專利名稱：白光發(fā)光二極管的制造系統(tǒng)與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管(LED)及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)技術(shù)的進步己使得LEDs具有 ^f只小、龍輕、效率高和絲長辦性。這些LEDs在各式單色光輸出(例 如紅光、藍光和綠光)已可見相當大的進步，單色LED能作為一種特殊顯 示器的背光，例如手機和液晶顯示器(LCDs)。
驗，已多方嘗試利用LED來制造白光光源。因為LEDs具有偏好的 Mf光i魏產(chǎn)生單色光，故制造白光光源必須將紅(R)、綠(G)、藍(B) 三種發(fā)光組件相互緊密地排列在一起，同時傳播并混合由其所發(fā)出的光波。 當以此排列來產(chǎn)生白光時，因為發(fā)光組件的色調(diào)、亮度和其它因素上的變 化，故存在著如下問題，亦即無法產(chǎn)生出f給要求色調(diào)的白光；并且，當 發(fā)光組件由不同材料構(gòu)成時，驅(qū)動所需的電能也隨發(fā)光二極管而有所不同， 故須對不同發(fā)光組件施以不同電壓，這樣會導致復雜的驅(qū)動電路。再者， 因為該發(fā)光組件為半導體發(fā)光組件，色調(diào)易因,特性的差異、時序改變 及操作環(huán)境而產(chǎn)生變化；或是因無法均勻地混合由發(fā)光組件所產(chǎn)生的光波 而造成色彩不均勻。雖然目前為止尚未存在能夠利用發(fā)光組件而發(fā)出白光 的良好光源，但是發(fā)光二極管仍為用以產(chǎn)生^^蟲色彩的有效發(fā)光裝置。
美國專利5998925號公開了一種具有發(fā)光組j牛及熒光體(phosphor)的 白光發(fā)光二極管，該發(fā)光組件利用半導體作為發(fā)光層，該熒光體吸收部分 發(fā)光組件所鄉(xiāng)出的光波，并發(fā)出波長不同于所吸收光的光波，其中，該 發(fā)光組件的發(fā)光層為氮化物化合物半導體，而該熒光體包含由鈰(cerium) 活化的石榴石(garnet)熒光材料，其中該石榴石熒光材料含有選自包含紀 (Y)、鎦(Lu)、鈧(Sc)、鑭(La)、軋(Gd)及釤(Sm)的族群的至少 一種元素、以鵬自包含鋁(Al)、鎵(Ga)及銦(In)的族群的至少一種元素，且即使以高離艦一段時間后，其發(fā);^爭性仍較不易魏。
圖1顯示如同公開于美國專利5998925的引線型LED，該發(fā)光二極管 為具有安裝引線(mount lead) 2及內(nèi)部引線(inner lead) 4的引線型發(fā)光二 極管，其中，發(fā)光組件8裝設(shè)于該安裝導線2的杯狀物(cup) 6上，且該 杯狀物6 i^t凃布樹脂14且以樹脂，造，該涂布柳旨14包含特定熒光 體，以覆蓋該發(fā)光組件8。該發(fā)光組件8的n型電極與p型電^M51配線 12分別連接于安裝弓踐2及內(nèi)部引線4。在如上述所構(gòu)成的發(fā)光二極管中， 部分由發(fā)光組件(LED晶粒)8所發(fā)出的光線(之后稱為LED光)激發(fā)了 包含于涂布樹脂14中的熒光體而產(chǎn)生與LED光不同波長的熒光，使得由 熒光體所發(fā)出的熒光以及未能激發(fā)熒光體所輸出的LED光互相混合而輸 出，因此，該發(fā)光二極管也輸出波長不同于由發(fā)光組件8所發(fā)出的LED光 的光波。
圖2顯示如同公開于美國專利5998925的晶粒實施例，該晶粒型LED 裝設(shè)于i麟涂布材料的夕灘22的壁凹處，該涂布材料包"M寺殊熒光體，以 形^層28。該發(fā)光組件26j頓環(huán)氧樹脂(epoxyresin)或是包含例如銀 的類似物來固定，且該發(fā)光組件26的n型電極與p型電鵬接于借助導線 24而裝設(shè)在外框22上的金屬端子20。在如上述構(gòu)成的晶粒型發(fā)光二極管 中，對以于圖1的弓踐型發(fā)光二極管，由熒光體所發(fā)出的熒光以及未被熒 光體吸ii^刑專送的LED光互相混合而加以輸出，因此，該發(fā)光二極管也將 輸出波長不同于由發(fā)光組件26所發(fā)出的LED光的光波。
美國專利6642652公開了一種包含發(fā)光裝置的光源，例如覆蓋著發(fā)光 材料結(jié)構(gòu)(例如單層或多層熒光體)的第3族氮化物發(fā)光二極管。在該發(fā) 光材料結(jié)構(gòu)的厚度上的任何變化小于或等于該發(fā)光材料結(jié)構(gòu)的平均厚度的 10%。在一些實施例中，該發(fā)光材料結(jié)構(gòu)的厚度小于該發(fā)艘置的橫截面尺 寸的10%;在一些實施例中，該發(fā)光材料結(jié)構(gòu)是發(fā)光^S所發(fā)出的光波通 過其中的唯一發(fā)光材料；在又另一些實施例中，該發(fā)光材料結(jié)構(gòu)的厚度介 于約15與約100 ,間。該發(fā)光材料結(jié)構(gòu)3131例如樹坂印刷(stenciling) 或電泳沉積(electrophoretic deposition) 5feit擇性沉積于該發(fā)，置上。
圖3說明了根據(jù)美國專利6642652的以熒光，布的LED。圖3中的 LED包含n型區(qū)域44，形成于基板42上，例如藍寶石、碳化硅(SiC)或，H^氮化物材料；活性區(qū)域46，形成于該n型區(qū)域44上；及p型區(qū) 域36，形成于該活性區(qū)域46上。n型區(qū)域44、活性區(qū)域46及p型區(qū)域36 一般為多層結(jié)構(gòu)，n型區(qū)域44、活性區(qū)域46及p型區(qū)域36會被蝕亥鵬一 部份而使n型區(qū)域44的一部分外露。p型接點(面)34沉積于p型區(qū)域 36上，且n型接點38沉積于n型區(qū)域44的該外露部分上。接著將該LED 翻轉(zhuǎn)過來并以材料32 (例如焊錫)固定于下底座(sulMTiount) 30。
美國專利6744196公開了包含LED晶粒及染色薄膜層的薄膜LED裝 置，其中該LED晶粒在第一波長下發(fā)光，而該染色薄膜層可改變所發(fā)出光 的顏色。例如，藍光發(fā)光二極管晶粒能用來產(chǎn)生白光。該染色薄膜層包含 利用化學氣相沉積工藝加以沉積的有幫助的ZnSe、 Ce02、 A1203或 Y203Ce，該化學氣相沉積工藝例如有機金屬化學氣相沉f只(metal organic chemical vapor deposition^ MOCVD)、原子層化學氣相沉積(atomic layer chemical vapor deposition^ ALD)、等離子增強型原子層化學氣相沉積(plasma enhancedALD)歷或光增強型化學氣相沉積(photoenhancedCVD)。如圖 4所示，n型接點50位于反射層52下方，染色層(熒光體層)53位于該 反射層52上方；接著，形，1化層54以及形成p型半透明接點(面) 56。第二鈍化層58形成于，一鈍化層54及接點(面)56上方。導線60 連接于位于p型引線64上方的p型焊墊62。
發(fā)明內(nèi)容
垂直型發(fā)光二極管(LED)包含金屬基板；連接于該金屬基板 的p型電極;連接于該p型電極的p型GaN部分；連接于該p型GaN 部分的活性區(qū)域；連接于該活性區(qū)域的n型GaN部分；以及連接于 該n型GaN的熒光體層。
完成上述LED可包含下列一或多個步驟將具有鏡面層的金屬 基板形成于該p型GaN部分的頂部上；使用激光剝除(LLO)、選擇性 地濕式蝕刻或化學機械研磨來移除該藍寶石基板；該p型接點(面) 也可為一反光器；該熒光體層能以熒光體粉末或漿糊加以旋轉(zhuǎn)涂布或 網(wǎng)版印刷；該熒光體層96以掩膜材料101 (例如光阻)加以圖案化 并且以含氟等離子體進行干式蝕刻；接著利用各種不同技術(shù)(例如PVD、電子束蒸鍍或CVD)來施加金屬層99例如Ni/Cr (Cr及Ni) 以與n型GaN形成接觸；在移除該光阻101及剝除金屬層99的不必 要區(qū)域而形成焊墊98后，使該金屬焊墊98與n型GaN形成接觸， 這稱為光阻剝除技術(shù)(lift-offtechniques)。該熒光體層及該焊墊覆蓋 該外露n型GaN的表面80。
本發(fā)明可能包含下列其中之一或多個優(yōu)點。上述具有外露n型 GaN層80的LED晶圓表面為用于后續(xù)制程的實質(zhì)上平滑及平坦的表 面；與已知一次一LED晶粒的方法相比，該方法通過在晶圓層級將 藍光LEDs上的該熒光體層直接地涂布于外露n型GaN表面的頂部 上而降低制造白光LED的成本；該方法減少每一晶粒所需要的熒光 體量；該LEDs不需要晶圓接合/膠合程序，并且該復雜、冗長及一次 一個的晶圓接合/膠合以較不復雜的沉積程序取代，例如物理氣相沉 積(physical vapor deposition, PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)、等離子增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、蒸鍍(evaporation)、離子束沉積 (ion beam deposition)、電化學沉積(electro chemical deposition)、無 電式化學沉積(electroless chemical deposition)、等離子噴涂(plasma spray)、噴墨式沉積(ink jet deposition)。因為n型GaN的導電性好， 故n型電極不需要半透明接點，如此該LED裝置能發(fā)射出更多的光 輸出；再者，因為于該裝置的每一側(cè)上僅需一電極，故LED電極阻 擋較少光波；此外，電流能一致地從n型電極散布至p型電極，因此 增加了LED的性能；此外，金屬基板比藍寶石基板能散布更多熱量， 因此可有更多的電流用來驅(qū)動該LED;所產(chǎn)生的LED能以較小的尺 寸取代常規(guī)LED;對于相同尺寸的LED而言，在相同驅(qū)動電流下， 垂直式LED的光輸出量遠高于常規(guī)LED。
為了更加了解本發(fā)明其它特色、技術(shù)概念及目的，可清楚地閱讀 下列實施例及所附附圖的說明
圖1至圖4顯示各種現(xiàn)有技術(shù)LEDs;圖5顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的垂直型LED的第一實施例; 圖6顯示圖5的LED，且其上具有熒光體涂層； 圖7顯示具有光阻掩膜層的圖案化熒光體涂層； 圖8顯示沉積于圖7的圖案化熒光體涂層上的金屬接觸層； 圖9顯示圖案化金屬焊墊及覆蓋該LED晶圓的熒光體涂層; 圖10顯示多個熒光體涂布的LEDs。主要組件符號說明
2~安裝引線 4~內(nèi)部引線 6~杯狀物 8~發(fā)光組件 12~配線 14 涂布樹脂 20~金屬端子 22~外框 24~導線 26~發(fā)光組件 28 熒光體涂層 30~下底座 32~焊錫
34 p型接點(面)
36 p型區(qū)域
38~n型接點
42~基板
44 n型區(qū)域
46~活性區(qū)域
50 n型接點
52~反射層
53~染色層
54~第一鈍化層56 p型半透明接點(面)58 第二鈍化層60~導線62~p型焊墊64 p型引線70~金屬基板72 p型電極74 p型接點(面)76~p型GaN部分78~活性區(qū)域80~n型GaN的外露表面81~鈍化層82 n型GaN部分卯 熒光體層96 圖案化熒光體層98 焊墊99 接觸金屬層101 光阻掩膜層具體實施方式
接著，將參考附圖來說明本發(fā)明的實施例。在閱讀詳細說明時，可同 時參考附圖，且該圖示也視作該詳細說明的一部份。圖5顯示出垂翻LED晶圓的一個實施例的示范性結(jié)構(gòu)。每一 LED 包含從激光剝除禾Mi^ (laser lift-off)形成的金屬基板70， p型電極72位于 該金屬基板70上方；接著，將反光器、p型接點(面)74及P型GaN部 分76設(shè)置于該p型電極72上方；形成活性區(qū)域78 (包含多量子阱)，且將 n型GaN部分82形成于該活性區(qū)域78上方;該n型GaN具有外露表面80。LED M31下列步驟而形成沉積多層磊晶結(jié)構(gòu)于承載鎌例如藍寶石 上；沉積至少一金屬層于該多層磊晶結(jié)構(gòu)上；以及移除該承載鎌以留下 該金屬繊70。該魏層可j頓電化爭沉積、無電化學沉積、化學氣相沉積(chemical vapor deposition^CVD)、有^TL^:屬化學氣相沉禾只(metal organic chemical vapor deposition^ MOCVD)、等離子增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition^PECVDX原子層化學氣相、沉禾只(atomic layer chemical vapor depositiorij ALD)、物理氣相沉禾只(physical vapor deposition, PVD)、蒸鍍(evaporation)、等離子l^凃(plasma spray)或Jd^ 技術(shù)的組合加以沉積。該金屬層可以為單層或多層。在一 實施例中，以Ag/Pt、 Ag/Pd或Ag/Cr作為鏡面層，以Ni作為阻障層(banier)，而以金作為種晶 層，以上齢作為銅電鍍的主體繊。沉積該鏡面層(例如Ag、 Al、 Pt、 11、 Cr)，接著在電化爭沉積頓電化爭沉積金屬(例如M或Cu)之前， 將阻障層(例如賴的氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鴇鈦(TiWN)、m鈦(nw))形成于該鏡面層上。對于銅的電化學沉積而言,則使用CVD、MOCVD、 PVD、 ALD或蒸鍍禾辨來沉積一種晶層，其中銅的一些種晶材 料為W、 Au、 Cu、 Ni等。該金屬層能夠具有相同或是不同的鄉(xiāng)賊，且j頓 各式的沉積技術(shù)來沉積?？赏ㄟ^使用激光、蝕刻、研磨/拋蝕 (grinding/l卿ing)、化學機械研磨(chemical mechanical polishing)、濕式蝕刻等以移除^ 板。該藍寶石基板能使用激光剝除(LLO)技術(shù)予以移除。該多層磊晶結(jié) 構(gòu)具有反射金屬層，連接于金屬電觀；鈍化層81，鈍化該LED晶粒的 側(cè)壁，連接于該g金屬層74、 p型電極72、 p型GaN層76、多量子阱78 及n型GaN層82; p型GaN層，連接于該鈍化層；n型GaN層，連接于 該多量子阱78; n型電極連接于該n型GaN層，而該金屬電鍍層為p型電極或是具有連接于金屬電MM的P型電極。圖6顯示出位于垂直型LED上的熒光^^層90。因為該LED晶圓實質(zhì)上光滑及平坦，故該晶圓層級的熒光,層均勻且平行于該發(fā)光LED表 面80。因為從活性層發(fā)出的藍光在穿越熒光體層時行進相同距離或光徑， 故^3^色環(huán)(colorfUlrings)存在于LED的場圖型(fiddpattem)上。財卜， 該LED厚度(GaN層總厚度約為2至8微米)遠小于該皿表面82 (大于 50棘)，光主要由頂部表面發(fā)出，且有一些絲自于側(cè)壁，以便將因熒光 體層90的厚度不均勻所弓胞的問題降至最低。該熒光體層90可JOT旋轉(zhuǎn)涂布豐M形成o該熒光體層90倉辦M旋轉(zhuǎn)涂布機以500與30000 rpm間的轉(zhuǎn)ai^涂布，以控制n面在上垂直型LED 晶圓上的層厚度。除了旋轉(zhuǎn)涂布法之外，其它方法例如網(wǎng)版印刷(screen printing)、滾輪法(rollermethod)或浸潤法(dippingmethod)也能被j頓。 尤其，為了獲得預先確定的相等薄膜厚度，使用旋轉(zhuǎn)涂布法較佳。在將該 熒光條布于該繊上后，千燥該涂層薄膜。干燥的方法并不受限制，只 要該薄膜的水分能夠蒸發(fā)。因此，各種使用加熱器或f燥空氣或表面處理 的方法均可使用，例如白熾熱燈；或者，該涂層薄膜可M31放置于室溫環(huán) 境中一段時間 行千燥。為了制造該熒光體涂層，需準備熒光體粉末組成。為了此目的，須將 例如分散劑(dispelling agent)分散于^7K中，而以均皿拌器(homomixer) 攪拌該分散、m將其置于分散劑已分散于其中的純水中，并且攪^半該混合 物。在該熒光體粉末組成物中，水作為分散媒介。該熒光體粉末組成可包 含作為分散劑或保留劑(retaining agent)的酒精，而重鉻酸銨(ammonium bichromate)可作為感旋光性高肝。該熒光體粉末在其制超程中可加以 表面處理，以改善其分散'M及附著性。該熒光，布材料由混合于有機 化學品(例如酒精、氣溶膠(aerosol)、接結(jié)材料(binder material)或環(huán)氧 樹月旨(epoxy resin))中的該熒光體元素所構(gòu)成，以調(diào)整該涂布材料的粘度。 可3131材料粘度與旋ff^可再現(xiàn)地調(diào)整厚度，以改^^ 產(chǎn)生的白光LEDs 的國際照明委員^J^坐標(C正coordination)。接著，施加光阻層101并 以接觸圖案使其曝光，接^t^U該熒光體層90，該嫩何包含干式嫩岐。圖7顯示出具有光I5KM層的圖案化熒光體層。圖案化熒光^^層96生 成于外露n型GaN表面80上，該圖案化熒光體層96能以干式嫩l訌藝加 以圖案化。在千式蝕刻工藝中，光阻 置于該熒光體薄膜上方并且于電 場中使該薄膜暴露于腐蝕性氣體。該繊可包含與熒光體片段尺寸相當?shù)?光阻條帶(photoresistive strips)。該嫩ij結(jié)果為多個接觸開口的開口，用于 稍后沉積接觸金屬層99，例如Ni/Cr (Ni系與n型GaN相,)。圖8中，接觸金屬層99例如Ni/Cr (Ni與n型GaN相接觸)沉積于該 光阻掩膜層的頂部，并連接于熒光體層96且接觸n型GaN 80。金屬層99 可iOTCVD、 PVD或電子束蒸鍍(e-beamev邵oration)來沉積。圖8中，焊墊98形成于該圖案化熒光體層96上方而形成n型焊墊。該焊墊98 4頓水溶液(例如稀釋的織化鉀)而于移除該光阻 ^ 101期間以剝除技術(shù)來形成。熒光體涂布與焊墊的工藝可互相交換即在涂布及于i頓水溶液(例如稀釋之魏化鉀)移除保護辦墊98的光阻^MM 101期間施加該熒光體層96及艦剝除技術(shù)進行圖案tt^前，首先M光 阻^M將該n型GaN接觸金屬99加以圖案化、干式蝕刻并加以i跟。圖10顯示多個白光LED晶粒。將該熒光,布的LED晶圓切割成白 光LED晶粒，該晶粒可直皿行封裝而不需要在晶粒層級添加熒光體。將 該熒光條層齡至該晶圓層級制程的n側(cè)在上垂直型LED中，接著以激 光或鋸刀將該白光晶圓切亥喊分離的白光LED晶粒。雖然上述描述了單一熒光體層，但也可使用多層熒光體層。例如，可 將紅色感旋光性熒光體粉末組成(熒光體漿)施加于全部表面上，曝光并 顯影；接著，將綠色感旋光性熒光體粉末組成(熒光體漿)施加于全部表 面上，曝光并顯影；再接著，將藍色感旋光性熒光體粉末鄉(xiāng)賊(熒光體漿) 施加于魏表面上，曝光并顯影。雖然本發(fā)明已通過舉例及,實施例作出了描述，然而應該了解本發(fā) 明并不限制于此；相反地，本發(fā)明欲包含各種修艦類似的構(gòu)造和制程。 因此，所附權(quán)利要求的范圍應給予最寬廣的解釋，包含所有如此的修改及 對以的構(gòu)造和制程。
權(quán)利要求
1. 一種垂直型發(fā)光二極管，包含金屬基板；p型電極，連接于該金屬基板；p型接點(面)，連接于該p型電極；p型GaN部分，連接于該p型電極；活性區(qū)域，連接于該p型GaN部分；n型GaN部分，連接于該活性區(qū)域；以及熒光體層，連接于該n型GaN部分。
2. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該金屬基板使 用下列方法之一來沉積電化學電鍍、無電化學鍍、濺鍍、化學氣相 沉積、電子束蒸鍍、熱噴涂法。
3. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該金屬基板為 金屬或包含銅、鎳及鋁其中之一的金屬合金。
4. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該p型接點(面) 包含反光器。
5. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，將該熒光體層 旋轉(zhuǎn)涂布。
6. 如權(quán)利要求5所述的垂直型發(fā)光二極管，包含形成要被旋轉(zhuǎn)涂 布的熒光體粉末。
7. 如權(quán)利要求5所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該熒光體顆粒 與一種或多種有機化學物混合。
8，如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該熒光體層被 圖案化。
9. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該熒光體層被 干式蝕刻。
10. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，包含金屬焊墊，其 連接于該熒光體層。
11. 如權(quán)利要求1所述的垂直型發(fā)光二極管，其中，該熒光體層 接觸該LED的該n型GaN的表面。
12.—種熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造方法，包含 設(shè)置承載基板；在該承載基板上方沉積n型GaN部分； 在該n型GaN部分上方沉積活性層； 在該活性層上方沉積p型GaN部分； 沉積一個或多個金屬層； 施加掩膜層；蝕刻該金屬層、p型GaN層、活性層及n型GaN層；移除該掩膜層；沉積鈍化層；移除該鈍化層位于該p型GaN層頂部上的部分，以使該金屬層 暴露出來；沉積一個或更多層； 沉積金屬基板；移除該承載基板，使該n型GaN層的表面外露； 于該n型GaN層的表面上施加熒光體層。
13.如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造方法，其中，該熒光體n型GaN向上的LED晶圓實質(zhì)上光滑且平坦。
14. 如權(quán)利要求13所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，在施加該熒光體層前，該熒光體n型GaN在上LED晶 圓的表面粗糙度小于10000埃(Angstrom)的表面。
15. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，該承載基板為藍寶石。
16. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，該金屬基板使用下列方法之一來沉積電化學電鍍、無 電化學鍍、濺鍍、化學氣相沉積、電子束蒸鍍、熱噴涂。
17. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，該金屬基板為金屬或包含銅、鎳及鋁其中之一的金屬合 金。
18. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，該承載基板以下列方法其中之一來移除激光剝除(LLO)、濕式蝕刻、化學機械研磨。
19. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，該p型接點(面)包含反光器。
20. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，包含連接于該熒光體層的焊墊。
21. 如權(quán)利要求12所述的熒光體n型GaN在上LED晶圓的制造 方法，其中，于晶圓層級施加的該熒光體層連接于n側(cè)在上垂直型 LED的n型GaN的表面。
全文摘要
一種垂直型發(fā)光二極管(LED)包含金屬基板(70)；連接于該金屬基板的p型電極(72)；連接于該p型電極的p型接點(面)(74)；連接于該p型電極的p型GaN部分(76)；連接于該p型GaN部分的活性區(qū)域(78)；連接于該活性區(qū)域的n型GaN部分(82)；以及連接于該n型GaN的熒光體層(96)。
文檔編號H01L23/495GK101228640SQ200680002125
公開日2008年7月23日 申請日期2006年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月11日
發(fā)明者忠 段, 陳長安 申請人:美商旭明國際股份有限公司