專利名稱：平板顯示器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及平板顯示器及其制造方法。
背景技術：
諸如液晶顯示器、有機發(fā)光顯示器、無機發(fā)光顯示器之類的平板顯示器使用鋁基金屬來降低互連阻抗。
在制造過程中，鋁基金屬導體容易被蝕刻溶液損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種平板顯示器及其制造方法，其能避免(或阻礙)諸如電極、互連部分等的導體在制造過程中受到腐蝕或侵蝕。更具體地說，本發(fā)明的一個方面提供一種平板顯示器及其制造方法，其能避免(或減少)包括互連部分的導體的腐蝕和損壞。
在本發(fā)明的第一示例性實施例中，平板顯示器包括導體；和設置在該導體的側端上的鈍化層圖案。
在本發(fā)明的第二示例性實施例中，平板顯示器包括有機發(fā)光二極管，其包括第一電極、第二電極和設置在第一電極和第二電極之間的有機層，該有機層具有發(fā)光層；電連接到有機發(fā)光二極管的互連部分(interconnection)；和設置在該互連部分的側端的鈍化層圖案。
在本發(fā)明的第三示例性實施例中，平板顯示器包括活性層；與該活性層絕緣的柵電極；與該柵電極絕緣但與活性層電連接的源電極；與柵電極絕緣但與活性層電連接的漏電極；和設置在柵電極、源電極或漏電極中的至少之一的側端上的鈍化層圖案。
在本發(fā)明的第四示例性實施例中，平板顯示器包括位于襯底上并具有源電極和漏電極的薄膜晶體管；置于襯底上且位于該襯底的非發(fā)光區(qū)中并與薄膜晶體管電連接的互連部分；設置在一平面化層上并將源電極和漏電極的至少之一的一部分暴露出來的鈍化層圖案，該鈍化層圖案進一步設置在互連部分的側端上；和電連接到薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管。
在本發(fā)明的第五示例性實施例中，提供一種制造平板顯示器的方法。該方法包括在襯底上形成具有源電極和漏電極的薄膜晶體管；在襯底上且該襯底的非發(fā)光區(qū)中形成互連部分，該互連部分電連接到位于襯底上的薄膜晶體管；在襯底上形成平面化層，以至少覆蓋該薄膜晶體管和互連部分；圖案化平面化層，以形成將源電極或漏電極的一部分暴露出來的通孔，和設置在該互連部分的側端上的平面化層圖案；以及形成電連接到源電極和漏電極的有機發(fā)光二極管。


附圖與申請文件一起圖示了本發(fā)明的示例性實施例，并且與說明書一起用作解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括在平板顯示器中的導體的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的包括在平板顯示器中的導體的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖；圖4A、4B、4C和4D是圖示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示器的方法的截面圖。
具體實施例方式
在以下詳細的描述中，僅簡單地通過示例的方式，示出和描述了本發(fā)明特定的示例性實施例。本領域的技術人員應該理解，所描述的實施例可以按照各種不同的方式進行修改，而都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，附圖和描述本質上被視為示例性的而不是限制性的。并且，在本發(fā)明的上下文中，當一元件在另一元件“之上”時，它可以直接在另一元件上，也可以間接地在該另一元件上，之間插入有一個或多個居間元件。在整個申請文件中，相似的附圖標記指示相似的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括在平板顯示器中的導體10的截面圖。
導體10可以是用于減少(或避免)其電壓降的數(shù)據(jù)互連部分、掃描互連部分、電源互連部分和/或匯流互連部分。這里，導體10用在平板顯示器中，或者用在薄膜晶體管或電容器的電極中，這將在以下進行更詳細描述。導體10可以包括諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、LiCa或者其組合之類的金屬材料，和/或諸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或其組合之類的透明的導電材料。此外，也可以使用導電漿，其包括導電有機材料和/或諸如Ag、Mg、Cu之類的導電粒子。
導體10的側表面圍繞有鈍化層圖案20。鈍化層圖案20由絕緣材料形成，并圍繞導體10，從而保護導體10免于接觸可能滲透到導體10的側表面的蝕刻溶液、蝕刻劑等。
鈍化層圖案20可以由有機材料形成，其中有機材料包括從以下材料所組成的組中選擇的至少之一具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。在一個實施例中，鈍化層圖案20由基于丙烯的材料形成。在一個實施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，從而便于圖案的形成。
鈍化層圖案20可以由無機材料形成，其中無機材料包括從以下材料所組成的組中選擇的至少之一SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其組合。
而且，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的導體10’形成有包括鋁或鋁合金的多層結構。
如圖2所示，導體10’包括第一導電層11、第二導電層12和第三導電層13，它們彼此相鄰地沉積(或依次沉積)。這里，第二導電層12可以由鋁或鋁合金形成，例如，Al、AlSi、AlNd、AlCu等。
當?shù)诙щ妼?2由鋁基金屬形成時，第一導電層11和第三導電層13的至少之一可以包括從以下材料組成的組中選擇的至少之一Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金。
作為一個示例，第一導電層11和第三導電層13可以由MoW形成，而第二導電層12可以由AlNd形成。然而，本發(fā)明并不局限于此。
而且，當?shù)诙щ妼?2由鋁基金屬形成時，第一導電層11和第三導電層13的至少之一可以包括從以下材料組成的組中選擇的至少之一Ti、Ti合金、Ta和Ta合金。
作為一個示例，第一導電層11和第三導電層13可以由Ti基金屬形成，而第二導電層12可以由Al基金屬形成。
然而，本發(fā)明并不局限于此，而且，除了這三層結構以外，可以增加單獨的層，以形成多層結構。
即使在導體10’具有多層結構的情況下，鈍化層圖案20也可以由絕緣材料形成，并覆蓋導電層10’的側端。鈍化層圖案20可以由上述材料形成。也就是說，當鈍化層圖案20由有機材料形成時，有機材料可以包括從以下材料組成的組中選擇的至少之一具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。在一個實施例中，鈍化層圖案20可以由基于丙烯的材料組成。在一個實施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，從而便于圖案的形成。當鈍化層圖案20由無機材料形成時，無機材料可以包括從以下材料所組成的組中選擇的至少之一SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其組合。
如上所述，當導體10’形成為多層結構時，可以由于第二導電層12是具有相對較高的導電性的鋁基，而提高導體10的導電性，并且可以利用第一導電層11和第三導電層13保護第二導電層12。此外，可以利用形成在第二導電層12側端的鈍化層圖案20來避免(或降低)由于蝕刻劑等的滲透而造成的鋁基第二導電層12的腐蝕和侵蝕。
上述結構可以用在各種區(qū)域中，例如平板顯示器的像素和發(fā)光區(qū)的外側。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
如圖3所示，薄膜晶體管(TFT)40和有機發(fā)光二極管(OLED)設置在襯底31上。
襯底31可以由塑料形成，例如丙烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜等。然而，本發(fā)明并不局限于此。例如，襯底可以由諸如SUS或鎢之類的金屬箔或玻璃材料形成。
諸如阻擋層和/或緩沖層的絕緣層32可以形成在襯底31上，以避免(或減少)雜質離子的擴散以及濕氣或外部空氣的滲透，并且平坦化襯底的表面。
薄膜晶體管40的活性層41使用半導體材料形成在絕緣層32上，并且柵極絕緣層33被形成為覆蓋活性層41。活性層41可以由諸如非晶硅或多晶硅之類的無機半導體材料或者有機半導體材料形成，并且包括源極區(qū)412、漏極區(qū)413和設置在二者之間的溝道區(qū)411。
柵電極42設置在柵極絕緣層33，并且層間絕緣層34被形成為覆蓋柵電極42。此外，源電極43和漏電極44設置在層間絕緣層34上，隨后鈍化層(或稱鈍化層圖案)35被設置成覆蓋源電極43和漏電極44。
柵極絕緣層33、層間絕緣層34和鈍化層35可以由單層或多層結構的絕緣材料形成，也可以由有機材料、無機材料或有機/無機混合物形成。
上述薄膜晶體管40的沉積結構不局限于此，而是可以采用各種其它合適的結構。
仍然如圖3所示，第一電極51是有機發(fā)光二極管OLED的電極，它形成在鈍化層35上，而像素限定層37形成于第一電極51上。開口38形成在像素限定層37中，以便將第一電極51暴露出來，隨后形成有機發(fā)光二極管OLED的有機層52。
有機發(fā)光二極管OLED根據(jù)電流的流動發(fā)射紅、綠和藍光，以顯示圖像信息。這里，有機發(fā)光二極管OLED包括通過通孔36接觸漏電極44的第一電極51、用于覆蓋整個像素的第二電極53、和具有發(fā)光層并設置在第一電極51和第二電極53之間以便發(fā)光的有機層52。
第一電極51和第二電極53由于有機層52而彼此絕緣，并且不同極性的電壓施加到有機層52上，以便從有機層52發(fā)光。
有機層52使用低分子的有機層或聚合物有機層。當使用低分子的有機層時，空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等可以沉積成單層或多層結構。此外，可以采用各種有機材料，例如，銅酞菁(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。低分子的有機層可以用真空沉積方法形成。這里，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層可以作為公共層被共同施加到紅、綠和藍像素上。因此，不像圖3所示的實施例，根據(jù)一個實施例可以形成一公共層，以覆蓋整個像素，類似于第二電極53。
聚合物有機層可以具有包括空穴傳輸層(HTL)和發(fā)光層(EML)的結構。這里，空穴傳輸層可以由PEDOT形成，而發(fā)光層可以由基于聚-亞苯基亞乙烯基(PPV)或基于聚芴的聚合物有機材料形成?？昭▊鬏攲雍桶l(fā)光層可以用絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法等形成。
然而，本發(fā)明的有機層并不局限于圖3所示的有機層。
在圖3中，第一電極51用作陽極電極，第二電極53用作陰極電極?？商鎿Q的，第一電極51用作陰極電極，第二電極53用作陽極電極。
如果圖3的有機發(fā)光顯示器是底發(fā)光型，那么第一電極51可以是透明電極，第二電極53可以是反射電極。這里，作為第一電極51的透明電極可以由具有相對較高的功函數(shù)的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成，而作為第二電極53的反射電極可以由諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca之類的金屬或其混合物形成。
如果圖3的有機發(fā)光顯示器是頂發(fā)光型，那么第一電極51可以是反射電極，第二電極可以是透明電極。這里，作為第一電極51的反射電極可以通過使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其組合物形成反射層，隨后使用具有相對較高的功函數(shù)的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成層來制成。此外，作為第二電極53的透明電極可以通過沉積具有相對較低的功函數(shù)的諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca之類的金屬或其組合物，隨后使用諸如ITO、IZO、In2O3、ZnO等的透明導電材料形成輔助電極層或匯流電極線來制成。
如果圖3的有機發(fā)光顯示器是雙發(fā)光型，那么第一電極51和第二電極53都可以形成為透明電極。
第一電極51和第二電極53不局限于上述材料，并且除了上述材料以外，可以由導電有機材料或包括諸如Ag、Mg、Cu之類的導電粒子的導電漿形成。當使用導電漿時，電極51和53可以由噴墨印刷法印刷，隨后被塑化。
在形成有機發(fā)光二極管OLED之后，其上部分被密封(或密閉地封住)，以避免有機發(fā)光二極管OLED接觸外部空氣。
此外，柵電極42、源電極43和漏電極44可以包括諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其組合之類的金屬材料，或者諸如ITO、IZO、In2O3、ZnO等的透明導電材料。此外，可以使用導電有機材料或包括諸如Ag、Mg、Cu之類的導電粒子的導電漿。
此外，如圖2所示，電極可以形成為三層結構。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，柵電極42具有單層結構，源電極43和漏電極44具有三層結構，但是本發(fā)明并不局限于此。例如，上述結構的各種合適的組合可以用作電極。下文中，如圖3所示，將更詳細描述柵電極42具有單層結構并且源電極43和漏電極44具有三層結構的結構。
源電極43和漏電極44可以包括一結構，在該結構中第一導電層431和441、第二導電層432和442以及第三導電層433和443從圖3的下側依次沉積。這里，第二導電層432和442可以由鋁或鋁合金形成，例如Al、AlSi、AlNd、AlCu等。
如上所述，當?shù)诙щ妼?32和442由鋁基金屬形成時，第一導電層431和441或第三導電層433和443中的至少之一可以包括從以下材料組成的組中選擇的至少之一Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金。
例如，第一導電層431和441以及第三導電層433和443可以由MoW形成，第二導電層432和442可以由AlNd形成，相似于圖2的導體。
當?shù)诙щ妼?32和442由鋁基金屬形成時，第一導電層431和441或第三導電層433和443中的至少之一可以包括從Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所組成的組中選擇的至少之一。
例如，第一導電層431和441以及第三導電層433和443可以由基于Ti的金屬形成，第二導電層432和442可以由基于Al的金屬形成。
然而，本發(fā)明并不局限于此，并且可以向三層結構中添加單獨的層結構。
即使在源電極43和漏電極44具有多層結構的情況下，也可以使用絕緣材料形成鈍化層圖案45，使其覆蓋源電極43和漏電極44的側端。鈍化層圖案45可以由上面提及的材料形成。也就是說，當鈍化層圖案45由有機材料形成時，有機材料可以由從以下材料組成的組中選擇的至少之一形成具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。在一個實施例中，鈍化層圖案45由基于丙烯的材料形成。在一個實施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，從而便于圖案的形成。當鈍化層圖案45由無機材料形成時，無機材料可以由從以下材料所組成的組中選擇的至少之一形成SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其組合。
如上所述，當源電極43和漏電極44形成多層結構時，有可能因為第二導電層432和442是具有相對較高的導電性的鋁基，而提高源電極43和漏電極44的導電性，并且有可能利用第一導電層431和441以及第三導電層433和443保護第二導電層432和442。此外，有可能利用形成在第二導電層432和442側端的鈍化層圖案45來避免(或降低)由于蝕刻劑等的滲透而造成的鋁基第二導電層432和442的腐蝕和侵蝕。特別是，當?shù)谝浑姌O51被圖案化時，更有利于保護源電極43和漏電極44免于蝕刻劑的滲透。
此外，當形成源電極43和漏電極44時，可以進一步形成互連部分60。互連部分60可以是Vdd電源線，但不局限于此，并且各種合適的互連部分可以適于有機發(fā)光顯示器的像素電路。與源電極43和漏電極44一起形成的互連部分60，也具有第一導電層601、第二導電層602和第三導電層603。第一導電層601、第二導電層602和第三導電層603可以由與上述導電層材料相同的材料形成。
即使在互連部分60的情況下，鈍化層圖案61也可以如上所述那樣形成。也就是說，由于形成鈍化層圖案61的方式與形成源電極43和漏電極44方式基本相同，所以這里不提供其詳細描述。
當形成源電極43和漏電極44時，可以形成像素中包括互連部分60的各種導體。例如，如圖3所示，匯流線70可以與第二電極53接觸地設置。與源電極43和漏電極44一起形成的匯流線70，也可以具有第一導電層701、第二導電層702和第三導電層703。第一導電層701、第二導電層702和第三導電層703可以由與上述導電層材料相同的材料形成。匯流線70通過形成在鈍化層35中的通孔39與第二電極53接觸，以允許將電力提供給第二電極53。
即使在匯流線70的情況下，鈍化層圖案71也可以按照與上述方式基本相同的方式形成。也就是說，由于形成鈍化層圖案71的方式與形成源電極43和漏電極44的方式基本相同，所以這里不提供其詳細描述。
盡管鈍化層圖案可以具有覆蓋導體的側端的結構，但是本發(fā)明不局限于此?？商鎿Q的，鈍化層圖案可以具有覆蓋整個導體的結構。
如上所述，本發(fā)明實施例的鈍化層圖案可以應用到平板顯示器的各種導電結構中。也就是說，雖然上述實施例針對有機發(fā)光顯示器進行描述，但是這些實施例除了用在有機發(fā)光顯示器中以外，還可以用在各種其它合適的平板顯示器中，例如液晶顯示器等。
圖4A至圖4D是圖示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示器的方法的截面圖。
參見圖4A，絕緣層32形成在襯底31上，以避免(或阻礙)諸如金屬離子之類的雜質從襯底31擴散以及滲透到活性層41中。
在形成絕緣層32之后，非晶硅被沉積和晶化在絕緣層32上，以形成多晶硅層，隨后，圖案化多晶硅層以形成活性層41。
然后，柵極絕緣層33沉積在包括活性層41的襯底的整個表面上，并且在柵極絕緣層33上沉積柵極金屬，并對其進行圖案化以形成柵電極42。
在形成柵電極42之后，預定導電類型的雜質利用柵電極42作為掩模被摻雜到活性層41中，以形成源極區(qū)412和漏極區(qū)413。源極區(qū)412和漏極區(qū)413之間的區(qū)域沒有摻雜雜質，用作薄膜晶體管的溝道區(qū)411。
在活性層41中形成源極區(qū)412和漏極區(qū)413之后，在襯底的整個表面上形成層間絕緣層34，包括在活性層41上，并且在層間絕緣層34中形成接觸孔以便將源極區(qū)412和漏極區(qū)413的一部分暴露出來。
導電材料沉積在層間絕緣層34上，包括在接觸孔上，隨后，圖案化導電材料，以便形成通過接觸孔與源極區(qū)412和漏極區(qū)413相連的源電極43和漏電極44，從而完成包括活性層41、柵電極42、源電極43和漏電極44的薄膜晶體管。
在形成源電極43和漏電極44的同時，互連部分80形成在襯底31的非發(fā)光區(qū)中，以將外部電路模塊和薄膜晶體管電連接起來。也就是說，互連部分80電連接到TFT和外部電路模塊。
這里，為了改善互連部分80對外部環(huán)境的耐腐蝕性，源電極43、漏電極44和互連部分80可以由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成Ti/Al，Ti/Al合金(AlSi、AlNd及其等效物)、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
在形成源電極43、漏電極44和互連部分80之后，平面化層46形成在包括源電極43、漏電極44和互連部分80的襯底上，以完成TFT面板。這里，平面化層46可以由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成丙烯、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、玻璃上硅酸鹽(silicate-on-glass，SOG)及其等效物，以便可以填平較低結構的臺階。此外，平面化層46可以由旋涂和/或縫隙填涂所述材料形成。
參見圖4B，形成平面化層46，隨后對其進行圖案化，以形成將源電極43和漏電極44之一的一部分暴露出來的通孔36，例如將漏電極44的一部分暴露出來。這里，在形成通孔36的同時，形成具有開口81a并設置在互連部分80的例端的鈍化層圖案81，其中開口81a將互連部分80的一部分暴露出來。
參見圖4C，在形成通孔36和鈍化層圖案81之后，形成電連接到源電極43和漏電極44之一，例如通過通孔36電連接到漏電極44的第一電極51。
在圖4C中，第一電極51可以由透明或半透明的導電層形成。在一個實施例中，第一電極51可以包括由從以下材料組成的組中所選擇的材料形成的一層或多層ITO、IZO、ITZO及其等效物，即具有銦的金屬氧化物。例如，第一電極51可以包括具有ITO(或IZO、ITZO)/Al(或Al合金)、ITO(或IZO、ITZO)/Al(或Al合金)/ITO(或IZO、ITZO)等的結構。
參見圖4D，在形成第一電極51之后，像素限定層37沉積在包括第一電極51的襯底的整個表面上，并被圖案化，以形成將第一電極51的一部分暴露出來的開口38。這里，還將位于襯底31的非發(fā)光區(qū)中的像素限定層37去除。
然后，包括發(fā)光層的有機層52形成在包括開口38的像素限定層37上。
有機層52根據(jù)其功能可以由各種層組成。在一個實施例中，有機層除了發(fā)光層之外，還包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。
此外，在本發(fā)明的實施例中，有機層52通過形成空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)，接著在開口中形成發(fā)光層(EML)，并隨后形成空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)來形成。
在形成有機層52之后，在有機層52上形成第二電極53，以完成包括第一電極51、有機層52和第二電極53的有機發(fā)光二極管。
然后，可以將封裝襯底安裝在有機發(fā)光二極管上，以利用密封劑封裝襯底31，其中襯底31上形成有TFT和有機發(fā)光二極管，然而金屬互連部分80電連接到外部電路模塊，從而完成根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示器。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示器包括源電極43、漏電極44和互連部分80，并且它們由從以下材料所組成的組中選擇的至少之一形成Ti/Al、Ti/Al合金(AlSi、AlNd及其等效物)、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti，從而改善互連部分80對外部環(huán)境的耐腐蝕性。
此外，第一電極51一般通過濕法蝕刻進行圖案化而形成。由于如上所述互連部分80由沉積層形成，并且互連部分80的側端由鈍化層圖案81保護，所以有可能避免(或減少)由濕法蝕刻所引起的互連部分80的損壞。
此外，通過將平面化層46的一部分去除，有可能減少除氣作用的影響并增加有機發(fā)光二極管的壽命。
根據(jù)前述觀點，本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光顯示器及其制造方法，其能改善TFT面板非發(fā)光區(qū)中的金屬互連部分的耐腐蝕性。
雖然已經(jīng)結合特定的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員應該理解，本發(fā)明并不局限于所公開的實施例，相反，本發(fā)明意欲覆蓋包括在所附權利要求書及其等同替換的精神和范圍內(nèi)的各種修改。
權利要求
1.一種平板顯示器，包括導體；和設置在該導體的側端上的鈍化層圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的平板顯示器，其中所述導體包括由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成的導電層。
3.根據(jù)權利要求2所述的平板顯示器，其中所述導體包括第一導電層、第二導電層和第三導電層，其中所述第二導電層沉積于所述第一導電層和第三導電層之間，并且所述第二導電層由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成。
4.根據(jù)權利要求3所述的平板顯示器，其中所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金所組成的組中選擇的至少之一。
5.根據(jù)權利要求3所述的平板顯示器，其中所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所組成的組中選擇的至少之一。
6.根據(jù)權利要求1所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由有機材料形成。
7.根據(jù)權利要求6所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的至少之一形成具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。
8.根據(jù)權利要求1所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由無機材料形成。
9.根據(jù)權利要求8所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的至少之一形成SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
10.一種平板顯示器，包括有機發(fā)光二極管，其包括第一電極、第二電極和置于該第一電極和第二電極之間的有機層，該有機層具有發(fā)光層；電連接到所述有機發(fā)光二極管的互連部分；和設置在該互連部分的側端上的鈍化層圖案。
11.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述互連部分包括由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成的導電層。
12.根據(jù)權利要求11所述的平板顯示器，其中所述互連部分包括第一導電層、第二導電層和第三導電層，其中所述第二導電層沉積于所述第一導電層和第三導電層之間，并且所述第二導電層由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成。
13.根據(jù)權利要求12所述的平板顯示器，其中所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金所組成的組中選擇的材料。
14.根據(jù)權利要求12所述的平板顯示器，其中所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所組成的組中選擇的材料。
15.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由有機材料形成。
16.根據(jù)權利要求15所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。
17.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由無機材料形成。
18.根據(jù)權利要求17所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
19.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述互連部分電連接到所述有機發(fā)光二極管的第二電極。
20.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述互連部分為電連接到所述有機發(fā)光二極管的電源互連部分。
21.根據(jù)權利要求10所述的平板顯示器，其中所述互連部分為電連接到所述有機發(fā)光二極管的信號互連部分。
22.一種平板顯示器，包括活性層；與該活性層絕緣的柵電極；與該柵電極絕緣并與所述活性層電連接的源電極；與所述柵電極絕緣并與所述活性層電連接的漏電極；和置于所述柵電極、源電極或漏電極中的至少之一的側端上的鈍化層圖案。
23.根據(jù)權利要求22所述的平板顯示器，其中所述柵電極、源電極和漏電極中的至少之一由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成。
24.根據(jù)權利要求23所述的平板顯示器，其中所述柵電極、源電極和漏電極中的至少之一包括第一導電層、第二導電層和第三導電層，其中所述第二導電層沉積于所述第一導電層和第三導電層之間，并且所述第二導電層由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成。
25.根據(jù)權利要求24所述的平板顯示器，所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金所組成的組中選擇的材料。
26.根據(jù)權利要求24所述的平板顯示器，所述第一導電層或第三導電層中的至少之一包括從由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所組成的組中選擇的材料。
27.根據(jù)權利要求22所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由有機材料形成。
28.根據(jù)權利要求27所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亞胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其組合。
29.根據(jù)權利要求22所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由無機材料形成。
30.根據(jù)權利要求29所述的平板顯示器，其中所述鈍化層圖案由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
31.一種平板顯示器，包括位于襯底上并具有源電極和漏電極的薄膜晶體管；置于所述襯底上且位于該襯底的非發(fā)光區(qū)中并電連接到所述薄膜晶體管的互連部分；置于一平面化層上并將所述源電極或漏電極中的至少之一的一部分暴露出來的鈍化層圖案，該鈍化層圖案進一步置于所述互連部分的側端上；和電連接到所述薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管。
32.根據(jù)權利要求31所述的平板顯示器，其中所述源電極、漏電極和互連部分由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成Ti/Al、Ti/Al合金、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
33.根據(jù)權利要求32所述的平板顯示器，其中所述Al合金包括從由AlSi和AlNd所組成的組中選擇的材料。
34.根據(jù)權利要求31所述的平板顯示器，其中所述平面化層和鈍化層圖案由從丙烯、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)和玻璃上硅酸鹽(SOG)組成的組中選擇的材料形成。
35.根據(jù)權利要求31所述的平板顯示器，其中所述有機發(fā)光二極管包括電連接到所述薄膜晶體管的源電極或漏電極的第一電極；包括將所述第一電極的一部分暴露出來的開口的像素限定層；包括發(fā)光層且置于由所述開口暴露出來的第一電極上的有機層；和置于所述有機層上的第二電極。
36.根據(jù)權利要求35所述的平板顯示器，其中所述第一電極由包括含有銦的金屬氧化物的一層或多層形成。
37.根據(jù)權利要求31所述的平板顯示器，其中所述薄膜晶體管進一步包括置于所述襯底上，并包括源極區(qū)、溝道區(qū)和漏極區(qū)的活性層；置于所述基板上以至少覆蓋所述活性層的柵極絕緣層；置于所述柵極絕緣層的對應于所述活性層的區(qū)域上的柵電極；和置于所述襯底上以至少覆蓋所述柵電極的層間絕緣層，其中所述源電極和漏電極置于所述層間絕緣層上，且分別電連接到所述源極區(qū)和漏極區(qū)，并且其中所述互連部分與所述源電極和漏電極置于相同的層上。
38.一種制造平板顯示器的方法，該方法包括在襯底上形成具有源電極和漏電極的薄膜晶體管；在所述襯底上且該襯底的非發(fā)光區(qū)中形成互連部分，該互連部分電連接到位于所述襯底上的薄膜晶體管；在所述襯底上形成平面化層，以至少覆蓋所述薄膜晶體管和互連部分；圖案化所述平面化層，以形成將所述源電極或漏電極的一部分暴露出來的通孔，和設置在所述互連部分的側端上的鈍化層圖案；和形成電連接到所述源電極和漏電極的有機放光二極管。
39.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中所述源電極、漏電極和互連部分由從以下材料所組成的組中選擇的材料形成Ti/Al、Ti/Al合金、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
40.根據(jù)權利要求39所述的方法，其中所述Al合金包括從由AlSi和AlNd所組成的組中選擇的材料。
41.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中所述平面化層和鈍化層圖案由從丙烯、聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)和玻璃上硅酸鹽(SOG)組成的組中所選擇的材料形成。
42.根據(jù)權利要求38所述的方法，其中所述平面化層通過旋涂或縫隙填涂形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種平板顯示器及其制造方法。該平板顯示器包括導體；和設置在該導體的側端上的鈍化層圖案。這樣，該鈍化層圖案可以避免或減少導體的腐蝕和損壞。在一個實施例中，該導體包括由從鋁和鋁合金所組成的組中選擇的材料形成的導電層。該鈍化層圖案可以由有機材料或無機材料形成。
文檔編號H01L27/32GK1979840SQ20061016207
公開日2007年6月13日 申請日期2006年12月8日 優(yōu)先權日2005年12月9日
發(fā)明者姜泰旭, 郭源奎, 崔正培, 樸汶熙, 成棟永 申請人:三星Sdi株式會社