專利名稱：轉(zhuǎn)移襯底、轉(zhuǎn)移方法和有機(jī)電發(fā)光器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)移襯底、轉(zhuǎn)移方法和有機(jī)電發(fā)光器件制造方法，更具體而言，涉及適用于有機(jī)材料層的圖案化的轉(zhuǎn)移襯底、使用該轉(zhuǎn)移襯底的轉(zhuǎn)移方法和有機(jī)電發(fā)光器件制造方法。
背景技術(shù)：
采用有機(jī)材料的電發(fā)光的有機(jī)電發(fā)光器件(下文中稱為有機(jī)EL器件)作為一種能夠在低電壓直接驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行高亮度發(fā)光的發(fā)光器件已經(jīng)引起了關(guān)注。有機(jī)EL器件包括作為空穴傳輸層的累積的有機(jī)層以及下電極和上電極之間的發(fā)光層。
使用這種有機(jī)EL器件的示例類型的全色顯示器件包括各種顏色，即R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)的有機(jī)EL器件。這些有機(jī)EL器件以陣列形式布置在襯底上。為了制造這種顯示器件，需要在發(fā)光器件基礎(chǔ)上通過(guò)圖案化至少形成發(fā)光層。發(fā)光層是由發(fā)射一種顏色的有機(jī)發(fā)光材料制成的。發(fā)光層的圖案化包括掩蔽掩模、墨水噴射等等。利用掩蔽掩模，例如通過(guò)氣相沉積或經(jīng)由孔圖案的掩模進(jìn)行的涂覆將發(fā)光材料施加到薄片上。
這里的問(wèn)題在于，利用這種掩蔽掩模進(jìn)行圖案化存在以下的問(wèn)題難以對(duì)形成到掩模的孔進(jìn)行更精細(xì)的圖案化，并且如果掩模發(fā)生變形或尺寸增大，則難以以高位置精度對(duì)發(fā)光器件的區(qū)域進(jìn)行圖案化，等等。這些問(wèn)題增大了有機(jī)EL器件的更精細(xì)圖案化和高密度設(shè)計(jì)的難度。而且，由于暴露于孔圖案的掩模，主要包括先前形成的有機(jī)層的功能層易受到損傷，這是制造產(chǎn)率減小的起因。
利用墨水噴射進(jìn)行的圖案化具有圖案化精度的限制，從而導(dǎo)致了有機(jī)EL器件的更精細(xì)圖案化、高密度設(shè)計(jì)和襯底尺寸增大的難度。
考慮到這些因素，作為一種用于由有機(jī)材料配置的發(fā)光層或任何其他功能層的新的圖案化方法，提出了一種使用能量源(熱源)的轉(zhuǎn)移方法，即熱轉(zhuǎn)移。使用這種熱轉(zhuǎn)移的顯示器件例如按以下方式制造。首先，在顯示器件的襯底(下文中稱為器件襯底)上形成下電極。在獨(dú)立提供的支撐襯底上經(jīng)由用于光熱轉(zhuǎn)換的光吸收層形成發(fā)光層(轉(zhuǎn)移層)。其結(jié)果是轉(zhuǎn)移襯底。光吸收層的示例是諸如染料或碳之類的色素，或包括鎳或鈦的金屬。器件襯底和轉(zhuǎn)移襯底被布置為使得發(fā)光層面對(duì)下電極。所得到的層累積被暴露于來(lái)自轉(zhuǎn)移襯底一側(cè)的激光，從而使發(fā)光層被熱轉(zhuǎn)移到器件襯底的下電極上。此時(shí)，通過(guò)利用激光的點(diǎn)照射掃描層累積，發(fā)光層只被熱轉(zhuǎn)移到下電極上的預(yù)定區(qū)域。關(guān)于更多細(xì)節(jié)，請(qǐng)參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1(JP-A-2002-110350；0007和0081段)。
關(guān)于熱轉(zhuǎn)移，提出了一種在發(fā)光層上包括性能提高層的配置。這是為了不使發(fā)光層在工藝中或工藝之間發(fā)生關(guān)閉，這種情況經(jīng)常由于粘附和氧氣或水的污染而發(fā)生。性能提高層包括諸如堿金屬之類的金屬材料或有機(jī)化學(xué)還原劑，并且通過(guò)熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)等等形成在發(fā)光層上。關(guān)于更多細(xì)節(jié)，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)2(JP-A-2004-247309)。
本發(fā)明包含與2005年12月26日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP 2005-371748有關(guān)的主題，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。

發(fā)明內(nèi)容
然而，關(guān)于使用這種轉(zhuǎn)移襯底的轉(zhuǎn)移方法，在熱轉(zhuǎn)移時(shí)，用于光熱轉(zhuǎn)換的光吸收層的至少一部分進(jìn)入到了轉(zhuǎn)移層中。這樣進(jìn)入到了熱層中的光吸收層看起來(lái)減小了發(fā)光效率并縮短了亮度持續(xù)時(shí)間。即使通過(guò)熱轉(zhuǎn)移在發(fā)光層上提供了性能提高層，這種情況仍有發(fā)生。
從而，希望提供一種轉(zhuǎn)移襯底，該轉(zhuǎn)移襯底可以在不產(chǎn)生雜質(zhì)混合物的情況下，將形成在轉(zhuǎn)移襯底一側(cè)上的轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移到受體一側(cè)。還希望提供一種轉(zhuǎn)移方法，利用該轉(zhuǎn)移方法，轉(zhuǎn)移層可以在不產(chǎn)生雜質(zhì)混合物的情況下被熱轉(zhuǎn)移到受體一側(cè)，還希望提供一種有機(jī)EL器件制造方法，該方法利用在不產(chǎn)生雜質(zhì)混合物的情況下通過(guò)熱轉(zhuǎn)移形成的發(fā)光層，可以保持高發(fā)光效率和長(zhǎng)亮度持續(xù)時(shí)間。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種轉(zhuǎn)移襯底，包括支撐襯底；光熱轉(zhuǎn)換層；防止構(gòu)成光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止層；以及由有機(jī)材料制成的轉(zhuǎn)移層。在轉(zhuǎn)移襯底中，光熱轉(zhuǎn)換層、擴(kuò)散防止層和轉(zhuǎn)移層按該順序形成在支撐襯底上。
這里，“材料擴(kuò)散”的表述是指材料的至少一部分的存在區(qū)域超出了本希望材料存在的區(qū)域。材料擴(kuò)展的程度和材料量在這里未提及。
利用這樣配置的轉(zhuǎn)移襯底，提供在光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)移層之間的用來(lái)防止配置光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止層起作用，以使得材料不從光熱轉(zhuǎn)換層擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層一側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種使用上述轉(zhuǎn)移襯底的轉(zhuǎn)移方法。該轉(zhuǎn)移方法包括以下步驟布置轉(zhuǎn)移襯底，其中轉(zhuǎn)移層被安排為面向受體；以及通過(guò)從支撐襯底一側(cè)照射光從而使光在光熱轉(zhuǎn)換層中發(fā)生熱轉(zhuǎn)換而將轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移到受體，同時(shí)防止了構(gòu)成光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供了一種有機(jī)電發(fā)光器件制造方法，包括以下步驟形成在襯底上圖案化的下電極層；在下電極上形成至少包括發(fā)光層的有機(jī)層，以及在這樣的狀態(tài)下形成上電極，其中上電極經(jīng)由有機(jī)層層疊在下電極上。利用該制造方法，當(dāng)發(fā)光層被形成在下電極上時(shí)，執(zhí)行上述轉(zhuǎn)移方法。在這種情況下，轉(zhuǎn)移襯底的轉(zhuǎn)移層假定由包括發(fā)光材料的有機(jī)材料配置。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，擴(kuò)散防止層起作用以使得材料不從光熱轉(zhuǎn)換層擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層一側(cè)，從而可以在不產(chǎn)生雜質(zhì)的混合物的情況下將轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移到受體一側(cè)。因此，在制造有機(jī)EL器件的工藝中，通過(guò)這種熱轉(zhuǎn)移，能夠在不產(chǎn)生雜質(zhì)混合物的情況下形成發(fā)光層。從而，所得到的有機(jī)EL器件可以獲得高發(fā)光效率和長(zhǎng)亮度持續(xù)時(shí)間。


圖1是示出了實(shí)施例的轉(zhuǎn)移襯底的配置的截面圖；圖2A和2B都是示出了第一制造工藝的實(shí)施例的顯示器件的截面圖；
圖3A和3B都是示出了第二制造工藝的實(shí)施例的顯示器件的截面圖；以及圖4A和4B都是示出了第二制造工藝的實(shí)施例的顯示器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下面的實(shí)施例中，所描述的是如何制造轉(zhuǎn)移襯底和顯示器件，包括使用轉(zhuǎn)移襯底的轉(zhuǎn)移方法。這里的轉(zhuǎn)移襯底被用于制造包括以陣列形式布置在襯底上的各種顏色，即R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)的有機(jī)EL器件的全色顯示器件。
a.轉(zhuǎn)移襯底圖1是在該實(shí)施例中用于圖示轉(zhuǎn)移襯底1的配置的截面圖。圖1的轉(zhuǎn)移襯底1用于形成例如有機(jī)EL器件的發(fā)光層。轉(zhuǎn)移襯底1被配置為在支撐襯底11上按順序包括光熱轉(zhuǎn)換層12、擴(kuò)散防止層13和轉(zhuǎn)移層14。
支撐襯底11由透過(guò)預(yù)定波長(zhǎng)的光br的材料制成，光hr被照射用于利用轉(zhuǎn)移襯底1進(jìn)行轉(zhuǎn)移。例如，當(dāng)光hr是來(lái)自于固態(tài)激光光源的波長(zhǎng)約為800nm的激光時(shí)，支撐襯底11可以是玻璃襯底。
光熱轉(zhuǎn)換層12由表現(xiàn)出高光熱轉(zhuǎn)換效率(將光hr轉(zhuǎn)換為熱)和高熔點(diǎn)的材料配置。當(dāng)光hr例如是以上示例的波長(zhǎng)約為800nm的激光時(shí)，光熱轉(zhuǎn)換層12優(yōu)選地由具有低反射系數(shù)的高熔點(diǎn)金屬制成，例如鉻(Cr)或鉬(Mo)。該光熱轉(zhuǎn)換層12假定被進(jìn)行厚度調(diào)節(jié)以達(dá)到所需的足夠水平的光熱轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層12由鉬(Mo)膜配置時(shí)，其厚度假定約為200nm。這種光熱轉(zhuǎn)換層12例如是通過(guò)濺射形成的。注意，光熱轉(zhuǎn)換層12并不限于上述金屬材料，并且可以是由色素或碳之類的光吸收材料制成的膜。
作為本發(fā)明特征的擴(kuò)散防止層13用來(lái)防止配置光熱轉(zhuǎn)換層12的材料的擴(kuò)散。該擴(kuò)散防止層13優(yōu)選地由熱導(dǎo)率極好并且性能穩(wěn)定的材料配置，例如由氮化硅或二氧化硅配置。具體而言，擴(kuò)散防止層13的示例是二氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、氮氧化硅膜(SiONx)等。其中，氮化硅膜(SiNx)被認(rèn)為是尤其優(yōu)選的，這是因?yàn)椴煌谌魏纹渌牧系臄U(kuò)散防止層13，這種材料可以是緊密填充的膜配置，并且不會(huì)引起轉(zhuǎn)移層14和光熱轉(zhuǎn)換層12的氧化?；蛘撸瑪U(kuò)散防止層13可以由金屬氧化物或氮化物膜(如氮化鈦(TiN)或氮氧化鈦(TiON))或有機(jī)材料配置。有機(jī)材料假定表現(xiàn)出(如果使用的話)好的抗熱性，例如全交聯(lián)(cross-linked)的聚合物。
由這種材料制成的擴(kuò)散防止層13可以是由這種制成的多層的層疊。
轉(zhuǎn)移層14由有機(jī)材料制成，包括配置發(fā)光層的材料，這種材料通過(guò)利用轉(zhuǎn)移襯底1進(jìn)行熱轉(zhuǎn)移形成。例如，轉(zhuǎn)移層14由各種顏色的發(fā)光客體材料和宿主材料配置。這里的發(fā)光客體材料可以是熒光材料或磷光材料。宿主材料至少是空穴載體、電子載體或兩種電荷的載體。
當(dāng)轉(zhuǎn)移襯底1例如是用于形成藍(lán)色發(fā)光層的轉(zhuǎn)移襯底1b時(shí)，包括藍(lán)色發(fā)光材料的藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b被提供用作轉(zhuǎn)移層14。藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b由這樣的材料配置，該材料是藍(lán)色發(fā)光客體材料，即4，4′-bis[2-{4-(N，N-diphenylamine)phenyl}vinyl]biphenyl(DPAVBi)(4，4′-二[2-{4-(N，N-二苯胺)苯基}乙烯基]聯(lián)苯)對(duì)ADN材料的質(zhì)量百分比為2.5％的混合物。ADN是宿主材料，例如是電子載體。藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b假定是通過(guò)氣相沉積形成的(厚度約為30nm)。
當(dāng)轉(zhuǎn)移襯底1例如是用于形成綠色發(fā)光層的轉(zhuǎn)移襯底1g時(shí)，包括綠色發(fā)光材料的綠色轉(zhuǎn)移層14g被提供用作轉(zhuǎn)移層14。該綠色轉(zhuǎn)移層14g由這樣的材料配置，該材料是作為綠色發(fā)光客體材料的香豆素6對(duì)ADN的質(zhì)量百分比為5％的混合物。綠色轉(zhuǎn)移層14g假定是通過(guò)氣相沉積形成的(厚度約為30nm)。
類似地，當(dāng)轉(zhuǎn)移襯底1例如是用于形成紅色發(fā)光層的轉(zhuǎn)移襯底1r時(shí)，包括紅色發(fā)光材料的紅色轉(zhuǎn)移層14r被提供用作轉(zhuǎn)移層14。該紅色轉(zhuǎn)移層14r由這樣的材料配置，該材料是紅色發(fā)光客體材料，即2，6′-bis[(4′-methoxydiphenylamine)styryl]-1，5-dicyano-naphthalene(BSN)(2，6′-二[(4′-甲氧基二苯胺)苯乙烯基]-1，5-雙氰-萘)對(duì)ADN的質(zhì)量百分比為30％的混合物。紅色轉(zhuǎn)移層14r假定是通過(guò)氣相沉積形成的(厚度約為30nm)。
b.顯示器件制造方法圖2A至4B都是該實(shí)施例的顯示器件的截面圖，其表現(xiàn)出使用以上配置的轉(zhuǎn)移襯底1(1b、1g、1r)的轉(zhuǎn)移方法和包括使用轉(zhuǎn)移方法的有機(jī)EL器件制造方法的顯示器件制造方法。在下文中，參考圖2A至4B描述工藝過(guò)程。
首先，如圖2A所示，準(zhǔn)備器件襯底21，該襯底包括呈陣列形式布置在其上的有機(jī)EL器件。作為示例，該襯底21由玻璃、硅或塑料制成，或者是其上形成有TFT(薄膜晶體管)的TFT襯底。具體而言，當(dāng)該實(shí)施例的顯示器件是透射型的時(shí)，即，發(fā)出的光從器件襯底21一側(cè)提取出時(shí)，器件襯底21由光透射材料配置。
隨后對(duì)器件襯底21進(jìn)行圖案化形成下電極23，下電極23被用作陽(yáng)極或陰極。
該下電極23假定是以適合于用在在該實(shí)施例中制造的顯示器件中的任何一種驅(qū)動(dòng)模式的形式被圖案化的。例如，如果顯示器件使用直接矩陣驅(qū)動(dòng)模式，則下電極23被示例性地以條形形成。如果顯示器件使用有源矩陣驅(qū)動(dòng)模式，即，對(duì)于每一像素配有TFT，則下電極23被圖案化為對(duì)應(yīng)于以陣列形式布置的多個(gè)像素，并且被形成為經(jīng)由接觸孔(未示出)連接到分別提供給像素的TFT。接觸孔被形成為覆蓋TFT的層間絕緣膜。
選擇下電極23的材料以適合于在該實(shí)施例的顯示器件中提取出光的方式。即，如果顯示器件是頂發(fā)光型的，即，發(fā)出的光是從相對(duì)于器件襯底21的一側(cè)提取出的，則下電極23由高反射性材料配置。另一方面，如果顯示器件是透射型的或雙側(cè)發(fā)光型的，即，發(fā)出的光是從器件襯底21一側(cè)提取出的，則下電極23由光透明材料配置。
這里考慮這樣的情形即顯示器件是頂發(fā)光型的，并且下電極23被用作陽(yáng)極。這種情況下，下電極23由高反射性導(dǎo)電材料配置，例如銀(Ag)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉑(Pt)或金(Au)及其合金。
在顯示器件是頂發(fā)光型的，但是下電極23被用作陰極的另一種情形中，下電極23由具有低工作函數(shù)的導(dǎo)電材料配置。這種導(dǎo)電材料包括諸如Li(鋰)、Mg(鎂)或Ca(鈣)之類的活動(dòng)金屬和諸如Ag、Al或In(銦)之類的金屬的合金?；蛘撸码姌O23可以是這種金屬層的層疊。或者，薄的化合物層可以布置在下電極23和功能層4之間?；衔飳涌梢允侵T如Li、Mg或Ca之類的活動(dòng)金屬、諸如氟、溴、氧之類的鹵化物等等。
在另一種情形中，顯示器件是透射型或雙側(cè)發(fā)光型的，而下電極23被用作陽(yáng)極。在這種情況下，下電極23由具有高透射性的導(dǎo)電材料配置，例如ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)。
注意，如果在該實(shí)施例中要制造的顯示器件例如使用有源矩陣的驅(qū)動(dòng)模式，則顯示器件優(yōu)選地是頂發(fā)光型的，以確保有機(jī)EL器件的孔徑比。
在這樣形成了下電極23(在該示例中是陽(yáng)極)之后，對(duì)絕緣膜25圖案化以覆蓋下電極23的外邊緣。利用這種圖案化，從其暴露出下電極23的形成到絕緣膜25上的窗口的一部分被當(dāng)作是用于部署任何相應(yīng)的有機(jī)EL器件的像素區(qū)域。該絕緣膜25假定由諸如聚酰亞胺或光刻膠之類的有機(jī)絕緣材料或諸如二氧化硅之類的無(wú)機(jī)絕緣材料配置。
然后形成空穴注入層27作為公共層以覆蓋下電極23和絕緣膜25。該空穴注入層27利用普通空穴注入材料配置，作為示例，通過(guò)氣相沉積形成了膜厚為25nm的m-MTDATA[4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine]([4，4，4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺])膜。
然后形成空穴傳輸層29作為公共層以覆蓋空穴注入層27。該空穴傳輸層29利用普通空穴傳輸材料配置，作為示例，通過(guò)氣相沉積形成了膜厚為30nm的α-NPD[4，4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]([4，4-二(N-1-萘基-N-苯基氨基)二苯基])膜。注意，配置空穴傳輸層29的普通空穴傳輸材料包括苯衍生物、苯乙烯胺衍生物、三甲苯衍生物、腙衍生物等等。
或者，空穴注入層27和空穴傳輸層29可以是多層的層疊。
上述工藝過(guò)程的執(zhí)行可以類似于利用普通有機(jī)EL器件制造顯示器件的過(guò)程。在下一工藝中，在按以上方式形成的空穴傳輸層29上通過(guò)熱轉(zhuǎn)移形成各種顏色的發(fā)光層。該實(shí)施例中的該工藝特征在于使用參考圖1所述的轉(zhuǎn)移襯底1。
即，如圖2B所示，準(zhǔn)備好上述配置的轉(zhuǎn)移襯底1。在該示例中，作為轉(zhuǎn)移層14，所準(zhǔn)備的是具有藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b的轉(zhuǎn)移襯底1b以形成藍(lán)色發(fā)光層。
該轉(zhuǎn)移襯底1b被布置為與形成有空穴傳輸層29的器件襯底21面對(duì)。此時(shí)，轉(zhuǎn)移襯底1b和器件襯底21被布置使得藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b和空穴傳輸層29彼此面對(duì)?；蛘撸骷r底21和轉(zhuǎn)移襯底1b可以緊密地附著在一起，并且作為器件襯底21一側(cè)上的頂層的空穴傳輸層29可以與作為轉(zhuǎn)移襯底1b一側(cè)上的頂層的藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b形成接觸。即使在這種情況下，轉(zhuǎn)移襯底1b也被支撐在器件襯底21一側(cè)上的絕緣膜25上，從而藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b絕對(duì)沒(méi)有(甚至部分地)與下電極23上的空穴傳輸層29形成接觸。
在這種狀態(tài)下，從被布置為面對(duì)器件襯底21的轉(zhuǎn)移襯底1b的支撐襯底11一側(cè)，例如照射波長(zhǎng)為800nm的激光hr。此時(shí)，與形成有藍(lán)色發(fā)光器件的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的任何部分被選擇性地逐點(diǎn)暴露于激光hr。
這樣，激光hr被光熱轉(zhuǎn)換層12吸收以用于熱轉(zhuǎn)換，并且利用作為轉(zhuǎn)換結(jié)果的熱，藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b被向器件襯底21一側(cè)上的下電極23的上部轉(zhuǎn)移。在這種熱轉(zhuǎn)移期間，擴(kuò)散防止層13起作用以防止配置光熱轉(zhuǎn)換層12的材料擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層14b一側(cè)。其后，在形成在器件襯底21上的空穴傳輸層29上，通過(guò)以良好的位置精度熱轉(zhuǎn)移藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b，對(duì)藍(lán)色發(fā)光層31b進(jìn)行圖案化。
例如，對(duì)于這種熱轉(zhuǎn)移，激光hr的照射能量被用于調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移襯底1b一側(cè)上配置藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b的材料的濃度梯度。具體而言，照射能量被設(shè)為較高以使得藍(lán)色發(fā)光層31b被形成為混合層，其中配置藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b的材料被基本均勻地混合。
這里，重要的是以這樣的方式照射激光hr，該方式使得藍(lán)色發(fā)光層31b完全覆蓋形成有從絕緣膜25暴露的藍(lán)色發(fā)光器件(像素區(qū)域)的一部分下電極23。
通過(guò)重復(fù)這種熱轉(zhuǎn)移的工藝，順序形成綠色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。
即，如圖3A所示，準(zhǔn)備好上述配置的轉(zhuǎn)移襯底1。在該示例中，作為轉(zhuǎn)移層14，所準(zhǔn)備的是具有綠色轉(zhuǎn)移層14g的轉(zhuǎn)移襯底1g以形成綠色發(fā)光層。
該轉(zhuǎn)移襯底1g被布置為與形成有空穴傳輸層29的器件襯底21面對(duì)。例如，從轉(zhuǎn)移襯底1g一側(cè)，形成有綠色發(fā)光器件的區(qū)域的任何部分被選擇性地逐點(diǎn)暴露于激光hr。
以這種方式，經(jīng)由空穴傳輸層29在器件襯底21的下電極23上，通過(guò)綠色轉(zhuǎn)移層14g的選擇性熱轉(zhuǎn)移對(duì)綠色發(fā)光層31g進(jìn)行圖案化。對(duì)于這種熱轉(zhuǎn)移，類似于參考圖2B所述的藍(lán)色發(fā)光層31b的圖案化，綠色發(fā)光層31g被形成為使得配置綠色轉(zhuǎn)移層14g的材料被基本均勻地混合。在該層形成期間，擴(kuò)散防止層13起作用以防止配置光熱轉(zhuǎn)換層12的材料擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層14g一側(cè)。
如圖3B所示，準(zhǔn)備好上述配置的轉(zhuǎn)移襯底1。在該示例中，作為轉(zhuǎn)移層14，所準(zhǔn)備的是具有紅色轉(zhuǎn)移層14r的轉(zhuǎn)移襯底1r以形成紅色發(fā)光層。
該轉(zhuǎn)移襯底1r被布置為與形成有空穴傳輸層29的器件襯底21面對(duì)。例如，從轉(zhuǎn)移襯底1r一側(cè)，形成有紅色發(fā)光器件的區(qū)域的任何部分被選擇性地逐點(diǎn)暴露于激光hr。
以這種方式，經(jīng)由空穴傳輸層29在器件襯底21的下電極23上，通過(guò)紅色轉(zhuǎn)移層14r的選擇性熱轉(zhuǎn)移對(duì)紅色發(fā)光層31r進(jìn)行圖案化。對(duì)于這種熱轉(zhuǎn)移，類似于參考圖2B所述的藍(lán)色發(fā)光層31b的圖案化，紅色發(fā)光層31r被形成為使得配置紅色轉(zhuǎn)移層14r的材料被基本均勻地混合。在該層形成期間，擴(kuò)散防止層13起作用以防止配置光熱轉(zhuǎn)換層12的材料擴(kuò)散到轉(zhuǎn)移層14r一側(cè)。
注意，參考圖2B至3B所述的熱轉(zhuǎn)移的工藝并沒(méi)有特別按順序限定，熱轉(zhuǎn)移的工藝可以從發(fā)光層31b、31g和31r中的任何一個(gè)開(kāi)始。
熱轉(zhuǎn)移的待重復(fù)執(zhí)行工藝可以在空氣中進(jìn)行，最好在真空中進(jìn)行。真空中的熱轉(zhuǎn)移能夠利用較低能量水平的激光進(jìn)行轉(zhuǎn)移，從而減少了可能對(duì)要轉(zhuǎn)移的發(fā)光層的熱損傷。而且優(yōu)選地，利用在真空中執(zhí)行的熱轉(zhuǎn)移的工藝，襯底被更緊密地附著在一起，并且提高了轉(zhuǎn)移時(shí)的圖案化精度。如果熱轉(zhuǎn)移工藝全部是在真空中連續(xù)執(zhí)行的，則可以防止任何可能的元件惡化。
這里考慮激光照射設(shè)備中的激光頭的驅(qū)動(dòng)部分配備有精確對(duì)準(zhǔn)機(jī)制的情形。在這種情況下，在上述選擇性地逐點(diǎn)照射激光hr的工藝中，激光hr可以沿下電極23以任何適當(dāng)?shù)狞c(diǎn)直徑照射在轉(zhuǎn)移襯底1(1b、1g和1r)上。在這種激光照射時(shí)，不需要精確定位器件襯底21和轉(zhuǎn)移襯底1(1b、1g和1r)。另一方面，當(dāng)激光頭的驅(qū)動(dòng)部分未配備有這種對(duì)準(zhǔn)機(jī)制時(shí)，需要在轉(zhuǎn)移襯底一側(cè)上包括光屏蔽膜以限制照射激光hr的區(qū)域。具體而言，轉(zhuǎn)移襯底1(1b、1g和1r)在其下側(cè)上具有光屏蔽膜，其中孔徑部分被形成為反射激光的高反射性金屬層。或者，其上可以形成有低反射性金屬膜。然而，在這種情況下，器件襯底21和轉(zhuǎn)移襯底1(1b、1g和1r)需要精確定位。
如圖4A所示，通過(guò)氣相沉積形成電子傳輸層33，其狀態(tài)完全覆蓋形成有發(fā)光層31b、31g和31r的器件襯底21。通過(guò)氣相沉積，電子傳輸層33完全形成在器件襯底21上作為公共層。這種電子傳輸層33利用普通的電子傳輸材料配置，作為示例，通過(guò)氣相沉積形成了厚度約為20nm的8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)(8-羥基喹啉鋁)膜。
按以上方式形成的層，即空穴注入層27、空穴傳輸層29、發(fā)光層31b、31g和31r以及電子傳輸層33配置了有機(jī)層35。
然后在電子傳輸層33上，通過(guò)氣相沉積形成電子注入層37。通過(guò)氣相沉積，該電子注入層37被形成為完全覆蓋在器件襯底21上的公共層。這種電子注入層37利用普通電子注入材料配置。作為示例，通過(guò)真空氣相沉積形成了厚度約為0.3nm(氣相沉積速度0.01nm/sec)的LiF(氟化鋰)膜。
其后，在電子注入層37上形成上電極39。當(dāng)下電極23是陽(yáng)極時(shí)，該上電極39被用作陰極，而當(dāng)下電極23是陰極時(shí)，該上電極39被用作陽(yáng)極。例如，當(dāng)在該實(shí)施例中要制造的顯示器件是直接矩陣型的時(shí)，上電極39例如被形成為條形，以與下電極23的條帶交叉。當(dāng)顯示器件是有源矩陣型的時(shí)，上電極39被穩(wěn)固地形成以全部覆蓋器件襯底21，并且在各像素之間共享。在這種情況下，在與下電極23相同的層上形成輔助電極(未示出)，并且通過(guò)建立輔助電極和下電極23之間的連接，所得到的配置可以有利地防止上電極39的電壓降低。
各種顏色的有機(jī)EL器件，即藍(lán)色發(fā)光器件41b、綠色發(fā)光器件41g和紅色發(fā)光器件41r被形成到層疊有下電極23和上電極39的部分，即，夾有包括發(fā)光層31b、31g和31r的有機(jī)層35等的部分。
上電極39假定由依賴于在該實(shí)施例中要制造的顯示器件中提取出光的方式而選擇的材料形成。即，當(dāng)顯示器件是頂發(fā)光型的或雙側(cè)發(fā)光型的時(shí)，即，發(fā)出的光是從相對(duì)于器件襯底21的一側(cè)提取出的時(shí)，上電極39由光透射材料或半透明材料配置。另一方面，當(dāng)顯示器件是透射型的時(shí)，即，發(fā)出的光是從器件襯底21一側(cè)提取出的時(shí)，上電極39由高反射性材料配置。
在該示例中，顯示器件是頂發(fā)光型的，并且下電極23被用作陽(yáng)極，從而上電極39被用作陰極。在這種情況下，配置上電極39的材料是從在形成下電極23的工藝中例示的低工作函數(shù)材料中選擇的。在該示例中選擇的材料假定是具有好的光透射屬性的材料，以允許電子高效地注入到有機(jī)層35。
這樣，上電極39通過(guò)真空氣相沉積形成，厚度為10nm，以用作MgAg(鎂-銀)的公共陰極。為了形成這樣的上電極39，應(yīng)用粒子能量低到不影響基底(base)的水平的方法，例如氣相沉積或CVD(化學(xué)氣相沉積)。
當(dāng)顯示器件是頂發(fā)射型的時(shí)，作為優(yōu)選設(shè)計(jì)，上電極39被配置為半透明的，并且上電極39和下電極23配置為諧振器以增大提取的光強(qiáng)。
當(dāng)顯示器件是透射型的，并且上電極39被用作陰極時(shí)，上電極39由具有低工作函數(shù)的高反射性導(dǎo)電材料配置。當(dāng)顯示器件是透射型的，并且上電極39被用作陽(yáng)極時(shí)，上電極39由高反射性導(dǎo)電材料配置。
在這樣形成了發(fā)光器件41b、41g和41r之后，如圖4B所示，形成保護(hù)膜43，保護(hù)膜43的狀態(tài)覆蓋了上電極39。該保護(hù)膜43是為了保護(hù)有機(jī)層35免受濕氣的影響，并且假定利用具有足夠厚度的幾乎不透過(guò)水并且吸收水的材料形成。當(dāng)在該實(shí)施例要制造的顯示器件是頂發(fā)光型的時(shí)，該保護(hù)膜43由透過(guò)由發(fā)光層31b、31g和31r生成的光的材料制成，并且假定具有例如約為80％的高透射率。
這種保護(hù)膜43可由絕緣材料配置。當(dāng)保護(hù)膜43例如由絕緣材料配置時(shí)，絕緣材料優(yōu)選地是無(wú)機(jī)無(wú)無(wú)定形物，例如無(wú)定形硅(α-Si)、無(wú)定形碳化硅(α-SiC)、無(wú)定形氮化硅(α-Si1-xNx)、無(wú)定形碳(α-C)等等。這種無(wú)機(jī)無(wú)無(wú)定形物的絕緣材料配置為沒(méi)有晶粒，從而所得到的保護(hù)膜43幾乎不透過(guò)水，并且可以具有良好的屬性。
例如，為了形成由無(wú)定形氮化硅制成的保護(hù)膜43，假定通過(guò)CVD形成膜厚為2至3μm的膜。優(yōu)選地，在這種情況下，用于膜形成的溫度被設(shè)為室溫，其目的是防止由有機(jī)層35的惡化引起的亮度減小。而且，膜優(yōu)選地是在使得膜應(yīng)力最小的情況下形成的，其目的是防止保護(hù)膜43脫落。
在在該實(shí)施例中要制造的顯示器件是有源矩陣型的，并且上電極39用作完全覆蓋器件襯底21的公共電極的另一種情形中，保護(hù)膜43可以利用導(dǎo)電材料配置。當(dāng)保護(hù)膜43由導(dǎo)電材料配置時(shí)，所使用的是諸如ITO或IZO(氧化銦鋅)之類的透明導(dǎo)電材料。
在不利用掩模的情況下牢固地形成覆蓋發(fā)光層31b、31g和31r的層33至43。層33至43優(yōu)選地在任何一個(gè)特定的膜形成設(shè)備中連續(xù)形成，而不暴露于空氣。在這種情況下，可以防止有機(jī)層35的惡化，這種惡化經(jīng)常由空氣中的濕氣引起。
形成有這樣的保護(hù)膜43的器件襯底21經(jīng)由用于粘附的樹脂材料(未示出)在保護(hù)膜43一側(cè)上貼有保護(hù)襯底45。用于粘附的樹脂材料例如包括紫外固化樹脂。保護(hù)襯底45的示例是玻璃襯底。注意，當(dāng)該實(shí)施例的顯示器件是頂發(fā)光型的時(shí)，用于粘附的樹脂材料和保護(hù)襯底45都需要由光透射材料配置。
以上述方式，完成了全色顯示器件47，其中在器件襯底21上形成有呈陣列形式布置的發(fā)光器件41b、41g和41r。
利用上述制造方法(例如參考圖2B等所述的方法)，轉(zhuǎn)移襯底1被布置在光熱轉(zhuǎn)換層12和轉(zhuǎn)移層14之間，其中擴(kuò)散防止層13防止了配置光熱轉(zhuǎn)換層12的材料的擴(kuò)散。該轉(zhuǎn)移襯底1的轉(zhuǎn)移層14被熱轉(zhuǎn)移到器件襯底21上作為發(fā)光層31b、31g和31r。以這種方式，防止了從光熱轉(zhuǎn)換層12到轉(zhuǎn)移層14一側(cè)的材料擴(kuò)散。因此，發(fā)光層31b、31g和31r是“干凈”形成的，其免受來(lái)自于光熱轉(zhuǎn)換層12的氧化或污染物。
這樣，所得到的發(fā)光層31b、31g和31r可以沒(méi)有雜質(zhì)混合物和污染物。如下面的示例中所示，這樣形成的發(fā)光器件41b、41g和41r相比于通過(guò)使用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移襯底(未形成有擴(kuò)散防止層13)的轉(zhuǎn)移方法形成的具有發(fā)光層的轉(zhuǎn)移方法可以具有各種優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括較高的發(fā)光效率、較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較長(zhǎng)的亮度持續(xù)時(shí)間。
根據(jù)上述實(shí)施例，通過(guò)熱轉(zhuǎn)移可以以好的位置精度對(duì)發(fā)光層31b、31g和31r進(jìn)行圖案化。與利用傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移襯底形成發(fā)光層的情形相比，所得到的發(fā)光器件41b、41g和41r可以獲得較高的發(fā)光效率和較長(zhǎng)的亮度持續(xù)時(shí)間。
以上主要例示了這樣的情形即下電極23是陽(yáng)極，而上電極39是陰極。本發(fā)明顯然也可適用于下電極23是陰極，而上電極39是陽(yáng)極的情形。在這種情況下，下電極23和上電極39之間的層25至37按相反順序?qū)盈B。
以上基于實(shí)施例所述的本發(fā)明也適用于上述公共層分離的器件。例如，如JP-A-2003-272860中所述，本發(fā)明也適用于作為包括發(fā)光層的有機(jī)層的單元層疊(即，發(fā)光單元)的串列型有機(jī)EL器件，并且可以得到類似的效果。
本發(fā)明的轉(zhuǎn)移襯底可以廣泛用于有機(jī)層的圖案化，例如，在有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造工藝中諸如有機(jī)半導(dǎo)體晶體管之類的有機(jī)半導(dǎo)體層的形成。在這種情況下，參考圖1所述的轉(zhuǎn)移襯底1中的轉(zhuǎn)移層14被形成為由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的層。通過(guò)利用這種轉(zhuǎn)移襯底1進(jìn)行的熱轉(zhuǎn)移，可以以好的位置精度對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，同時(shí)沒(méi)有雜質(zhì)混合物和污染物。這能夠有利地獲得具有優(yōu)異器件特性的有機(jī)半導(dǎo)體器件。
示例通過(guò)參考圖1至3B和下面的表1，描述制造配置全色顯示器件的各種顏色有機(jī)EL器件的過(guò)程，作為本發(fā)明的特定示例，并且作為這些示例的比較示例。還描述了評(píng)價(jià)結(jié)果。
a.示例1在1至4的工藝中制造配置顯示器件的藍(lán)色發(fā)光器件41b。
1.按以下方式制造轉(zhuǎn)移襯底1b。首先，在玻璃襯底(支撐襯底)11上，利用鉬(Mo)通過(guò)普通濺射形成厚度為200nm的光熱轉(zhuǎn)換層12。在所得到的光熱轉(zhuǎn)換層12上，利用氮化硅(SiNx)通過(guò)CVD形成厚度為100nm的擴(kuò)散防止層13。在所得到的擴(kuò)散防止層13上，利用宿主材料(ADN)與藍(lán)色發(fā)光客體材料(DPAVBi)的混合物(質(zhì)量百分比為2.5％)通過(guò)真空氣相沉積形成藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b。
2.在用作用于器件制造的器件襯底的玻璃襯底21上，形成下電極23作為陽(yáng)極。下電極23是兩層配置，按順序是作為銀合金層的APC(Ag-Pd-Cu)層(膜厚120nm)和由ITO制成的透明導(dǎo)電層(膜厚10nm)的層疊。其后，通過(guò)濺射形成厚度約為2μm的二氧化硅絕緣膜25，其覆蓋了下電極23的外邊緣，并且通過(guò)光刻暴露出下電極23，以用作像素區(qū)域。在其表面上，形成厚度為25nm的m-MTDATA膜，以用作空穴注入層27。通過(guò)氣相沉積形成厚度為30nm的α-NPD膜，以用作空穴傳輸層29。
3.隨后，在所形成的有機(jī)層被布置為彼此面對(duì)的狀態(tài)下，在工藝1中制造的轉(zhuǎn)移襯底1b被布置在用于器件制造的器件襯底21上，并且這些襯底在真空中被緊密地彼此附著。在這些襯底之間，由于絕緣膜25的厚度有約2μm的小空間。在該狀態(tài)下，波長(zhǎng)800nm的激光被從轉(zhuǎn)移襯底1b的下側(cè)照射在與用于器件制造的器件襯底21的藍(lán)色像素區(qū)域面對(duì)的位置處。利用這種激光照射，藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b被從轉(zhuǎn)移襯底1b熱轉(zhuǎn)移，從而形成藍(lán)色發(fā)光層31b。在該示例中，激光的點(diǎn)尺寸是300μm×10μm。激光束被用于沿垂直于光束的縱向維度的方向掃描。能量密度是2.6×10-3mJ/μm2。
4.在通過(guò)轉(zhuǎn)移形成了藍(lán)色發(fā)光層31b之后，形成電子傳輸層33。通過(guò)氣相沉積形成厚度約為20nm的8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)膜，以用作電子傳輸層33。通過(guò)氣相沉積形成厚度約為0.3nm(氣相沉積速度0.01nm/sec)的LiF膜，以用作電子注入層37。其后，通過(guò)氣相沉積形成厚度為10nm的MgAg膜，作為用作上電極39的陰極，其結(jié)果是藍(lán)色發(fā)光器件41b。
示例2在示例1的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1b的過(guò)程中，按類似于示例1的方式制造藍(lán)色發(fā)光器件41b，除了通過(guò)CVD在光熱轉(zhuǎn)換層12上形成厚度為100nm的由二氧化硅(SiO2)制成的擴(kuò)散防止層13，并且在其上形成藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b以外。
比較示例1在示例1的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1b的過(guò)程中，按類似于示例1的方式制造藍(lán)色發(fā)光器件41b，除了在光熱轉(zhuǎn)換層12上直接形成藍(lán)色轉(zhuǎn)移層14b而不在其間形成擴(kuò)散防止層13以外。
示例3在示例1的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1b的過(guò)程中，按類似于示例1的方式制造綠色發(fā)光器件41g，除了配置轉(zhuǎn)移層的材料以外。
即，當(dāng)在工藝1中制造轉(zhuǎn)移襯底1g時(shí)，在形成在玻璃襯底11上的光熱轉(zhuǎn)換層12上，通過(guò)CVD形成厚度為100nm的由氮化硅(SiNx)制成的擴(kuò)散防止層13。在這樣形成的擴(kuò)散防止層13上，利用宿主材料(ADN)與綠色發(fā)光客體材料(香豆素6)的混合物(質(zhì)量百分比為5％)通過(guò)真空氣相沉積形成綠色轉(zhuǎn)移層14g。
利用這樣制造的轉(zhuǎn)移襯底，通過(guò)類似于示例1的工藝2至4的過(guò)程制造綠色發(fā)光器件41g。
比較2在示例3的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1g的過(guò)程中，按類似于示例4的方式制造綠色發(fā)光器件41g，除了在光熱轉(zhuǎn)換層12上直接形成綠色轉(zhuǎn)移層14g而不在其間形成擴(kuò)散防止層13以外。
示例4在示例1的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1b的過(guò)程中，按類似于示例1的方式制造紅色發(fā)光器件41r，除了配置轉(zhuǎn)移層的材料以外。
即，當(dāng)制造轉(zhuǎn)移襯底1r時(shí)，在形成在玻璃襯底11上的光熱轉(zhuǎn)換層12上，通過(guò)CVD形成厚度為100nm的由氮化硅(SiNx)制成的擴(kuò)散防止層13。在這樣形成的擴(kuò)散防止層13上，利用宿主材料(ADN)與紅色發(fā)光客體材料(BSN)的混合物(質(zhì)量百分比為30％)通過(guò)真空氣相沉積形成紅色轉(zhuǎn)移層14r。
利用這樣制造的轉(zhuǎn)移襯底，通過(guò)類似于示例1的工藝2至4的過(guò)程制造紅色發(fā)光器件41r。
比較3在示例4的工藝1的制造轉(zhuǎn)移襯底1g的過(guò)程中，按類似于示例1的方式制造紅色發(fā)光器件41r，除了在光熱轉(zhuǎn)換層12上直接形成紅色轉(zhuǎn)移層14r而不在其間形成擴(kuò)散防止層13以外。
評(píng)價(jià)結(jié)果對(duì)于以上的示例1至4和比較示例1至3，進(jìn)行測(cè)試以查看是否觀察到從光熱轉(zhuǎn)換層(Mo)到發(fā)光層的擴(kuò)散。該測(cè)試是由二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)在發(fā)光層是以類似方式通過(guò)轉(zhuǎn)移形成的狀態(tài)下進(jìn)行的。測(cè)試結(jié)果表明，關(guān)于比較示例1至3，在發(fā)光層的區(qū)域中檢測(cè)到配置光熱轉(zhuǎn)換層的元素(Mo)，從而存在到光熱轉(zhuǎn)換層的發(fā)光層一側(cè)(轉(zhuǎn)移層一側(cè))的擴(kuò)散。另一方面，關(guān)于示例1至4，在發(fā)光層的區(qū)域中沒(méi)有觀察到配置光熱轉(zhuǎn)換層的元素(Mo)的擴(kuò)散。這進(jìn)而驗(yàn)證了光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)移層之間的擴(kuò)散防止層的擴(kuò)散防止的效果。
對(duì)于按以上方式制造的有機(jī)EL器件，在處于40mA/cm2的恒定電流密度的狀態(tài)下，利用光譜輻射比例測(cè)量色度和發(fā)光效率。在對(duì)于應(yīng)用以這樣的方式設(shè)置電流的狀態(tài)下測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓，在該方式中，由相同發(fā)光客體材料制成的器件發(fā)射具有相同亮度的光。還進(jìn)行持續(xù)時(shí)間測(cè)試，以查看在經(jīng)過(guò)100小時(shí)后相對(duì)亮度的減小比率。結(jié)果在下面的表1中示出。
表1

首先，對(duì)在示例1和2中制造的藍(lán)色發(fā)光器件和在比較示例1中制造的藍(lán)色發(fā)光器件的評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行比較。比較結(jié)果表明，利用具有擴(kuò)散防止層13的轉(zhuǎn)移襯底1b制造的示例1和2的藍(lán)色發(fā)光器件相比于利用沒(méi)有擴(kuò)散防止層的轉(zhuǎn)移襯底制造的比較1的藍(lán)色發(fā)光器件實(shí)現(xiàn)了各種效果。這些效果包括在相當(dāng)程度上使發(fā)光效率增大了兩倍或更多，減小了驅(qū)動(dòng)電壓，并降低了亮度減小比率。這些藍(lán)色發(fā)光器件表現(xiàn)出相同水平的色度。
關(guān)于示例1和2的器件之間的比較，包括用作氧化保護(hù)層的示例1的SiNx層的器件相比于包括用作氧化保護(hù)層的示例2的SiO2層的器件表現(xiàn)出增大了持續(xù)時(shí)間的效果。該比較結(jié)果表明，盡管SiO2和Mo(形成在表面上的MoOx)層能夠很好地防止材料擴(kuò)散和氧化，但是使用SiNx層的器件更明顯地表現(xiàn)出這些效果。
還對(duì)在示例3和比較示例2中制造的綠色發(fā)光器件的評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行比較。比較結(jié)果表明，利用具有SiNx的擴(kuò)散防止層13的轉(zhuǎn)移襯底1g制造的示例3的綠色發(fā)光器件相比于利用沒(méi)有擴(kuò)散防止層的轉(zhuǎn)移襯底制造的比較2的綠色發(fā)光器件表現(xiàn)出令人滿意的特性。這些令人滿意的特性表現(xiàn)在發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓和亮度減小比率方面。尤其是用作綠色發(fā)光器件的綠色發(fā)光客體材料的香豆素6具有低電子傳輸能力，并且非常擅長(zhǎng)于當(dāng)轉(zhuǎn)移使用這種客體材料的發(fā)光層時(shí)，通過(guò)利用具有擴(kuò)散防止層的轉(zhuǎn)移襯底來(lái)增大發(fā)光效率。
還對(duì)在示例4和比較示例3中制造的紅色發(fā)光器件的評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行比較。比較結(jié)果表明，利用具有SiNx的擴(kuò)散防止層13的轉(zhuǎn)移襯底1r制造的示例4的紅色發(fā)光器件相比于利用沒(méi)有擴(kuò)散防止層的轉(zhuǎn)移襯底制造的比較3的綠色發(fā)光器件表現(xiàn)出令人滿意的特性。這些令人滿意的特性表現(xiàn)在發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓和亮度減小比率方面，并且這些特性是在不改變發(fā)光顏色的情況下獲得的。
這些比較結(jié)果表明，在使用有機(jī)EL器件的全色顯示器件中，通過(guò)經(jīng)由熱轉(zhuǎn)移形成發(fā)光層31b、31g和31r，各種顏色的有機(jī)EL器件41b、41g和41r的特性可以保持良好。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依賴于設(shè)計(jì)需求和其他因素可以進(jìn)行各種修改、組合、子組合和變更，只要這些修改、組合、子組合和變更在所附權(quán)利要求和其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種轉(zhuǎn)移襯底，包括支撐襯底；光熱轉(zhuǎn)換層；防止構(gòu)成所述光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止層；以及由有機(jī)材料制成的轉(zhuǎn)移層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層、所述擴(kuò)散防止層和所述轉(zhuǎn)移層按該順序形成在所述支撐襯底上。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移襯底，其中所述擴(kuò)散防止層包括氮化硅或二氧化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移襯底，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包括金屬材料。
4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移襯底，其中所述轉(zhuǎn)移層包括發(fā)光材料。
5.一種轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟布置包括支撐襯底的轉(zhuǎn)移襯底，在所述支撐襯底上按順序形成有光熱轉(zhuǎn)換層、擴(kuò)散防止層和由有機(jī)材料制成的轉(zhuǎn)移層，其中所述轉(zhuǎn)移層被安排為面向受體；以及通過(guò)從所述支撐襯底一側(cè)照射光從而使所述光在所述光熱轉(zhuǎn)換層中發(fā)生熱轉(zhuǎn)換而將所述轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移到所述受體，同時(shí)防止了構(gòu)成所述光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散。
6.一種有機(jī)電發(fā)光器件制造方法，包括以下步驟形成在襯底上圖案化的下電極；在所述下電極上形成至少包括發(fā)光層的有機(jī)層；以及在這樣的狀態(tài)下形成上電極，其中所述上電極經(jīng)由所述有機(jī)層層疊在所述下電極上，其中，在所述下電極被在所述襯底上圖案化之后，布置包括支撐襯底的轉(zhuǎn)移襯底，在所述支撐襯底上按順序形成有光熱轉(zhuǎn)換層、擴(kuò)散防止層和由有機(jī)材料制成的轉(zhuǎn)移層，其中所述轉(zhuǎn)移層被安排為面向所述襯底；并且通過(guò)從所述支撐襯底一側(cè)照射光從而使所述光在所述光熱轉(zhuǎn)換層中發(fā)生熱轉(zhuǎn)換而將所述轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移到所述下電極上，同時(shí)防止了構(gòu)成所述光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散。
全文摘要
一種轉(zhuǎn)移襯底包括支撐襯底；光熱轉(zhuǎn)換層；防止構(gòu)成光熱轉(zhuǎn)換層的材料的擴(kuò)散的擴(kuò)散防止層；以及由有機(jī)材料制成的轉(zhuǎn)移層，其中光熱轉(zhuǎn)換層、擴(kuò)散防止層和轉(zhuǎn)移層按該順序形成在支撐襯底上。
文檔編號(hào)H01L51/00GK1992159SQ20061016717
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日
發(fā)明者松田英介, 平野貴之 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社