專利名稱：用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種用于晶片支撐裝置 的調(diào)制樣片。
技術背景半導體晶片處理系統(tǒng)中通常包含晶片支撐裝置，用以支撐處理容器中的晶片。而晶片的固定，通常由機械固定或靜電吸盤(chuck)所提供。不同的晶 片處理系統(tǒng)中的晶片支撐裝置大多包含將晶片固定于晶片支撐體上以及對晶 片進行加熱及/或冷卻的各種部件；此外，旋涂系統(tǒng)內(nèi)的晶片支撐裝置還包 含對晶片背面進行及時沖洗的各種部件。當前，對晶片支撐裝置的研究大多集中在對晶片支撐裝置的加熱及/或 冷卻部件的改進上，如申請?zhí)枮?200510118052. X"的中國專利申請中提供了一種將設置于真空側(cè)的電極連接至設置于大氣側(cè)的端子上的貫通供電構 造，以解決現(xiàn)有的連接構造體所具有的結(jié)構復雜及部分連接失效的問題；申 請?zhí)枮?03810217.X"的中國專利申請中提供了一種在熱處理室中利用基座 加熱半導體晶片的工藝和系統(tǒng)，通過改變基座設置，降低晶片中的徑向溫度梯度，可以消除或最小化晶片中產(chǎn)生的滑移，并通過更均勻地加熱晶片，改 善沉積或外延工藝期間晶片上的沉積均勻度。然而，對旋涂系統(tǒng)內(nèi)晶片支撐裝置中用以對晶片背面進行及時沖洗的各 種部件進行的改進所進行的研究還遠遠不夠。圖l為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的結(jié)構示意圖，如圖1所示，旋涂系 統(tǒng)包括旋涂室20及晶片支撐裝置，所述晶片支撐裝置包括晶片支撐體60、廢 液收集裝置3O及旋涂物質(zhì)收集裝置40,晶片支撐體60用以直接承載并固定晶 片。旋涂過程中，由于旋涂物質(zhì)均為流動性物質(zhì)，為保證此旋涂物質(zhì)可在涂 覆晶片邊緣后，不產(chǎn)生由于旋涂物質(zhì)污染晶片背面而導致的晶片平整度變差， 通常在晶片支撐裝置中還包括對晶片背面進行及時沖洗的一定數(shù)量的清洗部 件50;此一定數(shù)量的清洗部件50均勻分布于晶片支撐體60四周。通過在旋涂 過程中利用此一定數(shù)量的清洗部件沿一定方向噴射具有一定流速的旋涂材料 清洗溶液于晶片背面，以清洗已污染晶片背面的旋涂物質(zhì)。廢液收集裝置用 以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液。旋涂物質(zhì)收集裝置 用以接收旋涂過程中噴賊的旋涂物質(zhì)。通常，旋涂前，為保證噴射的旋涂材料清洗溶液既能保證旋涂物質(zhì)不能 污染晶片背面，又不至于將旋涂物質(zhì)噴濺至旋涂室內(nèi)，需利用調(diào)制樣片10輔助進行各清洗部件的流速和噴射角度的調(diào)節(jié)。應用現(xiàn)有方法調(diào)節(jié)清洗部件50 時需首先將一調(diào)制樣片固定于晶片支撐體60上，此調(diào)制樣片10與生產(chǎn)用晶片 尺寸相同；隨后，測試各清洗部件的流速和噴射角度。根據(jù)測試結(jié)果，確定 清洗部件的流速和噴射角度需要調(diào)節(jié)后，需將此位于復數(shù)個清洗部件50上方 的調(diào)制樣片10取下，方可調(diào)節(jié)清洗部件50，調(diào)節(jié)后再將此調(diào)制樣片10恢復原 位，重復測試，直至確定清洗部件50的流速和噴射角度已符合預定要求。實 際生產(chǎn)中，各清洗部件的調(diào)節(jié)通常需重復多次，如此反復取、放調(diào)制樣片IO， 一方面易造成調(diào)制樣片10的損傷，另一方面使得調(diào)節(jié)步驟繁瑣，耗費了大量 的生產(chǎn)準備時間。若能改進調(diào)制樣片10的結(jié)構，使得無需反復取、放調(diào)制樣 片10即可進行清洗部件50的調(diào)節(jié)，將給實際生產(chǎn)帶來極大的方便。 實用新型內(nèi)容本實用新型提供了一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，利用此調(diào)制樣片 調(diào)制樣片支撐裝置時，無需反復取、^t調(diào)制樣片即可進行位于其下部的清洗 部件的調(diào)節(jié)。本實用新型提供的一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺 寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔。所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料；所述調(diào)制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物，聚碳酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種；所述調(diào)節(jié)孔位于所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)區(qū) 內(nèi)；所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目相同；所述調(diào)制 樣片附加有高度檢測裝置；所述高度^^測裝置包括具有預定厚度的標定物；所 述標定物的預定厚度為預定高度范圍邊界值；所述標定物位于所述調(diào)制樣片 邊緣；所述高度檢測裝置為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置。 與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點 1. 通過改進調(diào)制樣片的結(jié)構，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置 時，無需反復取、放調(diào)制樣片即可進行位于其下部的清洗部件的調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率；2. 通過在調(diào)制樣片上形成調(diào)節(jié)孔，并控制此調(diào)節(jié)孔的數(shù)量與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目 一致，可實現(xiàn)對位于調(diào)制樣片下部的清洗部件的單獨調(diào)節(jié)；3. 通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，繼而保證廢液收集裝置 的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預定要求，即可同時保證廢液收集裝置的 側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污染晶片背面的旋涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被 廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合。

圖1為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側(cè)視示意圖； 圖2為說明本實用新型第一實施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面 俯視示意圖；圖3為說明本實用新型第二實施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視 示意圖。
具體實施方式
盡管下面將參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，其中表示了本實 用新型的優(yōu)選實施例，應當理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用 新型而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列的描述應當被理解為對 于本領域技術人員的廣泛教導，而并不作為對本實用新型的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述 公知的功能和結(jié)構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應 當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的 特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪?個實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據(jù)下列 說明和權利要求書本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明
本實用新型實施例的目的。圖2為說明本實用新型第一實施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面 俯視示意圖，如圖2所示，本實用新型提供的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片 IO尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同；所述調(diào)制樣片內(nèi)包含調(diào)節(jié)孔14，所述調(diào)節(jié)孔的 數(shù)目為任意自然數(shù)，如l、 2、 3……等，作為本實用新型的實施例，所述調(diào)節(jié) 孔的數(shù)目為2;所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目一 致。將所述用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片背面分為順序相接的接觸區(qū)13、調(diào) 節(jié)區(qū)12及噴射區(qū)11;所述接觸區(qū)13為位于調(diào)制樣片10內(nèi)對應晶片支撐體與 調(diào)制樣片接觸區(qū)域，所述調(diào)節(jié)區(qū)12及噴射區(qū)11為與調(diào)節(jié)樣片同心的圓環(huán)， 所述調(diào)節(jié)區(qū)12用以設置調(diào)節(jié)孔，以實現(xiàn)對晶片支撐裝置內(nèi)位于調(diào)制樣片下方 的各清洗部件的單獨調(diào)節(jié)；所述噴射區(qū)11為所述各清洗部件噴射的清洗溶液 覆蓋所述調(diào)制樣片背面的區(qū)域。對于不同的旋涂系統(tǒng)，所述調(diào)制樣片10內(nèi)的 各分區(qū)的范圍及調(diào)節(jié)孔位于調(diào)制樣片內(nèi)的具體位置可根據(jù)工藝條件及產(chǎn)品要 求適當改變。所述調(diào)節(jié)孔的尺寸小于所述調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū)內(nèi)外半徑的差值?，F(xiàn)在的生產(chǎn)過程中，所述調(diào)制樣片的材料通常為特制玻璃，此材料在利 用調(diào)制樣片調(diào)節(jié)晶片支撐裝置內(nèi)位于調(diào)制樣片下方各部件時，易造成調(diào)制樣的改進。本實用新型提供的調(diào)制樣片的材料為透明或半透明合成樹脂材料或塑 料，如曱基丙烯酸曱酯(Acryl， P薩A)、聚氯乙烯(PVC),丙烯腈/丁二烯 /苯乙烯共聚物(ABS),聚碳酸脂(PC),聚醚酰亞胺(PEI)等。作為本實用新型的實施例，對于300毫米晶片生產(chǎn)線，所述調(diào)制樣片直徑 為300毫米(mm);若所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目為2,即清洗部件 的數(shù)目為2，則所述調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)孔的數(shù)目為2。對于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)孔可位于直徑為60 IOO毫米圓環(huán)內(nèi)的 任意圓周上，所述調(diào)節(jié)孔的具體尺寸可為邊長或直徑小于調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū) 內(nèi)外半徑差值的方形、圓形、三角形等具有任意形狀的孔洞；對于300毫米顯 影系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)孔可位于直徑為80 120毫米圓環(huán)內(nèi)的任意圓周上，所述調(diào)
節(jié)孔的具體尺寸可為邊長或直徑小于調(diào)制樣片內(nèi)調(diào)節(jié)區(qū)內(nèi)外半徑差值的方 形、圓形、三角形等具有任意形狀的孔洞。誠然，所述調(diào)節(jié)孔的具體位置、尺寸及形狀為便于本實用新型的具體實 施而做出的特殊選擇，不應作為對本實用新型方法實施方式的限定，本領域 技術人員對此作出的任意合理的修改及等同變換不影響本實用新型方法的實 施，且應包含在本實用新型的保護范圍內(nèi)。為保證廢液收集裝置的側(cè)壁在旋涂過程中不損傷調(diào)制樣片，及此混合溶 液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質(zhì)混合，此側(cè)壁需具有一 定的高度，同時此側(cè)壁與調(diào)制樣片間還需形成具有一定高度的空隙，實際生產(chǎn)過程中，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為1 1.2毫米；對 于300毫米顯影系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為4 4. 5毫米。為保證上述空隙高度在此范圍內(nèi)，可在所述調(diào)制樣片上附加一空隙高度 檢測裝置，作為本實用新型的實施例，所述空隙高度檢測裝置可包括分別具 有特定厚度的兩個標定物70，所述兩個標定物的特定厚度為所述空隙的高度 范圍兩邊界值，所述標定物位于所述調(diào)制樣片邊緣，且兩標定物在調(diào)制樣片 上的實際位置均無限定。所述標定物可附于所述調(diào)制樣片背面。所述標定物 材料可為任意固體材料，如合成樹脂材料、塑料或金屬等。作為本實用新型的實施例，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述標定物為高度分 別為1毫米和1.2毫米的兩個鋼片，此兩標定物可位于所述調(diào)制樣片內(nèi)邊緣處 任意位置。實際操作時，應用可附于所述調(diào)制樣片背面的標定物檢測空隙高 度時，首先，將對應所述空隙高度下限值高度的標定物附于所述調(diào)制樣片背 面，旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片可任意轉(zhuǎn)動，則說明所述空隙高度 滿足預定高度下限值；若所述調(diào)制樣片無法任意轉(zhuǎn)動一周，則說明有空隙高 度超出預定高度下限值；然后，將對應所述空隙高度上限值高度的標定物附 于所述調(diào)制樣片背面，旋轉(zhuǎn)所述調(diào)制樣片，若所述調(diào)制樣片無法轉(zhuǎn)動，說明 所述空隙高度滿足預定高度上限值；若所述調(diào)制樣片可轉(zhuǎn)動，說明有空隙高 度超出預定高度上限值。即只有所述調(diào)制樣片在其背面附有對應所述空隙高 度下限值高度的標定物時，可任意轉(zhuǎn)動，且在其背面附有對應所述空隙高度 上限值高度的標定物時無法轉(zhuǎn)動，方可確定上述空隙高度在預定要求范圍內(nèi)。
圖3為說明本實用新型第二實施例的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片側(cè)視示意圖，如圖3所示，所述空隙高度4全測裝置可為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置80， 所述傳感式數(shù)字顯示檢測裝置包含檢測部83、固定部82及顯示部81。所述固定部82用以將所述傳感式數(shù)字顯示檢測裝置固定于所述調(diào)制樣片 邊緣；所述顯示部81與所述固定部82相接，所述顯示部81可相對所述固定部 82轉(zhuǎn)動，所述顯示部81用以即時顯示所述空隙高度值；所述檢測部83與所述 固定部82相接，所述檢測部83可利用傳感裝置檢測所述空隙高度值；所述檢 測部83具有可伸縮結(jié)構，所述^r測部83包含連接部831與感應部832,所述連 接部831用以與所述固定部82相接，所述感應部832處具有一傳感裝置，所述 檢測部8 3利用所述傳感裝置檢測所述空隙高度值。采用本實用新型提供的晶片支撐裝置調(diào)制晶片，通過改進調(diào)制樣片的結(jié) 構，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置時，無需反復取、放調(diào)制樣片即 可進行位于其下部的清洗部件的調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率； 通過在調(diào)制樣片上形成調(diào)節(jié)孔，并控制此調(diào)節(jié)孔的數(shù)量與所述晶片支撐裝置 內(nèi)清洗部件的數(shù)目一致，以及通過控制此調(diào)節(jié)孔的尺寸，可實現(xiàn)對位于調(diào)制 樣片下部的清洗部件的單獨調(diào)節(jié)；通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝 置，繼而保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預定要求，即 可同時保證廢液收集裝置的側(cè)壁不損傷調(diào)制樣片以及清洗污染晶片背面的旋 涂物質(zhì)后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接 收的多余的旋涂物質(zhì)混合。盡管通過在此的實施例描述說明了本實用新型，和盡管已經(jīng)足夠詳細地描 述了實施例，申請人不希望以任何方式將權利要求書的范圍限制在這種細節(jié) 上。對于本領域技術人員來說另外的優(yōu)勢和改進是顯而易見的。因此，在較 寬范圍的本實用新型不限于表示和描述的特定細節(jié)、表達的設備和方法和說 明性例子。因此，可以偏離這些細節(jié)而不脫離申請人總的實用新型概念的精 神和范圍。
權利要求1.一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，利用所述調(diào)制樣片調(diào)節(jié)所述晶片支撐裝置時，所述調(diào)制樣片置于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方，其特征在于所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔，所述調(diào)節(jié)孔位于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方。
2. 根據(jù)權利要求l所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述調(diào)制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在 于所述調(diào)制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯 乙烯共聚物，聚碳酸脂，聚醚酰亞胺材料中的一種。
4. 根據(jù)權利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述調(diào)節(jié)孔的數(shù)目與所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的數(shù)目相同。
5. 根據(jù)權利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特 征在于所述調(diào)制樣片附有高度檢測裝置。
6. 根據(jù)權利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述高度檢測裝置包括具有預定厚度的標定物。
7. 根據(jù)權利要求6所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標定物的數(shù)目為2。
8. 根據(jù)權利要求7所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標定物的預定厚度分別為預定高度范圍的邊界值。
9. 根據(jù)權利要求8所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于 所述標定物位于所述調(diào)制樣片邊纟彖。
10. 根據(jù)權利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，其特征在于: 所述高度檢測裝置為傳感式數(shù)字顯示檢測裝置。
專利摘要一種用于晶片支撐裝置的調(diào)制樣片，所述調(diào)制樣片尺寸與產(chǎn)品晶片尺寸相同，所述調(diào)制樣片內(nèi)具有調(diào)節(jié)孔，所述調(diào)節(jié)孔位于所述晶片支撐裝置內(nèi)清洗部件的上方。通過改進調(diào)制樣片的結(jié)構，使得利用此調(diào)制樣片調(diào)制樣片支撐裝置時，無需反復取、放調(diào)制樣片即可進行位于其下部的清洗部件的單獨調(diào)節(jié)，簡化了調(diào)節(jié)步驟，提高了生產(chǎn)效率；通過在調(diào)制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，可保證廢液收集裝置的側(cè)壁與調(diào)制樣片的空隙高度滿足預定要求。
文檔編號H01L21/00GK201032626SQ20062004903
公開日2008年3月5日 申請日期2006年12月15日 優(yōu)先權日2006年12月15日
發(fā)明者黃良志 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司