專利名稱：圖案形成方法、器件和有源矩陣型基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖案形成方法、器件及器件制造方法、電光學(xué)裝置和電子儀器。
本申請對2003年5月28日提出的日本專利申請第2003-151284號、以及2004年4月20日提出的日本專利申請第2004-124211號主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容引用在這里。
背景技術(shù)：
作為電子電路和集成電路等所用配線圖案等的形成方法，例如可以采用光刻法。這種光刻法需要真空裝置等大型設(shè)備和復(fù)雜工藝，而且材料的使用效率也僅為百分之幾，不得不幾乎將其廢棄，制造成本高。
針對此問題，例如，如特開平11-274671號公報和特開2000-216330號公報上公開的那樣，提出了采用由液滴噴頭以液滴狀噴出液體材料的液滴噴出法，即采用所謂噴墨法在基板上形成圖案的方法。這種方法是將圖案用液體材料(功能液)在基板上直接配置成圖案，然后進(jìn)行熱處理或激光照射使之轉(zhuǎn)變成圖案。根據(jù)這種方法，具有無需光刻，工序被大幅度簡化，同時原材料用量也減少的優(yōu)點。
近年來，構(gòu)成器件的電路逐漸推進(jìn)高密度化，例如要求配線圖案進(jìn)一步微細(xì)化和細(xì)線化。但是采用上述液滴噴出法的圖案形成方法，由于當(dāng)噴出液滴彈著后在基板上擴展，所以難以穩(wěn)定地形成微細(xì)的圖案。
特別是將圖案制成導(dǎo)電膜的情況下，由于上述的液滴擴展將會產(chǎn)生存液(凸起)，這是斷線和斷路等不良情況產(chǎn)生的原因。
而且還有人提出一種形成比液滴噴出法噴出的功能液的飛翔直徑具有更窄寬度的配線的形成技術(shù)。這種技術(shù)中，通過在使區(qū)分配線形成區(qū)域的圍堰(bank)表面疏液化的狀態(tài)下，向配線形成區(qū)域噴出功能液，即使一部分功能液被噴出到圍堰的上面，也能使全部功能液流入配線的形成區(qū)域中。
然而，據(jù)近年來確認(rèn)，一種形成一部分功能液一旦與圍堰的上面接觸，就會在圍堰的上面殘留細(xì)微殘渣。例如，當(dāng)功能液具有導(dǎo)電性的情況下殘渣也會成為具有導(dǎo)電性，一旦殘留上述殘渣，就擔(dān)心配線本身的特性和使用這種配線的器件特性會發(fā)生變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是考慮到上述問題而提出的，其目的在于提供一種可以以高精度穩(wěn)定地形成微細(xì)配線圖案的圖案形成方法、器件及其制造方法、電光學(xué)裝置、以及電子儀器。
本發(fā)明的第一種圖案形成方法，在基板上配置功能液而形成所定圖案，其中具有在所述基板上形成圍堰的工序；和采用液滴噴出法，在被所述圍堰區(qū)分的區(qū)域內(nèi)配置所述功能液的工序；由所述圍堰區(qū)分的區(qū)域包括第一區(qū)域、和寬度形成為比所述第一區(qū)域要窄的第二區(qū)域。
本方式中，通過在被圍堰區(qū)分的區(qū)域內(nèi)配置功能液，例如通過將此功能液干燥，可以在基板上形成所定圖案。這種情況下，由于圖案形狀由圍堰的形狀所決定，所以通過將相鄰的圍堰間寬度變窄等，適宜地形成圍堰，可以使圖案細(xì)微化或細(xì)線化。
而且本方式中，由被圍堰區(qū)分的區(qū)域被形成為寬度部分地加寬，所以通過在這種寬度加寬而形成的部分上回避一部分功能液，以此可以防止功能液配置時從圍堰溢出功能液。因此能以所需的形狀準(zhǔn)確形成圖案。
因此本發(fā)明的圖案形成方法，可以以高精度穩(wěn)定地形成細(xì)線狀圖案。
在上述圖案形成方法中，由所述圍堰區(qū)分的區(qū)域中的所述第一區(qū)域是所述第二區(qū)域的寬度的110～500％。
在被圍堰區(qū)分的區(qū)域中，通過使一部分寬度為另一部分寬度的110～500％，可以確實防止配置功能液時的功能液從圍堰溢出。
而且在上述的圖案形成方法中，被圍堰區(qū)分的區(qū)域也可以在與其他圖案交叉的部分中形成有寬度部分地加寬。
根據(jù)這種圖案形成方法，容易有效地利用基板的空間。
而且在上述圖案形成方法中，被圍堰區(qū)分的區(qū)域也可以在與其他圖案交叉的部分中形成寬度部分地變窄。
根據(jù)這種圖案形成方法，在圖案交叉的部分不會積蓄電容，容易提高器件的特性。
此外，在上述的圖案形成方法中，也可以采用液滴噴出法將所述功能液配置在所述區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)這種圖案形成方法，采用液滴噴出法與采用旋涂法等其他涂布方法相比，液體材料消耗少，容易對基板上配置的功能液的量和位置進(jìn)行控制。
另外，也可以使相鄰圍堰間的寬度比液滴直徑窄小。這種情況下，液滴狀的功能液將因毛細(xì)現(xiàn)象等而進(jìn)入圍堰中。這樣可以形成比噴出的液滴直徑更窄小的細(xì)線圖案。
而且，通過使所述功能液含有導(dǎo)電性微粒，可以形成導(dǎo)電性圖案。因此這種圖案可以作為配線而適用于各種器件中。
本發(fā)明的第二種圖案形成方法，利用液滴噴出法在基板上噴出配置功能液形成所定圖案，其中包括在所述基板上形成圍堰，以使具有比所述功能液的飛翔直徑大的寬度的幅寬區(qū)域與具有比該幅寬區(qū)域窄的寬度的幅窄區(qū)域被連接而配置的工序；通過在所述幅寬區(qū)域噴出配置所述功能液使所述功能液流入所述幅窄區(qū)域，以在所述幅寬區(qū)域和所述幅窄區(qū)域配置所述功能液的工序。
根據(jù)本方式，在被圍堰區(qū)分的幅寬區(qū)域和幅窄區(qū)域中，通過向所述幅寬區(qū)域噴出配置功能液，使這種功能液濕潤擴展而流入幅窄區(qū)域中。因此，通過僅向幅寬區(qū)域噴出功能液，可以將功能液配置在幅寬區(qū)域和幅窄區(qū)域上。
而且在本方式中，由于幅寬區(qū)域具有比功能液的飛翔直徑大的寬度，所以一部分功能液不會與圍堰的上面接觸。因此可以防止功能液的殘渣殘留在圍堰的上面。
因而在本方式中，可以穩(wěn)定地形成發(fā)揮所需特性的圖案。
而且在上述的圖案形成方法中，可以將所述功能液噴出配置在所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的交叉區(qū)域上。
根據(jù)這種圖案形成方法，被噴出配置在交叉區(qū)域上的功能液濕潤擴展時由于容易流入幅窄區(qū)域，所以能夠更加順利地將功能液配置在幅窄區(qū)域上。
而且在上述的圖案形成方法中，可以以包圍所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的交叉區(qū)域那樣噴出配置所述功能液后，向所述交叉區(qū)域噴出配置所述功能液。
根據(jù)這種圖案形成方法，通過以包圍交叉區(qū)域那樣在先被噴出配置的功能液，使噴出配置在交叉區(qū)域上的功能液的濕潤擴展被堰所阻止，可以增加流向幅窄區(qū)域功能液的流量。因此能夠更順利地將功能液配置在幅窄區(qū)域上。
本發(fā)明的第三種圖案形成方法，在具有由圍堰所區(qū)分的區(qū)域的基板上配置功能液而形成所定圖案，其中包括在所述基板上形成圍堰的工序，使得由所述圍堰所區(qū)分的區(qū)域包括寬度比所述功能液的液滴直徑要小的第二區(qū)域、和與該第二區(qū)域鄰接并且寬度比所述功能液的液滴直徑要大的第一區(qū)域；和采用液滴噴出法，在所述第一區(qū)域以及所述第二區(qū)域上噴出所述功能液的工序。
本發(fā)明的第四種圖案形成方法，采用液滴噴出法在基板上噴出功能液而形成所定圖案，其中包括在所述基板上形成圍堰，以使具有比所述功能液飛翔直徑大的寬度的幅寬區(qū)域與具有比該幅寬區(qū)域窄的寬度的幅窄區(qū)域連接而配置的工序；和通過只在所述幅寬區(qū)域噴出所述功能液，使所述功能液流入所述幅窄區(qū)域，在所述幅寬區(qū)域和所述幅窄區(qū)域配置所述功能液的工序。
本發(fā)明的第五種圖案形成方法，采用液滴噴出法在基板上噴出功能液而形成所定圖案，其中包括在所述基板上形成圍堰，以使具有比所述功能液飛翔直徑大的寬度的幅寬區(qū)域與具有比所述功能液飛翔直徑小的寬度的幅窄區(qū)域連接而配置的工序；和通過在所述幅寬區(qū)域噴出所述功能液，使所述功能液流入所述幅窄區(qū)域，在所述幅寬區(qū)域和所述幅窄區(qū)域配置所述功能液的工序。
本發(fā)明的器件制造方法，制造在基板上形成圖案而構(gòu)成的器件，其中，通過上述的圖案形成方法形成所述圖案。
根據(jù)本方式，可以實現(xiàn)在器件上所形成的圖案的細(xì)微化或細(xì)線化。因此可以穩(wěn)定地制造高精度的器件。
特別是當(dāng)所述圖案構(gòu)成在所述基板設(shè)置的TFT(薄膜晶體管)等開關(guān)元件中一部分的情況下，可以穩(wěn)定地得到一種高集成化的開關(guān)元件。
本發(fā)明的器件，通過使用上述的器件制造方法制造，具有高精度。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置，其中備有上述器件。
作為電光學(xué)裝置，例如可以舉出液晶顯示裝置、有機電致發(fā)光顯示裝置、等離子體型顯示裝置等。
而且本發(fā)明的電子儀器，其中備有上述的電光學(xué)裝置。
根據(jù)這些發(fā)明，由于具有高精度的器件，所以可以提高品質(zhì)和性能。
另外，本發(fā)明的有源矩陣型基板的制造方法，其中具有在基板形成柵極配線的第一工序；在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜的第二工序；介有所述柵極絕緣膜層疊半導(dǎo)體層的第三工序；在所述柵極絕緣層上形成源電極和漏電極的第四工序；在所述源電極和所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；和形成與所述源電極電連接的像素電極的第六工序；其中至少在所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序的至少一個工序中采用本發(fā)明的圖案形成方法。
根據(jù)本方式，能以高精度穩(wěn)定地形成備有細(xì)線狀圖案的有源矩陣基板。


圖1是表示本發(fā)明圖案形成方法的示意說明圖。
圖2A和圖2B是表示線狀區(qū)域其他方式之例的圖。
圖3是表示形成線狀區(qū)域中幅寬區(qū)域位置實例的圖。
圖4是表示形成線狀區(qū)域中幅寬區(qū)域位置其他實例的圖。。
圖5是液滴噴出裝置的示意立體圖。
圖6是為說明以壓電方式液體噴出原理的圖。
圖7A～7E是表示配線圖案形成順序的圖。
圖8是表示另一種配線圖案形成方法的圖。
圖9A和9B是表示其他配線圖案形成方法的圖。
圖10是表示又一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖11是表示另一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖12是表示另一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖13A和13B是表示其他方式配線圖案形成方法的圖。
圖14是表示又一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖15是表示另一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖16是表示又一種方式配線圖案形成方法的圖。
圖17是表示一種具有薄膜晶體管的基板之一例的圖。
圖18A～18D是表示為說明薄膜晶體管制造工序的圖。
圖19是從對向基板側(cè)看的液晶顯示裝置的平面視圖。
圖20是圖19中沿著H-H’線的剖面圖。
圖21是液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖22是液晶顯示裝置的部分放大剖面圖。
圖23是有機EL裝置的部分放大剖面圖。
圖24是表示另一種液晶顯示裝置的圖。
圖25A～25C是表示本發(fā)明電子儀器具體實例的圖。
圖26是非接觸型卡式介質(zhì)的分解立體圖。
圖中B-圍堰，P-基板(玻璃基板)，A-線狀區(qū)域，As-幅寬部分，W、Wp-寬度，F(xiàn)-圖案(導(dǎo)電性膜)，30-TFT(開關(guān)元件)，100-液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)，400-非接觸型卡式介質(zhì)(電子儀器)具體實施方式
以下參照

本發(fā)明。
(第一種實施方式)
圖1是表示本發(fā)明圖案形成方法的示意圖。
本發(fā)明的圖案形成方法具有在基板P上形成圍堰B的圍堰形成工序；和在被圍堰B區(qū)分的線狀區(qū)域A上配置功能液L的材料配置工序。
本發(fā)明的圖案形成方法中，通過在被圍堰B區(qū)分的線狀區(qū)域A上配置功能液L，并通過例如將此功能液L干燥，可以在基板P上形成線狀圖案F。這種情況下，由于線狀圖案F被圍堰B所規(guī)定，所以例如通過使相鄰的圍堰B間的寬度變窄等，適當(dāng)形成圍堰B，可以實現(xiàn)圖案F的細(xì)微化或細(xì)線化。其中當(dāng)圖案F形成后，可以從基板P上除去圍堰B，或者直接使其殘存在基板P上。
而且，本發(fā)明的圖案形成方法中，在基板P上形成圍堰B時，有關(guān)被圍堰B區(qū)分的線狀區(qū)域A，將其一部分寬度加寬。也就是說，在線狀區(qū)域A的軸向設(shè)置單個或多個由比其他區(qū)域的寬度W寬的寬度Wp(Wp＞W(wǎng))構(gòu)成的部分(以下必要時稱為幅寬部分As)。
其中，作為圍堰B的形成方法，可以采用平版印刷法或印刷法等任意方法。例如當(dāng)采用平版印刷法的情況下，可以利用旋涂法、噴涂法、輥涂法、模涂法、浸涂法等所定方法，在基板P上形成由圍堰形成材料構(gòu)成的層后，通過蝕刻或灰化等圖案化，得到具有所定形狀的圍堰B。其中既可以在基板P不同的另外物體上形成圍堰B，也可以將其配置在基板P上。
而且作為圍堰B的形成材料，例如除丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、蜜胺樹脂等高分子材料以外，還可以舉出含有氧化硅等無機物的材料。
本發(fā)明的圖案形成方法中，通過使被圍堰B區(qū)分的線狀區(qū)域A的寬度形成得部分地較寬(幅寬部分As)，在配置功能液L時可以使一部分功能液L避開此幅寬部分As，防止功能液L從圍堰B溢出。
一般而言，在線狀區(qū)域配置液體時，在液體表面張力等的作用下，往往產(chǎn)生液體流入該區(qū)域，或者液體在該區(qū)域內(nèi)擴展。與此相比，本發(fā)明的圖案形成方法中，在線寬設(shè)置有差別的部分內(nèi)變成液體的移動成為誘因，所以可以促進(jìn)功能液L向線狀區(qū)域A內(nèi)流入或者在線狀區(qū)域A內(nèi)的功能液L擴展，防止功能液L從圍堰B溢出。而且，在配置功能液L時，不言而喻應(yīng)當(dāng)適當(dāng)設(shè)定功能液相對于線狀區(qū)域A的配置量。
由此，在本發(fā)明的圖案形成方法中，由于可以防止功能液L配置時功能液L從圍堰B溢出，所以可以使圖案F根據(jù)所需的形狀準(zhǔn)確形成。從而，可以精度好而穩(wěn)定地形成細(xì)的線狀圖案F。
其中，在被圍堰B區(qū)分的線狀區(qū)域A中，幅寬部分As的寬度Wp優(yōu)選為其他部分寬度W的110～500％。這樣可以確實防止功能液配置時從圍堰溢出功能液。另外，上述比例一旦小于110％，由于功能液不能充分避開幅寬部分而不好。反之若超過500％，則不能有效利用基板上的空間而不好。
另外，線狀區(qū)域A的形狀并不限于圖1所示的形狀。線狀區(qū)域A中幅寬部分As的個數(shù)或大小、配置位置、配置間距等，可以根據(jù)圖案的材料或?qū)挾?，或所要求的精度適當(dāng)設(shè)定。
圖2A和圖2B表示線狀區(qū)域其他形狀的實例。
在圖1所示的線狀區(qū)域A中，幅寬部分As與其他部分相比向線狀區(qū)域A中心軸線的兩側(cè)加寬，而在圖2A所示的線狀區(qū)域A2內(nèi)，幅寬部分As1、As2是向線狀區(qū)域A2中心軸線的一側(cè)加寬。而且沿著線狀區(qū)域A2的軸向交替形成著向線狀區(qū)域A2中心軸線一側(cè)加寬的幅寬部分As1與向另一側(cè)加寬的幅寬部分As2。
在圖1所示的線狀區(qū)域A中，幅寬部分As的邊緣部分形成為矩形形狀，與之相比在圖2B所示的線狀區(qū)域A3內(nèi)，幅寬部分As的邊緣部分形成為三角形形狀。其中幅寬部分As的邊緣部分也可以形成為圓弧狀。
而且圖3是表示可以形成幅寬部分As位置的實例的視圖。
圖3中，幅寬部分As被設(shè)置在圖案之間(F和F2)交叉部分。也就是說，線狀區(qū)域A在與形成其他圖案F2的區(qū)域互相交叉的部分內(nèi)形成著部分幅寬部分。這樣可以有效利用基板上的空間。另外，在圖3中，可以利用圖案F例如作為TFT結(jié)構(gòu)中的柵極線，可以利用圖案F2例如作為TFT結(jié)構(gòu)中的源線(數(shù)據(jù)線)。
而且圖4是表示可以形成幅寬部分As位置的其他實例的圖。
圖4中，幅寬部分As被設(shè)置在膜圖案之間(F和F2)交叉部分以外。也就是說，線狀區(qū)域A在與其他膜圖案F2形成的區(qū)域互相交叉的部分內(nèi)部分地寬度變窄而形成的。這樣可以在使膜圖案交叉部分不儲蓄電容的情況下提高器件的特性。而在圖4中，可以利用膜圖案F例如作為TFT結(jié)構(gòu)中的柵極線，可以利用膜圖案F2例如作為TFT結(jié)構(gòu)中的源線(數(shù)據(jù)線)。
作為本發(fā)明中的基板P，可以舉出玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金屬板等各種材料。而且也包括可以在這些各種材料基板表面上形成了半導(dǎo)體膜、金屬膜、電介質(zhì)膜、有機膜等基底膜的。
而且作為本發(fā)明的功能液L可以采用各種，例如可以采用含有導(dǎo)電性微粒的配線用油墨。
作為將功能液L配置在圍堰B所區(qū)分區(qū)域內(nèi)的方法，優(yōu)選采用液滴噴出法，即所謂噴墨法。采用液滴噴出法與采用旋涂法等其他涂布法相比的優(yōu)點是，在液體材料的消耗上沒有浪費，容易對在基板上配置功能液的數(shù)量和位置進(jìn)行控制。
配線圖案用油墨，是由將導(dǎo)電性微粒分散在分散劑中的分散液或?qū)⒂袡C銀化合物和氧化銀納米粒子分散在溶劑(分散劑)中的溶液組成的。
作為導(dǎo)電性微粒，例如除了含有金、銀、銅、鈀、以及鎳中任何金屬的金屬微粒以外，還可以使用其氧化物以及導(dǎo)電性聚合物和超導(dǎo)體微粒等。
這些導(dǎo)電性微粒，為了提高分散性還可以在其表面上涂布有機物等之后使用。在導(dǎo)電性微粒表面涂布用的涂料，例如可以舉出二甲苯、甲苯等有機溶劑和檸檬酸等。
導(dǎo)電性微粒的粒徑優(yōu)選為1納米或其以上和0.1微米或其以下。若大于0.1微米，則有堵塞后述的液滴噴頭中噴嘴之虞。而且一旦小于1納米，涂料與導(dǎo)電性微粒的體積比就會增大，使得到的膜中有機物比例過高。
作為分散劑，只要是可以分散上述導(dǎo)電性微粒的就無特別限制。除水之外，例如還可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、對異丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氫萘、十氫萘、環(huán)己基苯等烴類化合物，和乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二烷等醚類化合物，以及亞丙基碳酸酯、γ-丁內(nèi)酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。其中從微粒的分散性和分散液穩(wěn)定性或者從采用液滴噴出法(噴墨法)的容易性觀點來看，優(yōu)選水、醇類、碳?xì)浠衔镱惡兔杨惢衔?，更?yōu)選的分散劑可以舉出水和烴類化合物。
上述導(dǎo)電性微粒分散液的表面張力，優(yōu)選為0.02N/m或其以上和0.07N/m或其以下范圍內(nèi)。采用噴墨法噴出液體時，表面張力一旦低于0.02N/m，由于油墨組合物對噴嘴面的濕潤性增大而容易使飛行路線產(chǎn)生彎曲，反之若超過0.07N/m則因噴嘴端部的彎月面形狀不穩(wěn)定而使噴出量和噴出計時的控制變得困難。為了調(diào)整表面張力，可以在使與基板的接觸角不產(chǎn)生顯著降低的范圍內(nèi)，向上述分散液中添加微量含氟類、硅酮類、非離子類等表面張力調(diào)節(jié)劑。非離子類表面張力調(diào)節(jié)劑能提高液體對基板的濕潤性，改善膜的流平性，具有防止膜產(chǎn)生微小凹凸的作用。上述表面張力調(diào)節(jié)劑，必要時還可以含有醇類、醚類、酯類、酮類等有機化合物。
上述分散液的粘度優(yōu)選為1mPa·s或其以上和50mPa·s或其以下。采用噴墨法以液滴形式噴出液體材料時，在粘度小于1mPa·s的情況下，在噴嘴周邊部分容易因油墨的流出污染，而且在粘度大于50mPa·s的情況下，噴嘴孔被堵塞的頻度增高，很難順利地噴出液滴。
作為液滴噴出法的噴出技術(shù)，可以舉出帶電控制方式、加壓振動方式、電機轉(zhuǎn)換方式、電熱轉(zhuǎn)換方式、靜電吸引方式等。帶電控制方式是指用帶電電極賦予材料以電荷，用偏轉(zhuǎn)電極控制材料的飛翔方向使之從噴嘴中噴出的方式。加壓振動方式是指對材料施加30千克/平方厘米左右的超高壓，使材料向噴嘴尖端側(cè)噴出的方式，在不加控制電壓的情況下，材料可以直接進(jìn)入而從噴嘴噴出，若施加控制電壓，在材料之間就會產(chǎn)生靜電排斥作用，使材料飛散而不能從噴嘴噴出。此外，電機轉(zhuǎn)換方式是指利用壓電元件(壓電元件)接受脈沖電信號后變形的性質(zhì)，由壓電元件變形通過柔性物質(zhì)向儲存材料的空間內(nèi)施壓，擠壓材料使之從這種空間中噴嘴噴出的方式。
而且電熱轉(zhuǎn)換方式是指利用設(shè)置在儲存材料空間內(nèi)的加熱器使材料急劇氣化產(chǎn)生氣泡，借助于氣泡的壓力使空間內(nèi)的材料噴出的方式。靜電吸引方式是指對儲存材料的空間內(nèi)施加微小壓力，在噴嘴中形成材料彎月面，在這種狀態(tài)下施加靜電引力后將材料吸引出來的方式。此外還可以采用通過電場使流體粘性變化的方式，以及應(yīng)用放電火花飛翔的方式等技術(shù)。液滴噴出法具有材料使用上浪費少，而且能在所需位置準(zhǔn)確配置所需量材料的優(yōu)點。而且利用液滴噴出法噴出一滴液體材料(流體)的量，例如為1～300納克。
本發(fā)明的圖案形成方法中，用上述的配線圖案用油墨可以形成具有導(dǎo)電性的圖案。這種導(dǎo)電性圖案可以作為配線而適用在各種器件中。
圖5是表示作為用于本發(fā)明圖案形成方法的裝置之一例的、通過液滴噴出法在基板上配置液體材料的液滴噴出裝置(噴墨裝置)IJ示意構(gòu)成的立體圖。
液滴噴出裝置IJ，備有液滴噴頭1、X軸方向驅(qū)動軸4、Y軸方向?qū)蜉S5、控制裝置CONT、臺架7、清洗機構(gòu)8、基座9和加熱器15。
臺架7是支持由此液滴噴出裝置IJ配置油墨(液體材料)的基板P用的部件，其中備有將基板P固定在基準(zhǔn)位置用的圖中未示出的固定機構(gòu)。
液滴噴頭1是備有多個噴嘴的多噴嘴型液滴噴頭部分，縱向與X軸方向一致。多個噴嘴沿著Y軸方向并列以一定間隔被設(shè)置在液滴噴頭1的下面。從液滴噴頭1的噴嘴，向被支持在臺架7上的基板P噴出含有上述導(dǎo)電性微粒的油墨。
X軸向驅(qū)動馬達(dá)2被連接在X軸向驅(qū)動軸4上。X軸方向驅(qū)動馬達(dá)2是步進(jìn)馬達(dá)等，一旦從控制裝置CONT發(fā)出X軸向驅(qū)動信號，就能使X軸向驅(qū)動軸4旋轉(zhuǎn)。X軸向驅(qū)動軸4一旦旋轉(zhuǎn)就能使液滴噴頭1沿著X軸方向移動。
Y軸方向?qū)蜉S5被固定得相對于基座9不能移動。臺架7備有Y軸方向驅(qū)動馬達(dá)3。Y軸方向驅(qū)動馬達(dá)3是步進(jìn)馬達(dá)等，一旦從控制裝置CONT發(fā)出Y軸方向的驅(qū)動信號，就能使臺架7沿著Y軸方向移動。
控制裝置CONT向液滴噴頭1供給液滴噴出控制用電壓。而且向X軸方向驅(qū)動馬達(dá)2供給控制液滴噴頭1的沿著X軸方向移動用的驅(qū)動信號，向Y軸方向驅(qū)動馬達(dá)3供給控制臺架7沿著Y軸方向移動用的驅(qū)動信號。
清洗機構(gòu)8是清洗液滴噴頭1用的機構(gòu)。清洗機構(gòu)8備有圖中未示出的Y軸方向驅(qū)動馬達(dá)。通過驅(qū)動此Y軸方向驅(qū)動馬達(dá)使清洗機構(gòu)沿著Y軸方向?qū)蜉S5移動。清洗機構(gòu)8的移動也由控制裝置CONT加以控制。
加熱器15在這里是以燈退火方式對基板P進(jìn)行熱處理的一種機構(gòu)，對被涂布在基板P上液體材料中所含的溶劑進(jìn)行蒸發(fā)和干燥。此加熱器15電源的導(dǎo)通和切斷也由控制裝置CONT加以控制。
液滴噴出裝置IJ，一邊相對于支持液滴噴頭1和基板P的臺架7進(jìn)行掃描，一邊向基板P噴出液滴。在以下的說明中，將以X軸方向作為掃描方向，將與X軸方向正交的Y軸方向作為非掃描方向。因此，將液滴噴頭1的噴嘴在以作為非掃描方向的Y軸方向上以一定間隔并列設(shè)置。而且在圖5中，雖然將液滴噴頭1配置得相對于基板P的進(jìn)行方向成直角，但也可以調(diào)整液滴噴頭1的角度，使之相對于基板P的進(jìn)行方向交叉。這樣一來，通過調(diào)整液滴噴頭1的角度可以調(diào)節(jié)噴嘴之間的間距。而且也可以任意調(diào)節(jié)基板P與噴嘴面之間的距離。
圖6是為說明以壓電方式噴出液體材料原理的圖。
圖6中，壓電元件22被設(shè)置得與容納液體材料(配線圖案用油墨，功能液)的液體室21相鄰。通過包括容納液體材料的材料罐的液體材料供給系統(tǒng)23向液體室21供給液體材料。
壓電元件22與驅(qū)動電路24連接，通過此驅(qū)動電路24向壓電元件22施加電壓，液體室21通過使壓電元件22的變形而變形，可以從噴嘴25噴出液體材料。這種情況下，通過使施加的電壓值發(fā)生變化來控制壓電元件22的變形量。而且通過使施加電壓的頻率發(fā)生變化來可控制壓電元件22的變形速度。
壓電方式的液滴噴出由于對材料不加熱，所以優(yōu)點是對材料的組成不易產(chǎn)生影響。
以下作為本發(fā)明配線圖案形成方法實施方式的一個實例，參照附圖7A～7E詳細(xì)說明在基板上形成導(dǎo)電膜配線的方法。
本實施方式涉及的圖案形成方法，是在基板上配置上述的配線圖案用油墨(配線圖案形成材料)，在該基板上形成配線用導(dǎo)電膜圖案的方法，大體由圍堰形成工序、殘渣處理工序、疏液化處理工序、材料配置工序、中間干燥工序和燒成工序構(gòu)成。
以下對各工序的每個工序進(jìn)行詳細(xì)說明。
(圍堰形成工序)圍堰是起隔離部件作用的部件，圍堰的形成可以采用平板印刷法和印刷法等任意方法進(jìn)行。例如采用平板印刷法的情況下，以旋涂法、噴涂法、輥涂法、模涂法、浸涂法等所定方法，如圖7A所示，根據(jù)基板P上圍堰的高度，涂布圍堰材料31，在其上涂布抗蝕劑層。然后根據(jù)圍堰形狀(配線圖案)施加掩膜使抗蝕劑曝光和顯影，殘留下與圍堰形狀一致的抗蝕劑。最后蝕刻除去掩膜以外部分的圍堰材料。而且還可以形成下層是由無機物或有機物形成得對功能液顯示親液性的材料，而上層是由有機物形成并顯示疏液性的材料構(gòu)成的兩層以上的圍堰(凸部)。
通過這種方法，如圖7B所示，突出設(shè)置例如寬度15微米的圍堰B，以便將應(yīng)當(dāng)形成配線圖案的區(qū)域的周邊包圍。
而且本例中正如前面圖1所示，可以在由圍堰形成線狀區(qū)域、與此線狀區(qū)域的軸向有關(guān)的所定位置上形成由寬度比其他區(qū)域?qū)挼膶挿鶚?gòu)成的寬幅部分。
而且在有機材料涂布前，作為對基板P進(jìn)行表面的改質(zhì)處理，雖然實施了HMDS處理(以蒸氣狀涂布(CH3)3SiNHSi(CH3)3的方法)，但是在圖7A～7E中卻省略了有關(guān)圖示。
(殘渣處理工序(親液化處理工序))進(jìn)而對基板P實施殘渣處理工序，以便除去圍堰間34中圍堰形成時的抗蝕劑(有機物)殘渣。
作為殘渣處理工序，雖然可以選擇通過照射紫外線進(jìn)行殘渣處理的紫外線(UV)照射處理和在大氣氣氛中以氧作處理氣體的O2等離子體處理等，但是這里實施的是O2等離子體處理。
具體講，采用從等離子體放電電極向基板P照射等離子體狀態(tài)氧的方式進(jìn)行。作為O2等離子體處理條件例如為等離子體功率為50～1000W、氧氣流量為50～100毫升/分鐘、基板與等離子體放電電極的相對移動速度為0.5～10毫米/秒鐘、基板溫度為70～90℃。
另外，當(dāng)基板P是玻璃基板的情況下，其表面對配線圖案形成材料雖然具有親液性，但如本實施方式那樣，為殘渣處理而實施O2等離子體處理和紫外線照射處理的情況下，可以提高基板表面的親液性。
(疏液化處理工序)接著對圍堰B進(jìn)行疏液化處理，賦予該表面疏液性。
作為疏液化處理，例如可以采用在大氣氣氛中以四氟甲烷作處理氣體的等離子體處理法(CF4等離子體處理法)。CF4等離子體處理條件例如為等離子體功率為50～1000W、四氟甲烷氣體流量為50～100毫升/分鐘、基板與等離子體放電電極的相對移動速度為0.5～1020毫米/秒鐘、基板溫度為70～90℃。
另外，處理氣體并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以采用其他氟代烴類氣體。
通過這種疏液化處理，可以對圍堰B對構(gòu)成其的樹脂中導(dǎo)入氟基，賦予高的疏液性。而且，作為上述親液化處理的O2等離子體處理，雖然也可以在圍堰B形成之前進(jìn)行，但是由于一旦在O2等離子體處理之前進(jìn)行，圍堰B就有容易被氟化(疏液化)的性質(zhì)，所以優(yōu)選在形成圍堰B形成后進(jìn)行O2等離子體處理。
還有，通過對圍堰B進(jìn)行疏液化處理，對在先經(jīng)親液化處理的基板P表面多少有些影響，特別是當(dāng)基板P由玻璃等組成的情況下，由于很難因疏液化處理而導(dǎo)入氟原子，所以對基板P的親液性，即濕潤性沒有實質(zhì)上的損害。
而且采用原來具有疏液性的材料(例如含有氟原子的樹脂材料)形成圍堰B的情況下，也可以省略該疏液化處理。
(材料配置工序和中間干燥工序)以下采用前面圖5所示的液滴噴出裝置IJ的液滴噴出法，在被基板P上的圍堰所區(qū)分的區(qū)域上，即圍堰B之間配置配線圖案形成材料。而且在本例中，作為配線圖案用油墨(功能液L)，噴出將導(dǎo)電性微粒分散在溶劑(分散劑)中的分散液。這里使用的導(dǎo)電性微粒，例如除了含有金、銀、銅、鈀和鎳中任何金屬的金屬微粒以外，還可以使用導(dǎo)電性聚合物或超導(dǎo)體微粒等。
也就是說，在材料配置工序中，如圖7C所示，由液滴噴頭1以液滴形式噴出功能液L，將該液滴配置在基板P上的圍堰B間。作為液滴噴出條件，例如可以在油墨重量4納克/滴、油墨速度(噴出速度)5～7米/秒鐘的條件下進(jìn)行。
此時，由于功能液的配置區(qū)域被圍堰B所隔開，所以可以阻止該功能液在基板P上擴散。
而且如圖7C所示，當(dāng)相鄰的圍堰B間寬度比液滴直徑D小的情況下(即液滴直徑D大于圍堰B間寬度W的情況下)，如圖7D中二點劃線所示，雖然有一部分液滴處于圍堰B上，但是在毛細(xì)現(xiàn)象等作用下而能使功能液L進(jìn)入圍堰B間。本例中，圍堰B由于已被賦予疏液性，所以功能液將會離開圍堰B而更加確實地流入圍堰B間。
另外，由于基板P的表面已被賦予親液性，所以流入圍堰B間的功能液L可以在該被區(qū)分的區(qū)域內(nèi)均勻擴展。這樣可以形成一種比噴出液滴直徑D更窄的線寬W的涂膜。
進(jìn)而，在本例中，正如前面圖1所示，由于線狀區(qū)域的寬度被部分加寬而形成，所以在配置功能液時，在這種幅寬部分上可以避開一部分功能液，因而可以確實防止功能液從圍堰溢出，同時還可以促進(jìn)在該區(qū)域內(nèi)擴展。
(中間干燥工序)在基板P上配置功能液后，為了除去分散劑和確保膜厚，必要時應(yīng)當(dāng)進(jìn)行干燥處理。干燥處理，例如除加熱基板P用的通常的電熱板、電爐等處理之外，還可以采用燈退火的方式進(jìn)行。
作為燈退火使用光的光源并無特別限制，可以使用紅外燈、氙燈、YAG激光器、氬激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作為光源。這些光源一般可以使用功率為10W或其以上和5000W或其以下范圍內(nèi)的，但是在本實施方式中使用功率處于100W或其以上和1000W或其以下范圍內(nèi)的就足夠了。
(燒成工序)為了使微粒間實現(xiàn)充分電接觸，對于噴出工序后的干燥膜需要完全除去分散劑。而且為了提高導(dǎo)電性微粒表面的分散性而涂布了有機物等涂敷材料的情況下，還需要除去這種涂敷材料。為此對噴出工序后的基板實施熱處理和/或光處理。
熱處理和/或光處理通常在大氣中進(jìn)行，但是根據(jù)需要也可以在氮氣、氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛中進(jìn)行。熱處理和/或光處理的處理溫度，可以根據(jù)分散劑的沸點(蒸氣壓)、氣氛氣體的種類和壓力、微粒的分散性或氧化性等熱行為、涂敷材料的有無或數(shù)量、以及基體材料的耐熱溫度等適當(dāng)確定。
例如，為了除去由有機物組成的涂敷材料，需要在大約300℃下燒成。這種情況下，例如也可以事先在圍堰B和功能液的干燥膜上涂布低熔點玻璃。
而且在使用塑料等基板的情況下，優(yōu)選在室溫或其以上至100℃或其以下溫度下進(jìn)行。
通過以上工序噴出工序后的干燥膜可以確保微粒之間的電接觸，如圖7E所示，將其轉(zhuǎn)變成電導(dǎo)性膜(圖案F)。
正如上述說明的那樣，本例的圖案形成方法，通過使被圍堰區(qū)分的線狀區(qū)域形成得部分加寬，可以確實防止功能液從圍堰溢出，同時還可以促進(jìn)在該線狀區(qū)域內(nèi)的擴展。因此可以以高精度穩(wěn)定地形成細(xì)線狀圖案。
(第二種實施方式)
以下參照圖8說明本發(fā)明圖案形成方法的第二種實施方式。
圖8是為說明本實施方式涉及的圖案形成方法用的示意圖。其中在以下說明中，與上述實施方式相同或相等的構(gòu)成部分將賦予相同符號，有關(guān)其說明從簡或省略。
在圖8中，在基板P上形成有因圍堰而具有第一寬度H1的第一溝槽部分34A(幅寬區(qū)域)，和與該第一溝槽部分34A連接的具有第二寬度H2的第二溝槽部分34B(幅窄區(qū)域)。第一寬度H1形成得比功能液液滴飛翔直徑大。第二寬度H2形成得比第一寬度H1窄。換句話說，第二寬度H2等于或小于第一寬度H1。而且第一溝槽部分34A形成得沿著圖8中X軸方向延伸，而第二溝槽部分34B形成得沿著圖8中Y軸方向延伸。
為了在上述溝槽部分34A、34B上形成圖案F，首先如圖9所示，利用液滴噴頭1在第一溝槽34A的所定位置上配置含有形成圖案F用的配線圖案油墨的功能液L的液滴。在第一溝槽部分34A配置功能液L的液滴時，從第一溝槽部分34A的上方使用噴頭1向第一溝槽部分34A噴出液滴。在本實施方式中，如圖9A所示，將功能液L的液滴沿著第一溝槽部分34A的縱向(X軸方向)以所定間隔配置。此時也可以將功能液L的液滴配置在第一溝槽部分34A中第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B連接的連接部分37附近(交叉區(qū)域)。
如圖9B所示，被配置在第一溝槽部分34A的功能液L因自流而在第一溝槽部分34A內(nèi)濕潤擴展。此外被配置在第一溝槽部分34A的功能液L，因自流而向第二溝槽部分34B內(nèi)濕潤擴展。這樣就能無需從第二溝槽部分34B之上對第二溝槽部分34B直接噴出液滴，將功能液L也配置在第二溝槽部分34B上。
由此，將在第一溝槽部分34A配置功能液L時，可以借助于被配置在該第一溝槽部分34A的功能液L的自流(毛細(xì)現(xiàn)象)，將功能液L配置在第二溝槽部分34B上。從而即使不從圍堰B之上向窄幅H2的第二溝槽部分34B噴出功能液L的液滴，也能順利地將功能液L配置在第二溝槽部分34B上。特別是當(dāng)?shù)诙喜鄄糠?4B的寬度H2窄，而且從液滴噴頭1噴出的液滴直徑(飛翔中的液滴直徑)比H2還窄的情況下，也借助于功能液L的自流流動可以將功能液L順利地配置在第二溝槽部分34B上。因而可以形成具有所需形狀的圖案。而且由于可以將功能液L順利地配置在幅窄的第二溝槽部分34B上，所以可以實現(xiàn)圖案的細(xì)線化(微細(xì)化)。另一方面，由于第一溝槽部分34A的寬度H1寬，即使從圍堰B上向第一溝槽部分34A噴出功能液L的液滴，一部分功能液L落在圍堰B的上面38，因而可以回避殘渣殘留的不利情況出現(xiàn)。因此可以穩(wěn)定地形成發(fā)揮所需特性的圖案。
此外若采用本實施方式，則由于可以將功能液L配置在第一溝槽部分34A中第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B連接的連接部分37附近，所以可以在功能液L濕潤擴展時流入第二溝槽部分34B內(nèi)，因而可以更順利地將功能液L配置在第二溝槽部分34B內(nèi)。
將功能液L配置在第一溝槽部分34A和第二溝槽部分34B內(nèi)之后，與上述第一種實施方式同樣，通過中間干燥工序和燒成工序可以形成圖案F。
另外，如圖10所示，還可以在向第二溝槽部分34B噴出配置僅由功能液溶劑組成的功能液La之后，再配置上述功能液L。通過以這樣方式向第二溝槽部分34B內(nèi)噴出配置功能液L，功能液L容易流入第二溝槽部分34B中，因而可以更加順利地將功能液L配置在第二溝槽部分34B內(nèi)。而且因功能液La不含導(dǎo)電性微粒而沒有導(dǎo)電性。因此即使在圍堰B上殘存功能液L的情況下，也不會使圖案F的所需特性發(fā)生變化。
而且也可以在功能液L配置后進(jìn)行真空干燥工序。由于進(jìn)行真空干燥工序使功能液L被真空抽吸，所以這種情況下也能夠較順利地將功能液L配置在第二溝槽部分34B內(nèi)。
還可以在功能液L配置后針對功能液L向第二溝槽部分34B噴吹氣體。這樣通過對功能液L向第二溝槽部分34B噴吹氣體，使功能液L容易流入第二溝槽部分34B中，所以這種情況下也可以順利地將功能液L配置在第二溝槽部分34B內(nèi)。
另外，如圖11所示，還可以將連接第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B的連接部分37，設(shè)置成從第一溝槽部分34A向第二溝槽部分34B逐漸變窄的喇叭狀。這樣可以使被配置在第一溝槽部分34A的功能液L順利地流入第二溝槽部分34B內(nèi)。
此外如圖12所示，在使第一溝槽部分34A的延伸方向與第二溝槽部分34B的延伸方向互相交叉的方式中，也可以將第一溝槽部分34A中第二溝槽部分34B附近區(qū)域的寬度H1’設(shè)置得比其他區(qū)域的寬度H1局部狹窄。即使這樣也能使被配置在第一溝槽部分34A的功能液L順利地流入第二溝槽部分34B內(nèi)。這種情況下，通過使形成第一溝槽部分34A的圍堰B的內(nèi)壁面Bh朝著第二溝槽部分34B方向傾斜，可以使被配置在第一溝槽部分34A的功能液L順利地流入第二溝槽部分34B內(nèi)。
再有，在上述的各種實施方式中，雖然使具有寬幅H1的第一溝槽部分34A的延伸方向與具有窄幅H2的第二溝槽部分34B的延伸方向互相不同，但是也可以如圖13A和13B所示，將具有寬幅H1的第一溝槽部分34A的延伸方向與具有窄幅H2的第二溝槽部分34B的延伸方向相同。如圖13A所示，通過將功能液L配置在第一溝槽部分34A內(nèi)，依靠該功能液L的自身流動，如圖13B所示，可以將功能液L配置在第二溝槽部分34B內(nèi)。而且這種情況下，通過使第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B的連接部分37，形成為從第一溝槽34A朝著第二溝槽部分34B方向逐漸變窄的喇叭狀，可以使被配置在第一溝槽部分34A內(nèi)的功能液L順利地流入第二溝槽部分34B內(nèi)。
而且當(dāng)L配置在第一溝槽部分34A內(nèi)的功能液依靠該功能液L的自身流動被配置在第二溝槽部分34B內(nèi)時，如圖14所示，還可以在第一溝槽部分34A中第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B的連接部分37以外區(qū)域設(shè)置堤防部分39。圖14中的堤防部分39是在第一溝槽部分34A上配置的功能液L的液滴。也就是說，作為堤防部分39用的功能液L的液滴，是不會流到第二溝槽部分34B內(nèi)，最初配置的將第一溝槽部分34A中第一溝槽部分34A與第二溝槽部分34B的連接部分37附近包圍的液滴。圖14中，起著堤防部分39作用的最初被配置的液滴賦予符號“1”。而且依靠自身流動被配置在第二溝槽部分34B內(nèi)用的功能液L，被配置在連接部分37與堤防部分39之間。對此液滴賦予符號“2”。這樣一來，被配置在第一溝槽部分34A中連接部分37與堤防部分39(液滴“1”)之間的功能液L的液滴“2”，可以阻止向連接部分37以外處流動，而朝著連接部分37流動。因此，可以使流向第二溝槽部分34B內(nèi)的功能液L流量增加，液滴“2”通過連接部分37順利地流入第二溝槽部分34B內(nèi)。
而且如圖15所示，也可以利用圍堰B的內(nèi)壁面Bh作為堤防部分39。
此外如圖16所示，在第一溝槽部分34A中，具有比第一溝槽部分34A的寬度H1和第二溝槽部分34B的寬度H2更窄寬度的第三溝槽部分34C的連接方式中，由于圍堰B的內(nèi)壁面Bh具有堤防部分39的功能，所以被配置在第一溝槽部分34A中的功能液L可以順利地流入第二溝槽部分34B和第三溝槽部分34C中。
(薄膜晶體管)本發(fā)明的配線圖案形成方法，能夠適用于形成如圖17所示的開關(guān)元件用薄膜晶體管(TFT)和與其連接的配線時。圖17中，在具有TFT的TFT基板P上，備有柵極配線40、與此柵極配線40電連接的柵極電極41、源配線42、與此源配線42電連接的源電極43、漏電極44、與漏電極44電連接的像素電極45。柵極配線40形成得沿著X軸方向延伸，柵極電極41形成得沿著Y軸方向延伸。而且柵極電極41的寬度H2也比柵極配線40的寬度H1窄。這些柵極配線40和柵極電極41可以采用本發(fā)明涉及的圖案形成方法形成。
而且在上述的實施方式中，雖然是使用本發(fā)明涉及的圖案形成方法形成TFT(薄膜晶體管)的柵極配線的，但是也可以用于制造源電極、漏電極、像素電極等其他構(gòu)成要素。以下參照圖18A～18D說明TFT的制造方法。
如圖18A所示，首先采用光刻法在洗凈的玻璃基板610的上面形成設(shè)置一個像素間距為1/20～1/10溝槽611a用的第一層圍堰611。這種圍堰611形成后需要備有透光性和疏液性，作為其材料可以使用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、蜜胺樹脂等高分子材料。
為了使這樣形成后的圍堰611具有疏液性，需要實施CF4等離子體處理等(采用含氟氣體的等離子體處理)，或者代之以事先在圍堰611材料本身中充填疏液成分(氟代基等)。這種情況下可以省略CF4等離子體處理。
經(jīng)過這樣疏液化的圍堰611相對于噴出油墨的接觸角優(yōu)選為40°或其以上，而作為玻璃面的接觸角優(yōu)選確保為10°或其以下。也就是說，經(jīng)過本發(fā)明人等的試驗結(jié)果確認(rèn)，例如對導(dǎo)電性微粒(十四碳烷溶劑)處理后的接觸角，在采用丙烯酸樹脂系作為圍堰611原始材料的情況下可以確保大約為54.0°(未處理情況下為10°或其以下)。而且這些接觸角是在等離子體功率為550瓦，以0.1升/分鐘速度供給四氟甲烷氣體的處理條件下得到的。
繼上述第一層圍堰形成工序后的柵極掃描電極形成工序中，利用噴墨頭噴出含有導(dǎo)電性材料的液滴，使之填滿被圍堰611區(qū)分的作為掃描區(qū)域的上述溝槽611a，這樣能形成柵極掃描電極612。而且在形成柵極掃描電極612時，可以采用本發(fā)明涉及的圖案形成方法。
作為此時的導(dǎo)電性材料，可以適當(dāng)采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和導(dǎo)電性聚合物等。這樣形成的柵極掃描電極612，由于事先賦予圍堰611以充分的疏液性，因而能在不從溝槽611a滲出的情況下形成微細(xì)的配線圖案。
通過以上工序可以在基板610上形成由圍堰611和柵極掃描電極612組成的備有平坦的上表面的第一導(dǎo)電層A1。
為了在溝槽611a內(nèi)獲得良好的噴出效果，如圖18A所示，此溝槽611a的形狀優(yōu)選采用準(zhǔn)錐形狀(朝著噴出方向張口的傾斜狀)。這樣能夠使被噴出的液滴充分進(jìn)入深處。
進(jìn)而如圖18B所示，通過等離子體CVD法使柵極絕緣膜613、活性層621和接觸層609連續(xù)成膜。通過使原料氣體或等離子體條件發(fā)生變化，可以形成氮化硅膜作為柵極絕緣膜613，無定形硅膜作為活性層621，以及n+型硅膜作為接觸層609。用CVD法形成的情況下，需要經(jīng)歷300～350℃的熱歷史，圍堰采用無機系材料的情況下，可以回避透明性和耐熱性的問題。
繼上述半導(dǎo)體層形成工序后的第二層圍堰形成工序中，如圖18C所示，根據(jù)光刻法在柵極絕緣膜613的上面，形成設(shè)置一個像素間距為1/20～1/10而且與上述溝槽611a交叉的溝槽614a用的第二層圍堰614。這種圍堰614形成后需要具備透光性和疏液性，作為其材料可以采用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、蜜胺樹脂等高分子材料。
為了使這樣形成后的圍堰614具有疏液性，需要實施CF4等離子體處理等(采用含氟氣體的等離子體處理)，或者代之以事先在圍堰614材料本身中充填疏液成分(氟代基等)。這種情況下可以省略CF4等離子體處理。
以此方式被疏液化的圍堰614相對于噴出油墨的接觸角，優(yōu)選確保在40°或其以上。
繼上述第二層圍堰形成工序后的源、漏電極形成工序中，利用噴墨頭噴出含有導(dǎo)電性材料的液滴，如圖18D所示，使之填滿被圍堰614區(qū)分的本身是掃描區(qū)域的上述溝槽614a內(nèi)，形成與上述柵極掃描電極612交叉的源電極615和漏電極616。而且在形成源電極615和漏電極616時，可以采用本發(fā)明涉及的圖案形成方法。
此時用的導(dǎo)電性材料，可以適當(dāng)采用Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、W-Si和導(dǎo)電性聚合物等。這樣形成的源電極615和漏電極616，由于事先賦予圍堰614以充分的疏液性，所以能夠在不從溝槽614a滲出的情況下形成微細(xì)的配線圖案。
而且可以將絕緣材料17配置得使配置了源電極615和漏電極616的溝槽614a填埋。通過以上的工序可以在基板610上形成由圍堰614和絕緣材料617組成的平坦的上表面620。
進(jìn)而在絕緣材料617上形成接觸孔619，同時在上面620上形成被圖案化的像素電極(ITO)618，通過接觸孔619將漏電極616與像素電極618連接起來制成TFT。
(電光學(xué)裝置)下面說明作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置之一例的液晶顯示裝置。
圖19是關(guān)于本發(fā)明涉及的液晶顯示裝置中，從各構(gòu)成要素共同顯示的相對向的基板側(cè)觀察的平面圖，圖20是沿著圖19中H-H’直線的剖面圖。圖21是液晶顯示裝置的圖像顯示區(qū)域中以矩陣狀形成的多個像素的各種元件、配線的等效電路圖，圖22是液晶顯示裝置的局部剖面放大圖。其中在以下的說明中，為了能在圖中識別各層和各部件，對各層和各部件的尺寸在比例上做了不同的處理。
在圖19和圖20中，本實施方式的液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)100構(gòu)成為，成對的TFT陣列基板10和對向基板20被作光固化性密封材料用的密封材料52粘合起來，在由此密封材料52區(qū)分的區(qū)域內(nèi)封入并保持有液晶50。密封材料52在基板面內(nèi)的區(qū)域中形成被關(guān)閉的框架狀，沒有液晶注入口，所以沒有被密封材料密封的痕跡。
在密封材料52的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)區(qū)域上，形成有由遮光材料組成的邊框53。在密封材料52的外側(cè)區(qū)域，沿著TFT陣列基板10的一邊形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201和安裝接線柱202，沿著與此一邊相鄰的兩邊形成有掃描線驅(qū)動電路204。在TFT陣列基板10的其余一邊設(shè)有連接被設(shè)在像素顯示區(qū)域兩側(cè)的掃描線驅(qū)動電路204之間用的多個配線205。而且在對向基板20的角部的至少一處，設(shè)有對TFT陣列基板10與對向基板20之間電導(dǎo)通用的基板間導(dǎo)通材料206。
另外，也可以借助于各向異性的導(dǎo)電膜，例如將安裝了驅(qū)動用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT陣列基板10周邊部分形成的接線柱組進(jìn)行機械和電學(xué)上的連接，以此來代替在TFT陣列基板10上形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201和掃描線驅(qū)動電路204。而且，在液晶顯示裝置100中，根據(jù)使用的液晶50的種類，即根據(jù)TN(扭轉(zhuǎn)向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式等動作模式，以及正常白模式/正常黑模式的區(qū)別，在所定方向上設(shè)置相位差板、偏光板等按所定方向被配置，但是這里省略對其圖示。
而且使用液晶顯示裝置100作彩色顯示用的情況下，在對向基板20中于TFT陣列基板10與后述的各像素電極相對向的區(qū)域內(nèi)，與其保護(hù)膜同時形成例如與紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的彩色濾光片。
這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置100的像素顯示區(qū)域內(nèi)，如圖21所示，以矩陣狀形成有多個像素100a的同時，在這些像素100a的每個像素上形成像素開關(guān)用TFT(開關(guān)元件)30，將供給像素信號S1、S2…Sn的數(shù)據(jù)線6a電連接在TFT30的源極上。寫入數(shù)據(jù)線6a的像素信號S1、S2…Sn，既可以按此順序依次供給各線，也可以在相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a之間逐組供給。而且其構(gòu)成為事先將掃描線3a電連接在TFT30的柵極上，根據(jù)所定時序?qū)⒚}沖掃描線信號G1、G2…Gm依此順序依次逐線施加在掃描線3a上。
像素電極19事先與TFT30的漏極電連接，通過使作為開關(guān)元件用的TFT30僅在一定時間處于開啟(ON)狀態(tài)，以所定時序向各像素寫入從數(shù)據(jù)線6a供給的像素信號S1、S2、…、Sn。以此方式通過像素電極19寫入液晶的所定水平的像素信號S1、S2、…、Sn，可以在圖20所示的對向基板20的對向電極121之間保持一定時間。而且為了防止被保持像素信號S1、S2、…、Sn的泄漏，可以附加在像素電極19與對向電極121形成的液晶電容并列的儲蓄電容60。例如，像素電極19的電壓僅在比施加比源電壓時間長三位數(shù)的長時間內(nèi)由儲蓄電容60所保持。這樣可以改善電荷的保持特性，制成對比度高的液晶顯示裝置100。
圖22是具有底柵極型TFT30的液晶顯示裝置100的局部剖面放大圖，在構(gòu)成TFT陣列基板10的玻璃基板P上，形成有用上述圖案形成方法形成的作為導(dǎo)電性膜用的柵極配線61。
在柵極配線61上，隔著由SiNx組成的柵極絕緣膜62層疊有由無定形硅(a-Si)層組成的半導(dǎo)體層63。將與此柵極配線部分相對向的部分半導(dǎo)體層63作為通道區(qū)域。在半導(dǎo)體層63上層疊有為獲得歐姆連接所需的例如由n+型a-Si層組成的結(jié)合層64a和64b，在通道區(qū)域中央部分中的半導(dǎo)體層63上，形成有保護(hù)通道用的由SiNx組成的絕緣性抗蝕膜65。另外，在蒸鍍(CVD)后，經(jīng)過涂布抗蝕劑、感光、顯影和光刻，可以圖案化成圖中所示的形狀。
此外，將由結(jié)合層64a、64b和ITO組成的像素電極19也同樣成膜，同時進(jìn)行光刻，可以圖案化成圖示的形狀。于是在像素電極19、柵極絕緣膜62和抗蝕膜65上分別吐出設(shè)置圍堰66…，在這些圍堰66…之間用上述的液滴噴出裝置IJ噴出銀化合物的液滴形成源線和漏線。
本實施方式的液晶顯示裝置，通過上述的圖案形成方法，由于能以高精度穩(wěn)定地形成微細(xì)化或細(xì)線化的導(dǎo)電膜，所以可以獲得高的品質(zhì)和性能。
再有，在上述實施方式中，雖然是采用以TFT30作為液晶顯示裝置100驅(qū)動用開關(guān)元件的構(gòu)成，但是也可以用于液晶顯示裝置以外，例如用于有機EL(電致發(fā)光)顯示器件之中。有機EL顯示器件，具有將含熒光性無機和有機化合物的薄膜被陰極和陽極夾在其間的構(gòu)成，通過向上述薄膜注入電子或空穴使之激發(fā)而生成激發(fā)子，利用這種激發(fā)子再結(jié)合時放出光線(熒光、磷光)的性質(zhì)使之發(fā)光的元件。于是在具有上述的TFT30的基板上，將在有機EL顯示元件上使用的熒光材料中呈現(xiàn)紅、綠和藍(lán)色各色發(fā)光的材料，即發(fā)光層形成材料以及空穴注入/電子輸送層形成材料作為油墨，分別將其圖案化的情況下，可以制造自發(fā)光濾光片-EL器件。本發(fā)明中的器件(電光學(xué)裝置)范圍內(nèi)也包括這種有機EL器件，可以得到備有多種功能的配線的有機EL器件。
圖23是利用上述液滴噴出裝置IJ制造的一部分構(gòu)成要素的有機EL元件裝置的側(cè)視圖。以下參照圖23說明有機EL裝置的構(gòu)成。
圖23中，有機EL裝置401，是在由基板411、電路元件部分421、像素電極431、圍堰441、發(fā)光元件451、陰極461(對電極)和密封基板471構(gòu)成的有機EL元件402上，連接了柔性基板(圖示略)的配線和驅(qū)動IC(圖示略)的裝置。電路元件部分421，是一種在基板411上形成作為有源元件的TFT60，由多個像素電極431在電路元件部分421上整列排列而構(gòu)成的。而且構(gòu)成TFT60的柵極配線61可以用上述實施方式的配線圖案形成方法形成。
事先在各像素電極431之間格狀地形成有圍堰441，在由圍堰441形成的凹部開口444上形成有發(fā)光元件451。其中發(fā)光元件451事先由紅色發(fā)光元件、綠色發(fā)光元件和藍(lán)色發(fā)光元件構(gòu)成，這樣有機EL裝置401將能實現(xiàn)全色顯示。陰極461在圍堰441和發(fā)光元件451的上部全面形成，在陰極461上層疊了密封用基板471。
包含有機EL元件的有機EL裝置401的制造工藝過程，備有形成圍堰441的圍堰形成工序、適當(dāng)形成發(fā)光元件451用等離子體處理工序、形成發(fā)光元件451的發(fā)光元件形成工序、形成陰極461的對向電極形成工序和在陰極461上層疊密封用基板471密封的密封工序。
發(fā)光元件形成工序是通過在凹部開口444，即像素電極431上形成空穴注入層452和發(fā)光層453而形成發(fā)光元件451的，所以備有空穴注入層形成工序和發(fā)光層形成工序。而且空穴注入層形成工序具有向各像素電極431上噴出形成空穴注入層452用液體材料的第一噴出工序；和將被噴出的液體材料干燥形成空穴注入層452的第一干燥工序。此外發(fā)光層形成工序具有，向空穴注入層452上噴出形成發(fā)光層453用液體材料的第二噴出工序；和將被噴出的液體材料干燥形成發(fā)光層453的第二干燥工序。其中發(fā)光層453，如上所述事先由與紅、綠、藍(lán)三色對應(yīng)的材料形成的三層，所以所述第二噴出工序由分別噴出三種材料的三個工序組成。
這種發(fā)光元件形成工序中，在空穴注入層形成工序中的第一噴出工序與發(fā)光層形成工序中的第二噴出工序中，都可以采用上述的液滴噴出裝置IJ。
而且作為本發(fā)明涉及的器件(電光學(xué)裝置)，除上述的以外還可以用于PDP(等離子體顯示板)、或通過使電流以與膜面平行地流過在基板上形成的小面積薄膜，以利用產(chǎn)生電子放出現(xiàn)象的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子放出元件等之中。
圖24是表示液晶顯示裝置的另一種實施方式的圖。
圖24所示的液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)901，大體上講備有彩色液晶板(電光學(xué)板)902和與液晶板902連接的電路基板903。而且必要時在液晶板902上還設(shè)有背光燈等照明裝置和其他附屬設(shè)備。
液晶板902帶有用密封材料904粘接的一對基板905a和基板905b，將液晶封入在這些基板905a和基板905b之間形成的間隙中，即晶胞間隙之中。這些基板905a和基板905b一般由透光性材料，例如玻璃、合成樹脂等形成。在基板905a和基板905b的外側(cè)表面上粘貼有偏光板906a和另一塊偏光板。另外，在圖24中，另一塊偏光板的圖示被省略。
而且在基板905a的內(nèi)側(cè)表面上形成有電極907a，在基板905b的內(nèi)側(cè)表面上形成有電極907b。這些電極907a、907b形成有帶狀或者文字、數(shù)字或其他適當(dāng)圖案形狀。而且這些電極907a、907b，例如可以由ITO(Indium TinOxide銦錫氧化物)等透光性材料所形成。基板905a具有相對于基板905b伸出的伸出部分，在這種伸出部分上形成有多個接線柱908。這些接線柱908是在基板905a上形成電極907a時與電極907a同時形成的。因此，這些接線柱908，例如可以用ITO形成。在這些接線柱908上含有自電極907a一體延伸的部分，和通過導(dǎo)電性材料(圖中未示出)連接到電極907b上的部分。
在電路基板903上，于配線基板909上所定位置處安裝有作為液晶驅(qū)動IC用的半導(dǎo)體元件900。其中雖然省略了圖示，但是也可以在安裝半導(dǎo)體元件900部位以外的部位上所定位置處安裝電阻、電容器和其他芯片零件。配線基板909，可以采用將例如聚酰亞胺等具有柔性的基礎(chǔ)基板911上形成的Cu等金屬膜圖案化，形成配線圖案912的方式而制造。
本實施方式中，液晶板902中的電極907a、907b以及電路基板903中的配線圖案912都可以采用上述器件的制造方法所形成。
根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置，可以得到可以消除了電特性不均勻的高品質(zhì)液晶顯示裝置。
另外，上述實例雖然是無源型液晶板，但是也可以制成有源矩陣型液晶板。也就是說，在一塊基板上形成薄膜晶體管(TFT)，并就各TFT形成像素電極。而且像上述那樣利用噴墨技術(shù)形成與各TFT電連接配線(柵極配線和源配線)。另一方面在對基板上形成對向電極等。本發(fā)明也能適用于這種有源矩陣型液晶板上。
而且作為本發(fā)明涉及的器件(電光學(xué)裝置)，除上述的以外還可以適用于PDP(等離子體顯示板)、以及通過使電流以與膜面平行地流過在基板上形成的小面積薄膜，以利用產(chǎn)生電子放出現(xiàn)象的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子放出元件等之中。
(電子儀器)以下說明本發(fā)明的電子儀器的具體實例。
圖25A是表示一種移動電話機實例的立體圖。在圖25A中，符號600表示移動電話機主體，符號601表示備有上述實施方式液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖25B是表示一種文字處理機和個人計算機等便攜式信息處理裝置之一例的立體圖。在圖25B中，符號700表示信息處理裝置，符號701表示鍵盤等輸入部，符號703表示信息處理機的主體，符號702表示備有上述實施方式液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖25C是表示一種手表型電子儀器之一例的立體圖。在圖25C中，符號800表示儀器主體，符號801表示備有上述實施方式液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖25A～圖25C所示的電子儀器，由于備有上述實施方式的液晶顯示裝置，所以可以獲得高的品質(zhì)和性能。
另外，本實施方式的電子儀器雖然是備有液晶裝置的，但是也可以制成備有有機電致發(fā)光顯示裝置、等離子體顯示裝置等其他電光學(xué)裝置的電子儀器。
以下說明將采用本發(fā)明的圖案形成方法形成的圖案適用于天線電路上的實例。
圖26是表示本實施方式涉及的非接觸型卡式介質(zhì)，非接觸型卡式介質(zhì)400，其結(jié)構(gòu)為在由卡式基體402和卡式蓋片418構(gòu)成的筐體內(nèi)，內(nèi)藏有半導(dǎo)體集成電路芯片408和天線電路412，可以從圖中未示出的外部信號接收機與電磁波或靜電電容結(jié)合的至少一種結(jié)合方式供給電力或者進(jìn)行數(shù)據(jù)接收之一方。
本實施方式中，上述天線電路412，可以用本發(fā)明的圖案形成方法而形成的。因此，可以實現(xiàn)上述天線電路412的微細(xì)化或細(xì)線化，獲得高的品質(zhì)和性能。
以上雖然是參照

了本發(fā)明涉及的優(yōu)選實施方式，但是本發(fā)明當(dāng)然并不限于這些實例。上述實例中所示的各種構(gòu)成部件的各種形狀和組合等僅僅是一種例示，在不超出本發(fā)明要點的范圍內(nèi)能夠根據(jù)設(shè)計要求做出各種變更。
權(quán)利要求
1.一種圖案形成方法，在具有由圍堰所區(qū)分的區(qū)域的基板上配置功能液而形成所定圖案，其特征在于，包括在所述基板上形成所述圍堰的工序，使得由所述圍堰所區(qū)分的區(qū)域包括寬度比所述功能液的液滴直徑要小的第二區(qū)域、和與該第二區(qū)域鄰接并且寬度比所述功能液的液滴直徑要大的第一區(qū)域；和采用液滴噴出法，在所述第一區(qū)域以及所述第二區(qū)域上噴出所述功能液的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域的寬度是所述第二區(qū)域的寬度的110～500％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域在與其他圖案交叉的部分中形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述第二區(qū)域在與其他圖案交叉的部分中形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案形成方法，其特征在于，所述功能液含有導(dǎo)電性微粒。
6.一種在基板上形成圖案而構(gòu)成的器件的制造方法，其特征在于，采用權(quán)利要求1所述的圖案形成方法在所述基板上形成所述圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件的制造方法，其特征在于，所述圖案構(gòu)成被設(shè)置在所述基板上的開關(guān)元件的一部分。
8.一種有源矩陣型基板的制造方法，其特征在于，具有在基板形成柵極配線的第一工序；在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜的第二工序；借助于所述柵極絕緣膜層疊半導(dǎo)體層的第三工序；在所述柵極絕緣層上形成源電極和漏電極的第四工序；在所述源電極和所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；和形成與所述源電極電連接的像素電極的第六工序；其中，至少在所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序的至少一個工序中采用權(quán)利要求1所述的圖案形成方法。
9.一種圖案形成方法，采用液滴噴出法在基板上噴出功能液而形成所定圖案，其特征在于，包括在所述基板上形成圍堰，以使具有比所述功能液飛翔直徑大的寬度的幅寬區(qū)域與具有比該幅寬區(qū)域窄的寬度的幅窄區(qū)域連接而配置的工序；和通過只在所述幅寬區(qū)域噴出所述功能液，使所述功能液流入所述幅窄區(qū)域，在所述幅寬區(qū)域和所述幅窄區(qū)域配置所述功能液的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法，其特征在于，在作為所述幅寬區(qū)域的一部分且所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的延長部分重疊的重疊區(qū)域上噴出所述功能液。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法，其特征在于，在噴出所述功能液包圍作為所述幅寬區(qū)域的一部分且所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的延長部分重疊的重疊區(qū)域之后，在所述重疊區(qū)域上噴出所述功能液。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖案形成方法，其特征在于，所述功能液含有導(dǎo)電性微粒。
13.一種在基板上形成圖案而構(gòu)成的器件的制造方法，其特征在于，采用權(quán)利要求9所述的圖案形成方法在所述基板上形成所述圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件的制造方法，其特征在于，所述圖案構(gòu)成被設(shè)置在所述基板上的開關(guān)元件的一部分。
15.一種有源矩陣型基板的制造方法，其特征在于，具有在基板形成柵極配線的第一工序；在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜的第二工序；借助于所述柵極絕緣膜層疊半導(dǎo)體層的第三工序；在所述柵極絕緣層上形成源電極和漏電極的第四工序；在所述源電極和所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；和形成與所述源電極電連接的像素電極的第六工序；其中，至少在所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序的至少一個工序中采用權(quán)利要求9所述的圖案形成方法。
16.一種圖案形成方法，采用液滴噴出法在基板上噴出功能液而形成所定圖案，其特征在于，包括在所述基板上形成圍堰，以使具有比所述功能液飛翔直徑大的寬度的幅寬區(qū)域與具有比所述功能液飛翔直徑小的寬度的幅窄區(qū)域連接而配置的工序；和通過在所述幅寬區(qū)域噴出所述功能液，使所述功能液流入所述幅窄區(qū)域，在所述幅寬區(qū)域和所述幅窄區(qū)域配置所述功能液的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其特征在于，在作為所述幅寬區(qū)域的一部分且所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的延長部分重疊的重疊區(qū)域上噴出所述功能液。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其特征在于，在噴出所述功能液包圍作為所述幅寬區(qū)域的一部分且所述幅寬區(qū)域與所述幅窄區(qū)域的延長部分重疊的重疊區(qū)域之后，在所述重疊區(qū)域上噴出所述功能液。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的圖案形成方法，其特征在于，所述功能液含有導(dǎo)電性微粒。
20.一種在基板上形成圖案而構(gòu)成的器件的制造方法，其特征在于，采用權(quán)利要求16所述的圖案形成方法在所述基板上形成所述圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件的制造方法，其特征在于，所述圖案構(gòu)成被設(shè)置在所述基板上的開關(guān)元件的一部分。
22.一種有源矩陣型基板的制造方法，其特征在于，具有在基板形成柵極配線的第一工序；在所述柵極配線上形成柵極絕緣膜的第二工序；借助于所述柵極絕緣膜層疊半導(dǎo)體層的第三工序；在所述柵極絕緣層上形成源電極和漏電極的第四工序；在所述源電極和所述漏電極上配置絕緣材料的第五工序；和形成與所述源電極電連接的像素電極的第六工序；其中，至少在所述第一工序、所述第四工序和所述第六工序的至少一個工序中采用權(quán)利要求16所述的圖案形成方法。
全文摘要
本發(fā)明的圖案形成方法，在具有由圍堰所區(qū)分的區(qū)域的基板上配置功能液而形成所定圖案，包括在所述基板上形成所述圍堰的工序，使得由所述圍堰所區(qū)分的區(qū)域包括寬度比所述功能液的液滴直徑要小的第二區(qū)域、和與該第二區(qū)域鄰接并且寬度比所述功能液的液滴直徑要大的第一區(qū)域；和采用液滴噴出法，在所述第一區(qū)域以及所述第二區(qū)域上噴出所述功能液的工序。
文檔編號H01L21/70GK1967781SQ20061016241
公開日2007年5月23日 申請日期2004年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月28日
發(fā)明者平井利充, 御子柴俊明 申請人:精工愛普生株式會社