專利名稱：雙極晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙極晶體管及其制造方法。
技術(shù)背景US-5,001,533公開(kāi)了一種制造包括集電極區(qū)域、基極區(qū)域和發(fā) 射極區(qū)域的雙極晶體管的方法。該雙極晶體管的基極區(qū)域與集電極區(qū) 域和形成基極觸頭所需的基極連接區(qū)域形成電接觸，并且該發(fā)射極區(qū) 域與基極區(qū)域形成電接觸。該集電極區(qū)域是雙極作用所需的多數(shù)載流 子的漂移區(qū)域，并且由包括集電極接觸區(qū)域、外延生長(zhǎng)集電極區(qū)域和 多晶硅集電極接觸層的集電極連接區(qū)域提供對(duì)該集電極區(qū)域的電接 觸。該集電極連接區(qū)域?qū)χT如頻率響應(yīng)的雙極晶體管性能具有消極作 用，這是因?yàn)樗肓司鶠樵摷姌O區(qū)域的集電極-基片電容和集電 極串聯(lián)電阻的附加的集電極-基片電容和集電極串聯(lián)電阻。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種雙極晶體管及其制造方法，其中， 可以減小對(duì)集電極區(qū)域的接觸對(duì)該雙極晶體管性能的影響。根據(jù)本發(fā) 明，通過(guò)提供權(quán)利要求l所述的雙極晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。集電極-基片電容和集電極串聯(lián)電阻均取決于集電極連接區(qū)域 的尺寸。減小集電極連接區(qū)域的尺寸可以減小集電極連接區(qū)域?qū)﹄p極 晶體管性能的消極影響。然而，減小集電極連接區(qū)域的尺寸還會(huì)減小 用于對(duì)集電極連接區(qū)域形成電接觸的區(qū)域，這個(gè)區(qū)域不能夠被減小到 低于由平版印刷的諸如對(duì)齊公差的限制所確定的值。于是，該平版印刷限制防止了集電極連接區(qū)域的寄生電容和電阻的進(jìn)一步減小。當(dāng)雙極晶體管的橫向和垂直尺寸減小到接近或小于平版印刷容限之下的尺寸時(shí)，基極連接區(qū)域與發(fā)射極區(qū)域的對(duì)齊出現(xiàn)問(wèn)題。解決
這個(gè)問(wèn)題的方案可以是通過(guò)選擇性外延生長(zhǎng)步驟來(lái)制造基極區(qū)域，然 而，這個(gè)制造方法很難控制。對(duì)于許多應(yīng)用，在CMOS制造處理中集成雙極晶體管是有利的。對(duì)于這些BiCMOS制造處理，經(jīng)常在CMOS場(chǎng)氧化物或淺溝槽絕緣 (STI)形成之前制造集電極區(qū)域，將諸如高摻雜水平的植入、長(zhǎng)時(shí) 間爐內(nèi)退火以及長(zhǎng)時(shí)間外延步驟的時(shí)間長(zhǎng)并且昂貴的制造步驟加入 標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理。這些附加的制造步驟還會(huì)不利地影響隨后制造 CMOS器件所需的制造步驟。本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于由根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管及其制造 方法來(lái)解決這些問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管包括突起，該突起包括處在第一半導(dǎo) 體類型的集電極區(qū)域上的第二半導(dǎo)體類型的基極區(qū)域，從而形成基極 -集電極結(jié)。該集電極區(qū)域覆蓋并且電連接到第一半導(dǎo)體類型的第一 集電極連接區(qū)域的第一部分?？梢酝ㄟ^(guò)將沒(méi)有由該突起覆蓋的第一集 電極連接區(qū)域的第二部分與通過(guò)第一絕緣層與該突起分離的第二集 電極連接區(qū)域進(jìn)行接觸來(lái)提供對(duì)集電極區(qū)域的接觸。于是，第二集電 極連接區(qū)域經(jīng)由第一集電極連接區(qū)域電連接到集電極區(qū)域。第二集電 極連接區(qū)域與集電極區(qū)域之間的距離確定了包括第一和第二集電極 連接區(qū)域的整個(gè)集電極連接區(qū)域的尺寸。這個(gè)距離由第一絕緣層的厚 度確定，由此與光刻技術(shù)無(wú)關(guān)。于是，整個(gè)集電極連接區(qū)域的尺寸小于 能夠在現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)的尺寸，這是因?yàn)樵诂F(xiàn)有技術(shù)中，這個(gè)尺寸由 光刻技術(shù)的容限確定。整個(gè)集電極連接區(qū)域的減小的尺寸減小了集電極 串聯(lián)電阻和集電極-基片電容，這會(huì)減小整個(gè)集電極連接區(qū)域?qū)﹄p極晶體 管的性能的消極影響。此外，第二絕緣層覆蓋第二集電極連接區(qū)域，第二半導(dǎo)體類型的基 極連接區(qū)域覆蓋第二絕緣層，該基極連接區(qū)域與基極區(qū)域相鄰并且電連 接?；鶚O連接區(qū)域的尺寸被減小，這是因?yàn)樗P(guān)于基極區(qū)域自對(duì)齊并且 因?yàn)樗苯与娺B接到基極區(qū)域，由此，能夠減小基極連接區(qū)域?qū)﹄p極晶 體管性能的消極影響。此外，該雙極晶體管包括覆蓋基極區(qū)域的一部分的發(fā)射極區(qū)域，從
而形成內(nèi)部基極-發(fā)射極結(jié)。在一個(gè)實(shí)施例中，該雙極晶體管包括第二集電極連接區(qū)域的暴露部 分上的集電極觸頭和作為第二集電極連接區(qū)域的非暴露部分的基極連 接區(qū)域的部分上的基極觸頭。這種接觸集電極和基極區(qū)域的方法的優(yōu)點(diǎn) 在于減小了集電極和基極接觸面積，從而減小了整個(gè)器件的面積。制造根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管的方法在第一半導(dǎo)體類型的第一集 電極連接區(qū)域的第一部分上提供突起，該第一集電極連接區(qū)域設(shè)置在半 導(dǎo)體基片中。該突起包括集電極區(qū)域、集電極區(qū)域上的基極區(qū)域以及由 第一絕緣層覆蓋的側(cè)壁。第二集電極連接區(qū)域形成于第一集電極區(qū)域的 第二部分上并且與第一絕緣層相鄰。在第二集電極連接區(qū)域上，形成有 第二絕緣層并且第一絕緣層的一部分被去除，從而暴露基極區(qū)域的一部 分。然后，第二半導(dǎo)體類型的基極連接區(qū)域形成于第二絕緣層上，該基 極連接區(qū)域與基極區(qū)域相鄰并且電連接。然后，發(fā)射極區(qū)域形成于基極 區(qū)域的一部分上。根據(jù)本發(fā)明的方法提供了基極區(qū)域、基極連接區(qū)域、集電極區(qū)域以 及與平版印刷技術(shù)無(wú)關(guān)地與發(fā)射極區(qū)域自對(duì)齊的第一和第二集電極連 接區(qū)域。第二集電極連接區(qū)域相對(duì)于集電極區(qū)域以一定互距離自對(duì)齊形 成，該一定互距離由第一絕緣層的厚度所確定并且由此與平版印刷技術(shù) 無(wú)關(guān)。這個(gè)方法減小了諸如集電極-基片電容的寄生參數(shù)對(duì)雙極晶體管的 性能的影響，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)較小的集電極連接區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了集電極-基片區(qū) 域和集電極串聯(lián)電阻的減小。此外，這個(gè)方法更加容易實(shí)現(xiàn)在CMOS 處理中的雙極晶體管的集成，這是因?yàn)樵趫?chǎng)氧化物或STI形成之后制 造集電極區(qū)域以及第一和第二集電極連接區(qū)域，從而避免了長(zhǎng)時(shí)間爐內(nèi) 退火步驟并且減小了場(chǎng)氧化物或STI形成與雙極晶體管的制造步驟之間的互相作用。在BiCMOS處理中應(yīng)用這個(gè)方法的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可以在一個(gè)外延步驟中而非在兩個(gè)獨(dú)立的外延步驟中制造集電極和基極區(qū) 域，從而進(jìn)一步減小了制造成本。此外，取消對(duì)集電極區(qū)域形成電連接 的掩模步驟，這是因?yàn)閷?duì)集電極區(qū)域的電連接完全自對(duì)齊。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于第一集電極連接區(qū)域的摻雜水平可以較小，這是因?yàn)樗涌拷?集電極區(qū)域。較低的摻雜水平對(duì)半導(dǎo)體基片產(chǎn)生較小損壞，從而減小了
所需的爐內(nèi)退火時(shí)間和/或溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)去除第二基極層的一部分和第二絕緣層的一 部分來(lái)同時(shí)形成集電極觸頭和基極觸頭，從而暴露了第二集電極連接區(qū) 域的一部分。該集電極觸頭形成于第二集電極連接區(qū)域的暴露部分上， 基極觸頭形成于沒(méi)有被去除的基極連接區(qū)域的一部分上。這種接觸集電 極和基極區(qū)域的方法的優(yōu)點(diǎn)在于能夠減小集電極和基極接觸面積，從 而減小整個(gè)器件的面積。在一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)用一個(gè)制造步驟來(lái)將該突起的尺寸減小為可以 小于能夠通過(guò)光刻技術(shù)獲得的值'。這個(gè)方法減小了包括基極-集電極結(jié)和 基極-發(fā)射極結(jié)的雙極晶體管的活動(dòng)區(qū)域，從而減小了器件面積以及諸如 基極-集電極電容的寄生參數(shù)的影響。這個(gè)制造步驟可以包括氧化處理和 蝕刻步驟。


將對(duì)照附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的上述及其它方面，其中圖1-10和圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的雙極晶體管的制造的各個(gè)階段的截面視圖；以及圖11示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙極晶體管的示意性俯視圖。 這些附圖沒(méi)有按照比例進(jìn)行繪制。通常，在這些附圖中，相同部件由相同參考標(biāo)號(hào)表示。
具體實(shí)施方式
圖l示出了使用平版印刷術(shù)和植入n型摻雜物制造的包括具有薄溝 槽絕緣區(qū)域2和第一集電極連接區(qū)域3的標(biāo)準(zhǔn)p型摻雜硅基片1的初始 結(jié)構(gòu)。通常植入砷離子來(lái)形成第一集電極連接區(qū)域3。在絕緣區(qū)域2之 下，可選擇性地植入p型區(qū)域以改進(jìn)n型集電極連接區(qū)域3之間的絕緣。 或者，基片1可以包括n型半導(dǎo)體材料。因此，如圖2所示，非選擇性外延生長(zhǎng)形成了多個(gè)層疊。這個(gè)層疊 包括n型硅層4和包括硅發(fā)射極蓋層的SiGe層6。該SiGe層6還可以 包括相對(duì)較薄的硼摻雜層以及少量碳來(lái)限制硼擴(kuò)散，例如，0.2at%。在
一個(gè)制造步驟中形成層疊是有利的，這是因?yàn)樗鼤?huì)減小制造步驟的數(shù) 目，例如，不再需要清潔這些層之間的接口的制造步驟。此外，外延生 長(zhǎng)的使用實(shí)現(xiàn)在這些層中的摻雜分布圖的精確控制。因此，氮化硅層8和二氧化硅層9例如不加密的TEOS (四乙基正硅酸鹽)形成于二氧化 硅層7上。如圖3所示，應(yīng)用平版印刷術(shù)來(lái)形成窗口，在該窗口中，對(duì)層疊進(jìn) 行蝕刻以形成突起5和包圍并且與突起5鄰接的溝槽12。突起5包括集 電極區(qū)域21、基極區(qū)域22、 二氧化硅層7的一部分、氮化硅層8的一 部分以及二氧化硅層9的一部分。集電極區(qū)域21包括n型硅層4的一 部分，基極區(qū)域22包括SiGe層6的一部分。溝槽12至少覆蓋第一集 電極連接區(qū)域3的一部分，并且盡管非必需，但是在這個(gè)實(shí)施例中，溝 槽12還覆蓋絕緣區(qū)域2的一部分。于是，突起5位于第一集電極連接 區(qū)域3上，從而在集電極區(qū)域21和第一集電極連接區(qū)域3之間形成電 連接。應(yīng)用全向蝕刻處理可以減小突起5的尺寸，但是也可以應(yīng)用諸如 在突起5的氧化物蝕刻之后進(jìn)行氧化處理的其它方法以將突起5的尺寸 減小為可以小于可以通過(guò)平版印刷術(shù)技術(shù)獲得的值。接下來(lái)，溝槽12 的側(cè)壁由包括二氧化硅層10的隔離物例如不加密的TEOS(四乙基正硅 酸鹽)以及氮化硅層11進(jìn)行覆蓋。因此，沉積了原位摻雜的n型多晶硅層用于覆蓋所有暴露的表面并 且填充溝槽12。如圖4所示，可以應(yīng)用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)將多晶硅層進(jìn)行 平面化，隨后，利用回蝕制造步驟來(lái)去除集電極區(qū)域21之上的多晶硅 層，從而形成包括n型多晶硅層的第二集電極連接區(qū)域13。這樣，在第 二集電極連接區(qū)域13和第一集電極連接區(qū)域3之間形成電連接。因此， 二氧化硅層14通過(guò)低溫?zé)嵫趸幚硇纬捎诘诙姌O連接區(qū)域13之 上，留下暴露的氮化硅層11的部分。然后，通過(guò)選擇性蝕刻步驟去除了氮化硅層11的暴露部分，從而 暴露二氧化硅層10的一部分。例如，可以應(yīng)用磷酸溶液來(lái)選擇性地對(duì) 與二氧化硅層9和IO相關(guān)的氮化硅層11的暴露部分進(jìn)行蝕刻。因此， 如圖5所示，二氧化硅層10和二氧化硅層9的暴露部分被去除，從而 暴露基極區(qū)域22的側(cè)壁，而并不會(huì)影響二氧化硅層14。 二氧化硅層14 沒(méi)有被去除，這是因?yàn)樗糜诜蛛x第二集電極連接區(qū)域13和其它要被制造的半導(dǎo)體層。例如，可以應(yīng)用HF (氫氟酸)來(lái)對(duì)二氧化硅層9和 10進(jìn)行蝕刻，而同時(shí)幾乎并不影響二氧化硅層14，這是因?yàn)槎趸?層14由熱氧化處理形成，并且二氧化硅層9和IO包括例如蝕刻速度快 于熱氧化物的不加密的TEOS (四乙基正硅酸鹽)。然后，沉積了p型原位摻雜的多晶硅，用于覆蓋所有暴露的表面。 如圖6所示，可以應(yīng)用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)將該多晶硅進(jìn)行平面化，然后， 使用回蝕制造步驟來(lái)去除基極區(qū)域22的頂表面之上的多晶硅層，從而 形成基極連接區(qū)域15?；鶚O連接區(qū)域15與基極區(qū)域22相鄰并且與其電 連接。二氧化硅層16通過(guò)低溫?zé)嵫趸幚韥?lái)形成于基極連接區(qū)域15之 上。然后，通過(guò)選擇性濕式蝕刻處理來(lái)去除氮化硅層8，然后去除二氧 化硅層7，從而形成包括二氧化硅層16和基極連接區(qū)域15的一部分的 暴露的側(cè)壁，如圖7所示。選擇性地相對(duì)作為熱生長(zhǎng)二氧化硅的二氧化 硅層16對(duì)作為T(mén)EOS (四乙基正硅酸鹽)層的二氧化硅層7進(jìn)行蝕刻。 通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)沉積和蝕刻技術(shù)來(lái)形成內(nèi)部隔離物17。盡管隔離物17優(yōu) 選具有L形狀，但是諸如D形狀的其它形狀也是可行的。隔離物17覆 蓋暴露的側(cè)壁并且可以包括例如氮化硅。未由隔離物17覆蓋的基極區(qū) 域22的部分限定將制造發(fā)射極-基極結(jié)的區(qū)域。然后，如圖8所示，通過(guò)沉積原位摻雜的n型多晶硅層以及對(duì)其進(jìn) 行形成圖樣來(lái)形成發(fā)射極區(qū)域18?；蛘?，可以通過(guò)應(yīng)用在基極區(qū)域22 上形成單晶硅層以及在所有其它區(qū)域上形成多晶硅層的差異外延生長(zhǎng)， 然后對(duì)這個(gè)多晶硅層形成圖樣來(lái)形成發(fā)射極區(qū)域18。然后，如圖9所示，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)蝕刻技術(shù)來(lái)去除暴露隔離物17、 二 氧化硅層16的暴露部分、SiGe層6以及硅層4，從而暴露基極連接區(qū) 域15。然后，通過(guò)應(yīng)用平版印刷掩模來(lái)限定集電極-基極接觸窗口。然后， 如圖IO所示，通過(guò)采用標(biāo)準(zhǔn)蝕刻技術(shù)去除通過(guò)集電極-基極接觸窗口暴 露的基極連接區(qū)域15的一部分以及二氧化硅層14的一部分來(lái)暴露第二 集電極連接區(qū)域13的一部分。該平版印刷掩模還限定沒(méi)有去除并且保 持暴露的基極連接區(qū)域15的一部分。于是，通過(guò)一個(gè)平版印刷掩模，第二集電極連接區(qū)域13的暴露部分和基極連接區(qū)域15的暴露部分被同 時(shí)限定。第二集電極連接區(qū)域13的暴露部分的面積與基極連接區(qū)域15 的暴露部分的面積的比率適于設(shè)置取決于雙極晶體管的應(yīng)用需求的集 電極和基極串聯(lián)電阻。圖11是制造器件的示意性俯視圖，用于示出平版印刷掩模的實(shí)施 例，其限定第二集電極連接區(qū)域13的暴露部分和基極連接區(qū)域15的暴 露部分。然后，將第二集電極連接區(qū)域13的暴露部分、基極連接區(qū)域 15的暴露部分以及發(fā)射極區(qū)域18進(jìn)行硅化處理，從而形成覆蓋這些區(qū) 域并且減小寄生串聯(lián)電阻的金屬硅化物層20。接下來(lái)，如圖ll和12所示，集電極觸頭31、基極觸頭32和發(fā)射 極觸頭33分別形成于第二集電極連接區(qū)域13的暴露部分上、基極連接 區(qū)域15的暴露部分上和發(fā)射極區(qū)域18上?？傊?，本發(fā)明提供了一種由于減小的集電極串聯(lián)電阻和減小的集電 極到基片電容而具有改進(jìn)性能的雙極晶體管。該雙極晶體管包括其尺寸 可以被減小到由平版印刷技術(shù)不能夠?qū)崿F(xiàn)的尺寸的突起。該突起包括集 電極區(qū)域和基極區(qū)域，其中，該集電極區(qū)域覆蓋并且電連接到第一集電 極連接區(qū)域的第一部分。第二集電極連接區(qū)域覆蓋第一集電極連接區(qū)域 的第二部分并且被覆蓋該突起的側(cè)壁的絕緣層與該突起分離。對(duì)基極區(qū) 域的接觸由基極連接區(qū)域提供，該基極連接區(qū)域與該突起相鄰并且被絕 緣層與第二集電極連接區(qū)域分離。集電極觸頭和基極觸頭同時(shí)形成在第 二集電極連接區(qū)域的暴露部分上和沒(méi)有被去除的基極連接區(qū)域的部分 上。應(yīng)該明白，上述實(shí)施例示出而非限制本發(fā)明，并且在不脫離權(quán)利要 求的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)許多其它實(shí)施例。在權(quán)利 要求中，括號(hào)內(nèi)的任何參考標(biāo)號(hào)不應(yīng)該解釋為對(duì)權(quán)利要求的限制。單詞 "包括"并不排除除了權(quán)利要求中列出的部件或步驟以外的其它部件或 步驟的存在。元件前面的"一"或"一個(gè)"并不排出存在多個(gè)這樣的 元件。
權(quán)利要求
1.一種雙極晶體管，包括半導(dǎo)體基片(1)，具有第一半導(dǎo)體類型的第一集電極連接區(qū)域(3)；突起(5)，具有由第一絕緣層(10，11)覆蓋的側(cè)壁并且包括所述第一半導(dǎo)體類型的集電極區(qū)域(21)和第二半導(dǎo)體類型的基極區(qū)域(22)，其中，所述第二半導(dǎo)體類型的基極區(qū)域(22)覆蓋并且電連接到所述集電極區(qū)域(21)，所述集電極區(qū)域(21)覆蓋并且電連接到所述第一集電極連接區(qū)域(3)的第一部分；第一半導(dǎo)體類型的第二集電極連接區(qū)域(13)，與所述第一絕緣層(10，11)相鄰并且覆蓋所述第一集電極連接區(qū)域(3)的第二部分；第二絕緣層(14)，覆蓋所述第二集電極連接區(qū)域(13)；以及第二半導(dǎo)體類型的基極連接區(qū)域(15)，其處在所述第二絕緣層(14)上，所述基極連接區(qū)域(15)與所述基極區(qū)域(22)相鄰并且電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，還包括集電極觸頭(31) 和基極觸頭(32)，其中，所述集電極觸頭(31)處在所述第二集電 極連接區(qū)域(13)的暴露部分上，所述基極觸頭(32)處在沒(méi)有暴露 的所述第二集電極連接區(qū)域(13)的所述基極連接區(qū)域(15)的部分 上。
3. 如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其中，所述基極區(qū)域(22) 包括p型外延硅鍺和p型硅層。
4. 如權(quán)利要求1所述的雙極晶體管，其中，所述半導(dǎo)體基片(l) 包括n型硅材料。
5. —種制造雙極晶體管的方法，所述方法包括如下步驟 提供具有第一半導(dǎo)體類型的第一集電極連接區(qū)域(3)的半導(dǎo)體基片(1);形成突起(5)，其中，所述突起(5)具有由第一絕緣層(10， 11)覆蓋的側(cè)壁并且包括所述第一半導(dǎo)體類型的集電極區(qū)域(21)和 第二半導(dǎo)體類型的基極區(qū)域(22)，其中，所述第二半導(dǎo)體類型的基 極區(qū)域(22)覆蓋并且電連接到所述集電極區(qū)域(21)，所述集電極 區(qū)域(21)覆蓋并且電連接到所述第一集電極連接區(qū)域(3)的第一 部分；形成所述第一半導(dǎo)體類型的第二集電極連接區(qū)域(13)，所述 第一半導(dǎo)體類型的第二集電極連接區(qū)域(13)與所述第一絕緣層(10， 11)相鄰并且覆蓋所述第一集電極連接區(qū)域(3)的第二部分；在第二集電極連接區(qū)域(13)上形成第二絕緣層(14);從所述突起(5)的側(cè)壁去除所述第一絕緣層(10， 11)的一部 分，從而暴露所述基極區(qū)域(22)的一部分；以及在第二絕緣層(14)上形成所述第二半導(dǎo)體類型的基極連接區(qū) 域(15)，其中基極連接區(qū)域(15)與所述基極區(qū)域(22)相鄰并且 電連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，還包括如下步驟 移動(dòng)所述基極連接區(qū)域(15)的一部分和所述第二絕緣層(14)的一部分，從而暴露所述第二集電極連接區(qū)域(13)的一部分；以及 在所述第二集電極連接區(qū)域(13)的暴露部分上和所述基極連 接區(qū)域(15)上分別形成集電極觸頭(31)和基極觸頭(32)。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，在形成場(chǎng)氧化物或淺溝槽 絕緣以后，在CMOS處理中對(duì)所述雙極晶體管進(jìn)行集成。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過(guò)外延生長(zhǎng)然后通過(guò)平版印刷步驟形成所述突起(5)。
9. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，應(yīng)用一個(gè)制造步驟來(lái)減小所述突起(5)的尺寸。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，用于減小所述突起(5) 的尺寸的制造步驟包括先進(jìn)行氧化處理，然后進(jìn)行氧化蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種由于減小的集電極串聯(lián)電阻和減小的集電極到基片電容而具有改進(jìn)性能的雙極晶體管。該雙極晶體管包括其尺寸可以被減小到由平版印刷技術(shù)不能夠?qū)崿F(xiàn)的尺寸的突起(5)。該突起(5)包括集電極區(qū)域(21)和基極區(qū)域(22)，其中，該集電極區(qū)域(21)覆蓋并且電連接到第一集電極連接區(qū)域(3)的第一部分。第二集電極連接區(qū)域(13)覆蓋第一集電極連接區(qū)域(3)的第二部分并且被覆蓋該突起(5)的側(cè)壁的絕緣層(10，11)與該突起(5)分離。對(duì)基極區(qū)域(22)的接觸由基極連接區(qū)域(15)提供，該基極連接區(qū)域(15)與該突起(5)相鄰并且被絕緣層(14)與第二集電極連接區(qū)域(13)分離。集電極觸頭(31)和基極觸頭(32)同時(shí)形成在第二集電極連接區(qū)域(13)的暴露部分上和沒(méi)有被去除的基極連接區(qū)域(15)的部分上。
文檔編號(hào)H01L21/331GK101167167SQ200680014319
公開(kāi)日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2006年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
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