專(zhuān)利名稱(chēng):具有不暈成像系統(tǒng)和耦合非成像光集能器的多結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法
具有不暈成像系統(tǒng)和耦合非成像光集能器的多結(jié)太陽(yáng)能電池 背景技術(shù)本發(fā)明涉及使用提供極高太陽(yáng)能通量的光學(xué)系統(tǒng)以產(chǎn)生高效電輸出的多結(jié)太 陽(yáng)能電池,尤其涉及將非成像光集能器、或通量增強(qiáng)器與主、輔不暈鏡子系統(tǒng)組合 的太陽(yáng)能系統(tǒng),其中非成像集能器有效地耦合到鏡子從而達(dá)到成像條件使高強(qiáng)度光 會(huì)聚到多結(jié)太陽(yáng)能電池上。產(chǎn)生電能的太陽(yáng)能電池已經(jīng)公知但是由于極高的生產(chǎn)Kwh成本而用途受限。 雖然大量研究已經(jīng)進(jìn)行了多年,但是每Kwh成本仍然是常規(guī)電功率生產(chǎn)的約10 倍。為了與風(fēng)能或其它替代能源競(jìng)爭(zhēng),必需大大改進(jìn)太陽(yáng)能電池的電產(chǎn)率。發(fā)明內(nèi)容將不暈光學(xué)成像設(shè)計(jì)與非成像光學(xué)系統(tǒng)組合以產(chǎn)生在光學(xué)擴(kuò)展量極限下工作 的極緊湊型光集能器。在多結(jié)太陽(yáng)能電池系統(tǒng)中,不暈光器件與耦合非成像集能器 極高效地產(chǎn)生電輸出。在替換實(shí)施方式中,可使用多個(gè)常規(guī)太陽(yáng)能電池來(lái)代替多結(jié) 電池。各種不暈和平面光學(xué)系統(tǒng)可提供將光傳輸?shù)椒浅上窦芷鲝亩纬上蚨嘟Y(jié)太 陽(yáng)能電池的高會(huì)聚光輸出的必要部件。在一實(shí)施方式中,輔鏡(secondary mirror) 與入口開(kāi)孔共面,且出口開(kāi)孔與主鏡(primarymirror)的頂點(diǎn)共面?;谝话慊A(chǔ) 容易看出,對(duì)于具有主鏡和輔鏡的最緊湊的成像系統(tǒng),深度與直徑的比例為1:4, 圖l例示出本關(guān)系。在較佳實(shí)施方式中,鏡間空間填充有折射系數(shù)為n的電介質(zhì), 使得數(shù)值孔徑(NA)增大因數(shù)n倍。將非成像光集能器置于主鏡的出口開(kāi)孔處,其中非成像集能器是"/e2的集能器,其中將e!選擇成與系統(tǒng)成像臺(tái)的NA匹配(sin9i =NA,/n),而將62選擇成滿足輔助條件,諸如維持全內(nèi)反射(丁IR)或限 制多結(jié)太陽(yáng)能電池上的照射角、或允許出現(xiàn)輻射以容納集能器與多結(jié)太陽(yáng)能電池之 間的小氣隙(或下文所述的本發(fā)明照明器形式的光源)。具有元件組合的本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了高效多結(jié)太陽(yáng)能電池的使用,使得可通過(guò)耦合 于不暈和平面光學(xué)子系統(tǒng)的非成像光集能器將極強(qiáng)的太陽(yáng)能通量輸入到太陽(yáng)能電 池中。雖然就面積而言多結(jié)太陽(yáng)能電池比常規(guī)電池貴約100倍,但是本文所述系統(tǒng) 可提供諸如至少約幾千太陽(yáng)的高會(huì)聚陽(yáng)光,使得多結(jié)電池成本變得非常有商業(yè)前 景。因此,光學(xué)系統(tǒng)提供太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)商用效力所需的光強(qiáng)。也應(yīng)該注意,上述 光學(xué)系統(tǒng)也可用作其中光源與光變換器相鄰設(shè)置的照明器。從以下詳細(xì)描述和下文所述附圖中,本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)變得顯而易見(jiàn)。
圖1示出具有耦合于多結(jié)太陽(yáng)能電池的關(guān)聯(lián)非成像集能器的不暈光學(xué)系統(tǒng);以及圖2是非成像集能器的細(xì)節(jié)。
具體實(shí)施方式
在圖1中,示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式構(gòu)建的光學(xué)系統(tǒng)10。輔鏡14與主鏡 20的入口開(kāi)孔12共面。主鏡20與輔鏡14的組合的焦點(diǎn)落在非成像集能器24的 入口開(kāi)孔25的中心(圖2中可見(jiàn),下文將詳細(xì)描述)。可視為主鏡20、輔鏡12和 非成像集能器24的光學(xué)系統(tǒng)10的名義"焦點(diǎn)"的最終通量輸出在橫截主鏡20的 頂點(diǎn)18的出口開(kāi)孔16處產(chǎn)生。頂點(diǎn)18是位于主鏡20與光軸26相交的點(diǎn)。主鏡 20被截?cái)嘁匀菁{集能器24。在較佳實(shí)施方式中,頂點(diǎn)18也在出口開(kāi)孔32的中心。 使在角度2eo上均勻入射的太陽(yáng)能輻射(含有光學(xué)誤差的陽(yáng)光盤(pán)巻積)會(huì)聚到焦平 面上,并在角度26i上分布。如果用折射系數(shù)(n)的電介質(zhì)22填充居間空間,則 數(shù)值孔徑(NA)增大n倍。對(duì)于典型材料,因數(shù)在約1.4至1.5之間,這會(huì)由于相 應(yīng)會(huì)聚(對(duì)于相同的視場(chǎng))增加到n2 2.25倍(只要吸收器光學(xué)耦合到光變換器 或集能器24)而變得可觀。在較佳實(shí)施方式中,非成像集能器24置于出口開(kāi)孔16 處并具有另一入口開(kāi)孔25。該集能器24更佳地為ei/02非成像集能器,其中將9i 選擇成與具有主鏡20和輔鏡14的光學(xué)系統(tǒng)10的成像臺(tái)部分的數(shù)字孔徑(NA。 匹配(其中sin9產(chǎn)NAi/n)。將92選擇成滿足輔助條件,諸如維持全內(nèi)反射(TIR) 或限制多結(jié)電池26上的照射角、或者允許輻射出現(xiàn)以容納集能器24與多結(jié)太陽(yáng)能 電池26之間的小氣隙(或本發(fā)明照明器形式的光源30)。終端臺(tái)的會(huì)聚或通量增 強(qiáng)接近基本極限(sine2/sine,)2??倳?huì)聚可接近光學(xué)擴(kuò)展量極限(n/sineo)2,其中 sin9『nsine"在替換實(shí)施方式中,多結(jié)電池26可以是常規(guī)的小太陽(yáng)能電池。在另 一實(shí)施方式中,非成像集能器24可以是公知制作的非成像集能器。 在光學(xué)系統(tǒng)10中,入口開(kāi)孔14和出口開(kāi)孔16都基本上是平的,于是成為直接分析的情況。實(shí)際上,較佳光學(xué)系統(tǒng)10具有落在公知的e2/et非成像集能器類(lèi)別下的設(shè)計(jì)。TIR條件是e2 + e!《丌陽(yáng)2ec (i)其中e。是臨界角,即arcsin(l/n)。在許多重要的實(shí)際情況下,TIR條件與將照射角限制于合理預(yù)定值是相容的。 由于總的光學(xué)系統(tǒng)10接近理想,所以在62接近兀時(shí)總的NA是NA2 = nsin(e2)"n。 在替換實(shí)施方式中,集能器24的反射表面31不需要發(fā)生TIR。在本替換實(shí)施方式 中,eve2集能器的外部,反射表面31可以是鍍銀表面,從而不限制92但是會(huì)造成 約一次額外反射的光學(xué)損耗( 4%)??偟墓鈱W(xué)系統(tǒng)10是接近理想的,因?yàn)槌上窈头浅上裥问降募芷?4兩者的 光線軌跡說(shuō)明偏斜光線的抑制不超過(guò)幾個(gè)百分比。對(duì)于滿足恒定光程長(zhǎng)度的費(fèi)馬 (Fermat)原理的所選集能器24,共面設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)最小的縱橫比(f-數(shù))1/4。通過(guò) 從兩個(gè)極端情況(1)主鏡20的邊緣和(2)沿光軸26,追蹤近軸光線,并規(guī)定 到達(dá)焦點(diǎn)的恒定光程長(zhǎng)度,可直接示出(a)主頂點(diǎn)18到入口開(kāi)孔12的距離不能 小于進(jìn)入直徑的1/4,且(b)緊湊限制要求共面性。因?yàn)檫@種高通量器件最終由電 介質(zhì)厚度(提及)約束,所以可描述較佳共面單元的各種實(shí)施方式。即使有共面性約束,e〖的設(shè)計(jì)選擇仍具有相當(dāng)?shù)淖杂啥取T谟?jì)入脆性、電池 附加和熱抑制的最實(shí)際設(shè)計(jì)呈現(xiàn)為在主鏡20的頂點(diǎn)18處設(shè)置PV吸收器。對(duì)于如 此受限制的設(shè)計(jì),在ej曾加與輔鏡14的遮擋之間存在權(quán)衡。例如,對(duì)于遮擋《3%, 6j《24。。取n-1.5,則e。-42。。則由不等式(1), e, + 02《96。。圖1中的說(shuō)明性 情況具有0尸24°、 62=72°且3%的遮擋,且(n sin(62))2 = 2.0十分接近光學(xué)擴(kuò)展量極 限。也許最簡(jiǎn)單的終端集能器24是平截頭體(橫截的V-圓錐)。然而,如果要避 免光泄漏和過(guò)度光線抑制,則實(shí)現(xiàn)最大會(huì)聚增強(qiáng)所需的平截頭體深度基本上大于相 應(yīng)的ei/02設(shè)計(jì)(對(duì)于此處考慮的參數(shù)范圍)。制造簡(jiǎn)單和成本會(huì)對(duì)電池26與集能器24的光耦合產(chǎn)生影響。這樣,光被提 取到空氣中并投射到電池26上。圖1的整體極緊湊設(shè)計(jì)依然可用,包括將電池26 設(shè)置在主鏡20的頂點(diǎn)18處。終端集能器24則必需具有02 < ee以避免TIR導(dǎo)致的 光抑制。適應(yīng)其相對(duì)較大的深度(即保留相同的電池位置)需要重新設(shè)計(jì)成像電介 質(zhì)集能器24使其焦點(diǎn)更靠近輔鏡14??蓪?shí)現(xiàn)會(huì)聚的相應(yīng)光學(xué)擴(kuò)展量極限從因數(shù)n2 倍減小到因數(shù)(l/sin0(^倍。
在某些波長(zhǎng)范圍上透光的所有電介質(zhì)具有色散,即透光窗口外的吸收的結(jié)果。 甚至對(duì)于色散僅為幾個(gè)百分點(diǎn)的玻璃或丙烯酸,這將可通過(guò)精心設(shè)計(jì)菲涅耳(Fresnd)透鏡實(shí)現(xiàn)的太陽(yáng)能通量大大地限制于-500太陽(yáng)。對(duì)于平面電介質(zhì)形式 的集能器24,唯一折射界面是與入射光束28正交的入口開(kāi)孔12。在界面(入口開(kāi) 孔14)處的角度色散為朋=-tan,"/" (2)這可完全忽略,因?yàn)槿肷涔馐?8的角度擴(kuò)展《1弧度。電介質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)10為了消 除色差的實(shí)際目的。實(shí)際上,方程(2)表示設(shè)計(jì)中的某些靈活性。電介質(zhì)/空氣界 面(入口開(kāi)孔12)無(wú)需與光束嚴(yán)格正交。適度傾斜是允許的,只要由方程(2)確 定的色差效應(yīng)保持在一定范圍內(nèi)。諸如集能器24的非成像器件可在最小開(kāi)孔與光波長(zhǎng)相當(dāng)?shù)难苌錁O限下工作良 好。這遠(yuǎn)超出了光電集能器所要求,但在作為本文實(shí)施方式中可能應(yīng)用的亞毫米波 長(zhǎng)下的探測(cè)器中是有用的。隨著可用較寬范圍的尺寸,多結(jié)電池26上的功率密度 約為每平方毫米l瓦(電),只要在對(duì)分隔結(jié)的隧道二極管層的設(shè)計(jì)中多加注意。 這意味著太陽(yáng)能通量-3330太陽(yáng),且?guī)缀螘?huì)聚Cg- 4600 (采用對(duì)來(lái)自通常40%效 率電池的電力的30%系統(tǒng)效率,其中計(jì)入了損耗,這些損耗來(lái)自反射鏡吸收、菲 涅耳(Fresnel)反射、電介質(zhì)中的衰減、遮擋、電池發(fā)熱、幾個(gè)百分點(diǎn)的光線抑制、 以及為了在焦平面上容納全部通量圖而對(duì)功率密度進(jìn)行的適度稀釋)。使用l毫米直徑的電池26,圖1的集能器24的直徑為68毫米、最大深度為 17mm,且單位面積質(zhì)量等于8.5毫米厚的平板。顯然,可設(shè)計(jì)具有較低會(huì)聚和功 率產(chǎn)生密度同樣降低的大大加厚形式的集能器24 (對(duì)于相同的電池大小)。相應(yīng)的視場(chǎng)角度為90 = Sin(e。) = w sin(e2)/々Cg (3) 對(duì)于以上實(shí)例,上式- 21毫弧度,足夠在寬松光學(xué)公差下容納太陽(yáng)固有尺寸(4.7 毫弧度)的巻積。更嚴(yán)密的光學(xué)公差可在電池26上產(chǎn)生更小的斑點(diǎn)。幸運(yùn)的是通 過(guò)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)即使在幾千太陽(yáng)的通量水平下電池性能也對(duì)這種通量不均一性相對(duì)不 敏感??諝馓畛浼芷?4的光線軌跡模擬示出在二級(jí)畸變開(kāi)始顯著減小通量會(huì)聚 之前6o可達(dá)到20毫弧度。此處相應(yīng)的閾值應(yīng)為ne。 - 30毫弧度。電池26自身可 以是一或幾平方毫米。由于平面集能器體積隨電池尺寸的立方而增加,這是工程最 優(yōu)化。在任何情形中,可無(wú)源地散去幾瓦的熱抑制負(fù)載,使得溫度增加不超過(guò)30K 左右。
至今,光學(xué)系統(tǒng)10被視為具有圓開(kāi)孔和多個(gè)圓電池26的軸對(duì)稱(chēng)??紤]到達(dá) 到高通量水平是相對(duì)容易的,則最大化收集效率最重要,包括封裝在模塊內(nèi)的集能器。同樣,考慮到經(jīng)濟(jì)型制作和切割技術(shù)提供正方形電池26,則可考慮從正方形 入口開(kāi)孔會(huì)聚到正方形目標(biāo)上。在收集或電池效率方面無(wú)損耗地產(chǎn)生相同的功率密 度就規(guī)定將幾何會(huì)聚增加因子(4/兀)2 - 1.62倍(或在固定幾何會(huì)聚下稀釋功率密 度)。高A^i共面設(shè)計(jì)是有可能的,但只在焦點(diǎn)凹進(jìn)主鏡內(nèi)時(shí)。不能滿足不等式O) 一以及因此而不能滿足TIR,所以需要在終端集能器24的外部鍍銀(并在A^r^1 時(shí)不需要終端增強(qiáng)器)??梢瞥行膮^(qū)域的電介質(zhì)22同時(shí)保持會(huì)聚中因子1!2倍的 放大。電池附加和熱抑制方面的問(wèn)題比圖1的設(shè)計(jì)更大。在此示出的共面全電介質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)IO體現(xiàn)不昂貴的高性能形式,它應(yīng)該能夠 (a)在高達(dá)幾千太陽(yáng)的通量水平上從先進(jìn)的商用的1平方毫米太陽(yáng)能電池26產(chǎn)生 約1W, (b)即使在極高會(huì)聚下也只造成可忽略的色差,(c)電池26的無(wú)源冷卻, (d)容納寬松的光學(xué)公差,(e)使用現(xiàn)有玻璃和聚合物成型技術(shù)量產(chǎn),以及(f) 實(shí)現(xiàn)1/4縱橫比的基本緊湊限制。除了上文所述實(shí)施方式之外,反過(guò)來(lái),光學(xué)系統(tǒng)IO可以是在極接近光學(xué)擴(kuò)展 量極限下工作的緊湊型準(zhǔn)直器。靠近非成像集能器24的"出口"開(kāi)孔32定位的光 源30 (在圖2中以虛線示出)可以是發(fā)光二極管。通常,光學(xué)系統(tǒng)10可以是光變 換器,收集會(huì)聚到非成像集能器24的下游的光或者在光源30散布在非成像集能器 (此時(shí)為"照明器",以所需方式輸出光)24的"出口"開(kāi)孔32附近的情形中產(chǎn) 生所選光輸出圖案。這種準(zhǔn)直器在創(chuàng)建所需圖案的照明系統(tǒng)中具有許多用途。以下非限制實(shí)例僅為說(shuō)明該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。實(shí)例1光學(xué)空間填充有電介質(zhì)22,即平面非成像集能器24類(lèi)似于玻璃板。多結(jié)技術(shù) 自身應(yīng)用于小的太陽(yáng)能電池尺寸。由于高電流傳輸更短距離從而減弱內(nèi)部電阻效 應(yīng),因此該尺寸關(guān)系能更好地工作。因而,電池26較佳地在一至幾平方毫米尺寸 內(nèi)。NA,的設(shè)計(jì)選擇具有相當(dāng)?shù)淖杂啥纫约芭c輔鏡12遮擋之間的權(quán)衡,但是通常 在0.3至0.4的范圍內(nèi)。玻璃(和塑料)的典型值取n-1.5,得到e。-42。。則從不 等式(1), (e! + 02)《96。,取NA,0.4n, 6^23.5。,則62可以達(dá)到72°,多結(jié)太 陽(yáng)能電池26上完美的合理最大照射角。同時(shí),NA2-0.95n,在光學(xué)擴(kuò)展量極限的 5%內(nèi)。實(shí)例2在另一實(shí)施方式中,非成像光學(xué)集能器(或照明器)是圓柱形,e〗z02。所施 加的角度約束取決于所需條件。如果TIR是所需的且太陽(yáng)能電池被光學(xué)耦合到多 結(jié)太陽(yáng)能電池26 (或照明器的光源30),則01不應(yīng)超過(guò)(90°-9。)-48°。如果TIR 是所需的且在集能器與多結(jié)太陽(yáng)能電池26 (或照明器的光源30)之間存在小氣隙, 則0i不應(yīng)超過(guò)ee-42°。如果圓柱體鍍銀且集能器光學(xué)耦合到多結(jié)太陽(yáng)能電池26 (或照明器的光源 30),則不存在約束。如果圓柱體鍍銀且集能器與多結(jié)太陽(yáng)能電池26 (或照明器的光源30)之間存在小氣隙,則e!不應(yīng)超過(guò)e。-42。。實(shí)例3在另一實(shí)施方式中,允許出現(xiàn)輻射以容納集能器與多結(jié)太陽(yáng)能電池26 (或照 明器的光源30)之間的小氣隙,則0!不應(yīng)超過(guò)0e-42。。如上所述地令62 = 39°, 且e,二23.5。。則NA「nsin(39。"0.94,在光學(xué)擴(kuò)展量極限的6%內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能系統(tǒng),包括不暈光學(xué)成像系統(tǒng);非成像太陽(yáng)能集能器,收集來(lái)自所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)的光;以及太陽(yáng)能電池,從所述非成像太陽(yáng)能集能器接收光,所述太陽(yáng)能電池產(chǎn)生電輸出。
2. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述太陽(yáng)能電池包括多結(jié) 太陽(yáng)能電池。
3. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)包 括主鏡和輔鏡。
4. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)包括 具有共面入口開(kāi)孔的輔鏡和包括與頂點(diǎn)共面的出口開(kāi)孔的主鏡中至少一個(gè)。
5. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,主鏡與輔鏡之間的空間包 括電介質(zhì)。
6. 如權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述電介質(zhì)從由空氣和折 射系數(shù)n約為1.4至1.5的材料組成的組中選擇。
7. 如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述非成像太陽(yáng)能集能器 包括6i/e2非成像集能器。
8. 如權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述e!/e2非成像集能器通 過(guò)將e,選擇成與所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)的數(shù)值孔徑匹配來(lái)選擇。
9. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,主鏡和輔鏡兩者的出口開(kāi)孔基本上都是平的。
10. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述非成像集能器提供全內(nèi)反射。
11. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述非成像集能器包括鍍 銀的反射表面。
12. 如權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述非成像太陽(yáng)能集能器被定位成基本上與主鏡的確切開(kāi)孔齊平。
13. 如權(quán)利要求12所述的太陽(yáng)能系統(tǒng),其特征在于,所述非成像太陽(yáng)能集能 器包括特制的反射表面。
14. 一種用于太陽(yáng)能系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng),包括 用于收集光的不暈光學(xué)成像系統(tǒng);以及非成像太陽(yáng)能集能器,耦合到所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)以從其接收光,從而提 供極高強(qiáng)度的光輸出以供太陽(yáng)能系統(tǒng)使用。
15. 如權(quán)利要求14所述的光學(xué)系統(tǒng),其特征在于,所述不暈光學(xué)成像系統(tǒng)包括具有與其共面的出口開(kāi)孔的主鏡和輔鏡。
16. 如權(quán)利要求14所述的光學(xué)系統(tǒng),其特征在于,還包括置于主鏡與輔鏡之 間的電介質(zhì),所述電介質(zhì)的折射系數(shù)在約1.0-1.5之間。
17. 如權(quán)利要求14所述的光學(xué)系統(tǒng),其特征在于,所述非成像太陽(yáng)能集能器從e,/e2集能器和特制集能器的組中選擇。
18. —種用于選擇性對(duì)光成像的光學(xué)系統(tǒng),包括 光源;從所述光源收集光的非成像光學(xué)照明器系統(tǒng);以及 輸出從所述非成像光學(xué)照明器接收的光的不暈光學(xué)成像系統(tǒng)。
19. 如權(quán)利要求18所述的光學(xué)系統(tǒng),其特征在于,所述非成像光學(xué)照明器從由e^e2照明器和特制反射表面的照明器組成的組中選擇。
20. 如權(quán)利要求18所述的光學(xué)系統(tǒng),其特征在于,所述非成像光學(xué)照明器從 由TIR照明器和鍍銀反射表面照明器組成的組中選擇。
全文摘要
一種用于太陽(yáng)能設(shè)備以產(chǎn)生電能的光學(xué)系統(tǒng)。該光學(xué)系統(tǒng)包括不暈光學(xué)成像系統(tǒng)、耦合到不暈系統(tǒng)的非成像太陽(yáng)能集能器以及從非成像太陽(yáng)能集能器接收高會(huì)聚光的多結(jié)太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)H01L31/00GK101164172SQ200680013420
公開(kāi)日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月21日
發(fā)明者J·M·高登, R·溫斯頓 申請(qǐng)人:加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)