專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器。
背景技術(shù)：
一般來說，圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導(dǎo)體器件。該圖像傳感器分成電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。
CCD包括多個光電二極管(PD)、多個豎直電荷耦合器件(VCCD)、水平電荷耦合器件(HCCD)以及讀出放大器。將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的PD以矩陣形式設(shè)置。多個VCCD豎直地形成于光電二極管之間，以沿豎直方向輸送每一個光電二極管中產(chǎn)生的電荷。HCCD水平地輸送從VCCD輸送來的電荷。讀出放大器讀出沿水平方向輸送的電荷，以輸出電信號。
但是，CCD不僅驅(qū)動方法復(fù)雜、能量消耗高，并且需要多個光刻工藝。
另外，CMOS圖像傳感器難以將控制電路、信號處理電路和模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路(A/D轉(zhuǎn)換)集成到電荷耦合器件的芯片中以使產(chǎn)品小型化。
現(xiàn)在，為了克服CCD的不足，CMOS圖像傳感器作為下一代圖像傳感器被廣泛地使用。
在CMOS圖像傳感器中，通過使用CMOS技術(shù)在半導(dǎo)體襯底中形成數(shù)目與單位像素的數(shù)目相對應(yīng)的MOS晶體管。在CMOS技術(shù)中，使用控制電路和信號處理電路作為外圍電路。另外，CMOS圖像傳感器是使用切換(switching)方法的器件。在該切換方法中，MOS晶體管連續(xù)檢測每一個單位像素的輸出。
而且，CMOS圖像傳感器包括單位像素中的光電二極管和MOS晶體管，并且連續(xù)檢測每一個單位像素的電信號以顯示圖像。
因為CMOS圖像傳感器使用CMOS技術(shù)，所以具有能量消耗低和光刻工藝數(shù)量少的優(yōu)點(diǎn)。
另外，CMOS圖像傳感器可以將控制電路、信號處理電路和模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路集成到CMOS圖像傳感器的芯片中，從而容易實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。
再者，CMOS圖像傳感器廣泛應(yīng)用于諸如數(shù)碼相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)之類的應(yīng)用器件中。
同時，根據(jù)晶體管的數(shù)目，CMOS圖像傳感器分為3T-型、4T-型和5T-型CMOS圖像傳感器。4T-型CMOS圖像傳感器包括一個光電二極管和四個晶體管。
現(xiàn)將描述用于3T-型CMOS圖像傳感器中的單位像素的等效電路和布局。
圖1為示出現(xiàn)有技術(shù)的4T-型圖像傳感器的等效電路圖，圖2為示出現(xiàn)有技術(shù)的4T-型圖像傳感器的單位像素的布局。
參考圖1，CMOS圖像傳感器的單位像素100包括四個晶體管和一個作為接收器的光電二極管10。
四個晶體管分別為轉(zhuǎn)移晶體管20、復(fù)位晶體管30、驅(qū)動晶體管40和選擇晶體管50。并且，單位像素100的輸出端子OUT電連接至負(fù)載晶體管60。
附圖標(biāo)記FD(未示出)為浮置擴(kuò)散區(qū)，附圖標(biāo)記Tx為轉(zhuǎn)移晶體管20的柵極電壓，附圖標(biāo)記Rx為復(fù)位晶體管30的柵極電壓，附圖標(biāo)記Dx為驅(qū)動晶體管40的柵極電壓，以及附圖標(biāo)記Sx為選擇晶體管50的柵極電壓。
參考圖2，在現(xiàn)有技術(shù)的4T-型CMOS圖像傳感器的單位像素中，在半導(dǎo)體襯底上限定有源區(qū)，以在除了有源區(qū)之外的部分上形成器件隔離層。在有源區(qū)中具有很大寬度的部分內(nèi)形成光電二極管PD，在有源區(qū)的其余部分中形成彼此交疊的四個晶體管的柵電極23、33、43和53。
也就是說，轉(zhuǎn)移晶體管20由柵電極23形成，復(fù)位晶體管30由柵電極33形成，驅(qū)動晶體管40由柵電極43形成，選擇晶體管50由柵電極53形成。
在此，將雜質(zhì)離子注入每一個晶體管的有源區(qū)中除了各柵電極23、33、43和53的下部以外的部分中，以形成各晶體管的源極/漏極區(qū)域S/D。
圖3為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的剖視圖。
參考圖3，CMOS圖像傳感器包括P-型外延層(EPI)62，其形成于P++型導(dǎo)電半導(dǎo)體襯底61上，該半導(dǎo)體襯底61分為器件隔離區(qū)以及具有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)的有源區(qū)；器件隔離層63，其形成于器件隔離區(qū)中，以限定半導(dǎo)體襯底61的有源區(qū)；柵電極65，其形成于半導(dǎo)體襯底61的有源區(qū)中，其中柵絕緣層64夾在半導(dǎo)體襯底61與柵電極65之間；低濃度n-型擴(kuò)散區(qū)67，其形成于柵電極65一側(cè)的光電二極管區(qū)中；側(cè)壁絕緣層68，其形成于柵電極65的兩側(cè)表面上；高濃度n+型擴(kuò)散區(qū)(浮置擴(kuò)散區(qū))69，其形成于柵電極65的另一側(cè)的晶體管區(qū)中；以及P0型擴(kuò)散區(qū)72，其形成于半導(dǎo)體襯底61的低濃度n-型擴(kuò)散區(qū)67中。
圖4a和圖4b為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)依照CMOS圖像傳感器中轉(zhuǎn)移晶體管的運(yùn)行的電子流動的剖視圖。
參考圖4a，當(dāng)導(dǎo)通信號(turn-on signal)施加至轉(zhuǎn)移晶體管的柵電極65時，由低濃度n-型擴(kuò)散區(qū)(光電二極管區(qū)PD)67中的光產(chǎn)生的電子被輸送到高濃度n+型擴(kuò)散區(qū)(浮置擴(kuò)散區(qū))69，如圖4b所示。
但是，當(dāng)根據(jù)光電二極管區(qū)或浮置擴(kuò)散區(qū)的電容來入射定量的光時，浮置擴(kuò)散區(qū)的電容飽和，從而停止了進(jìn)一步的響應(yīng)(response)。
在現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器中，存在以下問題。
即，當(dāng)根據(jù)光電二極管區(qū)或浮置擴(kuò)散區(qū)的電容來入射定量的光時，浮置擴(kuò)散區(qū)的電容飽和，從而停止了進(jìn)一步的響應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明旨在提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，該CMOS圖像傳感器通過將轉(zhuǎn)移晶體管的柵極形成為雙柵極晶體管結(jié)構(gòu)來擴(kuò)大浮置擴(kuò)散區(qū)的動態(tài)范圍。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)，正如在此具體實施并廣泛描述的，本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器，其包括半導(dǎo)體襯底，其內(nèi)限定有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)；第一柵電極和第二柵電極，該第一柵電極和該第二柵電極形成于該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)上，且柵絕緣層夾在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)與該第一柵電極和該第二柵電極之間，并且該第一柵電極和該第二柵電極彼此之間具有預(yù)定間隔；第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，其形成于該光電二極管區(qū)的、位于該第一柵電極的兩側(cè)的部分中以及該光電二極管區(qū)的、位于該第二柵電極的兩側(cè)的部分中；側(cè)壁絕緣層，其形成于該第一柵電極的兩側(cè)面和該第二柵電極的兩側(cè)面上；以及浮置擴(kuò)散區(qū)，其形成于該晶體管區(qū)中。
在本發(fā)明的另一個方案中，提供一種制造CMOS圖像傳感器的方法，該方法包括以下步驟形成其內(nèi)限定有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)的半導(dǎo)體襯底；在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)上形成第一柵電極和第二柵電極，且將柵絕緣層夾在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)與該第一柵電極和該第二柵電極之間，并且該第一柵電極和該第二柵電極彼此之間具有預(yù)定間隔；在該第一柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)以及該第二柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)中形成第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)；在該第一柵電極的兩側(cè)面和該第二柵電極的兩側(cè)面上形成側(cè)壁絕緣層；以及在該半導(dǎo)體襯底的晶體管區(qū)中形成浮置擴(kuò)散區(qū)。
應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的以上概括性說明和以下的具體說明都是示范性和說明性的，并且旨在提供對所請求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


所包含的附圖提供了對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其被并入到本申請中并構(gòu)成本申請的一部分，所述的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為示出現(xiàn)有技術(shù)的4T-型CMOS圖像傳感器的等效電路圖；圖2為示出現(xiàn)有技術(shù)的4T-型CMOS圖像傳感器的單位像素的布局；圖3為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的剖視圖；圖4a和圖4b為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)依照CMOS圖像傳感器中轉(zhuǎn)移晶體管的運(yùn)行的電子流動的剖視圖；圖5a為示出根據(jù)本發(fā)明4T-型CMOS圖像傳感器的單位像素的布局；圖5b為沿圖5a的VI-VI′線的CMOS圖像傳感器的剖視圖；圖6a到圖6f為示出根據(jù)本發(fā)明制造CMOS圖像傳感器的方法的剖視圖；以及圖7為解釋根據(jù)本發(fā)明CMOS圖像傳感器的運(yùn)行的剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行說明，其實例在附圖中示出。盡可能地在所有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。
在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
圖5a為示出根據(jù)本發(fā)明4T-型CMOS圖像傳感器的單位像素的布局，圖5b為沿圖5a的VI-VI′線的CMOS圖像傳感器的剖視圖。
參考圖5a，在半導(dǎo)體襯底上限定有源區(qū)，并在除了有源區(qū)之外的部分上形成器件隔離層。在有源區(qū)中具有較大寬度的部分內(nèi)形成一個光電二極管PD，并在有源區(qū)的其余部分中形成彼此交疊的四個晶體管的柵電極105、205、305和405。
即，轉(zhuǎn)移晶體管由柵電極105形成，復(fù)位晶體管由柵電極205形成，驅(qū)動晶體管由柵電極305形成，選擇晶體管由柵電極405形成。
在此，將雜質(zhì)離子注入每一個晶體管的有源區(qū)中除了各柵電極105、205、305和405的下部以外的部分中，以形成各晶體管的源極/漏極區(qū)域S/D。
并且，轉(zhuǎn)移晶體管的柵電極105在光電二極管區(qū)中形成為 形狀。
參考圖5b，CMOS圖像傳感器包括P-型外延層102，其形成于P++型導(dǎo)電半導(dǎo)體襯底101上，該半導(dǎo)體襯底101分為器件隔離區(qū)以及具有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)的有源區(qū)；器件隔離層103，其形成于器件隔離區(qū)中，以限定半導(dǎo)體襯底101的有源區(qū)；柵絕緣層104，其夾在半導(dǎo)體襯底101的有源區(qū)與柵電極之間，以形成具有固定間隔的第一柵電極105a和第二柵電極105b；低濃度n-型擴(kuò)散區(qū)107，其形成于第一柵電極105a和第二柵電極105b的一側(cè)的光電二極管區(qū)中；側(cè)壁絕緣層108，其形成于第一柵電極105a的兩側(cè)面和第二柵電極105b的兩側(cè)面上；高濃度n+型擴(kuò)散區(qū)(浮置擴(kuò)散區(qū))110，其形成于第一柵電極105a和第二柵電極105b的另一側(cè)的晶體管區(qū)中；以及P0型擴(kuò)散區(qū)112，其形成于半導(dǎo)體襯底101的低濃度n-型擴(kuò)散區(qū)107中。
這里，第一柵電極105a和第二柵電極105b的寬度(即溝道長度)互不相同。
并且，施加到第一柵電極105a和第二柵電極105b的電壓可以根據(jù)光量互不相同。
也就是說，第一柵電極105a和第二柵電極105b之間僅有一個電極可以導(dǎo)通，或者所有電極均可以導(dǎo)通。當(dāng)兩個電極均導(dǎo)通時，以及當(dāng)僅有一個電極導(dǎo)通時，輸出信號互不相同。
并且，第一柵電極105a形成為覆蓋在光電二極管區(qū)的一部分上，第二柵電極105b形成為穿過光電二極管區(qū)以越過(Gross)該光電二極管區(qū)。
圖6a到圖6f為示出根據(jù)本發(fā)明制造CMOS圖像傳感器的方法的剖視圖。
參考圖6a，使用外延工藝，在高濃度P++型半導(dǎo)體襯底101上形成低濃度P-型外延層102。
在半導(dǎo)體襯底101中限定有源區(qū)和器件隔離區(qū)。使用淺溝槽隔離(STI)工藝在器件隔離區(qū)中形成器件隔離層103。
盡管附圖中沒有示出，但將在下面描述用于形成器件隔離層103的方法。
首先，在半導(dǎo)體襯底101上依次形成焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和正硅酸四乙脂(TEOS)氧化物層，并在TEOS氧化物層上形成光致抗蝕劑層。
通過曝光和顯影工藝，使用限定有源區(qū)和器件隔離區(qū)的掩模將光致抗蝕劑層圖案化。在此，去除器件隔離區(qū)的光致抗蝕劑層。
使用圖案化的光致抗蝕劑層作為掩模，選擇性地去除器件隔離區(qū)的焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層。
使用圖案化的焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層作為掩模，將半導(dǎo)體襯底的、與器件隔離區(qū)相對應(yīng)的部分蝕刻至預(yù)定深度，以形成溝槽。之后，將光致抗蝕劑層完全去除。
溝槽的內(nèi)部填充絕緣材料，以形成器件隔離層103。之后，去除焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層。
參考圖6b，在形成器件隔離層103的P-型外延層102的整個表面上依次沉積柵絕緣層104和諸如高濃度多晶硅層之類的導(dǎo)電層。
柵絕緣層104可以通過熱氧化工藝或化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝形成。
并且，選擇性地去除導(dǎo)電層和柵絕緣層104，以形成具有固定間隔的第一柵電極105a和第二柵電極105b。
當(dāng)一致的導(dǎo)通/截止電壓施加至第一柵電極105a和第二柵電極105b之后，第一柵電極105a和第二柵電極105b為轉(zhuǎn)移晶體管的柵電極。
參考圖6c，在包括第一柵電極105a和第二柵電極105b的半導(dǎo)體襯底101的整個表面上涂布第一光致抗蝕劑層106，然后通過曝光和顯影工藝，選擇性地圖案化以露出每一個光電二極管區(qū)。
接下來，利用圖案化的第一光致抗蝕劑層106作為掩模，將低濃度第二導(dǎo)電型(n-型)雜質(zhì)離子注入到外延層102中，以形成n-型擴(kuò)散區(qū)107。
參考圖6d，去除第一光致抗蝕劑層106，然后在包括第一柵電極105a和第二柵電極105b的半導(dǎo)體襯底101的整個表面上形成絕緣層。之后，在絕緣層的整個表面上進(jìn)行回蝕工藝，以在第一柵電極105a的兩側(cè)和第二柵電極105b的兩側(cè)均形成側(cè)壁絕緣層108。
隨后，在包括第一柵電極105a和第二柵電極105b的半導(dǎo)體襯底101的整個表面上涂布第二光致抗蝕劑層109，然后通過曝光和顯影工藝進(jìn)行圖案化，以覆蓋光電二極管區(qū)，并露出每一個晶體管的源極/漏極區(qū)。
之后，使用圖案化的第二光致抗蝕劑層109作為掩模，將高濃度第二導(dǎo)電型(n+型)雜質(zhì)離子注入到露出的源極/漏極區(qū)中，以形成n+型擴(kuò)散區(qū)(浮置擴(kuò)散區(qū))110。
參考圖6e，去除第二光致抗蝕劑層109。接下來，在半導(dǎo)體襯底101的整個表面上涂布第三光致抗蝕劑層111，然后通過曝光和顯影工藝進(jìn)行圖案化，以露出每一個光電二極管區(qū)的一部分。
之后，使用圖案化的第三光致抗蝕劑層111作為掩模，將第一導(dǎo)電型(P0型)雜質(zhì)離子注入到形成n-型擴(kuò)散區(qū)107的外延層102中，以在外延層102的表面的下方形成P0型擴(kuò)散區(qū)112。
參考圖6f，去除第三光致抗蝕劑層111，并在半導(dǎo)體襯底101上進(jìn)行熱處理以擴(kuò)散每一個雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
在濾色層和微透鏡形成以后，在半導(dǎo)體襯底101的整個表面上形成中間絕緣層的多個金屬導(dǎo)線，以完成圖像傳感器的制造，這些工藝在附圖中沒有示出。
圖7為解釋根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的運(yùn)行的剖視圖。
如圖7所示，使用形成有互不相同的寬度的第一柵電極105a和第二柵電極105b將光電二極管區(qū)PD分成兩個區(qū)域。這樣，當(dāng)入射少量的光時，第一柵電極105a和第二柵電極105b都導(dǎo)通，從而增加了待輸送的電子的數(shù)目；并且當(dāng)入射大量的光時，只有第一柵電極105a與第二柵電極105b之間的一個電極導(dǎo)通，從而減少了電子的數(shù)目。因此，通過改變所施加電壓的放大率，可以分別提高少量光或大量光的響應(yīng)性能(reaction characteristics)。
也就是說，在光量小的情況下，高電壓施加到轉(zhuǎn)移晶體管，以將導(dǎo)通電壓施加至第一柵電極和第二柵電極，從而增加待輸送到浮置擴(kuò)散區(qū)FD的電子的數(shù)目。因此，可以提高響應(yīng)少量光的敏感度(sensitivity)。
同樣，在光量大的情況下，低電壓施加到轉(zhuǎn)移晶體管，以將導(dǎo)通電壓僅施加至寬度相對較窄的第一柵電極105a，從而減少待輸送到浮置擴(kuò)散區(qū)FD的電子的數(shù)目，由此通過使浮置擴(kuò)散區(qū)飽和而防止對更大量的光不敏感。
同時，在本發(fā)明的實施例中，第一柵電極105a的閾值電壓為0.5V，第二柵電極105b的閾值電壓為0.1V，從而具有溝道長度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明制造CMOS圖像傳感器的方法具有如下效果。
第一，轉(zhuǎn)移晶體管的柵極形成為雙柵極晶體管結(jié)構(gòu)，從而增加了浮置擴(kuò)散區(qū)響應(yīng)光的動態(tài)范圍，由此提高了圖像傳感器的工作性能。
第二，轉(zhuǎn)移晶體管的柵極形成為雙柵極晶體管結(jié)構(gòu)，從而減少了從光電二極管到浮置擴(kuò)散區(qū)的漏電流。
第三，通過增加浮置擴(kuò)散區(qū)的工作范圍和減少圖像傳感器的漏電流，擴(kuò)大了使用圖像傳感器的范圍。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，可以對本發(fā)明進(jìn)行多種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同范圍內(nèi)的本發(fā)明的所有修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其包括半導(dǎo)體襯底，其內(nèi)限定有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)；第一柵電極和第二柵電極，該第一柵電極和該第二柵電極形成于該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)上，且柵絕緣層夾在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)與該第一柵電極和該第二柵電極之間，并且該第一柵電極和該第二柵電極彼此之間具有預(yù)定間隔；第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，其形成于該光電二極管區(qū)的、位于該第一柵電極的兩側(cè)的部分中以及該光電二極管區(qū)的、位于該第二柵電極的兩側(cè)的部分中；側(cè)壁絕緣層，其形成于該第一柵電極的兩側(cè)面和該第二柵電極的兩側(cè)面上；以及浮置擴(kuò)散區(qū)，其形成于該晶體管區(qū)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中，該互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器還包括第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，該第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)形成于具有該第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中，該第一柵電極和該第二柵電極的寬度互不相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中，該第一柵電極和該第二柵電極的下方的溝道長度互不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中，根據(jù)光量將互不相同的電壓施加到該第一柵電極和該第二柵電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器，其中，該第一柵電極形成為覆蓋在該光電二極管區(qū)的一部分上，該第二柵電極形成為穿過該光電二極管區(qū)以越過該光電二極管區(qū)。
7.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，該方法包括以下步驟形成其內(nèi)限定有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)的半導(dǎo)體襯底；在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)上形成第一柵電極和第二柵電極，且將柵絕緣層夾在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)與該第一柵電極和該第二柵電極之間，并且該第一柵電極和該第二柵電極彼此之間具有預(yù)定間隔；在該第一柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)以及該第二柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)中形成第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)；在該第一柵電極的兩側(cè)面和該第二柵電極的兩側(cè)面上形成側(cè)壁絕緣層；以及在該半導(dǎo)體襯底的晶體管區(qū)中形成浮置擴(kuò)散區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，該方法還包括在具有該第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面內(nèi)形成第二導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，該第一柵電極和該第二柵電極的寬度互不相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，該第一柵電極和該第二柵電極的下方的溝道長度互不相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法。該CMOS圖像傳感器包括半導(dǎo)體襯底，其內(nèi)限定有光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)；第一柵電極和第二柵電極，該第一柵電極和該第二柵電極形成于該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)上，且柵絕緣層夾在該半導(dǎo)體襯底的光電二極管區(qū)與該第一柵電極和該第二柵電極之間，并且該第一柵電極和該第二柵電極彼此之間具有預(yù)定間隔；第一導(dǎo)電型擴(kuò)散區(qū)，其形成于該第一柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)以及該第二柵電極的兩側(cè)的光電二極管區(qū)中；側(cè)壁絕緣層，其形成于該第一柵電極的兩側(cè)面和該第二柵電極的兩側(cè)面上；以及浮置擴(kuò)散區(qū)，其形成于該晶體管區(qū)中。
文檔編號H01L21/28GK1992320SQ20061017125
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者任勁赫 申請人:東部電子股份有限公司