專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，更具體而言，涉及具有劃分為多個(gè)域的像素的垂直配向液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種廣泛應(yīng)用的平板顯示器。LCD可以包括兩個(gè)基板和插置于其間的液晶(LC)層，所述基板包括諸如像素電極和公共電極的場(chǎng)發(fā)生電極。LCD將電壓施加到場(chǎng)發(fā)生電極上以在LC層中產(chǎn)生電場(chǎng)，電場(chǎng)決定著LC層中LC分子的取向以調(diào)節(jié)入射光的偏振，從而顯示出圖像。
垂直配向(VA)模式LCD具有高對(duì)比率和寬基準(zhǔn)視角，其將LC分子配向?yàn)椋跊]有電場(chǎng)的情況下使LC分子的長(zhǎng)軸垂直于基板。將基準(zhǔn)視角定義為使對(duì)比率等于1∶10的視角，或者灰度之間的亮度反轉(zhuǎn)極限角。
例如，可以通過場(chǎng)發(fā)生電極內(nèi)的切口和場(chǎng)發(fā)生電極上的突起實(shí)現(xiàn)VA模式LCD的寬視角。所述切口和突起能夠決定LC分子的傾斜方向?？梢岳盟銮锌诤屯黄鹗顾鰞A斜方向散布為幾個(gè)方向，因而能夠拓寬基準(zhǔn)視角。
在常規(guī)LCD中，可以利用諸如(例如)切口和突起的域劃分機(jī)構(gòu)排列域單元內(nèi)的LC分子，由此實(shí)現(xiàn)寬視角。但是，設(shè)置于像素電極的附近并沿縱向延伸的數(shù)據(jù)線不能與LC分子的傾斜方向重合，否則將可能產(chǎn)生數(shù)據(jù)線的織紋(texture)，導(dǎo)致光泄漏。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種液晶顯示器，其能夠防止產(chǎn)生瞬時(shí)殘余圖像，并且能夠獲得高開口率和提高的寬視角。
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種制造液晶顯示屏板的方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種液晶顯示器包括薄膜晶體管(TFT)屏板，其包括具有橫向長(zhǎng)度大于縱向長(zhǎng)度的矩形形狀的像素電極，所述像素電極包括第一域劃分部，并且具有相對(duì)于穿過所述像素電極的中心的橫向長(zhǎng)軸對(duì)稱布置的上半部分和下半部分；公共電極屏板，其包括面對(duì)所述像素電極的公共電極，所述公共電極包括與所述第一域劃分部平行布置的第二域劃分部；以及插置于所述TFT屏板和所述公共電極屏板之間的液晶層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種液晶顯示器包括絕緣基板；形成于所述絕緣基板上的多條柵極線；與所述多條柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線；以矩陣的形式形成于所述絕緣基板上的多個(gè)像素電極，每一所述像素電極具有平行于所述多條柵極線的第一側(cè)邊和短于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊與所述第一側(cè)邊鄰接；面對(duì)所述多個(gè)像素電極的公共電極；以及插置于所述多個(gè)像素電極和所述公共電極屏板之間的具有液晶分子的液晶層，其中，所述液晶層包括第一域組和第二域組，所述第一域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約135度角或大約-45度角配向的液晶分子，所述第二域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約-135度角或大約45度角配向的液晶分子。


從以下結(jié)合附圖的描述可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示范性實(shí)施例，附圖中圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)的薄膜晶體管(TFT)屏板的布局圖；圖1B是沿圖1A的Ib-Ib′線得到的TFT屏板的截面圖；圖1C是沿圖1A的Ic-Ic′線和Ic′-Ic″線得到的TFT屏板的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的公共電極屏板的布局圖；圖3A是包括圖1A所示的TFT屏板和圖2所示的公共電極屏板的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖；圖3B是沿圖3A的IIIb-IIIb′線得到的LCD的截面圖；圖3C是圖3A所示的LCD的象素陣列的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的TFT屏板的布局圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的公共電極屏板的布局圖；圖6是包括圖4所示的TFT屏板和圖5所示的公共電極屏板的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照附圖更為充分地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。不過，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，不應(yīng)被視為受限于此處所述的實(shí)施例。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，液晶顯示器包括具有由柵極線和數(shù)據(jù)線界定的TFT的薄膜晶體管(TFT)屏板、與所述TFT屏板隔開并與之面對(duì)的包括公共電極的公共電極屏板以及插置在所述TFT屏板和所述公共電極屏板之間的液晶層。將液晶層內(nèi)的LC分子的長(zhǎng)軸設(shè)置為基本垂直于所述屏板。
將參考圖1A到圖1C描述薄膜晶體管(TFT)屏板100。圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)的薄膜晶體管(TFT)屏板的布局圖。圖1B是沿圖1A的Ib-Ib′線得到的TFT屏板的截面圖。圖1C是沿圖1A的Ic-Ic′線和Ic′-Ic″線得到的TFT屏板的截面圖。
在絕緣基板10上沿橫向形成柵極線22，將柵電極26以突起的形式連接至柵極線22。在柵極線22的末端形成柵極線端子24，其用于施加來(lái)自另一層或外部電路的柵極信號(hào)，以及將接收到的柵極信號(hào)傳輸至柵極線22。柵極線端子24的寬度大到足以用來(lái)連接外部電路。柵極線22、柵極線端子24和柵電極26構(gòu)成了柵極線路(22、24、26)。
在絕緣基板10上形成基本沿跨越像素區(qū)的橫向延伸的存儲(chǔ)電極線28。沿域劃分部83形成從存儲(chǔ)電極線28分支出來(lái)的存儲(chǔ)電極29，域劃分部83用于將像素電極82劃分為多個(gè)域。存儲(chǔ)電極線28和存儲(chǔ)電極29構(gòu)成了存儲(chǔ)電極線路(28、29)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，為了提高LCD的開口率，存儲(chǔ)電極線28跨越像素電極82的中心沿橫向延伸，從而與柵極線22基本平行，所形成的存儲(chǔ)電極29與域劃分部83重疊。在本發(fā)明的實(shí)施例中，存儲(chǔ)電極29和存儲(chǔ)電極線28的形狀和結(jié)構(gòu)可以變化，只要能夠相對(duì)于像素電極82建立預(yù)定的存儲(chǔ)電容即可。
柵極線路(22、24、26)和存儲(chǔ)電極線路(28、29)可以包括，例如，諸如Al和Al合金的含有Al的金屬、諸如Ag和Ag合金的含有Ag的金屬、諸如Cu和Cu合金的含有Cu的金屬、諸如Mo和Mo合金的含有Mo的金屬、Cr、Ti或Ta。柵極線路(22、24、26)和存儲(chǔ)電極線路(28、29)可以具有包括兩個(gè)具有不同物理特性的導(dǎo)電膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。所述兩個(gè)膜中的一個(gè)可以是包括(例如)含Al金屬、含Ag金屬和含Cu金屬的低電阻率金屬，從而降低柵極線路(22、24、26)和存儲(chǔ)電極線路(28、29)中的信號(hào)延遲或電壓降。另一個(gè)膜可以包括諸如(例如)含Mo金屬、Cr、Ta或Ti的材料，其具有良好的物理和化學(xué)特性，并與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其他材料具有良好的電接觸特性。兩個(gè)膜的組合的例子為下方Cr膜和上方Al(或Al合金)膜以及下方Al(或Al合金)膜和上方Mo(或Mo合金)膜。柵極線路(22、24、26)可以包括各種金屬或?qū)w。
在柵極線路(22、24、26)和存儲(chǔ)電極線路(28、29)上形成柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成包括，例如，氫化非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體層40。可以按照諸如島狀或條狀的各種形狀形成半導(dǎo)體層40。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以將半導(dǎo)體層40形成為在數(shù)據(jù)線62之下柵電極26之上延伸的島狀。在形成條狀半導(dǎo)體層40時(shí)，可以將半導(dǎo)體層40設(shè)置于數(shù)據(jù)線62之下，并使其一直延伸到柵電極26。
在半導(dǎo)體層40上形成歐姆接觸層55和56，歐姆接觸層55和56包括，例如，硅化物或其內(nèi)高度摻雜了n型雜質(zhì)的n+非晶甲硅烷(silicon hydride)。歐姆接觸層55和56可以具有包括(例如)島狀和條狀的各種形狀。例如，在將歐姆接觸層55和56形成為島狀時(shí)，使歐姆接觸層55和56的位置處于源電極65和漏電極66之下。在形成條狀歐姆接觸層55和56時(shí)，歐姆接觸層55和56可以在數(shù)據(jù)線62之下延伸。
在歐姆接觸層55和56以及柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)線62和漏電極66。數(shù)據(jù)線62縱向延伸，并與柵極線22交叉以界定像素。由數(shù)據(jù)線62和柵極線22界定的每一像素的橫向長(zhǎng)度長(zhǎng)于縱向長(zhǎng)度。換言之，所述像素具有基本為矩形的形狀，兩個(gè)相鄰柵極線22之間的距離小于兩個(gè)相鄰數(shù)據(jù)線62之間的距離。源電極65以分支的形式從數(shù)據(jù)線62伸出，并在半導(dǎo)體層40上延伸。在數(shù)據(jù)線62的末端形成數(shù)據(jù)線端子68，其用于施加來(lái)自另一層或外部電路的數(shù)據(jù)信號(hào)，并且將接收到的柵極信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)線62。數(shù)據(jù)線端子68的寬度大到足以連接至外部電路。漏電極66與源電極65隔開，并且位于半導(dǎo)體層40上。所形成的漏電極66相對(duì)于柵電極26與源電極65相對(duì)。
漏電極66包括位于半導(dǎo)體層40上的條形圖案和從所述條形圖案延伸出來(lái)的具有足夠大的面積的漏電極焊盤67。接觸孔76位于漏電極焊盤67內(nèi)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，漏電極焊盤67可以位于像素區(qū)域的中心。通過接觸孔76與像素電極82電連接的漏電極焊盤67可以與存儲(chǔ)電極線路(28、29)部分重疊。漏電極焊盤67的形成和布局可以發(fā)生變化，只要能夠相對(duì)于像素電極82建立預(yù)定存儲(chǔ)電容即可。數(shù)據(jù)線62、數(shù)據(jù)線端子68、源電極65、漏電極66和漏電極焊盤67構(gòu)成了數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)線路(62、65、66、67、68)。
數(shù)據(jù)線路(62、65、66、67、68)可以包括，例如，鉻(Cr)、含有鉬(Mo)的金屬、以及諸如鉭(Ta)或鈦(Ti)的難熔金屬。可以將數(shù)據(jù)線路(62、65、66、67、68)形成為單層或包括由難熔金屬膜構(gòu)成的下方膜(未示出)和低電阻率上方膜(未示出)的多層。所述多層的例子包括具有下方Cr膜和上方Al(或Al合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)、具有下方Al(或Al合金)膜和上方Mo(或Mo合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)以及具有下方Mo膜、中間Al膜和上方Mo膜的三層結(jié)構(gòu)。
源電極65的至少一部分與半導(dǎo)體層40重疊，面對(duì)源電極65的漏電極66的至少一部分與半導(dǎo)體層40重疊。在下部半導(dǎo)體層40與上部源電極65和漏電極66每者之間插置歐姆接觸層55和56，以降低其間的接觸電阻。
在數(shù)據(jù)線62、漏電極66和所暴露的半導(dǎo)體層40上形成包括絕緣層的鈍化層70。鈍化層70可以包括(例如)諸如氮化硅或氧化硅的無(wú)機(jī)絕緣體，具有良好平坦度特征的感光有機(jī)材料，或者諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料，鈍化層70可以通過等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)形成?；蛘撸瑸榱吮Ｗo(hù)暴露的半導(dǎo)體層40，并保持其有機(jī)特性，可以將鈍化層70形成為具有下方無(wú)機(jī)層和上方有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)。
在鈍化層70內(nèi)形成分別暴露漏電極焊盤67和數(shù)據(jù)線端子68的接觸孔76和78。在鈍化層70和柵極絕緣層30內(nèi)形成暴露柵極線端子24的接觸孔74。
根據(jù)像素形狀在鈍化層70上形成像素電極82。像素電極82可以具有基本為矩形的形狀，其橫向長(zhǎng)度大于其縱向長(zhǎng)度?？梢酝ㄟ^域劃分部83劃分像素電極82，域劃分部83相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度的角。域劃分部83包括相對(duì)于穿過像素電極82的中心的橫向長(zhǎng)軸界定的上半部分和下半部分。所述上半部分相互平行，所述下半部分也相互平行。所述上半部分和所述下半部分相對(duì)于柵極線22成某一角度。例如，所述上半部分相對(duì)于柵極線22成大約-45度角，所述下半部分相對(duì)于柵極線22成大約45度角。上半部分和下半部分每者相對(duì)于橫向長(zhǎng)軸相互獨(dú)立(separately)布置。在本發(fā)明的實(shí)施例中，域劃分部83可以是，例如，沿斜向設(shè)置的多個(gè)切口。在本發(fā)明的備選實(shí)施例中，可以在所述像素電極82上形成突起。
此外，還在鈍化層70上形成分別通過接觸孔74和78連接至柵極線端子24和數(shù)據(jù)線端子68的輔助柵極線端子86和輔助數(shù)據(jù)線端子88。像素電極82、輔助柵極線端子86和輔助數(shù)據(jù)線端子88包括，例如，諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或諸如Al的反射導(dǎo)體。輔助柵極線端子86和輔助數(shù)據(jù)線端子88是對(duì)外部電路裝置的補(bǔ)充附著體。
像素電極82通過接觸孔76從物理和電的角度連接至漏電極66，并從漏電極66接收數(shù)據(jù)電壓。
可以在像素電極82、輔助柵極線端子86和輔助數(shù)據(jù)線端子88、以及鈍化層70上形成用于LC分子的配向的配向膜(未示出)。
將參考圖2到圖3C描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的公共電極屏板200和包括公共電極屏板200的LCD。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的公共電極屏板的布局圖。圖3A是包括圖1A所示的TFT屏板和圖2所示的公共電極屏板的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖。圖3B是沿圖3A的IIIb-IIIb′線得到的LCD的截面圖。圖3C是圖3A所示的LCD的象素陣列的示意圖。
參考圖2到圖3B，在包括諸如玻璃的透明絕緣材料的絕緣基板96上形成防止光泄漏的黑矩陣94?？梢栽诨灼涟寤迳系矸e不透明材料，并對(duì)其蝕刻，由此形成黑矩陣94。黑矩陣94通過防止光泄漏提高圖像質(zhì)量。依次排列紅色、綠色和藍(lán)色濾色器98，以形成單位像素。所述紅色、綠色和藍(lán)色濾色器98主要布置在像素區(qū)域內(nèi)未形成黑矩陣94的區(qū)域上，其有選擇地透射具有預(yù)定波長(zhǎng)范圍的光。如圖3C所示，由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD具有橫向長(zhǎng)于縱向的像素，因此能夠沿?cái)?shù)據(jù)線D1、D2、......Dm依次重復(fù)排列紅色、綠色和藍(lán)色濾色器98。為了降低抖動(dòng)，可以通過，例如，“1點(diǎn)反轉(zhuǎn)(dot inversion)”法、“2點(diǎn)反轉(zhuǎn)法”或“(1+2)點(diǎn)反轉(zhuǎn)”法驅(qū)動(dòng)所述LCD。
在濾色器98上形成公共電極90，其包括諸如(例如)ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料并具有域劃分部92。
面對(duì)像素電極82的公共電極90具有域劃分部92，所述域劃分部92相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度的角。域劃分部92具有相對(duì)于穿過像素電極82的中心的橫向長(zhǎng)軸界定的上部和下部。所述上部互相平行，所述下部也互相平行。所述像素電極82的橫向長(zhǎng)于縱向。在本發(fā)明的實(shí)施例中，域劃分部92可以是，例如，沿斜向設(shè)置的多個(gè)切口。在本發(fā)明的備選實(shí)施例中，可以將形成于公共電極90上的突起設(shè)置為域劃分部92。
如圖3A所示，域劃分部83和域劃分部92將像素區(qū)劃分為多個(gè)域。域劃分部83和92可以是切口或突起。相對(duì)于穿過像素電極82的中心的橫向長(zhǎng)軸，沿縱向劃分像素電極82的域。像素電極82的橫向長(zhǎng)度長(zhǎng)于像素電極82的縱向長(zhǎng)度?？梢匝貦M向長(zhǎng)軸形成存儲(chǔ)電極線28。在橫向長(zhǎng)軸和柵極線22之間沿斜向形成域劃分部83和92。將像素電極82的域劃分到橫向當(dāng)中。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以在沿柵電極22的橫向內(nèi)交替布置像素電極82的域劃分部83和公共電極90的域劃分部92。在一實(shí)施例中，在像素電極82的中心形成公共電極90的域劃分部92，在公共電極90的域劃分部92的兩側(cè)(both sides)形成像素電極82的域劃分部83，在像素電極82的域劃分部83的另一側(cè)(either side)形成公共電極90的另一域劃分部92。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素電極82包括由存儲(chǔ)電極線28以及域劃分部83和92劃分的8個(gè)域。在本發(fā)明的備選實(shí)施例中，所述域可以多于或少于八(8)個(gè)。
可以在公共電極90和濾色器98之間插置涂覆層(未示出)，所述涂覆層是包括有機(jī)材料的絕緣層。所述涂覆層使公共電極屏板200平面化。在備選實(shí)施例中，可以省略涂覆層?？梢栽诠搽姌O90上涂覆對(duì)液晶分子配向的配向膜(未示出)。
參考圖3A，在像素電極82的中心設(shè)置與公共電極90的域劃分部92重疊的漏電極焊盤67，以提高開口率。漏電極焊盤67可以具有各種形狀和布局。
參考圖3B，將TFT屏板100和面對(duì)TFT屏板100的公共電極屏板200對(duì)準(zhǔn)并相互連接，并在其間插置包括液晶分子的液晶層300。
對(duì)液晶層300中的液晶分子配向，使得在TFT屏板100和公共電極屏板200之間不存在外加電場(chǎng)的情況下，液晶分子的長(zhǎng)軸基本垂直于TFT屏板100和公共電極屏板200。在實(shí)施例中，液晶層300具有負(fù)介電各向異性。對(duì)準(zhǔn)TFT屏板100和公共電極屏板200，使得像素電極82與對(duì)應(yīng)的濾色器98完全重疊。可以通過像素電極82的域劃分部83和公共電極90的域劃分部92將像素區(qū)域劃分為多個(gè)域。一旦施加由包含在液晶層300內(nèi)的液晶分子產(chǎn)生的初始電場(chǎng)，就可以根據(jù)傾斜方向?qū)⑺鱿袼貐^(qū)域劃分為多個(gè)域。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD還可以包括偏振屏板、背光和補(bǔ)償屏板。
可以將包括一對(duì)偏振器的偏振屏板安裝到LCD的外表面，使得每一偏振器的透射軸1成十字交叉(crossed)?？梢詫⑺鲆粚?duì)偏振器的位置確定為使所述偏振器的透射軸1基本平行于柵極線22。
參考圖3A，向液晶層300施加電場(chǎng)在相應(yīng)的域中提供了沿基本垂直于域劃分部83和92的方向傾斜的液晶分子。因此，相應(yīng)域內(nèi)的液晶分子相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度角。在域劃分部83和92之間產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)促進(jìn)了包含在相應(yīng)域內(nèi)的液晶分子的配向。
現(xiàn)在將參考圖3A描述根據(jù)液晶分子的傾斜方向由域劃分部83和92劃分的多個(gè)域。相對(duì)于通過像素電極82的中心的橫向長(zhǎng)軸沿縱向?qū)⑾袼仉姌O82劃分為第一和第二域組。所述第一域組包括相對(duì)于柵極線22以大約135度角配向的多個(gè)域A和相對(duì)于柵極線22以大約-45度角配向的多個(gè)域B。所述第二域組包括相對(duì)于柵極線22以大約-135度角配向的多個(gè)域C和相對(duì)于柵極線22以大約45度角配向的多個(gè)域D。如圖3A所示，可以將第一域組排列為使所述多個(gè)域A中的每一個(gè)和所述多個(gè)域B中的每一個(gè)交替排列?？梢园凑?，例如，A-B-A-B的順序排列交替選自域A和域B的域。可以將第二域組排列為使多個(gè)域C中的每一個(gè)和多個(gè)域D中的每一個(gè)交替排列?？梢园凑眨?，C-D-C-D的順序排列交替選自域C和域D的域。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD防止了產(chǎn)生織紋和光泄漏。
像素電極82可以具有基本為矩形的形狀，其橫向長(zhǎng)度大于其縱向長(zhǎng)度。存儲(chǔ)電極線28跨越像素電極82的中心，從而使存儲(chǔ)電極線28基本平行于柵極線22延伸。設(shè)置于像素電極82內(nèi)的域劃分部83相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或-45度的角。在面對(duì)像素電極82的公共電極90內(nèi)，域劃分部92相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度的角。在這樣一種方法中，可以采用像素電極82以及域劃分部83和92將像素分隔為多個(gè)域。
在像素電極82和公共電極90之間的電壓差的作用下，向液晶分子施加電場(chǎng)，這時(shí)相應(yīng)域內(nèi)的液晶分子沿垂直于域劃分部83和92的方向傾斜。因此，相應(yīng)域內(nèi)的液晶分子以相對(duì)于偏振器的透射軸1大約45度或大約-45度的角度傾斜。
根據(jù)實(shí)施例的LCD能夠通過將像素劃分為多個(gè)域?qū)崿F(xiàn)寬視角，并且能夠利用域劃分部83和92降低所占據(jù)的面積，由此提提高高開口率?？梢酝ㄟ^調(diào)整形成于像素電極82上的域劃分部83和形成于公共電極90上的域劃分部92之間的距離抑制瞬時(shí)殘留圖像。
在LCD中，織紋可能導(dǎo)致光泄漏。所述織紋可能產(chǎn)生于沿縱向延伸的數(shù)據(jù)線62的附近，因?yàn)橐ㄟ^數(shù)據(jù)線62傳輸較高的數(shù)據(jù)電壓。高數(shù)據(jù)電壓在數(shù)據(jù)線62的附近產(chǎn)生了橫向電場(chǎng)。因此，在向位于數(shù)據(jù)線62附近的液晶分子施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子既受由數(shù)據(jù)線62產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)的影響，又受由沿斜向延伸的域劃分部83和92產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)的影響。單個(gè)域內(nèi)的液晶分子的傾斜方向?qū)⒒ゲ徊煌瑥亩鴮?dǎo)致了織紋和光泄漏。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD中，由于像素電極82的橫向長(zhǎng)度長(zhǎng)于其縱向長(zhǎng)度，因此可以通過降低與數(shù)據(jù)線62相鄰的像素電極82的面積抑制由數(shù)據(jù)線62產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)導(dǎo)致的織紋的產(chǎn)生。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD中，在采用包括無(wú)機(jī)材料的鈍化層70時(shí)，具有存儲(chǔ)電極線28的分支的形式的存儲(chǔ)電極29可以與域劃分部83重疊，由此將形成于像素電極82上的域劃分部83的寬度降至大約6μm或更低。換言之，由于包括無(wú)機(jī)材料的鈍化層70具有較小的厚度，因此能夠增強(qiáng)由存儲(chǔ)電極29產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)的效果。因此，即使將域劃分部83的寬度降低至大約6μm或更低，也能夠通過在域劃分部83之下形成存儲(chǔ)電極29而獲得足夠的橫向電場(chǎng)。
將參考圖4到圖6描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的TFT屏板的布局圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的公共電極屏板的布局圖。圖6是包括圖4所示的TFT屏板和圖5所示的公共電極屏板的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖。除了下述內(nèi)容以外，根據(jù)本實(shí)施例的液晶顯示屏板與根據(jù)結(jié)合圖1到圖3C描述的實(shí)施例的液晶顯示屏板具有基本類似的構(gòu)造。
參考圖4到圖6，通過域劃分部483將像素電極82劃分為多個(gè)域，所述域劃分部483相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度角。在像素電極82的中央形成像素電極82的域劃分部483。通過域劃分部592將公共電極90劃分為多個(gè)域，域劃分部592相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或大約-45度角。在像素電極82的域劃分部483的兩側(cè)形成公共電極90的域劃分部592。在實(shí)施例中，在像素電極82上或在公共電極90上沿斜向設(shè)置切口。在實(shí)施例中，可以在像素電極82或公共電極90上設(shè)置作為域劃分部的突起?？梢酝ㄟ^像素電極82的域劃分部483和公共電極90的域劃分部592將像素電極82劃分為多個(gè)域。
將參考圖6描述根據(jù)液晶分子的傾斜方向由域劃分部483和592劃分的多個(gè)域。相對(duì)于通過像素電極82的中心的橫向長(zhǎng)軸沿縱向?qū)⑾袼仉姌O82劃分為第一和第二域組。在實(shí)施例中，所述第一域組包括相對(duì)于柵極線22以大約135度角配向的多個(gè)域A和相對(duì)于柵極線22以大約-45度角配向的多個(gè)域B。所述第二域組包括相對(duì)于柵極線22以大約-135度角配向的多個(gè)域C和相對(duì)于柵極線22以大約45度角配向的多個(gè)域D。如圖6所示，可以將第一域組排列為使所述多個(gè)域A中的每一個(gè)和所述多個(gè)域B中的每一個(gè)交替排列。可以按照，例如，B-A-B-A的順序排列交替選自域A和B的域?？梢詫⒌诙蚪M排列為使多個(gè)域C中的每一個(gè)和多個(gè)域D中的每一個(gè)交替排列?？梢园凑?，例如，D-C-D-C的順序排列交替選自域C和域D的域。
根據(jù)實(shí)施例的LCD能夠?qū)⑾袼貏澐譃槎鄠€(gè)域，并能夠利用域劃分部483和592降低所占據(jù)的面積以提提高開口率，由此實(shí)現(xiàn)了寬視角。此外，可以通過調(diào)整形成于像素電極82上的域劃分部483和形成于公共電極90上的域劃分部592之間的距離抑制瞬時(shí)殘留圖像。
由于像素電極82的橫向長(zhǎng)度長(zhǎng)于其縱向長(zhǎng)度，因此能夠通過降低與數(shù)據(jù)線62相鄰的像素電極82的面積抑制由數(shù)據(jù)線62生成的橫向電場(chǎng)導(dǎo)致的織紋的產(chǎn)生。
在采用具有包括無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的雙層結(jié)構(gòu)的鈍化層70，并且鈍化層70具有較大的厚度時(shí)，由存儲(chǔ)電極29產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)的效果可能不顯著。因此，為了獲得足夠的橫向電場(chǎng)，可以將域劃分部83的寬度降低至10μm左右或更低。
將參考圖7描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器。圖7是本發(fā)明的實(shí)施例的LCD的布局圖。除了下述內(nèi)容以外，本實(shí)施例中的液晶顯示屏板與根據(jù)結(jié)合圖1到圖3C描述的實(shí)施例的液晶顯示屏板具有基本類似的構(gòu)造。
參考圖7，每一數(shù)據(jù)線762包括彎曲部分和縱向部分。數(shù)據(jù)線762的彎曲部分相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或-45度的角。因此，對(duì)于域劃分部83和92以及數(shù)據(jù)線762而言，能夠產(chǎn)生相同方向的橫向電場(chǎng)，由此防止在數(shù)據(jù)線762附近產(chǎn)生由液晶分子的反常配向?qū)е碌目椉y。
將參考圖8描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器。圖8為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD的布局圖。除了下述內(nèi)容以外，本實(shí)施例中的液晶顯示屏板與結(jié)合圖4到圖6描述的實(shí)施例中的液晶顯示屏板具有基本類似的構(gòu)造。
參考圖8，每一數(shù)據(jù)線862包括彎曲部分和縱向部分。數(shù)據(jù)線862的彎曲部分相對(duì)于偏振器的透射軸1成大約45度或-45度的角。因此，對(duì)于域劃分部483和592以及數(shù)據(jù)線862而言，能夠產(chǎn)生相同方向的橫向電場(chǎng)，由此防止在數(shù)據(jù)線862附近產(chǎn)生由液晶分子的反常配向?qū)е碌目椉y。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例能夠防止產(chǎn)生瞬時(shí)殘余圖像和織紋，并且能夠獲得高開口率和寬視角。
雖然已經(jīng)參考附圖描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不應(yīng)局限于這些明確的實(shí)施例，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出各種變化和修改。由權(quán)利要求界定的本發(fā)明的范圍意在包含所有的此類變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括薄膜晶體管屏板，其包括具有橫向長(zhǎng)度大于縱向長(zhǎng)度的矩形形狀的像素電極，所述像素電極包括第一域劃分部，并且具有相對(duì)于穿過所述像素電極的中心的橫向長(zhǎng)軸對(duì)稱布置的上半部分和下半部分；公共電極屏板，其包括面對(duì)所述像素電極的公共電極，所述公共電極包括與所述第一域劃分部平行布置的第二域劃分部；以及液晶層，其插置于所述薄膜晶體管屏板和所述公共電極屏板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括分別附著在所述薄膜晶體管屏板和所述公共電極屏板的外表面上的第一和第二偏振器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二域劃分部相對(duì)于每一所述偏振器的透射軸成大約45度或大約-45度角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，在所述第一和第二域劃分部中，相對(duì)于所述偏振器的透射軸成大約45度角的部分和相對(duì)于所述偏振器的透射軸成大約-45度角的部分相對(duì)于所述橫向長(zhǎng)軸相互獨(dú)立布置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二域劃分部交替布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二域劃分部位于所述像素電極的中央，所述第一域劃分部位于所述第二域劃分部的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，還包括設(shè)置于所述薄膜晶體管屏板上的，與所述像素電極一起形成存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)電極線路，其中，所述存儲(chǔ)電極線路包括沿穿過所述像素電極的中心的所述橫向長(zhǎng)軸延伸的存儲(chǔ)電極線和從所述存儲(chǔ)電極線分支出來(lái)的與所述第一域劃分部重疊的存儲(chǔ)電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一域劃分部位于所述像素電極的中央，所述第二域劃分部位于所述第一域劃分部的兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，還包括設(shè)置于所述薄膜晶體管屏板上的，與所述像素電極一起形成存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)電極線路，其中，所述存儲(chǔ)電極線沿穿過所述像素電極的中心的橫向長(zhǎng)軸延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括設(shè)置于所述像素電極之下的鈍化層，其中，所述鈍化層包括無(wú)機(jī)絕緣體，并且其保護(hù)所述薄膜晶體管屏板上的結(jié)構(gòu)，所述第一域劃分部具有大約6μm或更低的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括設(shè)置于所述像素電極之下的鈍化層，其中，所述鈍化層保護(hù)所述薄膜晶體管屏板上的結(jié)構(gòu)，并且其包括雙層結(jié)構(gòu)，所述雙層結(jié)構(gòu)包括無(wú)機(jī)層和有機(jī)層，所述第一域劃分部具有大約10μm或更低的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述公共電極屏板包括布置在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的區(qū)域上的濾色器，所述濾色器包括沿縱向重復(fù)布置的紅色、綠色和藍(lán)色濾色器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述薄膜晶體管屏板包括絕緣基板；在所述絕緣基板上沿橫向延伸的柵極線；與所述柵極線交叉并沿縱向延伸的數(shù)據(jù)線；以及連接至所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極的薄膜晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述薄膜晶體管屏板包括絕緣基板；在所述絕緣基板上沿橫向延伸的柵極線；與所述柵極線交叉，并且具有彎曲部分和縱向部分的數(shù)據(jù)線；以及連接至所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極的薄膜晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括分別附著在所述薄膜晶體管屏板和所述公共電極屏板的外表面上的第一和第二偏振器。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中，所述數(shù)據(jù)線的所述彎曲部分相對(duì)于每一所述偏振器的透射軸成大約45度或大約-45度角。
17.一種液晶顯示器，包括絕緣基板；形成于所述絕緣基板上的多條柵極線；與所述多條柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線；以矩陣的形式形成于所述絕緣基板上的多個(gè)像素電極，每一所述像素電極具有平行于所述多條柵極線的第一側(cè)邊和短于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊與所述第一側(cè)邊鄰接；面對(duì)所述多個(gè)像素電極的公共電極；以及插置于所述多個(gè)像素電極和所述公共電極屏板之間的具有液晶分子的液晶層，其中，所述液晶層包括第一域組和第二域組，所述第一域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約135度角或大約-45度角配向的液晶分子，所述第二域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約-135度角或大約45度角配向的液晶分子。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中，所述第一域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約135度角配向的多個(gè)域和相對(duì)于所述柵極線以大約-45度角配向的多個(gè)域，所述第二域組包括相對(duì)于所述柵極線以大約-135度角配向的多個(gè)域和相對(duì)于所述柵極線以大約45度角配向的多個(gè)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中，所述像素電極包括第一域劃分部，其中，所述多個(gè)域中的每一個(gè)包括相對(duì)于穿過所述像素電極的中心的橫向長(zhǎng)軸對(duì)稱布置的上半部分和下半部分，所述公共電極包括平行于所述第一域劃分部的第二域劃分部。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中，所述第一域劃分部包括相對(duì)于所述柵極線成大約45度角的第一部分和相對(duì)于所述柵極線成大約-45度角的第二部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二部分相對(duì)于所述橫向長(zhǎng)軸相互獨(dú)立布置。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二域劃分部交替布置。
全文摘要
一種液晶顯示器，包括薄膜晶體管屏板，其包括具有橫向長(zhǎng)度大于縱向長(zhǎng)度的矩形形狀的像素電極，所述像素電極包括第一域劃分部，并且具有相對(duì)于穿過所述像素電極的中心的橫向長(zhǎng)軸對(duì)稱布置的上半部分和下半部分；公共電極屏板，其包括面對(duì)所述像素電極的公共電極，所述公共電極包括與所述第一域劃分部平行布置的第二域劃分部；以及插置于所述TFT屏板和所述公共電極屏板之間的液晶層。
文檔編號(hào)H01L27/12GK1987625SQ20061016698
公開日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月23日
發(fā)明者孫智媛, 鄭美惠, 崔洛初, 邊湖連, 趙善兒, 趙植永 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社