国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      封裝基板的制作方法

      文檔序號:7213806閱讀:250來源:國知局
      專利名稱:封裝基板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝基板,且特別是有關(guān)于一種可強(qiáng)化薄形線路板 的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的封裝基板。
      背景技術(shù)
      近年來,隨著電子技術(shù)的日新月異,高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問世,使得 更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新,并朝向輕、薄、短、小的趨勢設(shè)計(jì)。請參考圖1,其繪示現(xiàn)有一種封裝基板的示意圖。為了增加封裝基板100 的強(qiáng)度,封裝基板100以含玻纖布(glass fiber)和環(huán)氧樹脂(epoxy resin) 為核心層110的銅箔基板120制作內(nèi)層線路。銅箔基板的厚度可達(dá)400- 800 微米,其相對兩表面以圖案化蝕刻工藝形成所需的線路層122、 124。然而, 厚度越厚的銅箔基板120雖可提高封裝基板100的強(qiáng)度及支撐性,但相對地 線路層122、 124電性傳遞的速度反而降低。因此,現(xiàn)有封裝基板100為了 達(dá)到薄形化基板的要求,勢必要減少核心層110的厚度,以加快電子訊號的 傳遞速度。然而,因薄形化基板的厚度變小,故無法提供足夠的支撐性,以達(dá)到平 坦化的要求。特別在高溫植球時(shí),薄形化基板受熱而造成翹曲變形的情形更 加嚴(yán)重,無法符合工藝上的要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是在提供一種封裝基板,其藉由強(qiáng)化板的結(jié)合以使薄形 化基板的強(qiáng)度增加,以符合工藝上的要求。本發(fā)明提出一種封裝基板,其包括一線路板、 一強(qiáng)化板以及至少一導(dǎo)電 通道。強(qiáng)化板以一第一表面配置于線路板上,可抵抗線路板翹曲變形。強(qiáng)化 板具有開口,而線路板對應(yīng)具有第一接點(diǎn),其顯露于開口中。此外,導(dǎo)電通 道的一端位于開口中并電性連接第一接點(diǎn),而導(dǎo)電通道的另一端位于強(qiáng)化板
      的 一 第二表面并形成一接合墊。依照本發(fā)明一實(shí)施例所述,線路板為無核心(coreless)線路板,其具有 厚度小于等于60微米的絕緣層。線路板還具有上層線路、下層線路以及鍍 通孔,上層線路與下層線路配置于絕緣層的相對兩表面,而鍍通孔貫穿絕緣 層的相對兩表面并與上層線路以及下層線路電性連接。線路板還具有上絕緣 層、下絕緣層以及導(dǎo)電孔,上絕緣層覆蓋上層線路,而下絕緣層覆蓋下層線 路,且所述導(dǎo)電孔分別形成于上絕緣層以及下絕緣層中,并電性連接上層線 3各以及下層線if各。依照本發(fā)明上述實(shí)施例所述,第一接點(diǎn)位于下絕緣層與強(qiáng)化板之間,而 各導(dǎo)電孔分別藉由第 一接點(diǎn)與各導(dǎo)電通道電性連接。依照本發(fā)明一實(shí)施例所述,強(qiáng)化板包括一絕緣膜以及一金屬板,而絕緣 膜包覆金屬板的表面。金屬板的材質(zhì)可包括銅、鋁或不銹鋼等金屬。絕緣膜 的材質(zhì)可包括環(huán)氧樹脂(epoxyresin)或聚酰亞胺(polyimide)等絕緣物質(zhì)。本發(fā)明因采用強(qiáng)化板增加薄形線路板的強(qiáng)度,且強(qiáng)化板在高溫狀態(tài)下不 易產(chǎn)生翹曲變形,因此能改善高溫植球時(shí)造成薄形線路板彎曲的情形,以符 合工藝上的要求。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較 佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下。


      圖1繪示現(xiàn)有一種封裝基板的示意圖;圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的示意圖。主要組件符號說明20:芯片22:凸塊100:封裝基板110:核心層120:銅箔基板122、 124:線路層200:封裝基板202:上接點(diǎn)(第二接點(diǎn))204下接點(diǎn)(第一接點(diǎn))210線路板212上絕緣層214下絕緣層220絕緣層222鍍通孔230內(nèi)層線路232上層線路234下層線路236、 238:導(dǎo)電孔240強(qiáng)化板240a: 第一表面240b:第二表面242金屬板244絕緣膜246開口250:導(dǎo)電通道252: 末端254.接合墊260:防焊層262:焊球具體實(shí)施方式
      請參考圖2,其繪示本發(fā)明一實(shí)施例的封裝基板的示意圖。此封裝基板 200包括一線路板210,其符合薄形化基板所要求的線路密度以及厚度限制, 以加快電子訊號傳遞的速度。線路板210具有多個(gè)上接點(diǎn)202(即第二接點(diǎn)), 其對應(yīng)連接芯片20 (以虛線表示)上的凸塊22,以傳遞電子訊號。特別是, 本發(fā)明以無玻纖布的絕緣層220及其兩表面上的金屬層來制作內(nèi)層線路 230,而內(nèi)層線路230包括上層線路232以及下層線路234,其可藉由貫穿絕 緣層220的鍍通孔222而電性連接。其中,絕緣層220的厚度小于100微米, 較佳是在50-60微米之間,故線路板210比現(xiàn)有圖1中具有玻纖布的核心
      層110來得薄。在圖2中,線路板210還具有上絕緣層212以及下絕緣層214,上絕緣 層212覆蓋于上層線路232,且下絕緣層214覆蓋于下層線路234。上絕緣 層212和下絕緣層214的厚度大致上是在50 ~ 60微來之間,其例如以增層 法形成或以壓合方式堆棧成多層線路板210,而上層線路232以及下層線路 234還可分別藉由導(dǎo)電孔236、 238與對應(yīng)的上接點(diǎn)202或是下接點(diǎn)204 (即 第一接點(diǎn))電性連接。其中,導(dǎo)電孔236、 238例如以電鍍金屬填孔或?qū)щ?凸塊形成于上絕緣層212以及下絕緣層214中。值得注意的是,線路板210由于薄形化而造成強(qiáng)度不足,故為了增加線 路板210的強(qiáng)度,本發(fā)明的封裝基板200還包括一強(qiáng)化板240,其以一第一 表面240a配置在線路板210上。在本實(shí)施例中,強(qiáng)化板240配置在線路板 210的下方,但在另一實(shí)施例中,強(qiáng)化板240例如配置在線路板210的上方。強(qiáng)化板240可以壓合的方式固定在制作好的線路板210上,以提供線路 板210所需的強(qiáng)度,并能增加線路板210的平坦度,以符合工藝上的要求。 在本實(shí)施例中,強(qiáng)化板240具有足夠強(qiáng)度的金屬板242以及包覆在金屬板242 表面的絕緣膜244。金屬板242的材質(zhì)例如是銅、鋁或不銹鋼等金屬,而采 用金屬板242的另 一 目的是為了增加散熱面積,以提高封裝基板200的散熱 效率,更可藉由金屬屏蔽的效果來防止電磁波的干擾。此外,絕緣膜244可 防止金屬板242與線路板210的線路誤接觸而短路,其材質(zhì)例如是環(huán)氧樹脂 (epoxyresin)或聚酰亞胺(polyimide)等絕緣物質(zhì)。值得注意的是,本發(fā)明的封裝基板200還具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通道250, 其一端252位于開口 246中并電性連接于線路板210的下接點(diǎn)204。導(dǎo)電通 道250的制作方法如下首先,強(qiáng)化板240以機(jī)械或激光鉆孔形成至少一開 口 246,并覆蓋絕緣膜244于開口 246的內(nèi)壁上。接著,將強(qiáng)化板240壓合 固定在線路板210上,且線路板210的下接點(diǎn)204對應(yīng)顯露于開口 246中。 之后,以電鍍工藝形成一金屬層于開口 246中以及強(qiáng)化板240的第二表面 240b上。最后,圖案化金屬層以形成所需的導(dǎo)電通道250。在本實(shí)施例中, 導(dǎo)電通道250的另一端位于強(qiáng)化板240的第二表面240b并形成一接合墊 254,且接合墊254顯露于覆蓋強(qiáng)化板240的第二表面240b的防焊層260, 用以電性連接焊球262 (以虛線表示)或針腳(未繪示)。承上所述,由于強(qiáng)化板240具有耐高溫且不易翹曲變形的功效,因此可 避免高溫柏J求時(shí)造成線路4反210彎曲的情形,以符合平坦化的要求。綜上所述,本發(fā)明因采用強(qiáng)化板增加薄形線路板的強(qiáng)度,且強(qiáng)化板在高 溫狀態(tài)下不易產(chǎn)生翹曲變形,因此能改善高溫植球時(shí)造成薄形線路板彎曲的 情形,以符合工藝上的要求。此外,強(qiáng)化板更具有較大的散熱面積以及較高 的散熱效率,并具有金屬屏蔽的效果來防止電磁波的干擾。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些 許的更動與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1.一種封裝基板,包括線路板;強(qiáng)化板,該強(qiáng)化板以一第一表面配置于該線路板上,可抵抗該線路板翹曲變形,該強(qiáng)化板具有開口,而該線路板對應(yīng)具有第一接點(diǎn),其顯露于所述開口中;以及至少一導(dǎo)電信道,該導(dǎo)電信道的一端位于所述開口中并電性連接所述第一接點(diǎn),而該導(dǎo)電通道的另一端位于該強(qiáng)化板的一第二表面并形成接合墊。
      2. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板,其中該線路板具有厚度小于等于60 微米的絕緣層。
      3. 如權(quán)利要求2所述的封裝基板,其中該線路板還具有上層線路、下層 線路以及鍍通孔,該上層線路與該下層線路配置于該絕緣層的相對兩表面, 而該鍍通孔貫穿該絕緣層的相對兩表面并與該上層線路以及該下層線路電 性連接。
      4. 如權(quán)利要求3所述的封裝基板,其中該線路板還具有上絕緣層、下絕 緣層以及導(dǎo)電孔,該上絕緣層覆蓋該上層線路,而該下絕緣層覆蓋該下層線 路,且所述導(dǎo)電孔分別形成于該上絕緣層以及該下絕緣層中,并電性連接該 上層線路以及該下層線路。
      5. 如權(quán)利要求4所述的封裝基板,其中所述第一接點(diǎn)位于該下絕緣層與 該強(qiáng)化板之間,而所述導(dǎo)電孔分別藉由所述第 一接點(diǎn)與該些導(dǎo)電通道電性連 接。
      6. 如權(quán)利要求4所述的封裝基板,其中該線路板還具有第二接點(diǎn),其位 于上絕緣層的表面,而所述第二接點(diǎn)藉由所述導(dǎo)電孔與該上層線路電性連接。
      7. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板,其中該強(qiáng)化板包括絕緣膜以及金屬板, 該絕緣膜包覆該金屬板的表面。
      8. 如權(quán)利要求7所述的封裝基板,其中該金屬板的材質(zhì)包括銅、鋁或不 銹鋼。
      9. 如權(quán)利要求7所述的封裝基板,其中該絕緣膜的材質(zhì)包括環(huán)氧樹脂或 聚酰亞胺。
      10. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板,還包括防焊層,其覆蓋位于該強(qiáng)化板 的該第二表面的該導(dǎo)電通道,并顯露該接合墊。
      11. 如權(quán)利要求1所述的封裝基板,還包括至少一焊球或針腳,其配置在 該接合墊上。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種封裝基板,其包括線路板、強(qiáng)化板以及至少一導(dǎo)電通道。強(qiáng)化板以一第一表面配置于線路板上,可抵抗線路板翹曲變形。強(qiáng)化板具有開口,而線路板對應(yīng)具有顯露于開口中的第一接點(diǎn)。此外,導(dǎo)電通道的一端位于開口中并電性連接第一接點(diǎn),而導(dǎo)電通道的另一端位于強(qiáng)化板的一第二表面并形成接合墊。
      文檔編號H01L23/498GK101150111SQ200610154299
      公開日2008年3月26日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月20日
      發(fā)明者鄭振華 申請人:欣興電子股份有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
      1