專利名稱:標(biāo)簽用天線和使用該天線的標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種用于大規(guī)模集成(LSI)芯片的超小型、標(biāo)簽用天線和使用該天線的標(biāo)簽,以用于能夠通過使用無線電高頻信號在讀取器/寫入器與標(biāo)簽之間執(zhí)行通信的射頻識別(RFID)系統(tǒng)。
背景技術(shù):
RFID系統(tǒng)是這樣一種系統(tǒng)其用于通過使用在860MHz與960MHz之間的超高頻(UHF)從讀取器/寫入器(以下簡稱為“RW”)發(fā)送約1W(瓦特)的信號、在標(biāo)簽端接收該信號并向RW端轉(zhuǎn)發(fā)回響應(yīng)信號,從而使得RW能夠讀取存儲在該標(biāo)簽中的信息。
該標(biāo)簽由形成在約0.1mm厚的平坦表面(如片或膜等等)上的標(biāo)簽用金屬天線和連接到該標(biāo)簽用天線的饋電點(diǎn)的LSI芯片構(gòu)成。通常該LSI芯片比芝麻籽小,實(shí)際上約0.2mm厚并且其面積大小約為1mm2。
在RW與標(biāo)簽之間的通信距離約為3到5m,這取決于標(biāo)簽用天線的增益、LSI芯片的工作電壓以及周圍環(huán)境條件等等。
圖1A、1B以及1C是分別對用于常規(guī)RFID系統(tǒng)的標(biāo)簽用天線進(jìn)行描述的圖。圖1A示出了一種包括在饋電部1的兩側(cè)水平地延伸的偶極部2的標(biāo)簽用天線;圖1B示出了一種具有將圖1A的兩端往回折疊的折疊偶極部3的標(biāo)簽用天線;圖1C示出了一種具有與偶極部2相并聯(lián)地連接到圖1B所示的饋電部1的電感部4的標(biāo)簽用天線。
圖2是示出了用于RFID系統(tǒng)的標(biāo)簽用天線和LSI芯片的等效電路的圖,其左側(cè)示出了標(biāo)簽用天線的等效電路5,右側(cè)示出了LSI芯片的等效電路6。
圖3是通過導(dǎo)納圓圖例示對使用常規(guī)標(biāo)簽用天線的標(biāo)簽進(jìn)行的分析的圖。將導(dǎo)納圓圖表示成在純電阻線(其將圓圖的圓分成上半部分和下半部分)的左端為0Ω,在其右端為∞Ω。
如圖2所示,可以將標(biāo)簽用天線等效地表示成發(fā)射電阻Ra與電感La的并聯(lián)連接,而可以將LSI芯片等效地表示成電阻器Rc與電容Cc的并聯(lián)連接。
然后,標(biāo)簽用天線與LSI芯片的并聯(lián)連接使得電感La與電容Cc諧振,它們在如從公式“f0=1/(2π(LC))]]>”可以明顯得出的期望諧振頻率f0處相匹配,從而將標(biāo)簽用天線處的接收功率充分地提供給LSI芯片端。
即,例如令標(biāo)簽用天線的發(fā)射電阻Ra為例如400Ω,LSI芯片的電阻Rc為500Ω,將電路結(jié)構(gòu)設(shè)置成這樣以便抵消兩者的電阻,并假設(shè)在上述諧振頻率的公式中L=La=20nH(納亨)并且C=Cc=I.4pF,然后獲得了RFID系統(tǒng)所需的f0=953MHz的期望諧振頻率。
對于用于標(biāo)簽用天線的基本天線,首先可以想到的是如圖1A所示地由在饋電部1的兩側(cè)水平延伸的偶極部2構(gòu)成的總長度約為145mm的偶極天線。
在該結(jié)構(gòu)中,連接到偶極部2的饋電部1從在偶極部2處接收到的信號中獲取電力,并將該電力饋送給裝配在饋電部1上的LSI芯片,并且還將信號本身傳送給LSI芯片。該偶極天線的結(jié)構(gòu)實(shí)際上測得發(fā)射電阻Ra=72Ω。
順便指出,在導(dǎo)納圓圖中的ωC區(qū)的約“-40度”的方向上的右下的對角位置處示出了上述電阻Rc=500Ω并且電容Cc=1.4pF的LSI芯片的阻抗(圖3簡單地通過指示為“芯片”的圓示出了該位置)。
在此情況下,在導(dǎo)納圓圖中與上述LSI芯片相諧振的偶極天線的最優(yōu)位置是LSI芯片的相對于該導(dǎo)納圓圖的純電阻線對稱地翻轉(zhuǎn)的位置,圖3將該位置對角地示于ωL區(qū)的約“+40度”的方向上的右上處。
該位置是具有發(fā)射電阻Ra=500Ω和電感La=20nH的阻抗的位置(圖3通過指示為“最優(yōu)位置”的圓示出了該位置)。
因此,與具有電阻Rc=500Ω和電容Cc=1.4pF的LSI芯片相對應(yīng)的RFID標(biāo)簽用天線所需的發(fā)射電阻Ra是非常大的,即,約500Ω,因此圖1A所示的偶極天線的發(fā)射電阻Ra=72Ω是非常小的。
因此必須通過設(shè)計偶極天線的結(jié)構(gòu)將發(fā)射電阻Ra增大到約500Ω。如圖1B所示,所設(shè)計的是一種折疊偶極天線,該折疊偶極天線具有從圖1A的兩端往回折疊的總長度為145mm的折疊偶極部3。
該結(jié)構(gòu)使得可以增大發(fā)射電阻Ra。取決于折疊部的導(dǎo)線寬度,該結(jié)構(gòu)允許將發(fā)射電阻設(shè)置在約300到1500Ω的范圍內(nèi)。
圖3示出了由純電阻線上的三角形表示的發(fā)射電阻Ra為400Ω時的折疊偶極的阻抗位置。
其中,在將發(fā)射電阻Ra保持為400Ω的情況下,如圖1C所示地還將電感部4與偶極部2相并聯(lián)地連接到圖1B的饋電部1,這會使天線特性在導(dǎo)納圓圖上逆時針旋轉(zhuǎn)。
這使得在定位得靠近所述最優(yōu)位置的過程中,與電感L相連接的折疊偶極天線的天線特性具有如圖3的ωL區(qū)中的作為與電感L相連接的折疊偶極(以下稱為“連接有L的折疊偶極天線”)的三角形所示的953MHz的諧振頻率。
圖3所示的導(dǎo)納圓圖例示了在700與1200MHz之間的特性。在該諧振頻率的范圍中,明顯的是該連接有L的折疊偶極天線的天線特性軌跡7圍繞著諧振最優(yōu)值(即,Ra=500Ω并且La=20nH的最優(yōu)位置)。
即,明顯的是圖1C所示的連接有L的折疊偶極天線的結(jié)構(gòu)加寬了與LSI芯片相諧振的頻帶。
順便指出,通過將RFID作為標(biāo)簽粘附于各種物體來使用該RFID。在諸如泡沫聚苯乙烯的物體的情況下,RFID的介電常數(shù)εr約為1.1,這與空氣的值(εr=1)差不多相同。
即,在將標(biāo)簽粘附到泡沫聚苯乙烯上的情況下,將變得與將標(biāo)簽懸置在空氣中差不多相同。
在粘附有RFID粘附的物體例如是塑料的情況下,因?yàn)樗芰喜牧系慕殡姵?shù)εr約為εr=3,所以如果塑料的厚度是2mm,則天線周圍的有效介電常數(shù)變得較大。
同時,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)得知,在工作頻率953MHz下與RFID相通信的RW的行為與在空氣中在953MHz下的偏移了100MHz的特性大致相同。
因此,如果當(dāng)粘附于各種類型的物體上時(即,當(dāng)工作頻率偏移時)天線的通信距離發(fā)生波動,則會妨礙實(shí)用性,因此希望有這樣一種天線即使將其粘附于各種類型的物體上,其通信距離也不會變化。
因此,好的RFID天線是能夠具有寬頻帶特性(即,具有寬頻特性)的天線。
圖1C所示的具有如圖3所示的天線特性的連接有L的折疊偶極天線具有足夠?qū)挼念l帶,例如,依據(jù)圖3的天線特性軌跡7的一個旋轉(zhuǎn)部分7a的帶寬約為200MHz,可以區(qū)分成好的天線,其通信距離很難由于所粘附到的材料而波動(即,不受所粘附到的材料的影響)。
然而,用戶對于使RFID小型化存在很強(qiáng)的需求。具有橫向145mm、縱向15mm的尺寸的天線對用于標(biāo)簽來說太大了。也許只可以將該標(biāo)簽用于例如管理書藉,而對于其他實(shí)用性,因它的使用受到限制而沒有自由度,因此需要進(jìn)一步進(jìn)行小型化。
順便指出,如果試圖將天線的整體尺寸限制為例如80×20mm,則必須將天線線路彎曲成蛇型(或“曲折型”),以將伸長的線路長度容納在小面積尺寸內(nèi)。
然而,公知的是,對天線的小型化會加寬如圖3所示地旋轉(zhuǎn)一周的特性部分(即,特性軌跡7a)的頻率間隔(例如,該一個旋轉(zhuǎn)帶寬變成約僅20MHz)。
即,對天線的小型化會使頻帶變窄。換句話說,包括這種小型化天線的RFID會根據(jù)所粘附到的材料而顯著改變通信距離。這面臨著實(shí)際問題。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)簽用天線是包括偶極天線、饋電部以及電感部的天線,所述偶極天線、饋電部以及電感部由同一平面內(nèi)的導(dǎo)體形成(feature),其中,所述饋電部以能夠裝配芯片的方式形成在所述偶極天線的中心處,所述電感部與所述偶極天線的偶極相并聯(lián)地連接到所述饋電部,并且通過在多個彎曲部處從兩端向內(nèi)部彎曲將所述偶極天線形成為方螺旋(square spiral),所述多個彎曲部使所述偶極分別在至少四個位置彎曲,當(dāng)將所述多個彎曲部延伸成直線時,所述四個位置的所述多個彎曲部中的每一個的整體長度均比天線的諧振波長的二分之一短。
所述標(biāo)簽用天線被構(gòu)造成所述電感部形成在所述偶極天線的中心的附近處并且位于所述偶極天線的所述偶極的中間,所述偶極被形成為方螺旋。所述標(biāo)簽用天線被構(gòu)造成所述天線的整體長度和所述電感部被調(diào)節(jié)成,使得在953MHz的讀取器/寫入器工作頻率下的標(biāo)簽阻抗例如接近天線的最優(yōu)值。所述導(dǎo)體例如是銅、銀或鋁。
所述標(biāo)簽用天線被構(gòu)造成使得所述饋電部連接到并裝配有大規(guī)模集成(LSI)芯片。在此情況下,可以具有如下構(gòu)造使得由塑料樹脂或紙從所述標(biāo)簽用天線的兩個表面將所述標(biāo)簽用天線夾在中間。在此情況下,優(yōu)選地,所述塑料樹脂是對苯二甲酸乙二醇酯膜。
根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)簽被構(gòu)造成由塑料樹脂或紙從兩側(cè)將所述標(biāo)簽用天線夾在中間。
設(shè)計本發(fā)明以能夠提供一種極緊湊的標(biāo)簽用天線和使用該標(biāo)簽用天線的標(biāo)簽,該標(biāo)簽用天線的通信距離隨該天線所粘附到的物體的變化很小,即,該天線保持最小變化通信距離。
圖1A、1B以及1C是對用于常規(guī)RFID系統(tǒng)的標(biāo)簽用天線進(jìn)行描述的圖;圖2是示出了用于RFID系統(tǒng)的標(biāo)簽用天線和LSI芯片的等效電路的圖;圖3是例示了對使用常規(guī)標(biāo)簽用天線的標(biāo)簽進(jìn)行的分析的圖;圖4是示出了根據(jù)實(shí)施例的極緊湊的標(biāo)簽用天線的結(jié)構(gòu)的斜視圖;圖5是示出了根據(jù)實(shí)施例的標(biāo)簽用天線的阻抗特性的導(dǎo)納圓圖;圖6是示出了根據(jù)實(shí)施例的通過電磁場仿真器計算出的標(biāo)簽用天線的反射頻率特性的圖;圖7是示出了根據(jù)實(shí)施例的通過電磁場仿真器計算出的標(biāo)簽用天線的天線增益的計算值的圖;以及圖8是根據(jù)實(shí)施例的可以獲得Excel圖表中的標(biāo)簽用天線的反射特性和增益特性的通信距離特性圖表。
具體實(shí)施例方式
以下是參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述。
圖4是示出了根據(jù)一實(shí)施例的極緊湊的標(biāo)簽用天線的結(jié)構(gòu)的斜視圖。注意,圖4示出了標(biāo)簽用天線以及內(nèi)置有該標(biāo)簽用天線構(gòu)造的標(biāo)簽。通過由塑料樹脂或紙夾住標(biāo)簽用天線的兩側(cè)來構(gòu)成該標(biāo)簽。圖4通過立體地示出塑料或紙標(biāo)簽來表示標(biāo)簽用天線的內(nèi)部。
圖4所示的標(biāo)簽用天線10的整體尺寸是橫向53mm×縱向7mm。
標(biāo)簽用天線10包括由同一平面內(nèi)的導(dǎo)體形成的偶極天線、饋電部以及電感部。優(yōu)選地,該導(dǎo)體使用銅、銀或鋁。
饋電部被形成為使得能夠在偶極天線的中心處裝配LSI芯片,并且該饋電部如圖4所示地包括芯片裝配部8。在芯片裝配部8位于所述中心處的情況下,任一側(cè)均形成有線路路徑寬度為1mm的偶極部9,從而整體上形成偶極天線。
通過將所述多個偶極在至少四個位置處在彎曲部11(即,11-1、11-2、11-3以及11-4)處從兩側(cè)向內(nèi)部彎曲,將由兩側(cè)的偶極部9構(gòu)成的偶極天線形成為矩形螺旋。即,本實(shí)施例在各側(cè)均有四個彎曲部。
當(dāng)各彎曲部沿直線延伸時,如后面所詳細(xì)描述地,偶極天線的整體長度被形成得比天線的諧振波長的二分之一小。
在偶極天線的鄰近處,在分別被形成為如上述的矩形螺旋形式的兩個偶極部9和9的中間部分中形成有電感部12。電感部12與所述兩個偶極部9和9并聯(lián)地連接到芯片裝配部8(即,天線的饋電部)。
通過將Rc=500Ω并且Cc=1.4pF的LSI芯片連接到饋電部(即,芯片裝配部8)并將二者裝配在一起,將偶極天線(即,標(biāo)簽用天線10)構(gòu)造成標(biāo)簽,并使用介電常數(shù)εr=3并且厚度t=0.75mm的塑料樹脂13覆蓋其兩個表面(即,圖4所示的上表面和下表面)。
塑料樹脂13例如使用對苯二甲酸乙二醇酯膜等?;蛘?,可以使用合適的紙代替塑料樹脂13來覆蓋其兩個表面。
圖5是示出了標(biāo)簽用天線10的天線特性(即,其阻抗特性)的導(dǎo)納圓圖。注意,圖5所示的芯片位置和天線的最優(yōu)位置與圖8的情況相同。
圖5所示的導(dǎo)納圓圖示出了表示天線特性的軌跡14,該軌跡14是將如圖7所示的標(biāo)簽用天線10的Ra、La、Rc以及Cc的值輸入可在市面上購得的電磁場仿真器并在800到1100MHz之間的頻帶內(nèi)對阻抗進(jìn)行計算的結(jié)果。
天線特性軌跡14繞著天線的最優(yōu)值旋轉(zhuǎn),并且在由圖5中的虛線橢圓15所包圍而示出的RW工作頻率的953到1000MHz的附近處該軌跡14最接近該最優(yōu)值。即,在LSI芯片與偶極天線之間的反射很小。
進(jìn)一步增大頻率以靠近由圖5中的虛線橢圓16表示的超過1050MHz的位置,由于遠(yuǎn)離天線的最優(yōu)值,因此在LSI芯片與偶極天線之間的反射變大。
圖6是示出了通過上述電磁場仿真器計算出的標(biāo)簽用天線10的反射S11的頻率特性的圖,橫軸示出了頻率(800MHz到1100MHz),縱軸示出了反射S11(-5dB到0dB)。如根據(jù)6理解的,反射S11在975MHz附近具有最小值。
圖7是示出了通過上述電磁場仿真器計算出的標(biāo)簽用天線10的天線增益的計算值的圖,橫軸示出了頻率(800MHz到1100MHz),縱軸示出了天線增益(-4dB到2dB)。圖7所示的天線增益指示在1050MHz附近具有最大值。
即,盡管如圖5的導(dǎo)納圓圖所示在1050MHz附近存在反射變大的不足,但是如根據(jù)圖7所理解的,在1050MHz附近天線增益很大,從而使得該大的天線增益補(bǔ)償了大反射的不足。
圖8是通過將上述標(biāo)簽用天線的反射特性與增益特性在Excel圖中組合而獲得的通信距離特性圖,橫軸示出了頻率(800MHz到1100MHz),并且在縱軸的圖上示出了由最大距離指定的相對通信距離。
如上所述,標(biāo)簽用天線10所具有的通信距離特性相對于953MHz的RW工作頻率在左右方向上是非對稱的,在953MHz的RW工作頻率的更高頻率側(cè)其增益逐漸變化,并具有相對穩(wěn)定的通信距離的特征。
由電磁場仿真器進(jìn)行的上述計算將圖4所示的塑料樹脂13的頂部和底部指定為空氣,因此在953MHz的RW工作頻率處的通信距離是當(dāng)標(biāo)簽用天線處在空氣中時的距離。與如圖8所示的所指定的最大距離相比,空氣中的通信距離是該最大距離的0.95倍。即,確保了最大距離的95%。
當(dāng)將標(biāo)簽用天線10粘附于εr=3并且厚度為2mm的塑料時,天線附近的有效介電常數(shù)變大,使頻帶下移約10%。即,圖8所示的波形向更低頻率側(cè)移動約100MHz。
換句話說,根據(jù)圖8所示的波形,在1050MHz(其比953MHz高約10%)處的相對通信距離值變成當(dāng)將標(biāo)簽用天線粘附到2mm厚的塑料上時的通信距離。與如圖8所示的所指定的最大距離相比,在此情況下的通信距離是該最大距離的0.8倍,確保了最大距離的80%。
如還可以根據(jù)圖8所清楚看出的,根據(jù)本實(shí)施例的標(biāo)簽用天線10被構(gòu)造成當(dāng)被粘附于泡沫聚苯乙烯或2mm的塑料時將通信距離恒定地確保為空氣中的最大通信距離的80%以內(nèi),因此具有極高的距離穩(wěn)定性。
根據(jù)本實(shí)施例的標(biāo)簽用天線的卓越特性在于將由偶極部和電感部構(gòu)成的天線圖案調(diào)節(jié)成在953MHz的RW工作頻率的附近接近天線的最優(yōu)值,同時隨著在比953MHz更高的頻率中遠(yuǎn)離最優(yōu)值時反射變大,這由更高的天線增益來補(bǔ)償,使得將通信距離保持在最低損耗。
為了在比953MHz更高的頻率中獲得更高的天線增益,將天線的整體長度設(shè)計成接近天線諧振波長的二分之一,這提供了良好的增益效率。
根據(jù)本實(shí)施例的標(biāo)簽用天線10的天線圖案的卓越特性在于,其被設(shè)計成當(dāng)將彎曲部11伸直時,該天線的整體長度比天線諧振波長λ的二分之一稍短。
將圖4所示的示例構(gòu)造成當(dāng)將所述多個彎曲部伸直時天線的整體長度約為120mm,而天線諧振波長λ的二分之一約為130到140mm,天線諧振波長λ的10mm的容限幅度考慮了位于上下側(cè)的塑料樹脂13。
同時,通過從端部側(cè)向內(nèi)部彎曲,使偶極部盡可能地保持直的,并且將電感部理想地形成在兩個偶極部之間,因?yàn)檫@兩個偶極部不應(yīng)彼此靠近。
通過該結(jié)構(gòu),將在953MHz下的阻抗設(shè)置為接近天線的最優(yōu)值,并如圖5所示地使天線增益在1050MHz的附近達(dá)到最大。
該結(jié)構(gòu)使得可以實(shí)現(xiàn)這樣的標(biāo)簽用天線該標(biāo)簽用天線具有極高的距離穩(wěn)定性,無論是在空氣中,還是被粘附于泡沫聚苯乙烯或2mm厚的塑料,都始終將通信距離確保在最大通信距離的80%以內(nèi)。
注意,本發(fā)明假設(shè)整個標(biāo)簽用天線(即,連接有L的偶極天線)的尺寸是橫向?yàn)?0到80mm,縱向?yàn)?到15mm。
盡管如圖4所示地,在具有橫向?yàn)?3mm、縱向?yàn)?mm的尺寸的兩個偶極部中的任何一個上形成有四個彎曲部,但是隨著天線變得更小,可以將彎曲部的數(shù)量增加到5個或6個等。
如上所述,將本發(fā)明設(shè)計成能夠提供一種標(biāo)簽用天線和一種標(biāo)簽,所述標(biāo)簽用天線和所述標(biāo)簽通過使用極緊湊的天線使得通信距離隨待粘附到的物體而產(chǎn)生的變化達(dá)到最小。
權(quán)利要求
1.一種標(biāo)簽用天線,該標(biāo)簽用天線包括偶極天線、饋電部以及電感部,所述偶極天線、饋電部以及電感部是由同一平面內(nèi)的導(dǎo)體形成的,其中,所述饋電部以能夠裝備芯片的方式形成在所述偶極天線的中心處,所述電感部與所述偶極天線的偶極相并聯(lián)地連接到所述饋電部,并且通過在使所述偶極分別在至少四個位置處彎曲的多個彎曲部處,將所述偶極天線從兩端向內(nèi)部彎曲來將其形成為矩形螺旋,當(dāng)所述多個彎曲部被伸展成直線時,所述四個位置的所述多個彎曲部中的每一個的整體長度均比所述天線的諧振波長的二分之一短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽用天線,其中,所述電感部被形成在所述偶極天線的中心的附近處,并且位于所述偶極天線的被形成為所述矩形螺旋的所述偶極的中間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽用天線,其中,將所述天線的整體長度和所述電感部調(diào)節(jié)成使得標(biāo)簽阻抗在953MHz的讀取器/寫入器工作頻率處接近天線最優(yōu)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽用天線,其中,所述導(dǎo)體是銅、銀和鋁中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)簽用天線,其中,將所述饋電部連接到大規(guī)模集成芯片,并且與該大規(guī)模集成芯片裝配在一起。
6.一種標(biāo)簽,所述標(biāo)簽通過塑料樹脂或紙從根據(jù)權(quán)利要求5所述的標(biāo)簽用天線的兩個表面將所述標(biāo)簽用天線夾在中間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的標(biāo)簽,其中,所述塑料樹脂是對苯二甲酸乙二醇酯膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種標(biāo)簽用天線和使用該天線的標(biāo)簽。本發(fā)明涉及一種標(biāo)簽用天線,其實(shí)現(xiàn)了小型化同時保持了通信距離的恒定最小變化。該標(biāo)簽用天線具有尺寸為長53mm、寬7mm的折疊偶極天線的饋電部,該饋電部連接到Rc=500Ω、Cc=1.4pF的大規(guī)模集成芯片,并且與該大規(guī)模集成芯片裝配在一起,并且在所述天線的兩側(cè)覆蓋有介電常數(shù)εr=3、厚度t=0.75mm的塑料樹脂(13)。通過將標(biāo)簽用天線的線路路徑寬為1mm的偶極部在位于四個位置處的彎曲部從兩端向內(nèi)部彎曲,將該偶極部形成為矩形螺旋。將在所述四個彎曲部被伸直時的偶極天線的整體長度形成為比所述天線的諧振波長的二分之一短。在位于所述天線的中心附近的兩個偶極部的中間部分中形成有電感部。將所述電感部與所述兩個偶極部相并聯(lián)地連接到所述芯片裝配部。
文檔編號H01Q23/00GK101064380SQ20061015386
公開日2007年10月31日 申請日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
發(fā)明者甲斐學(xué), 馬庭透, 山雅城尚志 申請人:富士通株式會社