專利名稱：帶有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種輻射半導(dǎo)體組件以及生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
輻射半導(dǎo)體組件例如已在WO97/50132中公開了。這類半導(dǎo)體組件都包含一個在工作中發(fā)光(一次光)的半導(dǎo)體和一個將該光線的一部分變換到另一波長范圍(熒光)的熒光變換元件。由這樣的半導(dǎo)體組件發(fā)出的光線的總體色感通過一次光和熒光的顏色相加混合產(chǎn)生。
通常，以這樣的熒光物質(zhì)作為熒光變換元件，即該熒光物質(zhì)是懸浮在人造樹脂中。如WO97/50132所述，輻射半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)形式是，將半導(dǎo)體安置在組件基體的一個凹穴中并用熒光物質(zhì)懸浮體填充該凹穴。
上述結(jié)構(gòu)的缺點在于，一次光(半導(dǎo)體)和熒光(熒光物質(zhì)懸浮體)的光源一般有不同的形狀和大小，所以，根據(jù)輻射方向分解成不同的顏色成分并出現(xiàn)空間不均勻的色感。在光學(xué)顯影時，出現(xiàn)強烈的色差。
另一個缺點在于，色感取決于懸浮體中的光路長度，所以由生產(chǎn)條件決定的在半導(dǎo)體上的懸浮體層厚的波動會導(dǎo)致產(chǎn)生不同色感。此外，在懸浮體中，原則上需要很均勻的熒光物質(zhì)分布。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是發(fā)展開頭所述類型的輻射半導(dǎo)體組件，該組件能發(fā)射出均勻混色的光線。本發(fā)明的另一個任務(wù)是為提供一種用于這種半導(dǎo)體組件的生產(chǎn)方法。
本發(fā)明規(guī)定，如此設(shè)計半導(dǎo)體組件的基體，即在為容納半導(dǎo)體而形成的凹穴中，緊圍著半導(dǎo)體地形成一個分開的盆狀區(qū)域，該區(qū)域包含熒光變換元件。與帶有熒光變換元件的、填充整個凹穴的大體積的半導(dǎo)體包封相比，上述結(jié)構(gòu)有這樣的優(yōu)點，即熒光從與一次光幾乎一樣的體積中射出，由此出現(xiàn)特別均勻的色感。
根據(jù)一個特別優(yōu)選的實施形式，用于容納熒光變換元件的分開區(qū)域是通過一個在凹穴內(nèi)的凹槽形成的。另一個特別優(yōu)選的實施形式是，通過凹穴底上的一個環(huán)形圍邊，形成所述分開區(qū)域。在這兩個實施形式中，可有利地把具有標(biāo)準(zhǔn)形狀的殼體用作基體。
凹槽或環(huán)形圍邊的側(cè)表面有利地是如此成形的，即這些側(cè)表面用作所產(chǎn)生的輻射線的反射面并從而提高輻射效率。
本發(fā)明的一個有利改進方案是，在基體中如此嵌入一引線架，即該引線架的一部分構(gòu)成在上述其中一個種實施形式中的凹槽的底面，或者，在引線架上形成在上述另一個實施形式中的環(huán)形圍邊。在該改進方案中，半導(dǎo)體被安置在引線架上，在此，可直接(芯片接合)或借助線連接(線接合)產(chǎn)生電接通。這種所謂的引線架技術(shù)主要被用在輻射半導(dǎo)體組件中并也可有利地被用在本發(fā)明中。
為保護半導(dǎo)體和熒光變換元件，可以用透射線的填料例如澆注材料填充凹穴。這種填料最好含有反應(yīng)型樹脂如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂或它們的混合物。通過填料的合適造形，可獲得透鏡效應(yīng)或散射效應(yīng)，它大大改善了或如人所愿地改良了本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的輻射性能。對于自動插裝機而言，利用填料在半導(dǎo)體組件中形成一個平表面是有利的，因為這樣的半導(dǎo)體組件可更容易地被自動插裝機拿取和定位(拾取-安放法)。
在一個基于特別簡單的可實現(xiàn)的優(yōu)選實施形式中，熒光變換元件是用一種或幾種熒光物質(zhì)制成的，這些熒光物質(zhì)被嵌入一個基體中。就可混合性、可成形性和操作而言，丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂及其混合物特別適用作基體。
作為熒光物質(zhì)，一方面可以混合有機化合物例如二萘嵌苯色劑或4f-金屬有機化合物。這樣，熒光物質(zhì)如BASF Lumogen F083，Lumogen F240和Lumogen F300可被簡單地添加到透明環(huán)氧樹脂中。
白色的總體色感可通過使用無機熒光物質(zhì)來獲得。特別適用于此的是添加稀土的石榴石及添加稀土的堿土硫化物。
在這種情況下，有效的熒光物質(zhì)是那些滿足分子式A3B5O12:M的化合物(只要它們在一般生產(chǎn)條件和操作條件下不是不穩(wěn)定的即可)。分子式中的A表示Y、Lu、Sc、La、Gd、Tb和Sm組中的至少一個元素；B表示Al、Ga和In組中的至少一個元素；M表示Ce和Pr中的至少一個元素，并最好是Ce。這里，作為熒光物質(zhì)地特別優(yōu)選YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce3+)，TbYAG:Ce((YXTb1-X)3Al5O12:Ce3+，0≤X≤1)，GdYAG:Ce((GdXY1-X)3Al5O12:Ce3+，0＜X＜1)，GdTbYAG:Ce((GdXTbYY1-X-Y)3Al5O12:Ce3，0＜X＜1，0＜Y＜1)以及以此為基礎(chǔ)的混合物。此外，Al可至少部分地用Ga或In代替。其它優(yōu)選的化合物是SrS:Ce3+，Na，SrS:Ce3+，Cl，SrS:CeCl3，CaS:Ce3+，SrSe:Ce3+和Y3Ga5O12:Ce3+。
特別使用于產(chǎn)生不同類型的混色光的是添加有稀土的硫鎵酸鹽，例如CaGa2S4:Ce3+或者SrGa2S4:Ce3+。為此，也可考慮使用添加有稀土的鋁酸鹽如YalO3:Ce3+和Yal1-XGaXO3:Ce3+(0≤X≤1)及添加有稀土的原硅酸鹽M’2SiO5:Ce3+(M’:Sc，Y，La)如Y2SiO5:Ce3+。在所有的釔化合物中，釔從原則上講都可用鈧或鑭代替。在此情況下，熒光物質(zhì)的相關(guān)成分主要由所希望的總體色感及一次光的中心波長來決定。
在另一個特別優(yōu)選的實施形式中，以不同的物質(zhì)作為熒光變換元件用的基體和凹穴中的填料。此外，可有利地把這樣的物質(zhì)用于熒光變換元件，即它在與熒光物質(zhì)的可混合性和輻射穩(wěn)定性方面是最佳的，同時為填料可選用這樣的物質(zhì)，即它因其透明性和機械穩(wěn)定性是特別合適的。
通過這些在選擇填料和熒光變換元件基體方面的附加變型方式，可以有利地滿足在設(shè)計配有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件時的其它邊界條件。
本發(fā)明的組件很有利地采用這樣的半導(dǎo)體，即它們能發(fā)射出中心波長小于460nm的光。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的上述組件中，使用這樣的半導(dǎo)體用是不明智的，因為這一波長范圍內(nèi)的光會損害填料，由此使填料快速老化。在本發(fā)明的半導(dǎo)體組件中，消除了這個缺陷，因為一次射線的一部分離半導(dǎo)體很近地得到變換，從而減少了填料中的短波射線量并總體延長了半導(dǎo)體組件的使用壽命。
作為用于熒光變換元件的基體，優(yōu)選這樣的硅樹脂，即它以在綠、藍(lán)、紫外線光譜區(qū)內(nèi)的耐輻射性很強而著稱。硅樹脂的使用與那些能發(fā)射波長在430nm以下的射線的半導(dǎo)體的結(jié)合是特別有利的。在這一光譜區(qū)的射線在其它樹脂的情況下會導(dǎo)致輻射傷害，這明顯縮短半導(dǎo)體組件的壽命。在本發(fā)明中，含硅樹脂基體的熒光變換元件可以與覆蓋熒光變換元件的并基于環(huán)氧樹脂的填料聯(lián)合使用。在這種情況下，環(huán)氧樹脂以其透明性和機械穩(wěn)定性強而著稱。
可利用本發(fā)明的半導(dǎo)體組件特別有利地實現(xiàn)白光發(fā)光二極管，如在上述專利文件WO97/50132中提到的那樣。在這里，熒光物質(zhì)和半導(dǎo)體如此相互協(xié)調(diào)，即一次光顏色和熒光顏色色可互補。通過顏色相加混合，導(dǎo)致白光色感。專利文件WO97/50132和WO98/12757的內(nèi)容可以作為說明書內(nèi)容的一部分。
許多要求保護的半導(dǎo)體組件可被組裝成較大的發(fā)光單元。這樣的或許其組件被布置成矩陣形式的發(fā)光單元以光密度高和總體色感特別均勻而著稱。
本發(fā)明的半導(dǎo)體組件特別有利地適用作成像透鏡系統(tǒng)中的光源。由于一次光和熒光是從空間緊鄰的且大小大致相等的體積中射出的，所以這種由透鏡系統(tǒng)招致的色失真明顯比根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的光源時的色失真小。此外，可利用一個或多個透鏡并在不改變總體色感的條件下改良本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的輻射性能，這也是有利的。
制造配有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件的本發(fā)明生產(chǎn)方法的出發(fā)點是一個有一凹穴的基體，在該凹穴中嵌入一引線架，從而該引線架的局部區(qū)域形成凹穴底面。首先，給引線架噴上模塑材料，在這里，留出芯片連接區(qū)。該留置區(qū)形成用于容納熒光變換元件的分開區(qū)域。然后，將半導(dǎo)體裝在引線架的芯片連接區(qū)上并在半導(dǎo)體和引線架之間建立起工作所需的電連接。下一步是用熒光變換元件填充留置區(qū)，其中半導(dǎo)體被完全嵌入該熒光變換元件中。
在本發(fā)明的另一個生產(chǎn)方法中，同樣以一個帶有凹穴的基體作為初始產(chǎn)品，其中如此嵌入一個引線架，即引線架的一部分形成凹穴底面。在引線架上，圍繞芯片連接區(qū)地用模塑材料形成一個環(huán)形圍邊。該環(huán)形圍邊的內(nèi)區(qū)形成用于容納熒光變換元件的分開區(qū)域。在該環(huán)形圍邊內(nèi)，半導(dǎo)體被安放在引線架的芯片連接區(qū)上并在半導(dǎo)體和引線架之間建立起工作所需的電連接。下一步是把熒光變換元件裝填在環(huán)形圍邊中，其中半導(dǎo)體被完全嵌入熒光變換元件中。
這兩種生產(chǎn)方法具有這樣的優(yōu)點，即可作為原始材料地使用標(biāo)準(zhǔn)殼體或具有標(biāo)準(zhǔn)殼形的基體。用于容納熒光變換元件的分開區(qū)域的成形可以很容易地被整合在本發(fā)明組件的生產(chǎn)過程中。
在本發(fā)明的一個有利改進方案中，用透射線填料如合適的澆注材料填充該凹穴。由于半導(dǎo)體的包封是分兩步實現(xiàn)的，所以有利地減少了半導(dǎo)體與包封脫層和包封開裂并由此加強了半導(dǎo)體組件的防潮性并延長了其使用壽命。


其它特征和優(yōu)點可從下面結(jié)合附圖1-圖4對四個實施例所做的說明中得到，其中圖1是本發(fā)明的配有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件的第一實施例的示意截面圖，圖2是本發(fā)明的配有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件的第二實施例的示意截面圖，圖3是本發(fā)明生產(chǎn)方法的第一實施例的示意圖，圖4是本發(fā)明生產(chǎn)方法的第二實施例的示意圖。
具體實施例方式
在不同的附圖中，相同的或作用相同的部件采用同一參考標(biāo)記號。
圖1所示的本發(fā)明的半導(dǎo)體組件具有一個作為基體1的標(biāo)準(zhǔn)殼體。例如，它可以是一個可表面安裝的并由熱塑性塑料制成的LED-殼體(發(fā)光二極管殼體)。側(cè)壁5稍有點削斜并且起到了用于所產(chǎn)生的射線的反射體的作用。在基體1中加入一個引線架2。半導(dǎo)體3被連接在引線架2的芯片連接區(qū)12上并經(jīng)過一條接線4與引線架2的接線區(qū)11電連接。根據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體3的觸點接通也可以通過多條接線來實現(xiàn)。
圍繞半導(dǎo)體3地形成一個較小的反射環(huán)6。該反射環(huán)的材料最好也可使用熱塑性塑料。用熒光變換元件填充反射環(huán)6，該熒光變換元件是由在基體如硅樹脂中的熒光物質(zhì)8的懸浮體構(gòu)成的。硅樹脂因其抗老化性而特別適用于發(fā)射短波(藍(lán)、紫外)的半導(dǎo)體3的應(yīng)用場合。
事實證明，反射環(huán)6的結(jié)構(gòu)高度為0.3mm-0.7mm是特別有利的。這種尺寸的反射體一方面可以確保半導(dǎo)體3完全被熒光變換元件7包圍；另一方面，又沒有不必要地增大熒光變換元件7的體積。
在此情況下，形成有銳棱邊9的反射環(huán)6是特別有利的。這造成了，在填充反射環(huán)6時，熒光物質(zhì)懸浮體因其表面張力而形成一個在反射環(huán)6上的圓頂，由此進一步確保了半導(dǎo)體3被完全嵌入熒光變換元件7中。
凹穴的剩余部分用一種透明澆注材料13如環(huán)氧樹脂來填充。
圖2所示的本發(fā)明半導(dǎo)體組件與圖1所示的半導(dǎo)體組件的區(qū)別在于，圍繞半導(dǎo)體3的且用于容納熒光變換元件7的區(qū)域是通過一個在引線架2的芯片連接區(qū)12上的凹槽形成的。此外，引線架2被一個模塑材料薄層10(厚度最好也是0.3mm-0.7mm)覆蓋住，其中該凹槽通過在芯片連接區(qū)12上的模塑材料層10的一個空隙形成。如在上述實施例中那樣，把該空隙設(shè)計成具有銳棱邊9以便在半導(dǎo)體3上方形成一熒光變換元件7的圓頂可能是有利的。在半導(dǎo)體3周圍的且由模塑材料留出來的區(qū)域用熒光變換元件7來填充。
此外，在所示的實施例中，模塑材料層10留出接線區(qū)11。如此形成該空隙，即空隙側(cè)表面從殼體側(cè)表面5縮進。這防止了，可能在生產(chǎn)過程中滲入在接線區(qū)11上面的空隙中的熒光物質(zhì)懸浮體沿殼體壁5向上流。此外，殼體壁5的粗糙性促進了這種向上流動，而這是不希望出現(xiàn)的，因為這樣會使熒光反射區(qū)增大。
圖3示意地示出了本發(fā)明生產(chǎn)方法的一個實施例。在第一步中，制造出有凹穴和一體的引線架2的基體1，圖3a，例如通過注塑法給引線架2環(huán)塑上外殼模塑材料。在下一步中，把模塑材料如PPA(聚戊烯)注塑到引線架2上，從而使引線架2被一個具有穩(wěn)定厚度的模塑材料層10覆蓋。此時，留出引線架2的芯片連接區(qū)12和接線區(qū)11，圖3b。或者，當(dāng)然也可在唯一工序中制造出圖3b所示的殼形。接著，將半導(dǎo)體3接到芯片連接區(qū)12上并形成在半導(dǎo)體3和引線架2之間的接線4，圖3c。在連接結(jié)束之后，用熒光變換元件7如在合成樹脂中的熒光物質(zhì)懸浮體填充在半導(dǎo)體3周圍的空隙，圖3d。
最后，可以用透射線材料如環(huán)氧樹脂來澆注13組件，圖3e。根據(jù)對半導(dǎo)體組件的要求的不同，澆注材料的表面可被制成平的、透鏡狀的、有結(jié)點的或成散光玻片狀。
在一個如圖4所示的本發(fā)明生產(chǎn)方法的實施例，在第一步中，也生產(chǎn)出具有凹穴和嵌入引線架2的基體1，圖4a。然后，在引線架2上注塑出一個圍繞芯片連接區(qū)12的反射環(huán)6，圖4b。在這里，也可以在唯一工序中進行基體1和反射環(huán)6的生產(chǎn)。接著，半導(dǎo)體3被裝在引線架2的芯片連接區(qū)12上并實現(xiàn)觸點接通，圖4c。在第二步中，反射環(huán)6用成熒光物質(zhì)懸浮體形式的熒光變換元件7來填充，在這里，由于反射環(huán)6邊界9成銳棱邊形式且熒光物質(zhì)懸浮體的表面張力，在半導(dǎo)體3上面形成一個圓頂，圖4d。由此，保證了半導(dǎo)體3的完全包封，而沒有不必要地增大熒光變換元件7的體積。
然后，可以象在上面那個實施例中那樣澆注半導(dǎo)體組件，圖4e。
當(dāng)然，結(jié)合上述實施例的對本發(fā)明的說明當(dāng)然不應(yīng)被理解為是對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.輻射半導(dǎo)體組件，它有一個其中設(shè)有一凹穴的基體(1)、至少一個半導(dǎo)體(3)和一個熒光變換元件(7)，其特征在于該凹穴具有一個成分開的盆狀的局部區(qū)域，在該區(qū)域中設(shè)置著半導(dǎo)體(3)并且該區(qū)域被填充上熒光變換元件(7)，其中熒光變換元件(7)具有一個使該盆狀局部區(qū)域與凹穴的其余內(nèi)腔分界的界面。
2.按權(quán)利要求1所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該盆狀局部區(qū)域通過在凹穴內(nèi)的一凹槽形成。
3.按權(quán)利要求2所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于引線架(2)如此嵌置在基體(1)中，即引線架(2)的一個局部區(qū)域形成該凹槽的底面。
4.按權(quán)利要求1所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該盆狀局部區(qū)域通過在該凹穴底部上的一個環(huán)形圍邊(6)形成。
5.按權(quán)利要求4所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于一個引線架(2)被嵌置在基體(1)中，從而引線架(2)的一個局部區(qū)域形成該凹穴的底面并且在引線架(2)上形成該環(huán)形圍邊(6)。
6.按權(quán)利要求1-5之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于基體(1)是與具有該盆狀局部區(qū)域的凹穴成一體地形成的。
7.按權(quán)利要求1-6之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于基體(1)是借助注塑法或壓注法形成的。
8.按權(quán)利要求2-7之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該凹槽的側(cè)壁或環(huán)形圍邊(6)的內(nèi)側(cè)用作反射體。
9.按權(quán)利要求1-8之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該凹穴至少部分地被透射線填料(13)填充，所述填料與熒光變換元件(7)相鄰。
10.按權(quán)利要求9所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于填料(13)含有反應(yīng)型樹脂。
11.按權(quán)利要求9或10所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于填料(13)含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅樹脂或它們的混合物。
12.按權(quán)利要求3-11之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于引線架(2)具有一芯片連接區(qū)(12)和一接線區(qū)(11)；該半導(dǎo)體被安置在芯片連接區(qū)(12)上并通過一接線(4)與接線區(qū)(11)相連。
13.按權(quán)利要求1-12之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于熒光變換元件(7)含有至少一種有機的或無機的熒光物質(zhì)，這種熒光物質(zhì)被埋入一基體中。
14.按權(quán)利要求13所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于熒光變換元件(7)含有YAG:Ce、TbYAG:Ce、GdYAG:Ce、GdTbYAG:Ce或以此為基礎(chǔ)的混合物，其中Al至少可部分地由Ga或In代替。
15.按權(quán)利要求13或14所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該基體含有反應(yīng)型樹脂。
16.按權(quán)利要求13-15之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該基體含有丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或硅樹脂或者它們的混合物。
17.按權(quán)利要求13-16之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該凹穴的填料和熒光變換元件(7)的基體具有不同的成分。
18.按權(quán)利要求13-17所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于該凹穴被含有環(huán)氧樹脂的填料(13)填充，該基體含有硅樹脂。
19.按權(quán)利要求1-18之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于半導(dǎo)體(3)在工作中發(fā)出的射線的中心波長在460nm以下。
20.按權(quán)利要求1-19之一所述的輻射半導(dǎo)體組件，其特征在于半導(dǎo)體(3)在工作中發(fā)出的射線的顏色和由熒光變換元件(7)發(fā)出的光的顏色是可以互補的，從而導(dǎo)致白光色感。
21.配有熒光變換元件(7)的輻射半導(dǎo)體組件的生產(chǎn)方法，其特征在于它包括以下步驟，-生產(chǎn)出一個帶有一凹穴和一個嵌入的引線架(2)的基體(1)，-在引線架(2)上注塑上模塑材料，其中留出引線架(2)的芯片連接區(qū)(12)以便形成一個盆狀局部區(qū)域，-將一個半導(dǎo)體(3)安置到芯片連接區(qū)(12)上并實現(xiàn)半導(dǎo)體(3)的觸點接通，-如此用熒光變換元件(7)填充在芯片連接區(qū)(12)上的盆狀局部區(qū)域，即熒光變換元件(7)的一個界面把該盆狀局部區(qū)域和該凹穴的其余內(nèi)腔分界開。
22.配有熒光變換元件的輻射半導(dǎo)體組件的生產(chǎn)方法，其特征在于它包括以下步驟，-生產(chǎn)出一個帶有凹穴和嵌入的引線架(2)的基體(1)，-形成一圍繞芯片連接區(qū)(12)的且用于形成一個盆狀局部區(qū)域的環(huán)形圍邊(6)，-將一個半導(dǎo)體(3)安置在芯片連接區(qū)(12)上并實現(xiàn)半導(dǎo)體(3)的觸點接通，-用熒光變換元件(7)填充圍邊(6)的內(nèi)區(qū)。
23.按權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于該圍邊內(nèi)區(qū)如此用熒光變換元件(7)進行填充，即熒光變換元件(7)的一個界面將該盆狀局部區(qū)域與該凹穴的其余內(nèi)腔分界開。
24.按權(quán)利要求21-23之一所述的方法，其特征在于該基體是借助注塑法或壓注法制成的。
25.按權(quán)利要求21-24之一所述的方法，其特征在于該凹穴用透射線填料(13)進行填充。
26.將多個如權(quán)利要求1-20之一所述的輻射半導(dǎo)體組件用在發(fā)光二極管(LED)-發(fā)光裝置中的用途。
27.將多個如權(quán)利要求1-20之一所述的輻射半導(dǎo)體組件用在發(fā)光二極管(LED)-發(fā)光裝置中的用途，如權(quán)利要求1-18之一所述的輻射半導(dǎo)體組件按照矩陣方式被安置在該發(fā)光裝置中。
28.將如權(quán)利要求1-20之一所述的輻射半導(dǎo)體組件用作成像光學(xué)系統(tǒng)中的光源的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及配有熒光變換元件(7)的輻射半導(dǎo)體組件，其中半導(dǎo)體(3)被安置在基體(1)的一個凹穴中。在該凹穴中，圍繞半導(dǎo)體地形成一個盆狀區(qū)域，該盆狀區(qū)域容納熒光變換元件(7)，該熒光變換元件包封著半導(dǎo)體(3)。該盆狀區(qū)域被制成在凹穴內(nèi)的凹槽的形狀，或者被制成在凹穴底面上的環(huán)形圍邊(6)的形狀。
文檔編號H01L33/62GK1917244SQ20061015170
公開日2007年2月21日 申請日期2001年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月26日
發(fā)明者H·布倫納, A·德布雷, H·耶格, G·維特爾 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司