專利名稱：用于制造具有用于外部封裝連接性的貫穿晶片過孔的晶片級封裝的方法和相關(guān)的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明涉及晶片級封裝領(lǐng)域。背景纟支術(shù)電子器件例如移動電話和個人數(shù)字助理(PDA)不斷地減少其尺寸和 價格而增加其功能度.結(jié)果，這些電子器件要求更小、更低成本的元件， 例如集成電路(IC)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件。但是，封裝通常耗 費(fèi)IC和MEMS器件的近似40.(^到近似卯.0%之間的總制造成本。結(jié) 果，出現(xiàn)了晶片級封裝作為提供同樣具有減小的足印的低成本IC和 MEMS器件封裝的^L戰(zhàn)的主要解決方案。作為背景，在晶片級封裝中，特別地對于在其上需要腔的器件，可以 使用接合材料層將保護(hù)晶片接合到包括IC或者M(jìn)EMS器件的器件晶 片.在一個常規(guī)的晶片級封裝方法中，絲網(wǎng)印刷、旋涂或者淀積熔結(jié) (frit)玻璃化合物以形成接合層圖形.然而，在高溫下的接合工藝期 間，流出的熔化的玻璃可以損壞晶片上器件的有源區(qū)域。為了充分的保護(hù) 器件不受流出的熔化的玻璃的影響，必須在接合層圖形與器件之間提供大 量的空間，這不希望地增加了產(chǎn)生的晶片級封裝的尺寸。在另一個常規(guī)的晶片級封裝方法中，使用例如金、基于金的合金、 銅、基于銅的合金或者焊料的薄金屬層形成接合層。盡管這種方法提供了 密封的晶片級封裝，但是特別地對于那些不需要密封封裝的應(yīng)用，使用金 屬接合層不希望地增加了制造成本.在常規(guī)的用于提供非密封晶片級封裝的方法中，使用聚合物作為接合層將兩個晶片接合在一起，并且使用在該聚合物之下的電饋通(electrical feedthrough )將由聚合物密封環(huán)圍繞的器件連接到位于晶片級封裝之外 的接觸襯墊.這些接觸襯墊用于線接合以電連接到其它器件。盡管這種常 規(guī)的封裝方法提供了相對低成本的封裝，但是線接合在下一級封裝中消耗 了許多不希望的空間。因此，本領(lǐng)域中需要實(shí)現(xiàn)具有低成本和希望的小足印的晶片級封裝的 封裝方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在一種用于制造具有用于外部封裝連接性的貫穿晶片過孔的 晶片級封裝的方法和相關(guān)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明處理并解決在本領(lǐng)域中對于實(shí)現(xiàn) 具有低成本和所希望的小足印的晶片級封裝的封裝方法的需要.根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例， 一種用于制造晶片級封裝的方法包 括在器件晶片上形成聚合物層，其中所述器件晶片包括至少一個器件晶片 接觸襯墊和至少 一個器件，并且其中所述至少 一個器件晶片接觸襯墊被電 連接到所述至少一個器件.例如，所述聚合物層可以包括感光聚合物。所 述方法還包括在所述聚合物層中形成至少一個開口和密封環(huán)，其中所述至 少 一個開口位于所述至少 一個器件晶片接觸襯墊之上并且所述密封環(huán)圍繞所述器件.所述方法還包括將保護(hù)晶片接合到所述器件晶片.例如，在將 所述保護(hù)晶片接合到所述器件晶片之前在所述保護(hù)晶片中形成至少一個 腔。根據(jù)本發(fā)明的所述示例性實(shí)施例，所述方法還包括執(zhí)行減薄工藝以獲 得所述保護(hù)晶片的目標(biāo)厚度.所述方法還包括在所述保護(hù)晶片中形成至少 一個過孔，其中所述至少一個過孔延伸貫穿所述保護(hù)晶片，并且其中所述 至少一個過孔位于所述至少一個器件晶片接觸襯墊之上，例如，所述至少一個過孔具有在近似10.0微米與近似100.0微米之間的直徑?？梢?吏用導(dǎo) 電層填充所述至少一個過孔，其中所述導(dǎo)電層與所述至少一個器件晶片接 觸村塾接觸。所述方法還包括在所述保護(hù)晶片上形成至少一個保護(hù)晶片接觸襯墊，其中所述至少 一個保護(hù)晶片接觸襯墊位于所述至少 一個過孔之上 并且被電連接到所述至少一個器件晶片接觸襯墊。所述方法還包括在所迷 至少 一個保護(hù)晶片接觸村墊上形成至少 一個焊料凸起，所述方法還包括執(zhí) 行減薄工藝以獲得所述器件晶片的目標(biāo)厚度。才艮據(jù)一個實(shí)施例，本發(fā)明是一種通過利用上述方法獲得的結(jié)構(gòu).在閱 讀下面詳細(xì)的描述和附圖之后，本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員變得更顯而易見。


圖1示出了示例了實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例所采取的步驟的流程圖；圖2A示例了與圖1中的流程圖中的初始步驟相對應(yīng)的截面圖，其包 括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分；圖2B示例了與圖1中的流程圖中的中間步驟相對應(yīng)的截面圖，其包 括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分；圖2C示例了與圖1中的流程圖中的中間步驟相對應(yīng)的截面圖，其包 括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分；圖2D示例了與圖1中的流程圖中的中間步驟相對應(yīng)的截面圖，其包 括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分；圖2E示例了與圖1中的流程圖中的中間步驟相對應(yīng)的截面圖，其包 括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分；以及圖2F示例了與圖1中的流程圖中的最終步驟相對應(yīng)的截面圖，其包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例處理的晶片的一部分.具體實(shí)施方式
本發(fā)明旨在一種用于制造具有用于外部封裝連接性的貫穿晶片過孔的 晶片級封裝的方法和相關(guān)的結(jié)構(gòu)。下面的描述包含與實(shí)現(xiàn)本發(fā)明有關(guān)的具 體信息。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到本發(fā)明可以以不同于在本申請中具體 討論的方式來實(shí)現(xiàn)。此外，沒有描述本發(fā)明的一些具體細(xì)節(jié)以便不模糊本發(fā)明。在本申請中沒有被描述的具體細(xì)節(jié)在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的知識 范圍內(nèi)。本申請的附圖和所附的詳細(xì)描述僅僅針對本發(fā)明的實(shí)施例。為了維持 簡潔，使用本發(fā)明原理的本發(fā)明的其它實(shí)施例在本申請中沒有被詳細(xì)描 述，也沒有通過本發(fā)明的附圖來詳細(xì)說明.圖1示出了示例了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例性方法的流程圖。從流程圖100省略了對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的某些細(xì)節(jié)和特征.例如，如本領(lǐng)域所公知的，步驟可以由一個或多個子步驟組成或者可以涉及特定的裝置或材料。流程圖100中示出的步驟170到180足以描述本發(fā)明 的一個實(shí)施例；本發(fā)明的其它實(shí)施例可以使用與在流程圖100中所示的那 些步驟不同的步驟，此外，從圖2A到2F中的結(jié)構(gòu)270到280分別地示例了執(zhí)行流程圖 100的步驟170到180的結(jié)果。例如，結(jié)構(gòu)270示出了在處理步驟170之 后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)272示出了在處理步驟172之后的結(jié)構(gòu)270,結(jié)構(gòu) 274示出了在處理步驟174之后的結(jié)構(gòu)272，等等.注意，在器件晶片上 執(zhí)行在流程圖100中示出的處理步驟，該器件晶片在步驟170之前包括例 如器件和兩個器件晶片接觸.現(xiàn)在參考圖1中的步驟170和圖2A中的結(jié)構(gòu)270，在流程圖100的 步驟170中，在包括器件206和器件晶片接觸襯墊208和210的器件晶片 204上形成聚合物層202?？梢园↖C例如RF (射頻)IC的器件206位 于器件晶片204上，該器件晶片204可以包括硅。在一個實(shí)施例中，器件 206可以包括MEMS器件例如RF MEMS器件。器件晶片接觸襯墊208 和210位于器件晶片204的頂表面212上，并被電連接到器件206。器件 晶片接觸襯墊208和210可以包括銅、鋁或者其它適宜的金屬或金屬合 金，并且可以以本領(lǐng)域公知的方式在器件晶片204上形成器件晶片接觸村 墊208和210。注意，雖然為了保持簡潔在此具體討論了僅僅包括一個器 件和兩個器件接觸襯墊的器件晶片，但該器件晶片可以包括大量器件接觸 村墊和多個器件.聚合物層202位于器件晶片204的頂表面212上，并且包括分別位于 器件晶片接觸襯墊208和210之上的開口 214和216。聚合物層202形成 圍繞器件206的密封環(huán)。聚合物層202可以包括感光聚合物，例如苯并環(huán) 丁烯(BCB) ， SU-8 (環(huán)氧樹脂基負(fù)抗蝕劑)或者聚酰亞胺族的化學(xué)結(jié) 構(gòu)中的一種。在一個實(shí)施例中，聚合物層202可以包括感光環(huán)氧樹脂。聚 合物層202具有厚度220，該厚度在例如近似2.0微米與50.0微米之間?？梢酝ㄟ^使用旋涂工藝、噴涂工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或者其它適宜的工 藝在器件晶片204上施加一層聚合物材料形成聚合物層202 .然后構(gòu)圖 該聚合物材料層以形成密封環(huán)，該密封環(huán)圍繞器件206，從而保護(hù)器件 206使其不接觸環(huán)境污染物。在構(gòu)圖和蝕刻工藝期間，也在聚合物材料層 中并且在各自的器件晶片接觸襯墊208和210之上形成開口 214和216。 圖2A中的結(jié)構(gòu)270示例了流程圖100的步驟170的結(jié)果。參考圖1中的步驟172和圖2B中的結(jié)構(gòu)272，在流程圖100的步驟 172中，在保護(hù)晶片222中形成腔224，并將保護(hù)晶片222接合到器件晶 片204，以便腔224位于器件206之上。設(shè)置可以包括珪的保護(hù)晶片222 的位置以便保護(hù)晶片222的頂表面226與聚合物層202接觸并且包括位于 器件206之上的腔224?？梢酝ㄟ^在保護(hù)晶片222的頂表面224上構(gòu)圖開 口并利用適宜的蝕刻工藝去除開口中足夠量的硅來形成具有希望的深度的 腔，以形成腔224。在一個實(shí)施例中，沒有在保護(hù)晶片222中形成腔 224。通過執(zhí)行利用聚合物層202作為接合層的接合工藝，將保護(hù)晶片222 接合到器件晶片204。在該接合工藝中，為了使保護(hù)晶片222與器件晶片 接合，適宜地對準(zhǔn)保護(hù)晶片222與器件晶片204并在足夠的壓力和溫度下 將保護(hù)晶片222與器件晶片204壓在一起，作為實(shí)例，可以在近似 IOO.O'C與近似500.0'C之間的溫度下執(zhí)行接合工藝.通過利用聚合物層 202作為接合層將保護(hù)晶片接合到器件晶片，與在接合層中利用高成本的 金屬例如金的常規(guī)晶片級封裝相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的晶片級封裝具有減少的 成本。圖2B中的結(jié)構(gòu)272示例了流程圖100的步驟172的結(jié)果。在一個實(shí)施例中，在保護(hù)晶片222的頂表面226上形成聚合物層，該保護(hù)晶片被 構(gòu)圖以使其的開口匹配開口 214和216。參考圖1中的步驟174和圖2C中的結(jié)構(gòu)274,在流程圖100的步驟 174中，執(zhí)行減薄工藝以獲得保護(hù)晶片222的目標(biāo)厚度228。作為實(shí)例， 保護(hù)晶片222的目標(biāo)厚度228可以在近似50.0孩i米與近似200.0微米之 間。在減薄工藝中，可以通過從保護(hù)晶片222去除足夠量的硅材料獲得保 護(hù)晶片222的目標(biāo)厚度228。減薄工藝可以包括例如研磨工藝、化學(xué)機(jī)械 拋光工藝、蝕刻工藝或者其它適宜的材料去除工藝。圖2C中的結(jié)構(gòu)274 示例了流程圖100的步驟174的結(jié)果，參考圖1中的步驟176和圖2D中的結(jié)構(gòu)276,在流程圖100的步驟 176中，在保護(hù)晶片222中在各自的器件接觸襯墊208和210之上形成過 孔230和232，并用導(dǎo)電層234填充過孔230和232,延伸貫穿保護(hù)晶片 222的過孔230和232位于各自的器件晶片接觸襯墊208和210之上。可 以通過在保護(hù)晶片222上構(gòu)圖過孔開口并且通過使用反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)工藝、濕法蝕刻工藝或者其它適宜的蝕刻工藝延伸該過孔開口貫 穿保護(hù)晶片222，形成過孔230和232。過孔230和232具有可以在例如 近似10.0微米與近似100.0微米之間的直徑236,在形成過孔230和232之后，可以在過孔230和232的側(cè)壁上淀積未 在圖2D中示出的粘附層、阻擋層和種子層，以改善粘附力并阻止隨后淀 積的導(dǎo)電材料不希望地?cái)U(kuò)散到保護(hù)晶片222中.導(dǎo)電層234位于過孔230 和232中，并且可以包括銅、鎳、金/錫合金、焊料或者其它適宜的金屬 或金屬合金，可以通過利用無電鍍敷工藝、電鍍敷工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或 者其它適宜的淀積工藝使用導(dǎo)電材料填充過孔230和232，在過孔230和 232中形成是導(dǎo)電層的導(dǎo)電層234。因此，通過與導(dǎo)電層234接觸的各自 的器件晶片接觸襯墊208和210,被導(dǎo)電層所填充的過孔230和232被電 連接到器件206。圖2D中的結(jié)構(gòu)276示例了流程圖100的步驟176的結(jié) 果。參考圖1 .中的步驟178和圖2E中的結(jié)構(gòu)278，在流程圖的步驟178中，在保護(hù)晶片222的暴露的表面242上并且在各自的過孔230和232之 上形成保護(hù)晶片接觸襯墊238和240。保護(hù)晶片接觸襯墊238和240位于 在各自的過孔230和232中的導(dǎo)電層234上，并與導(dǎo)電層234接觸。因 此，保護(hù)晶片接觸襯墊238和240被電連接到各自的器件晶片接觸襯墊 208和210。保護(hù)晶片接觸村墊238和240具有可以在例如近似2.0微米 與近似20.0 ^t米之間的厚度244。保護(hù)晶片接觸襯墊238和240可以包括 凸起下金屬化(UBM)層的一部分，其可以包括鉻/金、鎳/銅、鈦/銅或 者其它適宜的金屬。在一個實(shí)施例中，保護(hù)晶片接觸襯墊238和240被從 新分布到未直接位于導(dǎo)電層234之上的位置?？梢酝ㄟ^使用物理氣相淀積(PVD)工藝或者其它適宜的淀積工藝在 保護(hù)晶片222的暴露的表面242上和過孔230和232之上淀積UBM層， 并適宜地構(gòu)圖與蝕刻該UBM層，形成保護(hù)晶片接觸襯墊238和240。在 一個實(shí)施例中，可以在保護(hù)晶片222的暴露的表面242上和過孔230和 232之上形成接合柵格陣列(LGA)襯墊以代替保護(hù)晶片接觸襯墊238和 240。在該實(shí)施例中，LGA襯墊可以用于將包括保護(hù)晶片222和器件晶片 204的晶片級封裝表面安裝到印刷電路板.圖2E中的結(jié)構(gòu)278示例了流 程圖100的步驟178的結(jié)果。參考圖1中的步驟180和圖2F中的結(jié)構(gòu)280，在流程圖的步驟180 中，在各自的保護(hù)晶片接觸襯墊238和240上形成凸起246和248，并且 通過執(zhí)行減薄工藝以獲得器件晶片204的目標(biāo)厚度250,焊料凸起246和 248位于各自的保護(hù)晶片接觸襯墊238和240上，并可以包括適宜的焊料 材料。焊料凸起246和248分別通過過孔230和232以及保護(hù)晶片接觸襯 墊238和240，被電連接到器件晶片接觸襯墊208和210。因此，因?yàn)槠?件晶片接觸襯墊208和210被電連接到器件206，所以焊料凸起246和 248可以提供器件206與容納器件206的晶片級封裝(即晶片級封裝 252 )外的元件之間的電連接性。在另一個實(shí)施例中，可以使用LGA襯 墊或者接合襯墊代替焊料凸起246和248以將器件206電連接到晶片級封 裝252外的元件上。因此，通過在保護(hù)晶片中形成的并被4吏用導(dǎo)電層填充的過孔之上形成焊料凸起或者LGA襯墊，本發(fā)明有利地提供了器件晶片 上的器件與本發(fā)明的晶片級封裝外的元件之間的電連接性而不需要接合線?？梢酝ㄟ^執(zhí)行減薄工藝以從器件晶片204去除足夠量的硅材料，獲得 器件晶片204的目標(biāo)厚度250。作為實(shí)例，器件晶片204的目標(biāo)厚度250 可以在近似50.0微米與近似200.0微米之間。減薄工藝可以是例如研磨工 藝、CMP工藝、蝕刻工藝或者其它適宜的工藝。如圖2F中所示，晶片 級封裝252具有厚度254，其對應(yīng)于器件晶片204的底表面256到凸起 246和248的頂部之間的距離，作為實(shí)例，厚度254可以在近似100.0微 米與近似800.0微米之間。在一個實(shí)施例中，厚度254可以在近似350.0 微米到近似600.0微米之間。圖2F中的結(jié)構(gòu)280示例了流程圖100的步 驟180的結(jié)果。因此，如上所述，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種包括接合到器件晶片的保護(hù)晶片 的晶片級封裝，其中使用導(dǎo)電層填充延伸貫穿該保護(hù)晶片的過孔以提供保 護(hù)晶片接觸襯墊與器件晶片接觸襯墊之間的電連接性。通過在保護(hù)晶片上 的過孔之上形成焊料凸起或者LGA襯墊，本發(fā)明有利的提供了器件晶片 上的器件與晶片級封裝外的元件之間的電連接性而不需要接合線。結(jié)果， 本發(fā)明有利地實(shí)現(xiàn)了這樣的一種晶片級封裝，其具有比需要占用空間的接 合線以實(shí)現(xiàn)與外部元件的連接性的常規(guī)晶片級封裝小的足印。同樣，如上所述，在本發(fā)明的晶片級封裝中，利用聚合物層作為接合 層以將保護(hù)晶片接合到器件晶片。結(jié)果，本發(fā)明的晶片級封裝有利的實(shí)現(xiàn) 了比使用昂貴的金屬或金屬合金例如金或金-錫以在兩個晶片之間形成接 合層的常規(guī)晶片級封裝低的封裝成本。從本發(fā)明的上述描述可以表明，可以使用不同的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的 概念而不偏離其范圍。此外，雖然結(jié)合特定實(shí)施例來描述本發(fā)明，但本領(lǐng) 域的技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)方面做出各種改變而不偏離本發(fā) 明的精神和范圍，因此，所述實(shí)施例在所有方面被考慮為示例性的而非限 制性的。同樣應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于這里的具體實(shí)施例，而能夠具有許多重新組合、修改和替代而不偏離本發(fā)明的范圍。因此，描述了用于制造具有用于外部封裝連接性的貫穿晶片過孔的晶 片級封裝的方法和相關(guān)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造晶片級封裝的方法，所述方法包括以下步驟在器件晶片上形成聚合物層，所述器件晶片包括至少一個器件晶片接觸襯墊和至少一個器件，所述至少一個器件晶片接觸襯墊被電連接到所述至少一個器件；將保護(hù)晶片接合到所述器件晶片；以及在所述保護(hù)晶片中形成至少一個過孔，所述至少一個過孔延伸貫穿所述保護(hù)晶片；其中所述至少一個過孔位于所述至少一個器件晶片接觸襯墊之上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟在將所述保護(hù)晶片 接合到所述器件晶片的所述步驟之前，在所述聚合物層中形成至少 一個開 口和密封環(huán)，其中所述至少一個開口位于所述至少一個器件接觸襯墊之上 并且所述密封環(huán)圍繞所述至少 一個器件.
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟使用導(dǎo)電層填充所述 至少一個過孔，其中所述導(dǎo)電層與所述至少 一個器件晶片接觸襯墊接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟在所述保護(hù)晶片上形 成至少一個保護(hù)晶片接觸襯墊，其中所述至少一個保護(hù)晶片接觸襯墊位于所述至少 一個過孔之上并且4皮電連接到所述至少 一個器件晶片接觸襯墊.
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，還包括這樣的步驟在所述至少一個保 護(hù)晶片接觸襯墊上形成至少一個焊料凸起.
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟在所述保護(hù)晶片中 形成所述至少一個過孔的所述步驟之前，執(zhí)行減薄工藝以獲得所述保護(hù)晶 片的目標(biāo)厚度，
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟執(zhí)行減薄工藝以獲 得所述器件晶片的目標(biāo)厚度.
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括這樣的步驟在將所述保護(hù)晶片 接合到所述器件晶片的所述步驟之前，在所述保護(hù)晶片中形成腔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一個過孔具有在近似10.0 微米與近似100.0微米之間的直徑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚合物層包括感光聚合物。
11. 一種晶片級封裝，包括器件晶片，所述器件晶片包括至少一個器件晶片接觸村墊和至少一個 器件，所述至少 一個器件晶片接觸襯墊被電連接到所述至少 一個器件； 聚合物層，位于所述器件晶片上；以及保護(hù)晶片，位于所述聚合物層上，所述保護(hù)晶片包括至少一個過孔， 所述至少一個過孔延伸貫穿所述保護(hù)晶片；其中所述至少一個過孔位于所述至少一個器件晶片接觸襯墊之上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述聚合物層包括至少一個 開口和密封環(huán)，其中所述至少一個開口位于所述至少一個器件晶片接觸襯 墊之上并且所述密封環(huán)圍繞所述至少一個器件.
13. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，還包括位于所述保護(hù)晶片上并且 位于所述至少 一個過孔之上的至少 一個保護(hù)晶片接觸村墊，其中所述至少 一個保護(hù)晶片接觸襯墊被電連接到所述至少 一個器件晶片接觸襯墊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的晶片級封裝，其中使用導(dǎo)電層填充所述至少 一個過孔，其中所述導(dǎo)電層電連接所述至少 一個保護(hù)晶片接觸襯墊與所述 至少一個器件晶片接觸襯墊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13的晶片級封裝，還包括至少一個焊料凸起，其中 所述至少 一個焊料凸起位于所述至少 一個保護(hù)晶片接觸襯墊上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述保護(hù)晶片還包括至少一 個腔，其中所述至少一個腔位于所述至少一個器件之上.
17. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述聚合物層包括感光聚合物。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述至少一個過孔具有在近 似10.0微米與近似100.0微米之間的直徑。
19. 根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述保護(hù)晶片具有在近似50.0微米與近似200.0微米之間的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片級封裝，其中所述至少一個器件上是RF器件。
全文摘要
根據(jù)一個示例性實(shí)施例，一種用于制造晶片級封裝的方法包括在器件晶片上形成聚合物層，其中所述器件晶片包括至少一個器件晶片接觸襯墊和器件，并且其中所述至少一個器件晶片接觸襯墊被電連接到所述器件。所述方法還包括將保護(hù)晶片接合到所述器件晶片。所述方法還包括在所述保護(hù)晶片中形成至少一個過孔，其中所述至少一個過孔延伸貫穿所述保護(hù)晶片并且位于所述至少一個器件晶片接觸襯墊之上。所述方法還包括在所述保護(hù)晶片上形成至少一個保護(hù)晶片接觸襯墊，其中所述至少一個保護(hù)晶片接觸襯墊位于所述至少一個過孔之上并且被電連接到所述至少一個器件晶片接觸襯墊。
文檔編號H01L21/44GK101248518SQ200680006445
公開日2008年8月20日 申請日期2006年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月21日
發(fā)明者A·J·羅比安柯, Q·甘, R·W·華倫 申請人:斯蓋沃克斯瑟路申斯公司