接觸電阻。
2、 本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件可以使源極和漏極的摻雜離子濃度在較大的 范圍內(nèi)改變，利用連接界面層所提供的連續(xù)電子態(tài)，即使在較低的摻雜離子 濃度條件下，也能達到低電阻歐姆接觸。
3、 本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件可以使用不同的源極和漏極的摻雜離子濃度，以區(qū)分核心與輸出/輸入元件。利用較低的摻雜離子濃度輸出/輸入元件， 可以提高芯片的可靠性。
4、 本發(fā)明可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸，滿足了半導(dǎo)體器件越做越小的趨勢。


圖1是現(xiàn)有^a術(shù)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)包含歐姆接觸區(qū)的半導(dǎo)體存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A至圖4E是本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件制作方法工藝流程結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明的本質(zhì)在于提供一種不含間隙壁的半導(dǎo)體器件，可以是存儲器、 邏輯器件等晶體管，減小了形成的半導(dǎo)體器件的尺寸，滿足器件越做越小的界面層，所述連接界面層為金屬反應(yīng)摻雜物，所述摻雜物為氧、氮、氫、硼、 砷或者磷中的任意一種，所述金屬反應(yīng)摻雜物為鈷的反應(yīng)摻雜物、鎳的反應(yīng) 摻雜物、鉬的反應(yīng)摻雜物、鈦的反應(yīng)摻雜物、銅的反應(yīng)摻雜物、或者鈮的反 應(yīng)摻雜物，或者含有氧、氮、氬、硼、砷或者磷中的任意一種摻雜物的金屬
硅化物，所述金屬反應(yīng)摻雜物或者金屬硅化物內(nèi)含有連續(xù)可用的電子狀態(tài)， 在較低的電場作用下即可完成電子傳輸，降低了與接觸孔的連接金屬之間的 接觸電阻。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施 的限制。
首先，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，參考附圖3所示，包括半導(dǎo)體襯底 100，位于半導(dǎo)體襯底100上的柵極介電層110和位于柵極介電層110上的柵 極120,以及半導(dǎo)體襯底100內(nèi)位于柵極介電層110兩側(cè)的源極130和漏極 140，還包括沿源極130和漏極140表面延伸的連接界面層150和沿柵極120 表面延伸的連接界面層150，所述連接界面層150與柵介電層U0絕緣隔離。
所述半導(dǎo)體襯底100可以包括單晶或者多晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe )，還 可以是含有摻雜離子例如N型或者P型摻雜的硅或者硅鍺，也可以包括混合 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或 銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。
所述柵極介電層110可以是氧化硅(Si02)或氮氧化硅(SiNO)。在65nm 以下工藝節(jié)點，柵極的特征尺寸很小，柵極介電層110優(yōu)選高介電常數(shù)(高K) 材料。所述高K材料包括氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、 氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等。 特別優(yōu)選的是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。
柵極120可以是包含半導(dǎo)體材料的多層結(jié)構(gòu)，例如硅、鍺、金屬或其組合。源極130和漏極140位于柵介電層110兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)，附圖 中源極130和漏極140的位置可以互換，其摻雜離子可以是磷離子、砷離子、 硼離子或者銦離子中的一種或者幾種。所述連接界面層150沿源極130和漏極140以及柵極120的表面延伸， 附圖中，連接界面層150沿源極130和漏極140以及柵極120的表面向下延 伸，根據(jù)連接界面層150形成工藝的不同，連接界面層150也可能在源極130 和漏極140以及柵極120的表面同時向下或者向上延伸，也就是說，連接界 面層150在源極130和漏極140以及柵極120的表面可能向在源極130和漏 極140以及4冊才及120的內(nèi)部延伸，也可能同時向在源極130和漏極140以及 柵極120的外部延伸。本發(fā)明所述的向上向下是按照附圖中的位置描述的。沿源極130和漏極140表面延伸的連接界面層150應(yīng)避免與柵介電層110 接觸，這是由于連接界面層150的作用在于用于層間布線，需要與層間接觸 孔內(nèi)的導(dǎo)電金屬連接， 一旦連接界面層150與柵介電層110連接，則導(dǎo)致與 連接界面層150連接的導(dǎo)電金屬與柵極120接觸形成短路，導(dǎo)致器件報廢。 一般情況下，連接界面層150與柵介電層110之間的距離為30至80納米， 較好的是20至60納米。本發(fā)明所述的連接界面層150為金屬反應(yīng)摻雜物，所述摻雜物為氧、氮、 氬、硼、砷或者磷中的任意一種，所述金屬反應(yīng)摻雜物為鈷的反應(yīng)摻雜物、 鎳的反應(yīng)摻雜物、鉬的反應(yīng)摻雜物、鈦的反應(yīng)摻雜物、銅的反應(yīng)摻雜物、或 者鈮的反應(yīng)摻雜物?；蛘?，所述連接界面層為鈷的金屬硅化物、鎳的金屬硅化物、鉬的金屬 硅化物、鈦的金屬硅化物、銅的金屬硅化物、或者鈮的金屬硅化物。所述金
屬硅化物中含有氧、氮、氫、硼、砷或者磷中的任意一種摻雜物。所述連接界面層150的形成工藝為在含有氬離子和氧離子、氮離子、氫 離子、硼化氫離子、砷化氫離于或者磷化氫離子中的任意一種的等離子體氛 圍下，濺射金屬例如鈷、鎳、鉬、鈦、銅或者鈮，形成滲透有氧離子、氮離 子、氫離子、硼離子，砷離子，或者磷離子中的任意一種離子的連接界面層150。所述連接界面層150的厚度大于0小于等于IOO埃，較好的為10到50 埃。所述連接界面層150的存在使得源極和漏極區(qū)域的摻雜離子密度具有較 大的變化范圍，例如，摻雜離子濃度范圍為1E18到6E20/cm3。并且在上述摻 雜離子濃度范圍內(nèi)，都具有層間接觸孔內(nèi)的導(dǎo)電金屬具有較小的接觸電阻。由于所述金屬反應(yīng)摻雜物內(nèi)含有氧離子、氮離子、氫離子、硼離子，砷 離子，或者磷離子中的任意一種，因此，在硅與金屬的連接界面層提供連續(xù) 電子能階；直接與金屬的電子費米能階(Fermi Level)相重疊，使其處于連 續(xù)可用的電子狀態(tài)。在很低的電場作用下即可完成電子傳輸，降低了與接觸 孔的連接金屬之間的接觸電阻。并且可以在范圍較大的源極和漏極區(qū)域的摻 雜離子濃度的情況下實現(xiàn)低電阻的電接觸。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體 襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極以及位于 柵極介電層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源極和漏極；在所述半導(dǎo)體襯底上形成掩 膜，覆蓋柵極和柵極介電層的側(cè)壁以及源漏之外的半導(dǎo)體襯底；形成沿源極 和漏極表面延伸的連接界面層和沿柵極表面延伸的連接界面層；去除所述掩 膜。下面結(jié)合附圖4A至4E對所述半導(dǎo)體器件制作方法做詳細(xì)的描述。參考附 圖4A所示，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100上形成有柵介電層110和 柵極120。柵極介電層120的形成工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何現(xiàn) 有技術(shù)，比較優(yōu)選的為化學(xué)氣相沉積法，柵介電層110的厚度為15到60埃。
所述柵極120的形成工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何現(xiàn)有技術(shù)，比 較優(yōu)選的為化學(xué)氣相沉積法，例如低壓等離子體化學(xué)氣相沉積或者等離子體 增強化學(xué)氣相沉積工藝。柵-極120的厚度為800到3000埃。以柵極120和柵 介電層110為掩膜，可在柵介電層110兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成源極130 和漏極140，所述源極130和漏極140的摻雜離子濃度可在較大的范圍內(nèi)變動， 摻雜離子濃度為1E18到6E20/cm3。所述源極130和漏極140的深度為600 到2000埃。參考附圖4B所示，在半導(dǎo)體襯底100上、柵極120上以及柵極120和柵 介電層110的側(cè)壁形成刻蝕阻擋層160,例如光刻膠層、氮化硅層等，所述刻 蝕阻擋層160的形成工藝可采用任何現(xiàn)有技術(shù)。參考附圖4C所示，去除源極130和漏極140上對應(yīng)位置的刻蝕阻擋層 160以及4冊極120上對應(yīng)位置的刻蝕阻擋層160，同時，保留柵極120和柵介 電層110的側(cè)壁的刻蝕阻擋層160，并形成開口 170。參考附圖4D所示，以刻蝕阻擋層160為掩膜，在等離子環(huán)境下進行金屬 濺射，在開口 170對應(yīng)的源極140和漏極130以及柵極120的表面形成向下 或者同時向下以及向上延伸的連接界面層150。所述等離子體包括氬離子和氧 離子、氮離子、氫離子、硼離子，砷離子，或者磷離子中的任意一種。所述金屬為鈷、鎳、鉬、鈦、銅、或者鈮。所述連接界面層150的厚度 為小于100埃，較好的約為10到50埃。在等離子體環(huán)境下濺射金屬的壓力為0.5到1.5毫托(1T= 133Pa)。在濺 射的過程中，形成金屬和金屬反應(yīng)摻雜物的薄膜層，所述的金屬反應(yīng)摻雜物 指含有所述摻雜離子的金屬。通過對壓力進行控制，在形成薄膜層的同時也 移去部分反應(yīng)摻雜物，達到沉積和移去的動態(tài)平衡，使薄膜層的厚度達到預(yù) 期值，實現(xiàn)較低的接觸電阻。本發(fā)明形成的連接界面層的特性接觸電阻為3E-8 到2E-9Q/cm2。
參考附圖4E所示，去除刻蝕阻擋層160,形成本發(fā)明形成的半導(dǎo)體器件 的結(jié)構(gòu)。釆用本發(fā)明形成的半導(dǎo)體器件可以是存儲器、邏輯器件等晶體管。由于本發(fā)明形成的半導(dǎo)體器件的連接界面層內(nèi)含有提供連續(xù)電子態(tài)的摻 雜界面，在很低的電場作用下即可完成電子傳輸，降低了半導(dǎo)體與接觸孔的 連接金屬之間的接觸電阻。該器件僅需要極薄的摻雜界面層與金屬相連接； 可以進一步地縮小半導(dǎo)體器件的大小，增加半導(dǎo)體器件的密度。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和 修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極，以及半導(dǎo)體襯底內(nèi)位于柵極介電層兩側(cè)的源極和漏極，其特征在于，還包括位于源極和漏極表面延伸的連接界面層和沿柵極表面延伸的連接界面層，所述連接界面層與柵介電層絕緣隔離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層為金屬反應(yīng)摻雜物，所述摻雜物為氧、氮、氬、硼、砷或者磷中的任意一種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬反應(yīng)摻雜 物為鈷的反應(yīng)摻雜物、鎳的反應(yīng)摻雜物、鉬的反應(yīng)摻雜物、鈦的反應(yīng)摻雜物、 銅的反應(yīng)摻雜物、或者鈮的反應(yīng)摻雜物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層為 鈷的金屬硅化物、鎳的金屬硅化物、鉬的金屬硅化物、鈦的金屬硅化物、銅 的金屬硅化物、或者鈮的金屬硅化物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬硅化物中 含有氧、氮、氫、硼、砷或者磷中的任意一種摻雜物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層的 厚度大于0小于等于100埃。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層的 厚度為10到50埃。
8. —種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有柵極介電層和位于柵極介電層上在所述半導(dǎo)體村底上形成掩膜，覆蓋柵極和柵極介電層的側(cè)壁以及源漏 之外的半導(dǎo)體襯底；去除所述掩膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，形成連接界面層的工藝為在等離子體環(huán)境下賊射金屬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述金屬 為鈷、鎳、鉬、鈦、銅或者鈮。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述等離 子體包括氬離子和氧離子、氮離子、氫離子、硼化氫離子、砷化氫離子或者 磷化氫離子中的任意一種。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述等離 子體包括氬離子和氧離子。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層為 金屬反應(yīng)摻雜物，所述摻雜物為氧、氮、氫、硼、砷或者磷中的任意一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬反應(yīng)摻雜 物為鈷的反應(yīng)摻雜物、鎳的反應(yīng)摻雜物、鉬的反應(yīng)摻雜物、鈦的反應(yīng)摻雜物、 銅的反應(yīng)摻雜物、或者鈮的反應(yīng)摻雜物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層為 鈷的金屬硅化物、鎳的金屬硅化物、鉬的金屬硅化物、鈦的金屬硅化物、銅 的金屬硅化物、或者鈮的金屬硅化物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬硅化物中 含有氧、氮、氫、硼、砷或者磷中的任意一種摻雜物。
17. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層的 厚度大于0小于等于100埃。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述連接界面層的 厚度為10到50埃。
19. 根據(jù)權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在等離子體環(huán)境下濺射金屬的壓力為0.5到1.5毫托。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層和位于柵極介電層上的柵極，以及半導(dǎo)體襯底內(nèi)位于柵極介電層兩側(cè)的源極和漏極，還包括位于源極和漏極表面延伸的連接界面層和沿柵極表面延伸的連接界面層，所述連接界面層與柵介電層絕緣隔離。所述半導(dǎo)體器件的連接界面層內(nèi)含有提供連續(xù)電子態(tài)的摻雜界面，在很低的電場作用下即可完成電子傳輸，降低了半導(dǎo)體與接觸孔的連接金屬之間的接觸電阻。該器件僅需要極薄的摻雜界面層與金屬相連接；可以進一步地縮小半導(dǎo)體器件的大小，增加半導(dǎo)體器件的密度。
文檔編號H01L29/66GK101211970SQ200610148248
公開日2008年7月2日 申請日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者王津洲 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司