專利名稱：用于圖像傳感器的3d結(jié)構(gòu)分離式單位像素及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像傳感器的單位像素，特別涉及具有 一 個(gè)晶體管和 一個(gè)光電二極管的圖像傳感器的單位像素。
背景技術(shù)：
根據(jù)其內(nèi)所包含的晶體管的數(shù)量，用于傳統(tǒng)圖像傳感器的像素被 粗略地分為3晶體管像素、4晶體管像素和5晶體管像素。根據(jù)晶體管的數(shù)量，圖1至圖3示出了用于圖像傳感器的典型像 素結(jié)構(gòu)。圖1示出了 3晶體管像素的結(jié)構(gòu)。圖2和圖3示出了 4晶體管像 素的結(jié)構(gòu)。如圖1至圖3所示，由于像素電路中晶體管的存在，光電二極管 的填充因數(shù)自然地減小，該填充因數(shù)為用于關(guān)系到像素尺寸的光電二 極管的區(qū)域。通常，考慮到每種半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)率，填充因數(shù) 的范圍是20%至45%。因此，損失了在該像素其余的55%至80%區(qū)域 上入射的光線。為了使光學(xué)數(shù)據(jù)的損失降到最小，在圖像傳感器的制 造工藝中，微型透鏡被用于每個(gè)單位像素，從而使光學(xué)數(shù)據(jù)可被聚集 在每個(gè)像素的光電二極管上。微透鏡的增益被定義為使用了微透鏡的 傳感器的靈敏度相對于未使用微透鏡的圖像傳感器的靈敏度的增量。假定普通二極管的填充因數(shù)約為30%,微透鏡增益約為2.5至2.8 倍。然而，后來，4象素尺寸已減小至4/rnix4/xm,甚至減小至3/mix3/mi。 更進(jìn)一步地，隨著2.8pimx2.8/mi或2.5pimx2.5jLim的小尺寸像素的出現(xiàn)， 從4象素尺寸為3.4jwnx3.4/xm時(shí)開始，微透鏡增益顯著地由2.8倍下降 至1.2倍。這是由微透鏡的衍射現(xiàn)象所引起的。衍射現(xiàn)象的水平是由 像素尺寸的作用和微透鏡的位置決定的。然而，當(dāng)像素尺寸逐漸地減小時(shí)，微透鏡的衍射現(xiàn)象變得更加嚴(yán) 重，因此使微透鏡增益降低至小于1.2倍，這將導(dǎo)致以下現(xiàn)象，光線 聚集看起來沒有任何作用。這是最近公認(rèn)的靈敏度退化的原因。通常，用于圖像傳感器的像素尺寸的減小將導(dǎo)致用于光電二極管 的區(qū)域的減小。用于光電二極管的區(qū)域通常與可用電荷的數(shù)量密切相 關(guān)。因此，當(dāng)光電二極管的尺寸減小時(shí)，可用電荷的數(shù)量減少。光電 二極管的可用電荷的數(shù)量是決定圖像傳感器動(dòng)態(tài)范圍的基本特征，并 且可用電荷數(shù)量的減少直接影響了傳感器的圖像質(zhì)量。當(dāng)制造像素尺 寸小于3.2/rnix3.2/mi的圖像傳感器時(shí)，其靈敏度下降，并且傳感器相 對于光線的動(dòng)態(tài)范圍也下降，從而使圖像質(zhì)量退化。在采用了圖像傳感器的攝像模塊的制造工藝中使用外部透鏡。在 這種情況下，光線基本垂直地入射在像素陣列的中心部分上。然而， 光線較少地垂直入射在像素陣列的邊緣部分上。當(dāng)角度由垂直角度偏 離預(yù)定的度數(shù)時(shí)，光線被聚集在處于光電二極管所用區(qū)域之外的微透 鏡上，該區(qū)域是為了聚集而預(yù)設(shè)置的。這將造成昏暗的圖像，更嚴(yán)重 的是，當(dāng)光線被聚集在鄰近像素的光電二極管上時(shí)，色度將改變。最近，隨著具有從0.3兆像素和1.3兆像素至2兆像素和3兆像素 的圖像傳感器的發(fā)展，動(dòng)態(tài)放大/縮小功能以及自動(dòng)聚焦功能被期望包 含在迷你攝像模塊中。各功能的特性在于，當(dāng)完成每個(gè)功能時(shí)，光線的入射角在邊緣部 分顯著地變化。傳感器的色度或亮度需獨(dú)立于入射角的變化.。然而， 隨著像素尺寸的減小，傳感器無法應(yīng)付入射角的變化。目前，傳感器 可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)聚焦功能，但動(dòng)態(tài)放大/縮小功能還無法實(shí)現(xiàn)。因此，難以 使提供縮放功能的迷你攝像模塊得到發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供 一 種圖像傳感器的分離 式單位像素及其制造方法，該圖像傳感器的靈敏度下降遠(yuǎn)小于在微型像素制造中的傳統(tǒng)情況，并能夠處理光電二極管上的不同角度的入射 光線以及通過確保入射角裕度來提供迷你攝像模塊中的縮放功能。
技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于圖像傳感器的、具有3D 結(jié)構(gòu)的分離式單位像素，包括光電二極管，其包含與半導(dǎo)體材料相 反類型的摻雜；浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，其傳輸包含在所述光電二極管內(nèi)的光 電荷；傳輸晶體管，其傳輸在所述光電二極管內(nèi)產(chǎn)生的所述光電荷并 被連接至外電路；以及襯墊，其分別將所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的結(jié)點(diǎn)和所 述傳輸晶體管連接至所述外電路。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種包含多個(gè)晶體管的、用于 圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素，所述分離式單位像 素包括第一晶片，其包括光電二極管、傳輸晶體管、起到將電荷轉(zhuǎn) 換為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的結(jié)點(diǎn)、以及分別將所述浮動(dòng)擴(kuò) 散區(qū)域和所述傳輸晶體管連接至外電路的襯墊；第二晶片，其包括組 成像素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、源極跟隨晶體管和阻斷開 關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、影響傳感器工作和圖像質(zhì)量的相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬電路、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、 數(shù)字電路、以及連接每個(gè)所述像素的襯墊；以及連接裝置，其連接所 述第 一 晶片的所述襯墊和所述第二晶片的所述襯墊。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種包含多個(gè)晶體管的、用于 圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素的制造方法，所述方 法包括(a)構(gòu)造第一晶片，其包括光電二極管、傳輸晶體管、以及 起到將電荷轉(zhuǎn)換為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；(b)構(gòu)造第二晶 片，其包括組成像素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、源極跟隨晶 體管和阻斷開關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、影響傳感器 工作和圖像質(zhì)量的CDS電路、模擬電路、ADC、以及數(shù)字電路；(c) 將所述第 一晶片和所述第二晶片上下排列以用于像素陣列排列；(d) 將單位像素的襯墊貼附在上下排列的所述第 一 晶片和所述第二晶片 上；(e)進(jìn)行表面處理，以減小所述第一晶片的背面的厚度，從而減 小所述第一晶片的厚度；并且(f)在所述第一晶片上形成濾色器。


圖l至圖3示出了圖像傳感器的傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖4至圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖像傳感器的分離 式單位像素的電路圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖像傳感器的分離式單位 4象素的物理結(jié)構(gòu)，示出了光電二^L管與傳輸晶體管(transfer transistor) 連接部分的物理結(jié)構(gòu)；圖9示出了圖8所示圖像傳感器的分離式單位像素的電路圖；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具有 3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素的物理結(jié)構(gòu)；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具 有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素的物理結(jié)構(gòu)；圖12為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具有3D結(jié) 構(gòu)的分離式單位像素的制造方法的流程圖；圖13示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，當(dāng)制造用于圖像傳感器 的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素時(shí)，第一晶片和第二晶片是如何 排列的；以及圖14示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，當(dāng)制造用于圖像傳感器 的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素時(shí)減小第一晶片背面的表面厚度 的工藝。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。圖4至圖7為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖像傳感器的單位像素 結(jié)構(gòu)的電路圖。光電二極管與傳輸晶體管連接的部分和復(fù)位晶體管、源極跟隨晶 體管與選擇晶體管連接的部分是分開的。這些晶體管可為N型或P型 晶體管。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖像傳感器的分離式單位 像素的物理結(jié)構(gòu)。所示的物理結(jié)構(gòu)是光電二極管與傳輸晶體管連接的 部分。光電二極管4具有P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域5傳輸包含在 光電二極管4內(nèi)的電荷，并且包含與光電二極管4同類型的摻雜。傳 輸晶體管6連接浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域5和光電二極管4并將它們分隔開。村 墊7將浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域5連接至外電路。圖9示出了圖8所示圖像傳感器的分離式單位像素的電路圖。如圖9所示，外部連接襯墊PAD被設(shè)置為連接圖像傳感器的多個(gè) 分離式單位像素。外部連接襯墊PAD被設(shè)置于浮動(dòng)擴(kuò)散結(jié)點(diǎn)FD和傳輸晶體管6的 源極。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具有3D 結(jié)構(gòu)的分離式單位像素。分離式單位像素包括第 一晶片10和第二晶片 20。第一晶片IO包括濾色器、光電二極管、晶體管、起到將電荷變換 為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域、以及襯墊。第二晶片20包括組成像素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、源 極跟隨晶體管和阻斷開關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、影 響傳感器工作和圖像質(zhì)量的相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬電路、模 擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)以及數(shù)字電路。傳導(dǎo)性的襯墊17和21分別被連接至第一晶片10和第二晶片20 以用于外部連接。以下將詳細(xì)描述第一晶片10。第一晶片10包括使每個(gè)像素呈現(xiàn)出確定顏色的濾色器12、包含 特定摻雜以形成光電二極管14的半導(dǎo)體材料13、被插入濾色器12和 半導(dǎo)體材料13之間以促進(jìn)結(jié)構(gòu)的形成并提高透光性的第一透射緩沖 層18、包含與半導(dǎo)體材料13相反類型摻雜的光電二極管14、光電二 極管14內(nèi)的電荷向其轉(zhuǎn)移并且包含與光電二極管14同類型摻雜的浮 動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域15、以及連接浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域15和光電二極管14并將它們 分隔開的傳輸晶體管16。在本發(fā)明中，浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域15被連接至傳導(dǎo)性村墊17以連接至 外電路。此外，微襯墊PAD在電極上形成，傳輸晶體管16通過該電
極被連接至外電路。以下將詳細(xì)描述第二晶片20。第二晶片20具有像素陣列部分和外電路部分。外電路部分具有典 型的圖像傳感器結(jié)構(gòu)，并且可包括用于提取圖像傳感器信號(hào)的電路、 CDS電路、用于處理普通的模擬信號(hào)的電路、數(shù)字控制電路、以及圖 像信號(hào)處理數(shù)字電路。在該像素陣列部分中，像素單元(不包括光電二極管或者與光電 二極管一起的轉(zhuǎn)換開關(guān))規(guī)則地排列，例如圖IO的下部所示。傳導(dǎo)性 襯墊21從上部所示的第一晶片IO接收信號(hào)。復(fù)位晶體管22和電壓源 23使光電二極管14初始化。源極跟隨晶體管24將浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域15 的電壓轉(zhuǎn)移至外電路，浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域15為浮動(dòng)結(jié)點(diǎn)。選擇晶體管25 決定是否允許將給定的像素信息傳輸至外部引出電路。電極26為該像 素的末端輸出電^L。圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具 有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素。與圖IO相比，圖11進(jìn)一步包括將光線聚集在光電二極管14上的 微透鏡11和在中間插入以促進(jìn)結(jié)構(gòu)的形成并提高透光性的第二透射 緩沖層19。第二透射緩沖層19被額外地提供，并且其是用于普通圖 像傳感器的薄膜。圖12為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案用于圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu) 的分離式單位像素的制造方法的流程圖。首先，構(gòu)造第一晶片，從而使第一晶片包括光電二極管、傳輸晶 體管、以及起到將電荷變換為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域(操作 S511 )。在構(gòu)造第一晶片時(shí)，構(gòu)造第二晶片，從而使第二晶片包括組成像 素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、源極跟隨晶體管和阻斷開關(guān)晶 體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、影響傳感器工作和圖像質(zhì)量的 相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬電路、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)以及 數(shù)字電路(操作S512)。第二步，將第一晶片和第二晶片上下排列(搡作S530)。
為了上下排列第一晶片和第二晶片，可利用紅外線(IR)穿透方 法、蝕刻方法或激光打孔方法在第一晶片內(nèi)形成孔洞，從而以光學(xué)的 方式使晶片排列。在IR穿透方法中，可設(shè)置晶片而并非必須在第一晶片內(nèi)形成孔 洞。在蝕刻方法或激光打孔方法中，穿過第一晶片形成孔洞，然后通過光學(xué)模式識(shí)別使晶片排列。第三步，將上下排列的第一和第二晶片貼附在傳導(dǎo)性襯墊上(操 作S530 )。第四步，減小第一晶片背面的表面厚度，從而形成第一晶片的較 薄的背面(操作S540)。在第 一晶片被貼附在第二晶片上之后，第 一晶片的背面被減薄， 從而減小晶片厚度。為了減小第一晶片背面的厚度，通過在該晶片的 背面表面上進(jìn)行研磨工藝、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝或蝕刻工藝而 對該晶片的背面進(jìn)行處理。第五步，在第一晶片上形成濾色器(操作S550)。第六步，在濾色器上形成微透鏡(操作S560)。圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，當(dāng)制造用于圖像傳感器的具 有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素時(shí)，第一和第二晶片的排列。通過利用IR穿透方法、蝕刻方法或激光打孔方法使第一晶片10 和第二晶片20精確地對準(zhǔn)。在圖13中，通過利用蝕刻方法或激光打孔方法穿過第一晶片10 形成孔洞。當(dāng)利用IR穿透方法時(shí)，無需穿過第一晶片形成孔洞。圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案當(dāng)制造用于圖像傳感器的、具 有3 D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素時(shí)減小第 一 晶片背面的表面厚度的工藝。通過利用CMP方法、研磨方法或蝕刻方法完成厚度減小工藝?？?通過利用這些方法之一減小第一晶片10背面的厚度。用于本發(fā)明的圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素的 制造方法不僅限于CMOS制造工藝，并且該方法可被用于其他半導(dǎo)體 制造工藝。 盡管結(jié)合本發(fā)明的示例性實(shí)施方案對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)地說明和 描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā) 明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明進(jìn)行各種形式上和細(xì)節(jié)上的變 化。工業(yè)適用性因此，通過形成幾乎相同的用于光電二極管的區(qū)域和用于像素的區(qū)域，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)圖像傳感器可被制造為在超小型像素內(nèi) 具有較好的靈敏性，且無需使用微透鏡。此外，通過在頂層設(shè)置光電 二極管，可確保入射光的入射角裕度，傳感器必須基本上提供該入射 光的入射角裕度，以實(shí)現(xiàn)其自動(dòng)聚焦功能或縮放功能。
權(quán)利要求
1.一種圖像傳感器的分離式單位像素，包括光電二極管，其包含與半導(dǎo)體材料相反類型的摻雜；浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，其傳輸包含在所述光電二極管內(nèi)的光電荷；傳輸晶體管，其傳輸在所述光電二極管內(nèi)產(chǎn)生的所述光電荷，并被連接至外電路；以及襯墊，其分別將所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的結(jié)點(diǎn)和所述傳輸晶體管連接至所述外電路。
2. —種包含多個(gè)晶體管的、用于圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的 分離式單位像素，包括第一晶片，其包括光電二極管、傳輸晶體管、起到將電荷轉(zhuǎn)換為 電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的結(jié)點(diǎn)、以及分別將所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū) 域和所述傳輸晶體管連接至外電路的襯墊；第二晶片，其包括組成像素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、 源極跟隨晶體管和阻斷開關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、 影響傳感器工作和圖像質(zhì)量的相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬電路、 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)字電路、以及連接每個(gè)所述像素的襯墊； 以及連接裝置，其連接所述第 一 晶片的所述襯塾和所述第二晶片的所 述襯墊。
3.如權(quán)利要求2所述的分離式單位像素，其中所述第 一晶片包括 半導(dǎo)體材料，其包含用于形成光電二極管的特定摻雜； 第一透射緩沖層，其被插入濾色器和所述半導(dǎo)體材料之間，以促進(jìn)結(jié)構(gòu)的形成并提高透光性；光電二極管，其包含與所述半導(dǎo)體材料相反類型的摻雜； 浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，所述光電二極管14內(nèi)的光電荷被傳輸至所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；傳輸晶體管，其將在所述光電二極管內(nèi)產(chǎn)生的所述光電荷傳輸至所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；以及襯墊，其將所述浮動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)點(diǎn)連接至外電路。
4. 如權(quán)利要求3所述的分離式單位像素，其中所述第一晶片進(jìn)一 步包括濾色器，其使每個(gè)所述像素呈現(xiàn)出確定的顏色； 微透鏡，其將光線聚集在所述光電二極管上；以及 第二透射緩沖層，其被插入所述微透鏡和所述濾色器之間，以促 進(jìn)結(jié)構(gòu)的形成并提高透光性。
5. 如權(quán)利要求2所述的分離式單位像素，其中所述第二晶片包括像素陣列部分，在所述像素陣列部分內(nèi)，除所述光電二極管和所 述傳輸晶體管以外的像素元件被規(guī)則地排列；以及外電路部分，其不包括所述像素陣列區(qū)域，并具有圖像傳感器結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求5所述的分離式單位像素，其中所述外電路部分包 括用于提取圖像傳感器信號(hào)的電路、CDS電路、用于處理普通的模擬 信號(hào)的電路、數(shù)字控制電路、以及圖像信號(hào)處理數(shù)字電路。
7. —種包含多個(gè)晶體管的、用于圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的 分離式單位像素的制造方法，所述方法包括(a) 構(gòu)造第一晶片，其包括光電二極管、傳輸晶體管、以及起到 將電荷轉(zhuǎn)換為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；(b) 構(gòu)造第二晶片，其包括組成像素的其余電路元件(即，復(fù)位 晶體管、源極跟隨晶體管和阻斷開關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平 解碼器、影響傳感器工作和圖像質(zhì)量的CDS電路、模擬電路、ADC、 以及凄t字電^各；(c )將所述第一晶片和所述第二晶片上下排列以用于像素陣列排 列；(d )將單位像素的襯墊貼附在上下排列的所述第 一晶片和所述第 二晶片上；(e) 進(jìn)行表面處理，以減小所述第一晶片的背面的厚度，從而減 小所述第一晶片的厚度；并且(f) 在所述第一晶片上形成濾色器。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括(g) 在所述濾色器上形成微透鏡，以聚集光線。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的方法，其中所述步驟(c)利用了紅 外線(IR)穿透方法、蝕刻方法或激光打孔方法。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述IR穿透方法中，所 述晶片為
全文摘要
本發(fā)明提供了一種圖像傳感器的分離式單位像素及其制造方法，其可處理光電二極管上不同角度的入射光線并通過確保入射角裕度而在迷你攝像模塊中提供縮放功能。所述包含多個(gè)晶體管的、用于圖像傳感器的、具有3D結(jié)構(gòu)的分離式單位像素包括第一晶片，其包括光電二極管、傳輸晶體管、起到將電荷轉(zhuǎn)換為電壓的靜電作用的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的結(jié)點(diǎn)、以及分別將浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和傳輸晶體管連接至外電路的襯墊；第二晶片，其包括組成像素的其余電路元件(即，復(fù)位晶體管、源極跟隨晶體管和阻斷開關(guān)晶體管)、讀出電路、垂直/水平解碼器、影響傳感器工作和圖像質(zhì)量的相關(guān)雙采樣(CDS)電路、模擬電路、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)字電路、以及連接每個(gè)像素的襯墊；以及連接裝置，其連接第一晶片的襯墊和第二晶片的襯墊。因此，通過形成幾乎相同的用于光電二極管的區(qū)域和用于像素的區(qū)域，圖像傳感器可被制造為具有較好的靈敏性，且無需使用微透鏡。此外，通過在頂層設(shè)置光電二極管，可確保入射光的入射角裕度，傳感器必須基本上提供該入射光的入射角裕度，以實(shí)現(xiàn)其自動(dòng)聚焦功能或縮放功能。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101151730SQ200680009846
公開日2008年3月26日 申請日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月13日
發(fā)明者李道永 申請人:(株)賽麗康