專利名稱：帶有電流檢測(cè)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及這樣的半導(dǎo)體器件，其具有用于對(duì)流經(jīng)該半導(dǎo)體器件的電流大小進(jìn)行檢測(cè)(電流檢測(cè)功能)的結(jié)構(gòu)。具體而言，本發(fā)明涉及這樣的半導(dǎo)體器件，它設(shè)置有電流檢測(cè)結(jié)構(gòu)以及對(duì)抗ESD(靜電放電)的措施。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體器件設(shè)有半導(dǎo)體襯底，襯底中形成有多個(gè)開關(guān)元件。本說(shuō)明書中的開關(guān)元件表示由這樣的半導(dǎo)體區(qū)域組成的結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體區(qū)域具有使電極對(duì)之間流動(dòng)的電流在開/關(guān)間切換的不同特性。
已經(jīng)開發(fā)了具有電流檢測(cè)功能的半導(dǎo)體器件。通常，為了對(duì)流經(jīng)半導(dǎo)體器件的電流大小進(jìn)行檢測(cè)，開關(guān)元件被劃分為兩組。具體而言，通過(guò)將較低電位一側(cè)的電極劃分為兩部分，來(lái)將開關(guān)元件劃分為兩組。部分開關(guān)元件一起電連接到兩個(gè)電極之一，另一部分開關(guān)元件一起電連接到另一個(gè)電極。因此，開關(guān)元件被劃分為兩組連接到兩個(gè)電極之一的組以及連接到另一電極的組。前一電極連接到參考電位，而后一電極經(jīng)過(guò)電流檢測(cè)器連接到參考電位。在本說(shuō)明書中，前一電極稱為“主電極”，后一電極稱為“傳感器電極”。此外，將流經(jīng)主電極的電流打開/關(guān)斷的開關(guān)元件稱為“主開關(guān)元件”，將流經(jīng)傳感器電極的電流打開/關(guān)斷的開關(guān)元件稱為“傳感器開關(guān)元件”。主開關(guān)元件和傳感器開關(guān)元件一起通過(guò)電裝置(例如電動(dòng)機(jī))電連接到高電位一側(cè)的電極。共同的柵極電壓施加到主開關(guān)元件和傳感器開關(guān)元件的柵極。
根據(jù)這種半導(dǎo)體器件，當(dāng)向柵極施加?xùn)艠O開啟電壓時(shí)，主開關(guān)元件和傳感器開關(guān)元件都開啟，電流流過(guò)主開關(guān)元件和傳感器開關(guān)元件。流經(jīng)每個(gè)開關(guān)元件的電流大小對(duì)于主開關(guān)元件和傳感器開關(guān)元件是一樣的。因此，主開關(guān)元件數(shù)與傳感器開關(guān)元件數(shù)之間的比例關(guān)系就等于流經(jīng)主電極的電流大小與流經(jīng)傳感器電極的電流大小之間的比例關(guān)系。因此，通過(guò)檢測(cè)流經(jīng)傳感器電極的電流大小，就可以導(dǎo)出流經(jīng)主電極的電流大小。
通過(guò)對(duì)流經(jīng)半導(dǎo)體器件的電流大小進(jìn)行檢測(cè)，可以檢測(cè)到異常的大電流流過(guò)半導(dǎo)體器件的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是在連接到半導(dǎo)體器件的電裝置短路時(shí)引起的。因此，通過(guò)提供傳感器開關(guān)元件、傳感器電極以及迫使半導(dǎo)體器件在檢測(cè)到的電流超過(guò)預(yù)定值時(shí)關(guān)閉的器件，即使在連接到半導(dǎo)體器件的電裝置短路時(shí)，也可以防止高于預(yù)定值的超額電流流經(jīng)半導(dǎo)體器件。
通常，傳感器開關(guān)元件的數(shù)目比主開關(guān)元件的數(shù)目小得多。因此，傳感器開關(guān)元件的傳感器電極與柵極之間的柵極輸入電容(柵極輸入電容與柵極絕緣層的面積有關(guān))小于主開關(guān)元件的主電極與柵極之間的柵極輸入電容。由于主開關(guān)元件的柵極輸入電容大，所以主開關(guān)元件的主電極與柵極之間的ESD容限較高。另一方面，由于傳感器開關(guān)元件的柵極輸入電容較小，所以傳感器開關(guān)元件的傳感器電極與柵極之間的ESD容限較低。因此，當(dāng)傳感器開關(guān)元件的傳感器電極與柵極之間施加ESD時(shí)，傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層易被破壞。
為了提高傳感器開關(guān)元件的傳感器電極與柵極之間的ESD容限，已知在傳感器電極與柵極之間設(shè)置穩(wěn)壓二極管(zener diode)的技術(shù)。當(dāng)在傳感器電極與柵極之間施加達(dá)到穩(wěn)壓二極管擊穿電壓的ESD時(shí)，穩(wěn)壓二極管被擊穿。結(jié)果，防止了比穩(wěn)壓二極管擊穿電壓還高的電壓施加到傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層。因此，可以防止傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層被破壞。
與這種技術(shù)有關(guān)的技術(shù)在日本早期公開專利申請(qǐng)公開No.1994-85174、日本早期公開專利申請(qǐng)公開No.2001-358568、日本早期公開專利申請(qǐng)公開No.2001-16082以及日本早期公開專利申請(qǐng)公開No.2002-517116中有說(shuō)明。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在傳感器電極與柵極之間設(shè)置穩(wěn)壓二極管時(shí)，不能防止經(jīng)穩(wěn)壓二極管流動(dòng)的齊納漏電流(zener leakage current)。結(jié)果，半導(dǎo)體器件的柵極驅(qū)動(dòng)損耗增大。就是說(shuō)，與不在傳感器電極與柵極之間設(shè)置穩(wěn)壓二極管的情況相比，必須向柵極供給更大的電流來(lái)使半導(dǎo)體器件開啟。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種技術(shù)，它可以為半導(dǎo)體器件提供對(duì)ESD等所引起損害的防護(hù)，同時(shí)防止柵極驅(qū)動(dòng)損耗增大。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件設(shè)有形成于主電極與傳感器電極之間的保護(hù)器件用于釋放電荷。當(dāng)超額的電壓(例如ESD)施加在傳感器電極與柵極之間時(shí)，保護(hù)器件從傳感器電極向主電極放電。由此，可以防止破壞傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層。盡管是向主電極放電的，但是主開關(guān)元件的柵極絕緣層不會(huì)被損壞，因?yàn)橹鏖_關(guān)元件的柵極輸入電容較大。
此外，由于在主電極與傳感器電極之間設(shè)有本發(fā)明的保護(hù)器件，所以即使由漏電流經(jīng)過(guò)保護(hù)器件在主電極與傳感器電極之間流動(dòng)，也不會(huì)增大柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件設(shè)有半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底中形成有多個(gè)開關(guān)元件。開關(guān)元件被分為至少兩組。半導(dǎo)體器件還設(shè)有連接到一組開關(guān)元件(主開關(guān)元件)的主電極。主電極將要連接到參考電位。半導(dǎo)體器件還設(shè)有連接到另一組開關(guān)元件(傳感器開關(guān)元件)的傳感器電極。傳感器電極將要經(jīng)過(guò)電流檢測(cè)器連接到參考電位。半導(dǎo)體器件還設(shè)有將主電極與傳感器電極耦合的保護(hù)器件。當(dāng)主電極與傳感器電極之間的電位差超過(guò)預(yù)定電壓時(shí)，保護(hù)器件使主電極與傳感器電極電連接。
根據(jù)上述半導(dǎo)體器件，當(dāng)在傳感器電極與傳感器開關(guān)元件的柵極之間施加超額的電壓例如ESD時(shí)，主電極與傳感器電極之間產(chǎn)生電位差。當(dāng)主電極與傳感器電極之間的電位差達(dá)到預(yù)定電壓時(shí)，可以經(jīng)過(guò)保護(hù)器件從傳感器電極向主電極釋放出超額的電荷。結(jié)果，防止了施加在傳感器電極與傳感器開關(guān)元件的柵極之間的電壓進(jìn)一步增大?？梢苑乐蛊茐膫鞲衅鏖_關(guān)元件的柵極絕緣層。此外，由于本發(fā)明的保護(hù)器件設(shè)在主電極與傳感器電極之間，所以即使有漏電流經(jīng)過(guò)保護(hù)器件流過(guò)主電極與傳感器電極之間，柵極驅(qū)動(dòng)損耗也不會(huì)增大。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，優(yōu)選為保護(hù)器件設(shè)有串聯(lián)在主電極與傳感器電極之間的多個(gè)二極管。這些二極管包括以相反方向設(shè)在主電極與傳感器電極之間的至少一組二極管。
通過(guò)設(shè)置這組二極管，只要主電極與傳感器電極之間的電位差不超過(guò)二極管的擊穿電壓，就可以將主電極與傳感器電極維持在電隔離的狀態(tài)。在主電極與傳感器電極之間的電位差不超過(guò)二極管擊穿電壓的范圍內(nèi)，流經(jīng)主電極的電流和流經(jīng)傳感器電極的電流可以分別流動(dòng)。另一方面，如果主電極與傳感器電極之間的電位差超過(guò)了二極管的擊穿電壓，則主電極和傳感器電極電連接。
通過(guò)設(shè)置以相反方向布置的這組二極管，可以根據(jù)二極管的擊穿電壓來(lái)使主電極與傳感器電極之間的電連接在開/關(guān)之間切換。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，優(yōu)選為將保護(hù)器件設(shè)在從主電極向傳感器電極伸展的部分半導(dǎo)體層中。優(yōu)選為使半導(dǎo)體層包括串聯(lián)布置的第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域和第三半導(dǎo)體區(qū)域。第一半導(dǎo)體區(qū)域連接到主電極，并含有第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。第三半導(dǎo)體區(qū)域連接到傳感器電極，并含有第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。第二半導(dǎo)體區(qū)域布置在第一半導(dǎo)體區(qū)域與第三半導(dǎo)體區(qū)域之間，并含有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。
根據(jù)上述保護(hù)器件，第一半導(dǎo)體區(qū)域與第二半導(dǎo)體區(qū)域之間以及第二半導(dǎo)體區(qū)域與第三半導(dǎo)體區(qū)域之間都形成有pn結(jié)。這些pn結(jié)的方向面對(duì)著主電極與傳感器電極之間分別朝向相反方向。由此，這組二極管可以以相反方向布置在主電極與傳感器電極之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，優(yōu)選為把使主電極與傳感器電極連接的保護(hù)器件預(yù)定電壓設(shè)定為高于開關(guān)元件的主電極與柵極之間的最大額定電壓。同樣優(yōu)選為使保護(hù)器件的預(yù)定電壓低于傳感器開關(guān)元件柵極絕緣層的破壞電壓(破壞允許電壓)。
如果保護(hù)器件的預(yù)定電壓高于主電極與開關(guān)元件柵極之間的最大額定電壓，就可以防止由于施加到柵極的控制信號(hào)而不正確地開啟保護(hù)器件。
如果保護(hù)器件的預(yù)定電壓低于開關(guān)元件柵極絕緣層的破壞電壓，就可以在傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層受到破壞之前開啟保護(hù)器件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在傳感器電極與傳感器開關(guān)元件的柵極之間施加超額電壓例如ESD時(shí)，可以經(jīng)過(guò)保護(hù)器件從傳感器電極向主電極釋放超額的電荷。結(jié)果，可以防止傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層受到破壞。此外，由于本發(fā)明的保護(hù)器件設(shè)在主電極與傳感器電極之間，所以即使有漏電流經(jīng)過(guò)保護(hù)器件在主電極與傳感器電極之間流動(dòng)，也不會(huì)增大柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件可以為傳感器電極與傳感器開關(guān)元件柵極之間超額電壓提供抵抗措施，同時(shí)保持較低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。


圖1示出了半導(dǎo)體器件的原理電路圖。
圖2示出了半導(dǎo)體器件主要部分的簡(jiǎn)化剖視圖。
圖3(a)示出了25攝氏度時(shí)柵極漏電流的大小。
圖3(b)示出了150攝氏度時(shí)柵極漏電流的大小。
圖4示出了柵極輸入電容量與半導(dǎo)體器件的靜電容限之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
下面將對(duì)實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選特征進(jìn)行說(shuō)明。
(第一特征)采用保護(hù)器件，該器件具有pnp、npn、pnpnp或npnpn結(jié)。
(第二特征)用流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域的電流大小除以流經(jīng)整個(gè)半導(dǎo)體器件的電流大小計(jì)算所得的值小于或等于0.01。
(第三特征)當(dāng)主開關(guān)元件的柵極輸入電容大于下述值時(shí)，半導(dǎo)體器件特別有效，所述值是通過(guò)在稱為“機(jī)器模式”的ESD容限測(cè)試期間，端子之間供給的電荷量除以柵極絕緣層的破壞電壓而計(jì)算得到的。就是說(shuō)，當(dāng)滿足下列條件時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件特別有效主開關(guān)元件的柵極輸入電容＞ESD容限測(cè)試期間端子之間供給的電荷量/柵極絕緣層的破壞電壓
(優(yōu)選實(shí)施例)下面將參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1示出了半導(dǎo)體器件10的原理電路圖。圖2示出了半導(dǎo)體器件10主要部分的簡(jiǎn)化剖視圖。圖1和圖2中共同的標(biāo)號(hào)表示共同的元件。半導(dǎo)體器件10用于對(duì)安裝至混合動(dòng)力汽車、燃料電池汽車等的電動(dòng)機(jī)進(jìn)行控制，具體地講，半導(dǎo)體器件10通過(guò)使供給電動(dòng)機(jī)的電流開啟/關(guān)斷，來(lái)對(duì)電動(dòng)機(jī)進(jìn)行逆變控制。除了半導(dǎo)體器件10，圖1還示出了電源92、電動(dòng)機(jī)94、柵極驅(qū)動(dòng)器件95和電流檢測(cè)器96，他們都連接到半導(dǎo)體器件10并由半導(dǎo)體器件10使用。
如圖1所示，半導(dǎo)體器件10設(shè)有開關(guān)元件構(gòu)件20和保護(hù)器件30。開關(guān)元件構(gòu)件20由多個(gè)開關(guān)元件組成并對(duì)電流進(jìn)行暫時(shí)的開/關(guān)。通過(guò)用開關(guān)元件構(gòu)件20使電流開/關(guān)，半導(dǎo)體器件20可以在向電動(dòng)機(jī)94供給電能的情況與不向電動(dòng)機(jī)94供給電能的情況之間進(jìn)行二選一的切換。開關(guān)元件構(gòu)件20由多個(gè)開關(guān)元件組成，每個(gè)開關(guān)元件具有IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的基本結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件構(gòu)件20一起連接到集電極22和柵極23。發(fā)射極分為主電極24和傳感器電極25。開關(guān)元件構(gòu)件20分為兩組一起連接到主電極24的組和一起連接到傳感器電極25的組。屬于一起連接到主電極24那組的開關(guān)元件的數(shù)目大于屬于一起連接到傳感器電極25那組的開關(guān)元件的數(shù)目。連接到主電極24的開關(guān)元件稱為“主開關(guān)元件”。連接到傳感器電極25的開關(guān)元件稱為“傳感器開關(guān)元件”。
集電極22電連接到集電極端子41。集電極端子41電連接到電動(dòng)機(jī)94。電動(dòng)機(jī)94電連接到電源92，電源92在半導(dǎo)體器件10開啟時(shí)向電動(dòng)機(jī)94供給直流電壓。
柵極23電連接到柵極端子42。柵極端子42電連接到柵極驅(qū)動(dòng)器件95。柵極驅(qū)動(dòng)器件95經(jīng)過(guò)柵極端子42以二選一的方式向柵極23供給電壓使開關(guān)元件構(gòu)件20開啟或供給電壓使開關(guān)元件構(gòu)件20關(guān)斷。
主電極24電連接到主端子43。主端子43連接到地電位(參考電位的示例)。
傳感器電極25電連接到傳感器端子44。傳感器端子44經(jīng)過(guò)電流檢測(cè)器96連接到地電位。電流檢測(cè)器96中使用了電流檢測(cè)電路。
保護(hù)器件30設(shè)有多個(gè)二極管32、33、34和35，他們串聯(lián)在第一連接點(diǎn)36和第二連接點(diǎn)31之間。第一連接點(diǎn)36電連接到主電極24，第二連接點(diǎn)31電連接到傳感器電極25。在第一連接點(diǎn)36與第二連接點(diǎn)31之間，這些二極管布置為使得二極管32和34的正向與二極管33和35的正向相反。
接下來(lái)，將參考圖2對(duì)半導(dǎo)體器件10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如下面將要說(shuō)明的，圖示98構(gòu)成一個(gè)開關(guān)元件98。半導(dǎo)體器件10包括多個(gè)開關(guān)元件98。
半導(dǎo)體器件10設(shè)有半導(dǎo)體襯底60。多個(gè)開關(guān)元件98形成于半導(dǎo)體襯底60中。半導(dǎo)體襯底60被分為主開關(guān)元件區(qū)域26和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27。主開關(guān)元件區(qū)域26對(duì)應(yīng)于形成有主電極24的區(qū)域，傳感器開關(guān)元件區(qū)域27對(duì)應(yīng)于形成有傳感器電極25的區(qū)域。于主開關(guān)元件區(qū)域26和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27兩處均重復(fù)地形成有具有同樣結(jié)構(gòu)的多個(gè)開關(guān)元件98。實(shí)際上，開關(guān)元件98還在紙面空間外重復(fù)地沿左右方向形成。圖2示出了該結(jié)構(gòu)的一部分。
半導(dǎo)體器件10設(shè)有集電極22、集電極區(qū)域61、場(chǎng)阻止區(qū)域(fieldstop region)62以及漂移區(qū)域63。集電極區(qū)域61形成于集電極22上，是p+型的。場(chǎng)阻止區(qū)域62形成于集電極區(qū)域61上，是n+型的。漂移區(qū)域63形成于場(chǎng)阻止區(qū)域62上，是n-型的。P型的主體區(qū)域64形成于漂移區(qū)域63上。多個(gè)n+型的發(fā)射極區(qū)域66選擇性地形成于主體區(qū)域64中。漂移區(qū)域63和發(fā)射極區(qū)域66由主體區(qū)域64隔開。多個(gè)溝槽式柵極23形成為在將漂移區(qū)域63和發(fā)射極區(qū)域66隔開的部分處穿透主體區(qū)域64。柵極23面向主體64中通過(guò)柵極絕緣層65將發(fā)射極區(qū)域66與漂移區(qū)域63隔開的部分。柵極23穿透主體64并延伸到漂移區(qū)域63。柵極23由中間層電介質(zhì)81與主電極24和傳感器電極25隔開。主開關(guān)元件區(qū)域26的發(fā)射極區(qū)域66電連接到主電極24。傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的發(fā)射極區(qū)域66電連接到傳感器電極25。
P型的半導(dǎo)體擴(kuò)散區(qū)域67形成于主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間。半導(dǎo)體擴(kuò)散區(qū)域67被調(diào)整為使得雜質(zhì)濃度高于主體區(qū)域64。半導(dǎo)體擴(kuò)散區(qū)域67可以提高主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間的電絕緣性。
下面將對(duì)開關(guān)元件98進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。各個(gè)開關(guān)元件98之間形成有組成部分開關(guān)元件98的集電極區(qū)域61、場(chǎng)阻止區(qū)域62、漂移區(qū)域63和主體區(qū)域64。另一方面，組成開關(guān)元件98剩余部分的柵極23、柵極絕緣層65和發(fā)射極區(qū)域66并未形成于各個(gè)開關(guān)元件98之間。因此，每個(gè)開關(guān)元件98可通過(guò)柵極結(jié)構(gòu)來(lái)識(shí)別，所述柵極結(jié)構(gòu)是柵極23、柵極絕緣層65和發(fā)射極區(qū)域66的組合。具體而言，一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)識(shí)別一個(gè)開關(guān)元件的單元結(jié)構(gòu)。
主開關(guān)元件區(qū)域26的主電極24和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25是電絕緣的。主開關(guān)元件26和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27共用集電極22。主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極23和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極23彼此電連接(連接部分未示出)。向多個(gè)柵極23發(fā)送共同的控制信號(hào)。
由于主電極24和傳感器電極25是電隔離開的，所以可以獨(dú)立于流經(jīng)主開關(guān)元件區(qū)域26的電流而獲得流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的電流。流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的電流流經(jīng)電流檢測(cè)器96。因此，可以通過(guò)電流檢測(cè)器96來(lái)檢測(cè)流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的電流量。
對(duì)于主開關(guān)元件區(qū)域26和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27，流經(jīng)每個(gè)開關(guān)元件的電流大小是一樣的。因此，主開關(guān)元件區(qū)域26中開關(guān)元件的數(shù)目與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27中開關(guān)元件的數(shù)目之間的比例關(guān)系等于流經(jīng)主電極24的電流大小與流經(jīng)傳感器電極25的電流大小之間的比例關(guān)系。因此，通過(guò)檢測(cè)流經(jīng)傳感器電極25的電流大小，可以導(dǎo)出流經(jīng)主電極24的電流量。流經(jīng)主開關(guān)元件區(qū)域26的電流大小可以通過(guò)流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的電流大小、主開關(guān)元件區(qū)域26中的開關(guān)元件的數(shù)目以及傳感器開關(guān)元件區(qū)域27中的開關(guān)元件的數(shù)目來(lái)計(jì)算。結(jié)果，例如，通過(guò)對(duì)流經(jīng)半導(dǎo)體器件10的電流大小進(jìn)行監(jiān)視，就可以對(duì)連接到半導(dǎo)體器件10的電動(dòng)機(jī)94等元件短路時(shí)引起異常電流流過(guò)半導(dǎo)體器件10的現(xiàn)象進(jìn)行檢測(cè)。因此，當(dāng)電動(dòng)機(jī)94等發(fā)生短路時(shí)，半導(dǎo)體器件10可以被強(qiáng)行關(guān)斷，以防超額電流流經(jīng)半導(dǎo)體器件10。
如圖2所示，半導(dǎo)體器件10設(shè)有保護(hù)器件30，保護(hù)器件30形成于半導(dǎo)體襯底60表面上。保護(hù)器件30設(shè)有由多晶硅制成的半導(dǎo)體層70和由氧化硅制成的絕緣層82、84、86和88。絕緣層82、84、86和88覆蓋半導(dǎo)體層70。半導(dǎo)體層70形成于主電極24和傳感器電極25之間。絕緣層82覆蓋半導(dǎo)體層70的底面。側(cè)面絕緣層84和88覆蓋半導(dǎo)體層70的側(cè)面。上表面絕緣層86覆蓋半導(dǎo)體層70的上表面。底面絕緣層82可以用與中間電介質(zhì)81同樣的制造工藝形成。部分上表面絕緣層86上形成有兩個(gè)開口。部分半導(dǎo)體層70通過(guò)開口之一(與圖1中第一連接點(diǎn)36對(duì)應(yīng))接觸主電極24，另一部分半導(dǎo)體層70通過(guò)另一開口(與圖1中第二連接點(diǎn)31對(duì)應(yīng))接觸傳感器電極25。
半導(dǎo)體層70設(shè)有第一半導(dǎo)體區(qū)域71、第二半導(dǎo)體區(qū)域72、第三半導(dǎo)體區(qū)域73、第四半導(dǎo)體區(qū)域74和第五半導(dǎo)體區(qū)域75，它們串聯(lián)布置在主電極24與傳感器電極25之間。
第一半導(dǎo)體區(qū)域71通過(guò)第一接觸點(diǎn)36電連接到主電極24，并含有n型雜質(zhì)。第二半導(dǎo)體區(qū)域72與第一半導(dǎo)體區(qū)域71接觸，并由第一半導(dǎo)體區(qū)域71與主電極24隔開。第二半導(dǎo)體區(qū)域72含有p型雜質(zhì)。第三半導(dǎo)體區(qū)域73與第二半導(dǎo)體區(qū)域72接觸，并由第二半導(dǎo)體區(qū)域72與第一半導(dǎo)體區(qū)域71隔開。第三半導(dǎo)體區(qū)域73含有n型雜質(zhì)。第四半導(dǎo)體區(qū)域74與第三半導(dǎo)體區(qū)域73接觸，并由第三半導(dǎo)體區(qū)域73與第二半導(dǎo)體區(qū)域72隔開。第四半導(dǎo)體區(qū)域74含有p型雜質(zhì)。第五半導(dǎo)體區(qū)域75接觸第四半導(dǎo)體區(qū)域74，并由第四半導(dǎo)體區(qū)域74與第三半導(dǎo)體區(qū)域73隔開。第五半導(dǎo)體區(qū)域75含有n型雜質(zhì)。第五半導(dǎo)體區(qū)域75通過(guò)第二連接點(diǎn)31電連接到傳感器電極25。
如圖1所示，第一二極管32由第一半導(dǎo)體區(qū)域71與第二半導(dǎo)體區(qū)域72之間的pn結(jié)形成。第二二極管33由第二半導(dǎo)體區(qū)域72與第三半導(dǎo)體區(qū)域73之間的pn結(jié)形成。第三二極管34由第三半導(dǎo)體區(qū)域73與第四半導(dǎo)體區(qū)域74之間的pn結(jié)形成。第四二極管35由第四半導(dǎo)體區(qū)域74與第五半導(dǎo)體區(qū)域75之間的pn結(jié)形成。第一二極管32和第三二極管34的正向是從主電極24到傳感器電極25的方向。第二二極管33和第四二極管35的正向是從傳感器電極25到主電極24的方向。
接下來(lái)將說(shuō)明保護(hù)器件30的功能。在半導(dǎo)體器件10的制造處理期間，超額電壓(例如ESD)可能由于各種原因而施加到半導(dǎo)體器件10。如果像本實(shí)施例那樣，在半導(dǎo)體器件中布置用于檢測(cè)電流的傳感器開關(guān)元件區(qū)域27，則存在這樣的問(wèn)題，即傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65易被破壞。這個(gè)問(wèn)題是由于下列原因造成的。
傳感器開關(guān)元件區(qū)域27中形成的開關(guān)元件98的數(shù)目小于主開關(guān)元件區(qū)域26中形成的開關(guān)元件98的數(shù)目。因此，傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間的柵極輸入電容(與柵極絕緣層65的面積有關(guān))小于主開關(guān)元件區(qū)域26的主電極24與柵極23之間的柵極輸入電容。由于主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容較大，所以主開關(guān)元件區(qū)域26的主電極24與柵極23之間的ESD容限較高。另一方面，由于傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極輸入電容較小，所以傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間的ESD容限較低。因此，當(dāng)ESD施加在傳感器電極25與柵極23之間時(shí)，傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65易被破壞，除非采取了某些措施。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件10設(shè)有保護(hù)器件30。當(dāng)ESD施加到傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間時(shí)，保護(hù)器件30可以從傳感器電極25向主電極24放電。具體而言，當(dāng)ESD施加到傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間，并在傳感器電極25與主電極24之間造成預(yù)定電位差時(shí)，保護(hù)器件30通過(guò)將布置在保護(hù)器件30中的二極管32、33、34、35中的一部分短路而使主電極24和傳感器電極25電連接。結(jié)果，可以防止超額電壓施加到傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65。這防止了傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65受到破壞。此外，即使在從傳感器電極25向主電極24放電時(shí)，主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極絕緣層65也不會(huì)損壞，因?yàn)橹鏖_關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容較大。
在半導(dǎo)體器件10的制造處理期間，實(shí)施測(cè)試(例如，稱為“人工模式”和“機(jī)器模式”的ESD容限測(cè)試)以評(píng)估半導(dǎo)體器件10對(duì)ESD的容限，所述測(cè)試是在半導(dǎo)體器件10的端子之間強(qiáng)制性地施加電荷。還對(duì)傳感器電極24和柵極23實(shí)施ESD容限測(cè)試。如上所述，現(xiàn)有技術(shù)中，傳感器開關(guān)元件區(qū)域26的傳感器電極和柵極之間的ESD容限較低。因此，當(dāng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)的“人工模式”或“機(jī)器模式”ESD容限測(cè)試時(shí)，傳感器開關(guān)元件區(qū)域的柵極絕緣層經(jīng)常受到破壞。另一方面，即使對(duì)半導(dǎo)體器件10實(shí)施了標(biāo)準(zhǔn)的“人工模式”或“機(jī)器模式”ESD容限測(cè)試，因?yàn)楸緦?shí)施方式的半導(dǎo)體器件10設(shè)有保護(hù)器件30，故也可防止傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65受到損壞。
在保護(hù)器件30中，第一二極管32和第三二極管34的正向與第二二極管33和第四二極管35的正向相反。當(dāng)傳感器電極25的電位高于主電極24的電位、且傳感器電極25與主電極24之間的電位差超過(guò)第一二極管32和第三二極管34的累積擊穿電壓時(shí)，產(chǎn)生從傳感器電極25向主電極24的放電。另一方面，在主電極24的電位高于傳感器電極25的電位、且傳感器電極25與主電極24之間的電位差超過(guò)第二二極管33和第四二極管35的累積擊穿電壓時(shí)，產(chǎn)生從主電極24到傳感器電極25的放電。因此，只要傳感器電極25與主電極24之間的電位差不超過(guò)第一二極管32和第三二極管34總的擊穿電壓，保護(hù)器件30就可以在主電極24與傳感器電極25之間維持不導(dǎo)通狀態(tài)。與之類似，只要主電極24與傳感器電極25之間的電位差不超過(guò)第二二極管33和第四二極管35總的擊穿電壓，保護(hù)器件30就可以在主電極24與傳感器電極25之間維持不導(dǎo)通狀態(tài)。在正常工作情況下，主電極24與傳感器電極25之間維持不導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)闆]有在主電極24與傳感器電極25之間產(chǎn)生大電位差。因此，在正常工作情況下，可以將流經(jīng)主電極24的電流和流經(jīng)傳感器電極25的電流隔開。在正常工作情況下，通過(guò)將流經(jīng)主電極24的電流與流經(jīng)傳感器電極25的電流隔開，可以提高電流檢測(cè)器96檢測(cè)到的電流值的精度。
此外，可以通過(guò)布置在保護(hù)器件30中的二極管的數(shù)目來(lái)調(diào)整保護(hù)器件30短路的電位差(即預(yù)定電壓)。優(yōu)選將保護(hù)器件30的預(yù)定電壓設(shè)定為高于主電極24與柵極23之間的最大額定電壓(正常動(dòng)作的額定電壓)。這樣，由于在開關(guān)元件正常動(dòng)作的情況下，主電極24與柵極23之間的電壓不會(huì)超過(guò)最大額定電壓，因此，在開關(guān)元件正常動(dòng)作的情況下，主電極24與柵極23之間的電壓不會(huì)開啟保護(hù)器件30。也就是說(shuō)，保護(hù)器件30不會(huì)受到開關(guān)元件的正常動(dòng)作電壓而誤動(dòng)作。
另外，優(yōu)選將保護(hù)器件30的預(yù)定電壓設(shè)定為低于傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層的破壞電壓(破壞電壓)。這樣，由于保護(hù)器件30的預(yù)定電壓低于傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層65的破壞電壓，就可以在傳感器開關(guān)元件的柵極絕緣層65受到破壞之前開啟保護(hù)器件30。
此外，如本發(fā)明背景技術(shù)中所述，存在這樣的技術(shù)，其中在傳感器開關(guān)元件的發(fā)射極與柵極之間布置穩(wěn)壓二極管，以便提高傳感器開關(guān)元件的發(fā)射極與柵極之間的ESD容限。但是，通過(guò)布置穩(wěn)壓二極管，就會(huì)不可避免地發(fā)生齊納漏電流。因此，采用穩(wěn)壓二極管的現(xiàn)有技術(shù)，存在增大柵極漏電流的問(wèn)題，還會(huì)增大半導(dǎo)體器件的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
與之相反，采用本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10，即使漏電流流過(guò)主電極24與傳感器電極25之間，也不會(huì)增大柵極漏電流。
圖3示出了采用穩(wěn)壓二極管的現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的柵極漏電流大小以及本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的柵極漏電流大小。圖3(a)示出了半導(dǎo)體器件的溫度為25攝氏度的情況。圖3(b)示出了半導(dǎo)體器件的溫度為150攝氏度的情況。
在兩種溫度下，都可以看到本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的柵極漏電流量級(jí)要小得多。此外，在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中，柵極漏電流大小隨著半導(dǎo)體器件的溫度改變而改變。另一方面，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10中，無(wú)論半導(dǎo)體器件10的溫度如何都可抑制柵極泄漏的大小改變。半導(dǎo)體器件10對(duì)于溫度改變很穩(wěn)定。不管半導(dǎo)體器件10的溫度如何，半導(dǎo)體器件10的柵極泄漏都維持在低水平。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10因?yàn)闁艠O漏電流的最小化而可以使柵極驅(qū)動(dòng)損耗最小化。采用本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10，可以在使柵極驅(qū)動(dòng)損耗最小化的同時(shí)解決傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間ESD的問(wèn)題。
此外，在半導(dǎo)體器件10開啟時(shí)，即使通過(guò)保護(hù)器件30的漏電流流過(guò)主電極24與傳感器電極25之間，流經(jīng)保護(hù)器件30的漏電流的大小也非常小。因此，即使產(chǎn)生漏電流，電流檢測(cè)器96的檢測(cè)能力也不會(huì)受到不良影響。
下面將說(shuō)明本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的其他特性。
(1)流經(jīng)傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的電流大小除以流經(jīng)整個(gè)半導(dǎo)體器件10的電流大小所得的值(稱為電流感知比)優(yōu)選為小于或等于0.01。為了實(shí)現(xiàn)這樣的值，傳感器開關(guān)元件區(qū)域27中形成的開關(guān)元件98的數(shù)目除以整個(gè)半導(dǎo)體器件10上形成的開關(guān)元件98總數(shù)所得的值應(yīng)當(dāng)小于或等于0.01。這個(gè)比例越低，對(duì)流經(jīng)半導(dǎo)體器件10的電流大小進(jìn)行檢測(cè)的能力就越強(qiáng)。如果獲得了上述比例，則傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極輸入電容會(huì)小于主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容，傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的ESD容限通常會(huì)更小。在此情況下，通過(guò)像半導(dǎo)體器件10的情況中那樣設(shè)置保護(hù)器件30，可以提高傳感器電極25與柵極23之間的ESD容限。具體而言，如果電流感知比小于或等于0.01，則保護(hù)器件30可以獲得顯著的積極效果。如果電流感知比小于或等于0.01，則帶有保護(hù)器件30的半導(dǎo)體器件10可以提高對(duì)電流量進(jìn)行檢測(cè)的能力，也可以提高ESD容限。
(2)采用在傳感器開關(guān)元件區(qū)域的傳感器電極與柵極之間布置穩(wěn)壓二極管的現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件，在實(shí)施柵極篩選測(cè)試時(shí)可能產(chǎn)生問(wèn)題。柵極篩選測(cè)試是指用于篩選有缺陷柵極結(jié)構(gòu)(通常是柵極絕緣膜)的測(cè)試，它通過(guò)將半導(dǎo)體器件除了柵極端子外的全部端子都接地并向柵極端子施加預(yù)定電壓來(lái)進(jìn)行。要施加到柵極端子的預(yù)定電壓通常是破壞柵極絕緣膜所需電壓的70％-80％。但是，如果像現(xiàn)有技術(shù)中那樣在傳感器開關(guān)元件區(qū)域的傳感器電極與柵極之間布置穩(wěn)壓二極管，就不能將大于穩(wěn)壓二極管擊穿電壓的電壓施加到柵極端子。因此，不能用柵極篩選測(cè)試篩選出有缺陷的柵極絕緣膜。
另一方面，采用半導(dǎo)體器件10，因?yàn)闁艠O端子42與其他端子是絕緣的，故可以向柵極端子42施加足夠大的電壓。因此，可以向柵極端子42施加進(jìn)行柵極篩選測(cè)試所需的電壓。結(jié)果，可以屏蔽掉有缺陷的柵極絕緣膜65。
(3)通常，為了評(píng)估半導(dǎo)體器件10的ESD容限，要實(shí)施稱為“機(jī)器模式”的ESD容限測(cè)試，其中要在半導(dǎo)體器件10的端子之間強(qiáng)制施加電荷。半導(dǎo)體器件10的主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容優(yōu)選為大于用端子之間供給的電荷量(在機(jī)器模式ESD容限測(cè)試期間)除以柵極絕緣膜的破壞容限(破壞電壓)所計(jì)算得到的值?？梢酝ㄟ^(guò)增加主開關(guān)元件區(qū)域26中所形成的開關(guān)元件的數(shù)目，來(lái)有效地提高主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容。
如果滿足上述條件，就可以在機(jī)器模式ESD容限測(cè)試期間防止主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極絕緣膜65的破壞。在標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)器模式ESD容限測(cè)試中，通常在供給電荷時(shí)用200(V)作為電源，通常用200(pF)作為收集電荷所用的電容器。因此，主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容優(yōu)選為調(diào)整到大于下面計(jì)算所得的值。
200(V)×200(pF)/柵極絕緣膜65的破壞容限柵極絕緣膜65的破壞容限通常約為80V。因此，通過(guò)上述公式計(jì)算得到的主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容優(yōu)選為調(diào)整到大于500(pF)。
圖4示出了主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極輸入電容與半導(dǎo)體器件10的靜電容限之間的關(guān)系。
如圖4所示，當(dāng)柵極輸入電容超過(guò)500pF時(shí)，半導(dǎo)體器件10的靜電容限大大增加了。如上所述，當(dāng)柵極輸入電容大于500pF時(shí)，可以防止主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極絕緣層65受到破壞。半導(dǎo)體器件10也采用了保護(hù)器件30，也防止了傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的柵極絕緣層65受到破壞。即使在經(jīng)過(guò)保護(hù)器件30從傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25向主開關(guān)元件區(qū)域26的主電極24放電時(shí)，也可以防止主開關(guān)元件區(qū)域26的柵極絕緣層65受到破壞。因此，在主開關(guān)元件區(qū)域26和傳感器開關(guān)元件區(qū)域27中都防止了柵極絕緣層65受到破壞。因此，當(dāng)柵極輸入電容超過(guò)500pF時(shí)，半導(dǎo)體器件10的靜電容限顯著增大了。
(4)可以通過(guò)采用制造半導(dǎo)體器件10所用的工藝在半導(dǎo)體襯底60的表面上形成保護(hù)器件30。制造保護(hù)器件30不會(huì)造成制造成本的顯著增加。此外，由于保護(hù)器件30集成在半導(dǎo)體器件10中，所以尺寸也沒有增大。
(5)保護(hù)器件30還可以包括緊靠二極管32、33、34和35而串聯(lián)布置的電阻。這些附加電阻優(yōu)選地采用制造半導(dǎo)體器件10的工藝來(lái)形成。例如，可以通過(guò)與保護(hù)器件30的半導(dǎo)體層70接觸來(lái)形成附加電阻，也可以通過(guò)形成雜質(zhì)濃度經(jīng)調(diào)整的區(qū)域來(lái)獲得附加電阻。
通過(guò)設(shè)置此類附加電阻，可以控制流經(jīng)保護(hù)器件30的電流大小。結(jié)果，即使設(shè)在保護(hù)器件30上的二極管32、33、34和35的pn結(jié)面積不夠，也可以提高傳感器開關(guān)元件區(qū)域27的傳感器電極25與柵極23之間的ESD容限。此外，通過(guò)設(shè)置附加電阻，可以使半導(dǎo)體器件10更加緊湊，因?yàn)榭梢允苟O管32、33、34和35的面積更小。
(6)主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間的DC容限取決于具體設(shè)計(jì)而變化很大，但是通常在幾伏到幾十伏之間。因此，可以理解，在主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間嵌入了體效應(yīng)二極管(bulk diode)。因此，如果主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間的容限低于保護(hù)器件30，則看起來(lái)是體效應(yīng)二極管提供了保護(hù)功能。但是，實(shí)際情況并不是這樣。實(shí)際上，布置在主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間的體效應(yīng)二極管的容限是幾百伏。因此，不能期望體效應(yīng)二極管作為抵抗ESD的保護(hù)器件提供保護(hù)。因此，即使保護(hù)器件30用于比主開關(guān)元件區(qū)域26與傳感器開關(guān)元件區(qū)域27之間的容限更高的容限，只要保護(hù)器件30的容限小于或等于柵極絕緣層65的容限，就可以防止由于ESD造成的柵極絕緣層破壞。
上面已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明具體實(shí)施例的示例。但是，上述實(shí)施例僅僅是示例，因此不應(yīng)限制本發(fā)明要求保護(hù)的范圍。對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)的技術(shù)可以進(jìn)行各種修改和調(diào)整。
此外，本說(shuō)明書和/或附圖中所述的技術(shù)特征可以單獨(dú)或作為組合物而產(chǎn)生技術(shù)效果，不受提交本申請(qǐng)時(shí)權(quán)利要求中所述組合的限制。此外，本說(shuō)明書或附圖中所述的技術(shù)還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)許多目的，實(shí)現(xiàn)這些目的中的任何一個(gè)都可以使本發(fā)明具有技術(shù)實(shí)用性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，其中形成有多個(gè)開關(guān)元件，所述開關(guān)元件被分為至少兩組；主電極，其連接到屬于一組所述開關(guān)元件的那些開關(guān)元件，并將連接到參考電位；傳感器電極，其連接到屬于另一組所述開關(guān)元件的那些開關(guān)元件，并將通過(guò)電流檢測(cè)器連接到所述參考電位；以及保護(hù)器件，其形成于所述主電極與所述傳感器電極之間，其中，當(dāng)所述主電極與所述傳感器電極之間的電位差超過(guò)預(yù)定電壓時(shí)，所述保護(hù)器件使所述主電極與所述傳感器電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護(hù)器件包括多個(gè)二極管，其串聯(lián)在所述主電極與所述傳感電極之間，其中，所述二極管包括以相反的方向布置的至少一組二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護(hù)器件包括半導(dǎo)體層，其從所述主電極伸展到所述傳感器電極，其中，所述半導(dǎo)體層包括第一半導(dǎo)體區(qū)域，其連接到所述主電極并含有第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；第三半導(dǎo)體區(qū)域，其連接到所述傳感器電極并含有所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；以及第二半導(dǎo)體區(qū)域，其布置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域之間，并含有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其中，使所述主電極與所述傳感器電極連接的所述保護(hù)器件的預(yù)定電壓設(shè)定為高于所述開關(guān)元件的所述主電極與柵極之間的最大額定電壓，且所述保護(hù)器件的所述預(yù)定電壓低于柵極絕緣層的破壞容限。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，它設(shè)有主開關(guān)元件區(qū)域的主電極、傳感器開關(guān)元件區(qū)域的傳感器電極、以及形成于主電極與傳感器電極之間的保護(hù)器件。當(dāng)主電極與傳感器電極之間產(chǎn)生預(yù)定電位差時(shí)，保護(hù)器件使主電極與傳感器電極電連接。這種半導(dǎo)體器件可以處理超額的電壓，例如傳感器電極與柵極之間產(chǎn)生的ESD，同時(shí)還可以防止柵極驅(qū)動(dòng)損耗增大。
文檔編號(hào)H01L27/04GK1979859SQ20061016200
公開日2007年6月13日 申請(qǐng)日期2006年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月7日
發(fā)明者堀田幸司 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車株式會(huì)社