專利名稱：引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)重分布集成電路的規(guī)劃的結(jié)構(gòu)，尤其是有關(guān)引用半導(dǎo)體 薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示。申請人的一已獲準(zhǔn)的中國臺灣專利第1242873號， 揭示一種重分布集成電路的規(guī)劃的封裝方式及其結(jié)構(gòu)，是用于將一晶粒11 電氣接合至一導(dǎo)線架12，該晶粒11具有多數(shù)個(gè)第一焊墊111，該導(dǎo)線架 12具有多數(shù)個(gè)導(dǎo)線焊墊121,該多數(shù)個(gè)第一焊墊111與該多數(shù)個(gè)導(dǎo)線焊墊 121間的接合具有一對應(yīng)的第一規(guī)劃，包含
一重分配層，具有多數(shù)個(gè)第二焊墊112及多數(shù)條導(dǎo)線13;
其中，該多數(shù)條導(dǎo)線13供選擇性地連接該多數(shù)個(gè)第一焊墊111及該 多數(shù)個(gè)第二焊墊112，使得該多數(shù)個(gè)第二焊墊112與該多數(shù)個(gè)導(dǎo)線焊墊121 間的接合具有一對應(yīng)的第二規(guī)劃，且該第二焊墊112并電氣接合至該導(dǎo)線 架12的該多數(shù)個(gè)導(dǎo)線焊墊121。
一般導(dǎo)線在傳輸高頻信號時(shí)，會產(chǎn)生一感抗XL，而XL的值由下列公
式表示
<formula>formula see original document page 4</formula>
其中"是導(dǎo)線傳輸信號的角頻率，而L是電感；L的大小與導(dǎo)線的長 度成正比。
圖1所示的導(dǎo)線13的長度愈長及傳輸信號的角頻率"愈大時(shí)，將產(chǎn)
生愈大的感抗XL。目前導(dǎo)線13的長度不影響信號的傳輸，但當(dāng)傳輸信號 的角頻率愈來愈大時(shí)，將使導(dǎo)線13傳輸高頻信號產(chǎn)生的感抗愈來愈大，
而影響傳輸效率，甚至?xí)蚋锌固蠖鵁o法傳輸更高頻的信號。

發(fā)明內(nèi)容
為了使重分布集成電路的規(guī)劃的封裝結(jié)構(gòu)，具有高頻傳輸功能，而提 出本發(fā)明。
本發(fā)明的主要目的，在提供一種引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高 頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，使重分布的集成電路規(guī)劃所使用的導(dǎo)線傳輸信號時(shí)， 不受導(dǎo)線長度及傳輸頻率的影響，能傳輸高頻的信號。
本發(fā)明的另一目的，在提供一種引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高 頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，可縮短芯片連接導(dǎo)線架的導(dǎo)線長度，使連接導(dǎo)線架的 導(dǎo)線較能傳輸高頻的信號。
本發(fā)明引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，是用 以提高連接芯片的第一焊墊及第二悍墊的導(dǎo)線的傳輸信號的頻率者，包
括
一芯片，具有電子訊處理功能，并具有多數(shù)個(gè)第一焊墊及多數(shù)個(gè)第二 焊墊-，
多數(shù)條導(dǎo)線，每一條該導(dǎo)線的兩端分別連接一該第一焊墊及一該第二
焊墊；
一絕緣層，與該芯片相結(jié)合；該多數(shù)條導(dǎo)線被三明治式的夾于該絕緣 層與該芯片之間；該絕緣層具有與每一該第二焊墊相對應(yīng)的第一穿透孔；
一導(dǎo)電層，與該絕緣層相結(jié)合；該絕緣層被三明治式的夾于該導(dǎo)電層 與該芯片之間；該導(dǎo)電層具有與該芯發(fā)的每一第二焊墊相對應(yīng)的第二穿透 孔，俾使每一該第二焊墊透過相對應(yīng)的該第一穿透孔、該第二穿透孔與外 部的導(dǎo)線電氣連接；
其中該導(dǎo)電層用以電氣連接提供該芯片工作的電力輸入端的高電位 端或接地端其中的一者，使該多數(shù)條導(dǎo)線與該導(dǎo)電層之間形成類似微帶傳 輸線的信號傳輸結(jié)構(gòu)；使導(dǎo)線的特性阻抗與導(dǎo)線的長度及傳輸信號的角頻 率無關(guān)，用以傳輸高頻信號。
本發(fā)明的其它目的、功效，請參閱圖式及實(shí)施例，詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有重分布集成電路的規(guī)劃的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例芯片、絕緣層及導(dǎo)層呈分開狀態(tài)的示意圖:
圖3為本發(fā)明實(shí)施例的外觀示意圖。
主要組件符號說明
11晶粒
112第二焊墊 121導(dǎo)線焊墊 20芯片
111第一焊墊 12導(dǎo)線架 13導(dǎo)線 21第一焊墊
211、 221、 51接地焊墊 22第二焊墊 30導(dǎo)線 40絕緣層
41第一穿透孔 50導(dǎo)電層
52第二穿透孔
具體實(shí)施例方式
請參閱圖2、圖3所示。本發(fā)明引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高 頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，是用以提高連接芯片的第一焊墊及第二焊墊的導(dǎo)線的 傳輸信號的頻率者，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)實(shí)施例，包括
一芯片20，具有電子訊處理功能，并具有多數(shù)個(gè)第一焊墊21及多數(shù) 個(gè)第二焊墊22;多數(shù)個(gè)第一焊墊21置于芯片20的中間區(qū)域，呈接近平行 的兩列；多數(shù)個(gè)第二焊墊22置于芯片2的外圍區(qū)域，亦呈接近平行的兩 列；多數(shù)個(gè)第一焊墊21與多數(shù)個(gè)第二焊墊22所形成的列接近平行；多數(shù) 個(gè)第一焊墊21及多數(shù)個(gè)第二焊墊22中分別具有至少一相對應(yīng)的接地焊墊 211、 221;
多數(shù)條導(dǎo)線30，每一條導(dǎo)線30的兩端分別連接一第一焊墊21及一第 二焊墊22;
一絕緣層40，是由聚乙醯胺、合成橡膠(Elastomer)或硅化合成橡膠 (Silicon Elastomer)等絕緣材料形成，利用涂布/固化(Coating/Curing) 等方式與芯片20相結(jié)合，使多數(shù)條導(dǎo)線30被三明治式的夾于絕緣層40 與芯片20之間；絕緣層40具有與每一第二焊墊22相對應(yīng)的第一穿透孔 41;
一導(dǎo)電層50，是由銅、金、鈦、銀、鎳、鈀、鈀鎳合金、氮化鈦，或
其它組合等金屬材料等導(dǎo)電材料形成者，利用電鍍等方式使導(dǎo)電層50與
絕緣層40相結(jié)合，使絕緣層40被三明治式的夾于導(dǎo)電層50與芯片20之 間；導(dǎo)電層50具有至少一接地焊墊51，接地焊墊51與芯片20的接地焊 墊221電氣連接；導(dǎo)電層50具有與接地焊墊221以外的每一第二焊墊22S 相對應(yīng)的第二穿透孔52，使接地焊墊221以外的每一第二焊墊22可透過 相對應(yīng)的第一穿透孔41、第二穿透孔52與外部的導(dǎo)線電氣連接。
本發(fā)明利用半導(dǎo)體薄膜后裝程技術(shù)，使連接芯片20的第一、二焊墊 21、 22的導(dǎo)線30上邊結(jié)合一絕緣層40，再于絕緣層40的上邊結(jié)合一導(dǎo) 電層50，使多數(shù)個(gè)導(dǎo)線30與導(dǎo)電層50之間形成類似微帶傳輸線的信號傳 輸結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層50的接地焊墊51可電氣連接提供芯片20工作的電力輸 入端的高電位端或接地端。
對微帶傳輸線而言，其特性阻抗Z。的值由下列公式表示
其中l(wèi)n為自然對數(shù)，底為e; h為導(dǎo)線的寬度；w為導(dǎo)線與參考層之 間的距離；Z,是在空間的波阻抗；是與A值有關(guān)的有效介電常數(shù)。
由上述公式(2)可知對微帶傳輸線而言，其特性阻抗Z。與傳輸信號的 角頻率及微帶傳輸線的長度無關(guān)，因此可作為低阻抗高頻信號傳輸?shù)挠谩?br> 本發(fā)明使多數(shù)個(gè)導(dǎo)線30與導(dǎo)電層50之間構(gòu)成類似微帶傳輸線的結(jié) 構(gòu)，多數(shù)個(gè)導(dǎo)線30傳輸信號時(shí)的特性阻抗如上述公式(2)中所示，與多數(shù) 個(gè)導(dǎo)線30的長度及傳輸信號的角頻率無關(guān)，因此可用以傳輸高頻信號，
有利于開發(fā)高頻芯片的設(shè)計(jì)。
本發(fā)明引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法，使連接芯片的第一焊墊及第二焊 墊的導(dǎo)線與導(dǎo)電層之間，形成類似微帶傳輸線的信號傳輸結(jié)構(gòu)；使導(dǎo)線傳 輸信號時(shí)的特性阻抗與導(dǎo)線的長度及傳輸信號的角頻率;無關(guān)，可用以傳輸 高頻信號；且其制作容易，除了可作為改變芯片的輸入/輸出的規(guī)劃，進(jìn) 而制造不同規(guī)格的芯片外；并可使焊墊在中間區(qū)域的芯片，利用本發(fā)明的 結(jié)構(gòu)，使連接芯片外圍的第二焊墊與導(dǎo)線架的導(dǎo)線具有較短的長度，在傳 輸高頻信號時(shí)，較不會產(chǎn)生高阻抗，而影響高頻信號的傳輸。否則連接導(dǎo) 線架的導(dǎo)線，必須具有較長的長度，才能連接置于芯片中間區(qū)域的焊墊；
而較長的導(dǎo)線在傳輸高頻信號時(shí)，會產(chǎn)生高阻抗，而影響高頻信號的傳輸 或無法傳輸高頻信號。
以上所記載，僅為利用本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技藝 者運(yùn)用本發(fā)明所為的修飾、變化，皆屬本發(fā)明主張的專利范圍，而不限于 實(shí)施例所揭示者。
權(quán)利要求
1.一種引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，是用以提高連接芯片的第一焊墊及第二焊墊的導(dǎo)線的傳輸信號的頻率，其特征在于包括；一芯片，具有電子訊處理功能，并具有多數(shù)個(gè)第一焊墊及多數(shù)個(gè)第二焊墊；多數(shù)條導(dǎo)線，每一條該導(dǎo)線的兩端分別連接一該第一焊墊及一該第二焊墊；一絕緣層，與該芯片相結(jié)合；該多數(shù)條導(dǎo)線被三明治式的夾于該絕緣層與該芯片之間；該絕緣層具有與每一該第二焊墊相對應(yīng)的第一穿透孔；一導(dǎo)電層，與該絕緣層相結(jié)合；該絕緣層被三明治式的夾于該導(dǎo)電層與該芯片之間；該導(dǎo)電層具有與該芯片的每一第二焊墊相對應(yīng)的第二穿透孔，俾使每一該第二焊墊透過相對應(yīng)的該第一穿透孔、該第二穿透孔與外部的導(dǎo)線電氣連接；其中該導(dǎo)電層用以電氣連接提供該芯片工作的電力輸入端的高電位端或接地端其中的一者，使該多數(shù)條導(dǎo)線與該導(dǎo)電層之間形成類似微帶傳輸線的信號傳輸結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)?構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該多數(shù)個(gè)第一焊墊及該多數(shù)個(gè)第二焊墊中分 別具有至少一相對應(yīng)的接地焊墊；該導(dǎo)電層具有至少一接地焊墊，該導(dǎo)電 層的該接地焊墊與該芯片的該接地焊墊電氣連接。
3. 如權(quán)利要求1或2項(xiàng)所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻 傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該多數(shù)個(gè)第一焊墊設(shè)置于該芯片的中間區(qū)域；該多數(shù)個(gè)第二焊墊設(shè)置于該芯片的外圍區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求3所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該多數(shù)個(gè)第一焊墊呈接近平行的兩列；該多 數(shù)個(gè)第二焊墊置亦呈接近平行的兩列。
5. 如權(quán)利要求4所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)?構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該多數(shù)個(gè)第一焊墊與該多數(shù)個(gè)第二焊墊所形 成的列接近平行。
6. 如權(quán)利要求5所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)?構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該絕緣層是選自聚乙醯胺、合成橡膠及硅化 合成橡膠其中之一 的絕緣材料形成者。
7. 如權(quán)利要求6所述的引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述該導(dǎo)電層是選自銅、金、鈦、銀、鎳、鈀、 鈀鎳合金及氮化鈦其中之一的導(dǎo)電材料形成。
全文摘要
本發(fā)明一種引用半導(dǎo)體薄膜后制造方法以改善高頻傳輸?shù)臉?gòu)裝結(jié)構(gòu)，是連接芯片的第一、二焊墊的導(dǎo)線上邊結(jié)合一絕緣層；絕緣層的上邊結(jié)合一導(dǎo)電層，多數(shù)個(gè)導(dǎo)線與導(dǎo)電層之間形成類似微帶傳輸線的信號傳輸結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)線的特性阻抗與導(dǎo)線的長度及傳輸信號的角頻率無關(guān)，可用以傳輸高頻信號。
文檔編號H01L23/488GK101170094SQ200610150340
公開日2008年4月30日 申請日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月26日
發(fā)明者吳景淞, 楊朝雨, 林志祥 申請人:吳景淞;楊朝雨;晶發(fā)半導(dǎo)體股份有限公司