專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于 一種薄膜晶體管基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置具有低輻射性、體積輕薄短小及耗電低等眾多優(yōu) 點(diǎn)，故在使用上日漸廣泛，同時(shí)仍具有視角各向異性和視角范圍較
小的弱點(diǎn)，即在離開(kāi)顯示面板法線方向觀察時(shí)，對(duì)比度明顯下降； 在彩色顯示時(shí)，視角大時(shí)還會(huì)發(fā)生灰階反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。在液晶顯示裝 置向大尺寸發(fā)展的情況下，這一弱點(diǎn)尤為突出。邊緣電場(chǎng)開(kāi)關(guān)型液 晶顯示器克服了這一缺點(diǎn)，則邊緣電場(chǎng)開(kāi)關(guān)型液晶顯示器的應(yīng)用日 漸廣泛。邊緣電場(chǎng)開(kāi)關(guān)型液晶顯示器主要包括 一 液晶顯示面板及為 該液晶顯示面板提供光源的背光模組。該液晶顯示面板包括 一 薄膜 晶體管基板、 一彩色濾光片基板及夾在該薄膜晶體管基板與該彩色 濾光片基板之間的液晶層。該薄膜晶體管基板靠近該液晶層一側(cè)設(shè) 置依序設(shè)置一像素電極及一對(duì)向電極，該像素電極與該對(duì)向電極共 同作用以控制該液晶層的偏轉(zhuǎn)。
請(qǐng)參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 該薄膜晶體管基板10包括多條柵極線13、多條公共電極線14及多 條數(shù)據(jù)線17。該多條公共電極線14與該多條柵極線13間隔設(shè)置， 且相互平行。該多條柵極線13與該多條數(shù)據(jù)線17垂直絕緣相交， 界定多個(gè)像素單元100。每一像素單元100包括一對(duì)向電極120、 一 薄膜晶體管180及多個(gè)像素電極190。該薄膜晶體管180包括一柵 極181、 一源極182、 一漏極183及一導(dǎo)通孔184。該導(dǎo)通孔184電 性導(dǎo)通該漏極183與該像素電極190。該對(duì)向電極120為具有一定 圖案的透明導(dǎo)電層，其與該公共電極線14部分重疊，且電導(dǎo)通。
請(qǐng)一并參閱圖2，是圖1沿該II-II線的剖面示意圖。該薄膜晶體管基板10進(jìn)一步包括一絕緣基底11、 一柵極絕緣層15、 一半導(dǎo)
體層107及一保護(hù)層16。該柵極線13、該公共電極線14、該柵極 181及該對(duì)向電極120均設(shè)置在該絕緣基底11上。該柵極絕緣層15 覆蓋該對(duì)向電極120、該多條柵極線13、該柵極181及該多條公共 電極線14。該半導(dǎo)體層107沉積在該4冊(cè)極絕緣層15上，且與該柵 極181對(duì)應(yīng)。該源極182及漏極183對(duì)應(yīng)該柵極181設(shè)置在該半導(dǎo) 體層107上。該保護(hù)層16覆蓋該柵極絕緣層15、該源極182及該 漏極183。該像素電極190設(shè)置在該保護(hù)層16上，且通過(guò)該導(dǎo)通孔 184與該漏極183電連接。
請(qǐng)參閱圖3，是該薄膜晶體管基板IO的傳統(tǒng)制造方法的流程圖。 該制造方法釆用六道光罩制造，包括以下步驟
一、第一道光罩
步驟Sl:形成透明導(dǎo)電層；
提供一絕緣基底11，在該絕緣基底11上，依序形成一透明導(dǎo) 電層及一第一光阻層。
步驟S2:形成對(duì)向電極；
以第一光罩的圖案對(duì)該第一光阻層進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù) 定光阻圖案；對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行濕蝕刻，形成一對(duì)向電極120, 移去光阻層。但是，該透明導(dǎo)電層是以濕蝕刻方式來(lái)蝕刻，該濕蝕 刻方式易蝕刻不完全，從而制造異常產(chǎn)生殘存的透明導(dǎo)電層，如一 殘留塊121。
二 、 第二道光罩
步驟S3:形成金屬層；
在該對(duì)向電極120、該殘留塊121及該絕緣基底11上沉積一金 屬層，再覆蓋一第二光阻層在該金屬層上。
步驟S4:形成公共電極線、柵極線與柵極；
以第二光罩的圖案對(duì)該第二光阻層進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù) 定光阻圖案；對(duì)該金屬層進(jìn)行蝕刻，形成該公共電極線14、該柵極 線13及該柵極181，該柵極181是與該柵極線13 —體形成。該公 共電才及線14與該4冊(cè)才及線13平4亍。該殘留塊121分別#皮部分該/>共
電極線14與部分該柵極線13覆蓋。
三、 第三道光罩
步驟S5:形成柵極絕緣層、非晶硅及摻雜非晶硅層； 在該對(duì)向電極120、公共極線14、該柵極線13、該柵極181及
該絕緣基底11上形成一柵極絕緣層15、 一非晶硅及摻雜非晶硅層
及一第三光阻層。
步驟S6:形成半導(dǎo)體層；
以第三光罩的圖案對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光并顯影，從而形成 一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該非晶硅及摻雜非晶硅層進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成 一半導(dǎo)體層107,移除該第三光阻層。
四、 第四道光罩
步驟S7:形成源極/漏極金屬層；
在該半導(dǎo)體層107及該柵極絕緣層15上依序沉積一源極/漏極 金屬層及一第四光阻層。
步驟S8:形成源才及及漏極；
以該第四光罩的圖案對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光并顯影，形成一 預(yù)定光阻圖案；對(duì)該源極/漏極金屬層進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成一源極 182與 一漏才及183。
五、 第五道光罩
步驟S9:形成保護(hù)層；
在具有該源極182、該漏極183及該柵極絕緣層15上形成一保 護(hù)層16及一第五光阻層。 步驟S10:形成導(dǎo)通孔；
以第五光罩的圖案對(duì)該第五光阻層進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù) 定光阻圖案；對(duì)該保護(hù)層16進(jìn)行蝕刻，曝露一部分該漏極183，進(jìn) 而形成一導(dǎo)通孔184。
六、 第六道光罩
步驟Sll:形成透明導(dǎo)電層；
在該保護(hù)層16上形成一透明導(dǎo)電層及第六光阻層。 步驟S12:形成像素電極；以第六光罩的圖案對(duì)第六光阻進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù)定光
阻圖案；對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成一像素電極190。該 像素電極190通過(guò)該導(dǎo)通孔1 84與該漏極183電連接。
在該薄膜晶體管基板的制造方法中，由于該對(duì)向電極120、該 公共電極線14及該柵極線13形成在同 一平面，且第 一道光罩中， 該透明導(dǎo)電層是以濕蝕刻方式來(lái)蝕刻，該濕蝕刻方式易蝕刻不完全 而發(fā)生制造異常，在形成對(duì)向電極120后，殘存一些透明導(dǎo)電層， 即該殘留塊121。在第二道光罩形成該柵極線13與公共電極線14 時(shí)，該殘留塊121被部分柵極線13與部分公共電極線14覆蓋，由 于該殘留塊121的導(dǎo)電特性，該薄膜晶體管基板10的像素單元100 在傳輸柵極信號(hào)與公共電極信號(hào)時(shí)，傳輸柵極信號(hào)的柵極線13將會(huì) 與傳輸公共信號(hào)的公共電極線14及該對(duì)向電極120短路，引起面板 測(cè)試時(shí)的點(diǎn)亮異常，從而影響該薄膜晶體管基板10的良率。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決薄膜晶體管基板良率較低的問(wèn)題，有必要提供一種良 率較高的薄膜晶體管基板。
為了解決薄膜晶體管基板良率較低的問(wèn)題，有必要提供一種上 述薄膜晶體管基板的制造方法。
一種薄膜晶體管基板，其包括多條柵極線、與該多條柵極線相
互平行的多條公共電極線及與該多條柵極線垂直絕緣相交的多條數(shù) 據(jù)線，該多條柵極線與該多條數(shù)據(jù)線界定多個(gè)像素單元，該每一像 素單元對(duì)應(yīng)一對(duì)向電極及至少一截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)設(shè)置在該對(duì)向電 極與該柵極線的間，切斷該對(duì)向電才及與該柵極線之間的電連接。
一種薄膜晶體管基板的制造方法，其步驟包括提供一絕緣基 底；在一道光罩制造中，形成對(duì)向電極在該絕緣基底；在一道光罩 制造中，形成公共電極線、柵極線及與該柵極線相連的柵極在該絕 緣基底，該對(duì)向電極與該柵極線相鄰設(shè)置；在一道光罩制造中，形 成一柵極絕緣層及形成一對(duì)應(yīng)該柵極設(shè)置的半導(dǎo)體層在該柵極絕緣 層；在一道光罩制造中，形成源極及漏極在該半導(dǎo)體層；在一道光
罩制造中，形成一保護(hù)層及至少一截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)使該對(duì)向電極
與該柵極線之間斷開(kāi)；在一道光罩制造中，形成像素電極在該保護(hù)層。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管基板及其制造方法在一 道光罩制造中，在相鄰設(shè)置在該絕緣基底上的對(duì)向電極與柵極線之 間形成至少 一 截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)間隔該對(duì)向電極與該柵4及線，以使 該對(duì)向電極與該柵極線絕緣，防止傳輸該相異信號(hào)的電極之間的電 導(dǎo)通而發(fā)生的信號(hào)相互干擾現(xiàn)象，故，可提高制造薄膜晶體管基板 的良率。


圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2圖2是圖1沿II-II線的剖面示意圖。 圖3是該薄膜晶體管基板的傳統(tǒng)制造方法的流程圖。 圖4是本發(fā)明薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是圖4沿V-V線的剖面示意圖。 圖6是本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖。 圖7是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成透明導(dǎo)電層的示意圖。 圖8是本發(fā)明的薄膜晶體管基板第一光阻層形成預(yù)定光阻圖案 的示意圖。
圖9是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成對(duì)向電極及該殘留塊的示意圖。
圖IO是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成金屬層的示意圖。 圖11是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成公共電極線、柵極線與 柵極的示意圖。
圖12是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成柵極絕緣層、非晶硅及 摻雜非晶硅層的示意圖。
圖13是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成半導(dǎo)體層的示意圖。
圖14是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成源極/漏極金屬層的示意圖。
圖15是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成數(shù)據(jù)線、源極及漏極的 示意圖。
圖16是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成保護(hù)層的示意圖。 圖17是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成導(dǎo)通孔及多個(gè)通道的示 意圖。
圖18是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成多個(gè)截?cái)鄥^(qū)的示意圖。 圖19是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成透明導(dǎo)電層的示意圖。 圖20是本發(fā)明的薄膜晶體管基板形成像素電極的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖3,是本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施方式的制造流程示 意圖。其包含步驟如下
請(qǐng)參閱圖4,是本發(fā)明薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該薄膜 晶體管基板20包括多條柵極線23、多條公共電極線24及多條數(shù)據(jù) 線27。該多條公共電極線24與該多條柵極線23相互平行設(shè)置。該 柵極線23與該數(shù)據(jù)線27垂直絕緣相交，界定多個(gè)像素單元200。 該每一像素單元200對(duì)應(yīng)一對(duì)向電極220、 一薄膜晶體管280、多個(gè) 像素電極290及二截?cái)鄥^(qū)225。該薄膜晶體管280包括一柵極281、 一源極282、 一漏極283及一導(dǎo)通孔284。該導(dǎo)通孔284電性導(dǎo)通該 漏極283與該像素電極290 。該對(duì)向電極220與該公共電極線24部 分重疊且電導(dǎo)通，以傳輸公共電壓信號(hào)，且該對(duì)向電極220為具有 一定圖案的透明導(dǎo)電層，在形成該對(duì)向電極220時(shí)，有可能產(chǎn)生一 殘留塊222。該二截?cái)鄥^(qū)225可截?cái)嘣摎埩魤K222，以切斷該公共電 極線24與該柵極線23之間的電連接，也切斷該柵極線23與該對(duì)向 電極220之間的電連接。
請(qǐng)一并參閱圖5,是圖4沿V-V線的剖面示意圖。該薄膜晶體 管基板20進(jìn)一步包括一絕緣基底201、 一柵極絕緣層204、 一半導(dǎo) 體層207及一保護(hù)層25。該柵極線23、該公共電極線24、該柵極 281及該對(duì)向電才及220均-沒(méi)置在該絕纟彖基底201上。該沖冊(cè)才及絕纟彖層 204覆蓋該對(duì)向電極220、該多條4冊(cè)極線23、該柵極281及該多條 公共電極線24。該半導(dǎo)體層207沉積在該柵極絕緣層204上，且與 該柵極281對(duì)應(yīng)。該源極282及漏極283對(duì)應(yīng)該柵極281設(shè)置在該 半導(dǎo)體層207上。該保護(hù)層25覆蓋該柵極絕緣層204、該源極282 及漏極283。該像素電極290通過(guò)該導(dǎo)通孔284與該漏極283電連 接。該二截?cái)鄥^(qū)225分別設(shè)置在該公共電極線24與該柵極線23之 間及該柵極線23與該對(duì)向電極220之間，以切斷可能形成的該殘留 塊222。
請(qǐng)參閱圖6,是本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖。 該制造方法采用六道光罩制造，包括以下步驟 一、第一道光罩 步驟S21:形成透明導(dǎo)電層；
請(qǐng)參閱圖7，提供一絕緣基底201,該絕緣基底201可以是玻璃、 石英或者陶瓷等絕緣材質(zhì)；在該絕緣基底201上沉積一透明導(dǎo)電層 202,該透明導(dǎo)電層202可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO ) 或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO);在該透明導(dǎo)電層202上沉 積第一光阻層90,再提供一光罩91。
步驟S22:形成對(duì)向電極；
請(qǐng)一并參閱圖8，以該第一光罩91的圖案對(duì)該第一光阻層90 進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù)定光阻圖案92。請(qǐng)一并參閱圖9，對(duì)該 透明導(dǎo)電層202未被該預(yù)定光阻圖案92覆蓋的部分進(jìn)行濕蝕刻，從
而形成對(duì)向電極220。但是，在蝕刻出該對(duì)向電極220時(shí)，因該透 明導(dǎo)電層202以濕蝕刻方式來(lái)蝕刻，濕蝕刻方式容易蝕刻不完全而 發(fā)生制造異常，產(chǎn)生一些殘留塊222。
二 、 第二道光罩
步驟S23:形成金屬層；
請(qǐng)一并參閱圖10，在該對(duì)向電極220及該絕緣基底201上沉積 一金屬層203,其材料可為金屬鋁(Al )、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta) 或銅(Cu)等；再覆蓋一第二光阻層(圖未示)在該金屬層203上。
步驟S24:形成公共電極線、柵極線與柵極；
請(qǐng)一并參閱圖11，以第二光罩的圖案對(duì)該第二光阻層進(jìn)行曝光 并顯影，形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該金屬層203進(jìn)行蝕刻。形成一 公共電極線24、 一柵極線23及一柵極281。由于第 一道光罩中形成 一些殘留塊222在該絕緣基底201上，故，該公共電極線24與該柵 極線23將會(huì)與該殘留塊222部分重疊，從而使該對(duì)向電極220與該 柵極線23電導(dǎo)通，使該柵極線23與該公共電極線24電導(dǎo)通。
三、第三道光罩
步驟S25:形成柵極絕緣層、非晶硅及摻雜非晶硅層； 請(qǐng)參閱圖12，在該對(duì)向電極220、該/^共極線14、該柵極線13、 該柵極及該絕緣基底201上用化學(xué)氣相沉積方法形成氮化硅(SiNx) 構(gòu)成的柵極絕緣層204 ;再用化學(xué)氣相沉積(Chemical Phase Deposition, CVD )方法在該柵極絕緣層204上形成 一 非晶珪層；再 進(jìn)行一道摻雜工藝，對(duì)該非晶硅層進(jìn)行摻雜，形成一非晶硅層205 及一摻雜非晶硅層206。再沉積第三光阻層(圖未示)在其上。 步驟S26:形成半導(dǎo)體層；
請(qǐng)一并參閱圖13，以第三光罩的圖案對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光
并顯影，從而形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該非晶硅205及摻雜非晶硅 層206進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成一半導(dǎo)體層207，該半導(dǎo)體層207對(duì)應(yīng) 該柵極281形成在該柵極絕緣層204上。移除該第三光阻層。
四、 第四道光罩
步驟S27:形成源極/漏極金屬層；
請(qǐng)一并參閱圖14，在半導(dǎo)體層207及該柵極絕緣層204上形成 一源極/漏極金屬層209及第四電阻層(圖未示)。該源極/漏極金屬 層209材料可為金屬鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)或銅(Cu )等。
步驟S28:形成源極及漏極；
請(qǐng)一并參閱圖15，以第四光罩的圖案對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光 并顯影，形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該金屬層209進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形 成數(shù)據(jù)線(圖未示)及由該數(shù)據(jù)線一體成形的源極282及漏極283 該源極282及該漏極283對(duì)應(yīng)該柵極281形成在該半導(dǎo)體層207上。
五、 第五道光罩
步驟S29:形成保護(hù)層；
請(qǐng)參閱圖16,該源極282、漏極283及該柵極絕緣層204上依 序沉積一保護(hù)層25及一第五光阻層(圖未示)。該保護(hù)層25的材料 是氮化硅層。
步驟S210:形成導(dǎo)通孔及多個(gè)截?cái)鄥^(qū)；
請(qǐng)一并參閱圖17，以第五光罩的圖案對(duì)該第五光阻層進(jìn)行曝光 并顯影，形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該保護(hù)層25進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成 一預(yù)定光阻圖案的導(dǎo)通孔284及多個(gè)通道224。該導(dǎo)通孔284曝露
該漏才及283 —部分，該多個(gè)通道224分別對(duì)應(yīng)該4冊(cè)才及線23與該公共 電極線24之間的區(qū)域，及該柵極線23與該對(duì)向電極220之間的區(qū) 域。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D18，沿該多個(gè)通道224進(jìn)一步對(duì)該柵極絕緣層204 及該殘留塊222進(jìn)行蝕刻，形成多個(gè)截?cái)鄥^(qū)225。該二截?cái)鄥^(qū)225 切斷在第一道光罩制造中，該透明導(dǎo)電層202蝕刻異常而形成的殘 留塊222 ，從而切斷該對(duì)向電極220與該柵極線23之間的電連接， 以使該對(duì)向電極220與該柵極線23絕緣，及切斷該柵極線23與該 公共電極線24的電連接，以使該公共電極線24與該柵極線23絕緣， 防止傳輸相異信號(hào)的電極之間的電導(dǎo)通。 六、第六道光罩
步驟S211:形成像素電極透明導(dǎo)電層；
請(qǐng)參閱圖19,在該保護(hù)層25、導(dǎo)通孔(未標(biāo)示)及多個(gè)截?cái)鄥^(qū) (未標(biāo)示)上依序沉積一像素電極透明導(dǎo)電層26及第六光阻層(圖 未示)。
步驟S212:形成像素電極；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D20，以第六光罩的圖案對(duì)第六光阻層進(jìn)行曝光并顯 影，形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而形成像 素電極290，該像素電極290通過(guò)該導(dǎo)通孔284與該漏極283電連 接。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，在第五道光罩中，蝕刻該保護(hù)層25形成該導(dǎo) 通孔284，以曝露一部分漏極283的同時(shí)對(duì)應(yīng)該殘留塊222形成該 多個(gè)通道224,再沿該多個(gè)通道224進(jìn)一步蝕刻該柵極絕緣層204 與該殘留塊222，形成多個(gè)截?cái)鄥^(qū)225,該截?cái)鄥^(qū)225切斷該殘留塊 222，即切斷該對(duì)向電極220與該柵極線23電導(dǎo)通的通路，及該柵
極線23與該公共電極線24導(dǎo)通的通路。故，當(dāng)傳送該柵極信號(hào)及
該公共電壓信號(hào)時(shí)，傳輸該柵極信號(hào)的柵極線23與傳輸該公共電壓
4言號(hào)的7>共電才及線24及該對(duì)向電才及220的間不會(huì)發(fā)生相互干護(hù)u現(xiàn)
象，防止像素單元200在傳輸相異信號(hào)的電極間發(fā)生短路而提高該
薄膜晶體管基板20的制造良率。且本發(fā)明在形成該導(dǎo)通孔284的光
罩制造中，進(jìn)一步蝕刻該柵極絕緣層204及該殘留塊222即可形成
該二截?cái)鄥^(qū)225,故不需要增加光罩制造就可以提高薄膜晶體管基 板的制造良率。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，其包括多條柵極線、多條與該多條柵極線相互平行的公共電極線、多條數(shù)據(jù)線，該多條柵極線與該多條數(shù)據(jù)線垂直絕緣相交界定多個(gè)像素單元，該每一像素單元對(duì)應(yīng)一對(duì)向電極，其特征在于該每一像素單元進(jìn)一步對(duì)應(yīng)至少一截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)設(shè)置在該對(duì)向電極與該柵極線之間，切斷該對(duì)向電極與該柵極線之間的電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于該公共 電極線與該對(duì)向電極部分重疊，傳輸公共電壓信號(hào)。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于該公共 電極線與該對(duì)向電極部分重疊，傳輸公共電壓信號(hào)。
4. 一種薄膜晶體管基板的制造方法，其步驟包括 提供一絕緣基底；在一道光罩制造中，形成對(duì)向電極在該絕緣基底； 在一道光罩制造中，形成公共電極線、柵極線及與該柵極線相連的柵極在該絕緣基底，該對(duì)向電極與該柵極線相鄰設(shè)置；在一道光罩制造中，形成一柵極絕緣層及形成一對(duì)應(yīng)該柵極設(shè)置的半導(dǎo)體層在該柵極絕緣層；在一道光罩制造中，形成源極及漏極在該半導(dǎo)體層； 在一道光罩制造中，形成一保護(hù)層及至少一截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)使該對(duì)向電極與該柵極線之間斷開(kāi)；在一道光罩制造中，形成對(duì)應(yīng)該對(duì)向電極設(shè)置的像素電極在該保護(hù)層。
5. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于該公共電極線與該柵極線相互平行且相鄰設(shè)置，該截?cái)鄥^(qū)切斷 該公共電極線與該柵極線之間的電連接，以使該公共電極線與該柵 極線之間絕緣。
6. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于形成該對(duì)向電極的一道光罩制造中，包括在該絕緣基底上形成一透明導(dǎo)電層及一光阻層，以該道光罩的圖案對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光并顯影，形成一預(yù)定光阻圖案；對(duì)該透明導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻，從而形 成對(duì)向電極，移去光阻層。
7. 如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于形成該對(duì)向電極時(shí)，制造異常產(chǎn)生至少一殘留塊。
8. 如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于該殘留塊電導(dǎo)通該柵極線與該公共電極線或電導(dǎo)通該柵極線與 該對(duì)向電才及。
9. 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在 于形成該至少一截?cái)鄥^(qū)的光罩制造中，包括先蝕刻該保護(hù)層，形 成 一導(dǎo)通孔及對(duì)應(yīng)該殘留塊的通道；再沿該通道蝕刻該柵極絕緣層 及該至少一殘留塊，以形成該至少一截?cái)鄥^(qū)。
10. 如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征 在于該像素電極通過(guò)該導(dǎo)通孔與該漏極電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管基板的制造方法，其步驟包括提供一絕緣基底；在一道光罩制造中，形成對(duì)向電極在該絕緣基底；在一道光罩制造中，形成公共電極線、柵極線與柵極在該絕緣基底；在一道光罩制造中，形成一柵極絕緣層及形成一半導(dǎo)體層在該柵極絕緣層；在一道光罩制造中，形成源極及漏極在該半導(dǎo)體層；在一道光罩制造中，形成一保護(hù)層及至少一截?cái)鄥^(qū)，該截?cái)鄥^(qū)使該對(duì)向電極與該柵極線之間斷開(kāi)；在一道光罩制造中，形成對(duì)應(yīng)該對(duì)向電極設(shè)置的像素電極在該保護(hù)層。該薄膜晶體管基板的制造方法提高該薄膜晶體管基板的制造良率。本發(fā)明還公開(kāi)一種該薄膜晶體管基板制造方法制造出的薄膜晶體管基板。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101192614SQ200610156990
公開(kāi)日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2006年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月22日
發(fā)明者彭家鵬, 陳弘育 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司