專利名稱：將芯片轉(zhuǎn)移到接觸基底的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將位于轉(zhuǎn)移基底上的芯片轉(zhuǎn)移到接觸基底上，以在芯片和 接觸基底之間形成對接的方法。其中，芯片的背面貼附在轉(zhuǎn)移基板朝向接觸基 底的一個支撐面上，激光能量自轉(zhuǎn)移基底的后面加載在芯片上。通過一個按壓 裝置，和接觸基底的接觸面相對設(shè)置的芯片觸點與設(shè)置于接觸面上的基底觸點 對接，芯片觸點和基底觸點之間形成一個熱結(jié)合層。本發(fā)明還涉及一種實施前 述方法的裝置。
背景技術(shù)：
位于基底上的芯片通常需要處理，以在實際對接操作之前使芯片與基底相 互定位，使得芯片觸點和基底觸點的對應(yīng)排列，保證芯片觸點和基底觸點的成 功對接。芯片的處理需要復(fù)雜的設(shè)備，而且通常需要輔以其他的工藝步驟來對 各個芯片進行定位，因此完成整個對接過程所需要的時間較長。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種將芯片和基底對接的方法，其操作簡單、操 作時間短。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種權(quán)利要求1所述的方法和一種 權(quán)利要求11所述的裝置。根據(jù)本發(fā)明的方法，芯片不是通過直接操作和基底對接，而是在轉(zhuǎn)移基底
上施加機械和熱載荷，以使得后續(xù)對接工序所依賴的芯片排列取決于轉(zhuǎn)移基底 上的芯片排列，無需直接處理尺寸較小的芯片。當(dāng)實施根據(jù)本發(fā)明的方法時，轉(zhuǎn)移基底最好是箔材。由于厚度很小，箔材 可以形成一個和芯片預(yù)定排列對應(yīng)的載體。此外，箔材具有很低的機械阻力和 熱阻，以使得通過施加很小的壓力就可以實現(xiàn)對接所需要的傳送運動，也可以 迅速加熱芯片以在芯片觸點和基底觸點之間形成熱結(jié)合層。通過將芯片粘附在轉(zhuǎn)移基底的背面，在傳送運動中，壓力和熱可以同時施 加在芯片的背面，以在芯片觸點和基底觸點之間形成初始的機械接觸，并同時 溶解芯片和轉(zhuǎn)移基底之間的粘性結(jié)合。在粘性結(jié)合溶解的同時，芯片的間接熱載可加熱芯片觸點，并導(dǎo)致熱量向基底觸點傳遞，使得除了持久的機械和導(dǎo)電 結(jié)合之外，芯片觸點和基底觸點之間還可以形成一個熱結(jié)合。為了將芯片粘附在成箔片設(shè)置的轉(zhuǎn)移基底上，最好應(yīng)用膠合劑，可以根據(jù) 需要的脫離溫度(即芯片從箔片上脫離的溫度)準(zhǔn)確選擇粘結(jié)材料。如果膠合劑采用的是用于箔材的膠膜，芯片可以非常簡便地粘附在箔片上。 此外，也可以對芯片施加膠合劑，以將芯片粘合在轉(zhuǎn)移基底上。 芯片和接觸基底之間的粘合操作可以采用熱固化，并在芯片觸點和基底觸 點之間的粘結(jié)區(qū)域是導(dǎo)電的，以將芯片粘結(jié)在接觸基底上。也即在芯片和接觸 基底之間同時形成機械和導(dǎo)電對接。例如，可采用各向異性的粘結(jié)劑，當(dāng)在各 向異性的粘結(jié)劑上施加壓力時，導(dǎo)電粘結(jié)顆粒分布于壓力峰值的區(qū)域。此外，還可以通過設(shè)置于芯片觸點和/或基底觸點上的焊接材料將芯片粘結(jié) 于接觸基底上，形成焊接連接，以在芯片和接觸基底之間形成機械和電連接。還可以通過芯片觸點和基底觸點之間的焊接連接將芯片和接觸基底連接， 焊接連接主要是為了保證電連接，以底層填料方式在芯片和接觸基底之間提供 熱固化的粘合操作。
當(dāng)需要將置于同 一 箔片上的若干個芯片轉(zhuǎn)移到 一個或多個接觸基底上，并 和接觸基底同時對接時，根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)點特別顯著。這樣，通過一個 簡單的傳送運動就可以實現(xiàn)芯片和接觸基底之間的多個對接，因此，可以在很 短的時間內(nèi)生產(chǎn)多個含有一個芯片和一個接觸基底的組件。這些組件包括異頻 雷達收發(fā)機，其包括一個設(shè)置于一個基底上的芯片，基底的基底觸點形成天線 裝置的端部。根據(jù)本發(fā)明的方法一個有益變更，可以通過將芯片從晶片材料上分離，芯 片在箔片上成晶片排列。這樣，自晶片分離后，芯片可以以相同的排列，即通 過相應(yīng)的晶片模型被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底上。為了使芯片可以非常方便地以晶片排列被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移基底上，可以在劃片 分離晶片之前采用膠合操作，以使得劃片后芯片可以以晶片排列整體被轉(zhuǎn)移到 轉(zhuǎn)移基底上，無需分別處理分離的芯片。作為上述晶片排列和轉(zhuǎn)移基底1:1轉(zhuǎn)移的一種替換，還可以選擇轉(zhuǎn)移基底上 芯片的排列和接觸基底的排列相匹配，如接觸基底上放置的幾個芯片的排列和 各自芯片的基底觸點相對應(yīng)。在此變更的方法中， 一個接觸基底的所有芯片可 以在同 一對接操作中 一次對接。根據(jù)本發(fā)明的裝置具有權(quán)利要求11所述的特征，且特別適用于實施本發(fā)明 的方法。根據(jù)本發(fā)明的裝置包括一個轉(zhuǎn)移工具，轉(zhuǎn)移工具包括一個激光裝置和熱載以在芯片和接觸基底之間形成持久的機械連接和電連接。在一個優(yōu)選實施方式中，轉(zhuǎn)移工具包括一個用于連接光纖維以傳遞激光能量的工件和一個設(shè)有激光轉(zhuǎn)移裝置的接觸尖端，以實現(xiàn)前述兩個功能，即傳送和加載激光能量，且轉(zhuǎn)移工具的結(jié)構(gòu)緊湊。接觸尖端設(shè)置成壓力毛細(xì)管有益于壓力分散，當(dāng)激光能量直接通過毛細(xì)管開口時，壓力可以均勻地分布。為了防止接觸尖端和轉(zhuǎn)移基底接觸時出現(xiàn)壓力峰值，工件和接觸尖端之間 最好可以設(shè)置一個壓力傳遞件。壓力傳遞件可以在一定的載荷下變形，壓力傳 遞件最好可以為彈性支撐。如果一個轉(zhuǎn)移頭中設(shè)有多個轉(zhuǎn)移工具，就可以轉(zhuǎn)移和對接相應(yīng)數(shù)量的芯片， 以才艮據(jù)需要同時或按照一定次序進行轉(zhuǎn)移和對接。如果轉(zhuǎn)移頭中的轉(zhuǎn)移工具成矩陣排列，那么該矩陣排列最好可以和芯片的 晶片排列相匹配。在另一個優(yōu)選實施方式中，如果排列轉(zhuǎn)移基底的裝置包括一個維持裝置， 以將分離箔片設(shè)置為其上具有若干個呈晶片排列的芯片的轉(zhuǎn)移基板，且排列轉(zhuǎn) 移基底的裝置裝有一個定位裝置，以根據(jù)接觸基底上的芯片排列對晶片排列中 的各個芯片進行定位，則在對接中可以根據(jù)芯片的晶片排列來將芯片任意分布 在接觸基底上，無需考慮接觸基底的設(shè)計或接觸基底上的芯片分布。轉(zhuǎn)移基底的維持裝置還可以設(shè)有一個可導(dǎo)引箔板轉(zhuǎn)移基底的板材導(dǎo)引裝 置，且轉(zhuǎn)移基底的維持裝置設(shè)有一個可根據(jù)接觸基底上芯片的排列對各個芯片 進行定位的送料機構(gòu)。這樣，可以選^^箔板轉(zhuǎn)移基板上芯片的排列方式，以和 接觸基底上芯片的排列相匹配，且同時對接若干個芯片。


下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的方法和實施本發(fā)明方法的裝置的各個具體實施方式
，其中圖1A和圖1B所示為本發(fā)明方法的原理示意圖。 圖2所示為本發(fā)明方法的一種變更，其中轉(zhuǎn)移基底為劃片箔片形式。 圖3所示為本發(fā)明方法的另一種變更，其中轉(zhuǎn)移基底為箔板形式。 圖4所示為在芯片的轉(zhuǎn)移區(qū)域直接實施本發(fā)明操作方法的放大示意圖。
圖5所示為若干個成行排列的轉(zhuǎn)移工具。圖6所示為實施本發(fā)明方法的轉(zhuǎn)移頭的俯視示意圖，其基于劃片箔片的轉(zhuǎn)移 基底。
具體實施方式
請參照本發(fā)明一個實施方式的簡化示意圖，圖1A和1B所示為一個轉(zhuǎn)移工具 10，其包括一個以光纖維ll形式設(shè)置的激光裝置。激光裝置也可以充當(dāng)按壓裝 置12,光纖維11可在工件13上設(shè)置的一個通道14中受到導(dǎo)引。工件13的下前端 面設(shè)置成一個接觸基底定位裝置15，箔片17可以通過真空開孔16維持在定位裝 置15上。箔片17上裝有若干芯片18,芯片18通過其背面19與箔片17之間的膠合 劑(未圖示)粘附在箔片17上。圖1B所示為轉(zhuǎn)移過程的示意圖，轉(zhuǎn)移工具10直接位于一個接觸基底20的上 方，其中，與光纖維11的自由接觸端21相對的芯片18被按壓在接觸基底20上， 以導(dǎo)通芯片18的接觸面22和接觸基底20的接觸面23之間的接觸空隙24。在本實 施方式中，光纖維11也充當(dāng)按壓裝置12,其可延伸抵壓在芯片18的背面19上， 以實現(xiàn)上述目的。最好在上述轉(zhuǎn)移運動的同時，或在芯片18的接觸面22平齊抵接在接觸基底 20的接觸面23上之前，通過箔片17在芯片18的背面19施加激光能量。箔片17透 明，可允許激光能量穿過，因此芯片18可被加熱。加熱作用可減小芯片18的背 面19與箔片17之間的粘結(jié)層的粘結(jié)力，并激活設(shè)置于接觸面22與接觸面23之間 的熱固性粘結(jié)材料的粘結(jié)力，以在芯片18與接觸基底20之間形成持久的機械粘 結(jié)，并同時釋放箔片17與芯片18的背面19之間的粘結(jié)。圖2和圖3所示為本發(fā)明方法的兩種變更和實施兩種變更方法對應(yīng)的裝置。 其中，圖2所示為本發(fā)明方法的一種變更，其基于一個由劃片箔片成型并充當(dāng)轉(zhuǎn)
移基底的分離箔片25,該方法通過一個第一轉(zhuǎn)移裝置87實施。圖3所示為本發(fā)明 方法的另一種變更，其基于一個充當(dāng)轉(zhuǎn)移基底的箔板26,該方法通過一個第二 轉(zhuǎn)移裝置88實施。為了筒易，圖2僅顯示了一個轉(zhuǎn)移工具，其從后面對分離箔片25加載。在分 離箔片25的前側(cè)28，若干個芯片18以所謂的晶片排列29分布，即芯片18的排列 方式和自一個晶片通過分離工藝制造芯片18所得到的芯片排列方式完全對應(yīng)。 此時， 一個沿外圍延伸的載體框架31可以充當(dāng)維持分離箔片25的裝置，載體框 架31按照預(yù)定的間隔設(shè)有若干真空開孔16，以使得分離箔片25可被維持在圖2所 示的位置。置于接觸基底維持裝置34上的一個接觸基底33,位于在分離箔片25上呈晶 片排列29分布的芯片18的下方，接觸基底33通過一個接觸空隙32和芯片18相互 分離。與圖2所示的設(shè)計不同，圖3所示的轉(zhuǎn)移裝置88并未采用分離箔片25，而是 采用了箔板26，箔板26可以通過一個板材導(dǎo)引裝置36運行過一個箔板支承裝置 37。芯片18可以排列在箔板26上，以使得分離前晶片的整個表面上都可以應(yīng)用 膠合劑。分離后，呈晶片排列29設(shè)置的芯片18隨后可以通過其背面19上的膠合 劑被轉(zhuǎn)移到箔板26上。為了傳送箔板26,板材導(dǎo)引裝置36設(shè)有一個箔板卸除巻 軸38, —個箔板巻片巻軸39，以及兩個分流滑輪40, 41,分流滑輪40, 41可使 箔板26能夠平行于箔板支承裝置37被導(dǎo)引。箔板支承裝置37設(shè)有多個真空開孔 (未詳細(xì)圖示)，真空開孔可調(diào)節(jié)箔板26,以在箔板26與接觸基底片材42之間形成 一個預(yù)定的接觸間隙35,接觸基底片材42通過接觸基底片材支承裝置43向前運 動。接觸基底片材支承裝置43上也設(shè)有若干個真空開孔16,真空開孔16可使得 接觸基底片材42以 一定方式支承在接觸基底片材支承裝置43上。箔板t承裝置37上方設(shè)有一個轉(zhuǎn)移頭44,轉(zhuǎn)移頭44包括若干個轉(zhuǎn)移工具45，
46。轉(zhuǎn)移工具45, 46通過一個橫梁51形成復(fù)合設(shè)置，轉(zhuǎn)移工具45, 46的殼體47 以一定方式維持在^f黃梁51中，以形成轉(zhuǎn)移頭44。轉(zhuǎn)移工具45， 46的各個工件47 中分別設(shè)有一個線性導(dǎo)引傳送件48,各線性導(dǎo)引傳送件48分別延伸至箔板支承 裝置37上設(shè)置的傳送槽49中。在圖3所示的轉(zhuǎn)移裝置88的轉(zhuǎn)移示意圖中，；湊梁51的傳送運動使得傳送工具 45， 46的線性導(dǎo)引傳送件48插入傳送槽49中，并將粘附在箔板26上的芯片18按 壓在置于接觸基底片材42上(圖4)的接觸基底50(未詳細(xì)圖示)上。如圖3中的雙箭 頭所示，轉(zhuǎn)移頭44上的轉(zhuǎn)移工具45, 46在橫梁51的載荷下可以同時執(zhí)行傳送運 動。如圖4的放大部分視圖所示，如果箔板26和接觸基底片材42分別定時沿著箔 板支承裝置37和接觸基底片材支承裝置43以相應(yīng)的速度移動，則可以在芯片18 與位于芯片18下、以接觸間隙35和芯片18分隔的接觸基底片材42上設(shè)置的接觸 基底50之間形成預(yù)定的重疊。圖4所示為轉(zhuǎn)移工具45, 46向置于接觸基底片材42上的接觸基底50執(zhí)行傳送 運動的示意圖，如箭頭53所示，傳送運動通過轉(zhuǎn)移工具45， 46的工件47引起。 可在工件47中運動的線性導(dǎo)引傳送件48通過工件47中的一個彈簧機構(gòu)54組接在 工件47上，因此，在和背面19通過膠膜55粘附在箔板26上的芯片18對接時，線 性導(dǎo)引傳送件48可以在避讓運動中彈回，以避免損傷。在圖4所示的實施方式中， 設(shè)有兩個基底觸點56, 57的接觸基底50的接觸面58上涂有一層各項異性粘合材 料61,當(dāng)芯片觸點59, 60和基底觸點56, 57對接時，粘合材料61中壓力峰值區(qū) 域處形成導(dǎo)電觸橋。在和對接同時進行的芯片觸點59， 60的加熱過程中，粘合 材料61硬化，并永久固定前述的導(dǎo)電觸橋。此時或在此之前，由芯片18的背面 19與箔板26之間的膠膜55形成的粘結(jié)已經(jīng)溶解，因此，當(dāng)轉(zhuǎn)移工具45, 46沿箭 頭89方向回復(fù)運動之后，芯片18和接觸基底50之間的對接仍然維持，箔板26和 接觸基底片材42可以向前移動，以進行后續(xù)的轉(zhuǎn)移和對接操作。
圖5所示為通過同一橫梁68組合成行69排列的幾個轉(zhuǎn)移工具62至67,各個轉(zhuǎn) 移工具62至67的結(jié)構(gòu)和功能與結(jié)合圖3、圖4所描述的轉(zhuǎn)移工具45, 46的結(jié)構(gòu)和 功能相同。
在圖5所示的實施方式中，總共有6個轉(zhuǎn)移工具62至67結(jié)合成行69排列，當(dāng) 然，也可以將不同數(shù)量的轉(zhuǎn)移工具結(jié)合成行排列，還可以將轉(zhuǎn)移工具的行排列 和其他行排列相結(jié)合以形成一個如圖6所示的矩陣75。在圖5所示的實施方式中， 調(diào)節(jié)機構(gòu)76用于調(diào)節(jié)行69排列中各個轉(zhuǎn)移工具62至67的相對位置，以使得轉(zhuǎn)移 工具62至67的縱軸對齊，轉(zhuǎn)移工具62至67的高度調(diào)整統(tǒng)一，轉(zhuǎn)移工具62至67的 接觸尖端92和參考平面F之間的間距一致。
和前述圖2所示一樣，圖6所示實施方式中的分離箔片25為劃片箔片，即分 離箔片25和通過切割晶片用于制造若干個芯片的箔片相同。因此，在相關(guān)技術(shù) 中，晶片被放置在一個箔片上---劃片箔片，以進行分割處理。進行分割后，各 個芯片在劃片箔片上呈晶片排列。通過圖6所示的轉(zhuǎn)移裝置91,劃片箔片或分離 箔片可用作實施本發(fā)明方法的轉(zhuǎn)移基底。
如圖6所示，轉(zhuǎn)移頭78用于同時轉(zhuǎn)移呈晶片排列的若干個芯片，圖6僅通過 與成行69至74排列的轉(zhuǎn)移工具相對應(yīng)的各個光纖維11的示意圖來表示轉(zhuǎn)移頭。
在背面設(shè)有晶片排列的芯片(圖6未示)的分離箔片25的下方設(shè)有接觸基底箔 片79,接觸基底箔片79上設(shè)有含若干個接觸基底(未詳細(xì)圖示)的接觸基底排列 80,接觸基底的基底觸點的排列可以和呈晶片排列的芯片的觸點相對應(yīng)，也可 以不和呈晶片排列的芯片的觸點相對應(yīng)。通過在進料方向77上移動接觸基底箔 片79,接觸基底排列80可以通過適當(dāng)?shù)膫魉脱b置81， 82以晶片排列移動。當(dāng)基 底觸點的排列和芯片觸點的排列相匹配時，和圖4所示相類似，整個芯片的晶片 排列可以在一次轉(zhuǎn)移和對接中被轉(zhuǎn)移到接觸基底排列80的接觸基底上。如果接 觸基底排列80中的基底觸點的排列方式和晶片排列中的芯片觸點的排列方式不
匹配，芯片也可以單獨或成批:被轉(zhuǎn)移和對接。此時，通過設(shè)有移動軸84和85的
相應(yīng)控制裝置83，芯片可以被移動到對應(yīng)接觸基底的適當(dāng)位置?？刂蒲b置83可 以通過攝像器件86和圖象處理裝置來驅(qū)動。
和參照圖4的描述一樣，在圖6所示的實施方式中，芯片和接觸基底之間也 可以設(shè)置熱激活膠合劑，以實現(xiàn)芯片和接觸基底之間的對接，此時，粘結(jié)材料 中最好可以含有活性碳纖維，以提供良好的導(dǎo)電性?；蛘?，也可以進行焊接對 接，例如在芯片觸點和/或接觸基底觸點上設(shè)置焊接材料。此外，還可以對芯片 觸點進行含有非電鍍鎳-金涂層的接觸金屬化。
權(quán)利要求
1、一種將位于轉(zhuǎn)移基底(17，25，26)上的芯片(18)轉(zhuǎn)移到接觸基底(20，33，50)上，以在芯片和接觸基底之間形成對接的方法，其特征在于芯片的背面(19)粘附在轉(zhuǎn)移基底朝向接觸基底的一個支承面上，芯片自轉(zhuǎn)移基底的后面加載激光能量，和接觸基底的接觸面(23，58)相對設(shè)置的芯片觸點(59，60)通過一個按壓裝置(12，45，46，62至67)，自轉(zhuǎn)移基底的后面與設(shè)置于接觸面上的基底觸點(56，57)對接，芯片觸點和基底觸點之間形成熱結(jié)合層。
2、 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述轉(zhuǎn)移基底為一個箔材(17, 25， 26)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于為了將芯片(18)粘附在轉(zhuǎn)移 基底上，所述箔材(17, 25， 26)至少在與芯片的背面(19)對接的區(qū)域采用膠合劑 (55)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述箔材(17， 25, 26)設(shè)有 一層膠膜。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于所述芯片和接觸 基底之間的膠合材料(61)是為了將芯片(18)粘結(jié)在接觸基底(20, 33)上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于所述芯片觸點(59, 60)和/或基底觸點(56， 57)上設(shè)有焊接材料，以將芯片(18)粘結(jié)在接觸基底(20, 33)上。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的方法，其特征在于設(shè)置于同一箔材 (25， 26)上的若干個芯片(18)被同時轉(zhuǎn)移到接觸基底(20， 33)上，并與接觸基底(20， 33)對接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述芯片(18)在箔材(25， 26) 上以自晶片材料上分離后形成的晶片排列(29)方式排列。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于在自晶片材料分離芯片(18) 的過程中，所述箔材(25)上設(shè)有一個晶片。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述箔材(26)上的芯片轉(zhuǎn)移 時的排列方式和所述接觸基底上芯片排列的方式相對應(yīng)。
11、 一種將位于轉(zhuǎn)移基底(17， 25， 26)上的芯片(18)轉(zhuǎn)移到接觸基底(20， 33， 50)上，以在芯片和接觸基底之間形成對接的裝置，其包括一個可排列至少一個 其上設(shè)有芯片的轉(zhuǎn)移基底的裝置(31, 36, 37), —個設(shè)有一個激光裝置(ll)和一 個按壓裝置(12, 48)的轉(zhuǎn)移工具(145, 46, 62至67),以及一個可至少排列一個 接觸基底的裝置(34, 43),其特征在于所述激光裝置和按壓裝置可使得背面(19) 粘結(jié)在轉(zhuǎn)移基底上的芯片可以自后面加壓和加熱，轉(zhuǎn)移基底插入以將芯片轉(zhuǎn)移 到接觸基底上，并使得芯片和接觸基底對接。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)移工具(45, 46， 62 至67)"i殳有一個連接光纖維(11)、以傳輸激光能量的工件(47),以及一個裝有激光 轉(zhuǎn)移裝置的接觸尖端(92;)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于所述接觸尖端(92)為一個 壓力毛細(xì)管。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的裝置，其特征在于所述工件(47)和所述 接觸尖端(92)之間設(shè)有一個彈性支承的力傳遞件(48)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項所述的裝置，其特征在于 一個轉(zhuǎn)移頭(78) 設(shè)有若干個轉(zhuǎn)移工具(62至67),以轉(zhuǎn)移和對接若干個芯片(18)。
16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)移工具(62至67)在所 述轉(zhuǎn)移頭(78)中呈矩陣(75)排列。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)移工具(62至67) 成一行或多行(69至74)排列。
18、 根據(jù)權(quán)利要求11至17任一項所述的裝置，其特征在于所述排列轉(zhuǎn) 移基底的裝置(31)設(shè)有一個維持裝置，以將分離箔片(25)設(shè)置成一個其上具有若 干個呈晶片排列(29)的芯片(18)的轉(zhuǎn)移基底，且排列轉(zhuǎn)移基底的裝置(31 )裝有一 個定位裝置(83， 86),以根據(jù)接觸基底上的芯片排列對晶片排列中的各個芯片進 行定位'，
19、 根據(jù)權(quán)利要求11至17任一項所述的裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)移基 底的維持裝置(36， 37)設(shè)有一個可導(dǎo)引箔板(26)轉(zhuǎn)移基底的板材導(dǎo)引裝置，且所 述轉(zhuǎn)移基底的維持裝置(36, 37)設(shè)有一個可根據(jù)接觸基底上芯片的排列對各個芯 片(18)進行定位的送料機構(gòu)(39)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種將位于轉(zhuǎn)移基底(26)上的芯片(18)轉(zhuǎn)移到接觸基底(50)上，以使芯片和接觸基底對接的裝置和方法。其中，芯片的背面(19)粘附在轉(zhuǎn)移基底朝向接觸基底的一個支撐面上，芯片自轉(zhuǎn)移基底的后面加載激光能量。通過一個按壓裝置(45，46)自后面按壓轉(zhuǎn)移基底，和接觸基底的接觸面(58)相對設(shè)置的芯片觸點(59，60)與設(shè)置于接觸面上的基底觸點(56，57)對接，芯片觸點和基底觸點之間形成熱結(jié)合層。
文檔編號H01L21/60GK101164150SQ200680011170
公開日2008年4月16日 申請日期2006年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日
發(fā)明者E·扎克爾, G·阿特達斯特 申請人:派克泰克封裝技術(shù)有限公司