專利名稱：：形成小型緊密間隔特征陣列的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：所揭示的本發(fā)明大體上涉及集成電路制造、用于制造計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的技術(shù)以及遮掩技術(shù)。
背景技術(shù)：
：由于許多因素(包含現(xiàn)代電子設(shè)備中對(duì)提高的便攜性、計(jì)算能力、存儲(chǔ)容量以及能量效率的需求)，集成電路的尺寸不斷減小。為了有助于此尺寸減小，繼續(xù)研究減小集成電路的組成特征的尺寸的方法。所述組成特征的實(shí)例包含電容器、電觸點(diǎn)、互連線以及其它電氣裝置。減小特征尺寸的趨勢(shì)(例如)在存儲(chǔ)器電路或裝置中是明顯的，所述存儲(chǔ)器電路或裝置例如是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、鐵電(FE)存儲(chǔ)器、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器等。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器通常包括數(shù)百萬(wàn)個(gè)相同的電路元件(稱為存儲(chǔ)器單元)，其以具有相關(guān)聯(lián)邏輯電路的多個(gè)陣列的形式布置。每個(gè)存儲(chǔ)器單元按照慣例存儲(chǔ)一個(gè)信息位，但是多電平單元裝置每單元可存儲(chǔ)一個(gè)以上位。存儲(chǔ)器單元在最一般的形式下通常由兩個(gè)電氣裝置組成存儲(chǔ)電容器和存取場(chǎng)效應(yīng)晶體管。每個(gè)存儲(chǔ)器單元都是可存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)位(二進(jìn)制數(shù)字)的可尋址位置?？赏ㄟ^(guò)晶體管將位寫入到單元，且可通過(guò)從參考電極側(cè)感測(cè)存儲(chǔ)電極上的電荷來(lái)讀取位?？蓮妮^高密度組件受益的一種常見(jiàn)類型的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是DRAM。通過(guò)減小組成電氣裝置的尺寸、減少連接所述電氣裝置的導(dǎo)電線以及減少在電氣裝置之間運(yùn)載電荷的導(dǎo)電觸點(diǎn)，可減小并入有這些特征的存儲(chǔ)器裝置的尺寸。可通過(guò)將更多的存儲(chǔ)器單元裝配到存儲(chǔ)器裝置中來(lái)提高存儲(chǔ)容量和電路速度。對(duì)不斷減小特征尺寸的需求對(duì)用于形成所述特征的技術(shù)提出越來(lái)越高的要求。舉例來(lái)說(shuō)，通常使用光刻來(lái)在襯底上對(duì)特征進(jìn)行圖案化。間距的概念可用于描述這些特征的尺寸。間距是兩個(gè)相鄰特征中的相同的點(diǎn)之間的距離。這些特征通常由鄰近特征之間的間隔來(lái)界定，所述間隔可由例如絕緣體的材料來(lái)填充。因此，可將間距視為特征的寬度與使所述特征與相鄰特征分離的間隔的寬度的總和。某些光致抗蝕劑材料僅對(duì)某些光波長(zhǎng)作出反應(yīng)。可使用的一種常見(jiàn)波長(zhǎng)范圍是紫外線(UV)范圍。因?yàn)樵S多光致抗蝕劑材料選擇性地對(duì)特定波長(zhǎng)作出反應(yīng)，所以光刻技術(shù)每一者都具有最小間距，在所述最小間距以下，特定的光刻技術(shù)不能可靠地形成特征。此最小間距通常由可與所述技術(shù)一起使用的光波長(zhǎng)來(lái)確定。因此，光刻技術(shù)的最小間距可能限制特征尺寸減小。間距倍增(或間距加倍)可擴(kuò)展光刻技術(shù)的能力，從而允許產(chǎn)生更密集布置的特征。在圖1A到圖1F中說(shuō)明且在頒發(fā)給Lowrey等人的第5,328,810號(hào)美國(guó)專利中描述此類方法，所述美國(guó)專利的整個(gè)揭示內(nèi)容以引用的方式并入本文中，并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。為了方便起見(jiàn)，此處也將簡(jiǎn)要概述所述方法。參看圖1A，首先使用光刻來(lái)在上伏于耗材的層20和襯底30上的光致抗蝕劑層中形成線10的圖案。圖1中所示的層都是以橫截面的形式示意性地展示。如圖1B中所示，接著通過(guò)蝕刻步驟(優(yōu)選各向異性的)將圖案轉(zhuǎn)移到層20，從而形成位置標(biāo)志物或心軸40。如果蝕刻是各向異性的，那么所述心軸具有近似垂直的側(cè)面，如圖所示?？蓜冸x光致抗蝕劑線10，且可對(duì)心軸40進(jìn)行各向同性蝕刻以增加相鄰心軸40之間的距離，如圖1C中所示。此各向同性蝕刻(或縮小步驟)可替代地在轉(zhuǎn)移之前對(duì)抗蝕劑執(zhí)行。隨后將間隔物材料層50沉積在心軸40上，如圖1D中所示。接著通過(guò)在定向(各向異性)間隔物蝕刻中從水平表面70和80優(yōu)選蝕刻間隔物材料，來(lái)在心軸40的側(cè)面上形成間隔物60(即從另一材料的側(cè)壁延伸或原始地形成為從另一材料的側(cè)壁延伸的材料)。圖1E中展示此類間隔物。接著去除剩余的心軸40，僅在襯底30上方留下間隔物60。間隔物60—起充當(dāng)用于圖案化的掩模，如圖1F中所示。因此，在給定間距原先包含界定一個(gè)特征和一個(gè)間隔的圖案的情況下，同一寬度現(xiàn)在包含由間隔物60界定的兩個(gè)特征和兩個(gè)間隔。因此，通過(guò)此"間距倍增"技術(shù)，有效地減小了光刻技術(shù)可能實(shí)現(xiàn)的最小特征尺寸。雖然在上文的實(shí)例中，間距實(shí)際上減半，但間距的此減小按照慣例被稱為間距"加倍"，或更通常地被稱為間距"倍增"。即按照慣例，間距"倍增"某一因數(shù)實(shí)際上涉及使所述間距減小所述因數(shù)。事實(shí)上，"間距倍增"通過(guò)減小間距增加了特征的密度。因此，間距具有至少兩個(gè)意義重復(fù)圖案中相同特征之間的線性間隔；以及每段線性距離的特征的密度或數(shù)目。本文保留常規(guī)術(shù)語(yǔ)。掩模方案或電路設(shè)計(jì)的臨界尺寸(criticaldimension,CD)是所述方案的最小特征尺寸，或所述設(shè)計(jì)或方案中所存在的最小特征的最小寬度的測(cè)量值。由于例如集成電路的不同零件中的幾何復(fù)雜性和對(duì)臨界尺寸的不同要求的因素，通常不是集成電路的所有特征都將經(jīng)歷間距倍增。此外，間距倍增相對(duì)于常規(guī)平版印刷需要許多額外步驟；所述額外步驟可能涉及相當(dāng)大的額外費(fèi)用。間距倍增對(duì)所得特征提供的控制通常比通過(guò)無(wú)間距倍增的直接圖案化所提供的控制少，因?yàn)殚g隔物圖案僅僅遵循直接圖案化的特征的輪廓。因此，通常認(rèn)為間距倍增僅對(duì)規(guī)則間隔的線(例如用于存儲(chǔ)器陣列的導(dǎo)電線)有用。另一方面，典型的微遮掩技術(shù)(例如各向同性縮小步驟)可導(dǎo)致特征尺寸減小，但不會(huì)相應(yīng)地增加特征密度。將非常精密的圖案轉(zhuǎn)移到下伏層也存在難題，因?yàn)楝F(xiàn)存的技術(shù)不會(huì)在轉(zhuǎn)移過(guò)程中充分地保持分辨度和保真度。需要可允許集成電路上的單元更小且更高效操作的方法；此類方法將有利地增加特征密度并減小芯片尺寸。因此，需要減小集成電路的尺寸并增加計(jì)算機(jī)芯片上的電氣裝置陣列的可操作密度。因此，需要形成較小特征的經(jīng)改進(jìn)的方法；用于增加特征密度的經(jīng)改進(jìn)的方法；將產(chǎn)生更高效陣列的方法；以及將在不損害特征分辨度的情況下提供更緊湊陣列的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括在集成電路中形成隔離的特征的方法。所述方法可包括提供由多層遮掩材料覆蓋的襯底，以及在第一層遮掩材料中產(chǎn)生第一系列的可選擇性地界定的線。所述方法可進(jìn)一步包括使用間隔物材料來(lái)減小所述第一系列的可選擇性地界定的線的間距，以產(chǎn)生第一遮掩特征布置，其間距小于第一系列的可選擇性地界定的線的間距。第一遮掩特征布置可包括由間距減小的間隔隔開的間距減小的遮掩線，且可對(duì)應(yīng)于第一圖案。所述方法可進(jìn)一步包括在第二層遮掩材料中產(chǎn)生第二系列的可選擇性地界定的線，其中所述第二系列的可選擇性地界定的線不平行于第一系列的可選擇性地界定的線。所述方法可進(jìn)一步包括使用間隔物材料減小第二系列的可選擇性地界定的線的間距，以產(chǎn)生第二遮掩特征布置，其間距小于第二系列的可選擇性地界定的線的間距。第二遮掩特征布置可包括由間距減小的間隔隔開的間距減小的遮掩線，且可對(duì)應(yīng)于第二圖案。所述方法可進(jìn)一步包括以通過(guò)疊加第一和第二圖案而得出的第三圖案對(duì)襯底進(jìn)行蝕刻，以產(chǎn)生隔離的特征。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括一種在陣列中形成特征的方法。所述方法可包括減小第一光可界定線(photodefinableline)列的間距，以形成列圖案。所述方法還可包括減小一行第二光可界定線的間距，以形成與列圖案交叉的行圖案。所述行圖案可具有行線和行間隔。所述行線可遮掩掉下伏列圖案的未暴露部分，且行間隔可留下下伏列圖案的暴露部分。交叉的列和行圖案可包括具有第三圖案的組合掩模。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括用于集成電路的掩模圖案。所述掩模圖案可包括第一系列的伸長(zhǎng)遮掩線和與第一系列的伸長(zhǎng)遮掩線相交的第二系列的伸長(zhǎng)遮掩線。在掩模圖案中，每個(gè)系列的線的間距可小于通過(guò)光刻能實(shí)現(xiàn)的間距。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括隔離特征布置，其形成為集成電路制造工藝的一部分。所述布置可具有由間隔物材料形成的第一行伸長(zhǎng)特征，和由間隔物材料形成的第二行伸長(zhǎng)特征。第二行中的伸長(zhǎng)特征可與第一行中的伸長(zhǎng)特征交叉，使得一個(gè)行中的每個(gè)伸長(zhǎng)特征與另一行中的多個(gè)伸長(zhǎng)特征交叉。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括集成電路中的隔離特征布置。所述布置可具有規(guī)則間隔的特征，所述特征具有小于60納米的第一寬度和不大于第一寬度的IO倍的第一長(zhǎng)度。此外，特征之間的間隔可具有小于60納米的第二寬度。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括一種包含集成電路的系統(tǒng)。所述集成電路可包括由間隔物材料形成的一行伸長(zhǎng)特征，其具有小于或近似120nm的寬度。所述集成電路可進(jìn)一步包括由間隔物材料形成的一列伸長(zhǎng)特征，其具有小于或近似120nm的寬度。所述列中的伸長(zhǎng)特征可與所述行中的伸長(zhǎng)特征交叉，使得所述列中的每個(gè)伸長(zhǎng)特征與所述行中的多個(gè)伸長(zhǎng)特征交叉。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括一種形成用于集成電路的特征陣列的方法。所述方法可包含在第一掩模層中形成第一間距倍增的特征陣列，所述特征沿伸長(zhǎng)軸伸長(zhǎng)。第一特征陣列可具有第一圖案。所述方法可進(jìn)一步包含在第二掩模層中形成第二間距倍增的特征陣列，所述第二間距倍增的特征陣列具有沿伸長(zhǎng)軸伸長(zhǎng)的特征，所述伸長(zhǎng)軸不平行于第一特征陣列的伸長(zhǎng)特征的軸。第二特征陣列可具有第二圖案。所述方法可進(jìn)一步包含使第一和第二圖案合并成組合的第三圖案，所述第三圖案對(duì)應(yīng)于集成電路的單個(gè)垂直級(jí)中的特征布置。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明包括一種用于以電格式處理信息的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)可包含至少一個(gè)電路。所述系統(tǒng)可進(jìn)一步包含重復(fù)圖案形式的密集間隔的特征，其形成于所述電路中的一層材料中。每個(gè)特征可具有小于60納米的第一寬度和小于所述第一寬度的IO倍的第一長(zhǎng)度。此外，每個(gè)特征可與鄰近特征間隔開小于120納米。根據(jù)具體實(shí)施方式且根據(jù)附圖將更好地理解本發(fā)明，具體實(shí)施方式和附圖意在說(shuō)明而非限制本發(fā)明，且在附圖中圖1A到圖1F是根據(jù)如上文所述的現(xiàn)有技術(shù)間距倍增方法形成的掩模線的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖2是用于形成集成電路的遮掩和襯底層的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖3展示對(duì)第一抗蝕劑層進(jìn)行光刻圖案化之后的圖2的結(jié)構(gòu)。圖4展示蝕刻已經(jīng)使圖3的圖案中的特征的尺寸減小之后的圖3的結(jié)構(gòu)。圖5展示圖4的圖案已經(jīng)延伸到下伏層中之后的用于形成集成電路的遮掩和襯底層的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖6展示已經(jīng)剝離了上伏層之后的圖5的結(jié)構(gòu)。圖7展示覆蓋沉積(blanketdeposition)間隔物材料之后的圖6的結(jié)構(gòu)。圖8展示間隔物蝕刻和隨后的蝕刻之后留下已經(jīng)延伸到下伏層中的自立間隔物的圖案的圖7的結(jié)構(gòu)。圖9展示覆蓋沉積填充物材料之后的圖8的結(jié)構(gòu)。圖10A到圖IOD展示CMP工藝或干式蝕刻已經(jīng)去除了間隔物和過(guò)量的填充物材料之后的圖9的結(jié)構(gòu)。圖10A展示表面的示意性平面圖。圖IOB展示沿圖IOA的線10B-10B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IOC展示沿圖10B的線10C-10C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IOD展示沿圖10B的線10D-10D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IIA到圖IID展示沉積多個(gè)新層之后的圖IO的結(jié)構(gòu)。圖IIA展示表面的示意性平面圖。圖11B展示沿圖11A的線11B-11B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖11C展示沿圖11B的線11C-11C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IID展示沿圖11B的線11D-11D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖12A到圖12D展示對(duì)第二抗蝕劑層進(jìn)行光刻圖案化之后的圖11的結(jié)構(gòu)。圖12A展示表面的示意性平面圖。圖12B展示沿圖12A的線12B-12B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖12C展示沿圖12B的線12C-12C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖12D展示沿圖12B的線12D-12D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13A到圖13D展示蝕刻已經(jīng)使圖12的圖案中的特征的尺寸減小之后的圖12的結(jié)構(gòu)。圖13A展示表面的示意性平面圖。圖13B展示沿圖BA的線13B-13B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13C展示沿圖13B的線13C-13C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13D展示沿圖13B的線13D-13D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖14A到圖14D展示圖13A到圖13D的特征的圖案已經(jīng)延伸到下伏層中以部分地暴露交叉的下伏圖案之后的圖13的結(jié)構(gòu)。圖14A展示表面的示意性平面圖。圖14B展示沿圖14A的線14B-14B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖14C展示沿圖14B的線14C-14C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖14D展示沿圖14B的線14D-14D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖15A到圖15D展示已經(jīng)剝離了上伏層之后的圖14的結(jié)構(gòu)。圖15A展示表面的示意性平面圖。圖15B展示沿圖15A的線15B-15B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖15C展示沿圖15B的線15C-15C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖15D展示沿圖15B的線15D-15D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖16A到圖16D展示覆蓋沉積間隔物材料之后的圖15的結(jié)構(gòu)。圖16A展示表面的示意性平面圖。圖16B展示沿圖16A的線16B-16B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖16C展示沿圖16B的線16C-16C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖16D展示沿圖16B的線16D-16D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖17A到圖17D展示間隔物蝕刻和隨后的蝕刻(其已經(jīng)去除了心軸)之后留下與下伏圖案正交的自立間隔物的圖案的圖16的結(jié)構(gòu)。圖17A展示表面的示意性平面圖。圖17B展示沿圖17A的線17B-17B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖17C展示沿圖17B的線nC-17C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖17D展示沿圖17B的線17D-17D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18到圖20說(shuō)明可結(jié)合圖17的結(jié)構(gòu)使用以產(chǎn)生具有以有利方式密集間隔的小孔的掩模柵格的工藝流程。圖18A到圖18E展示蝕刻(例如二氧化硅蝕刻)已經(jīng)去除了若干暴露層的部分，而留下下伏圖案的暴露部分的條帶材料中的完整一者之后的圖17的結(jié)構(gòu)。圖18A展示表面的示意性平面圖。圖18B展示沿圖18A的線18B-18B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18C展示沿圖18A和圖18B的線18C-18C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18D展示沿圖18A和圖18B的線18D-18D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18E展示沿圖18A的線18E-18E截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖19A到圖19D展示使兩個(gè)上伏層的圖案延伸到下伏掩模或臨時(shí)層中，從而在下伏層中形成孔之后的圖18的結(jié)構(gòu)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，所述下伏臨時(shí)層是無(wú)定形碳。圖19A展示表面的示意性平面圖。圖19B展示沿圖19A的線19B-19B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20C展示沿圖19B的線19C-19C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖19D展示沿圖19B的線19D-19D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20A到圖20D展示已經(jīng)剝離了上伏層以在下面的臨時(shí)或掩模(例如無(wú)定形碳)層中留下孔圖案之后的圖19的結(jié)構(gòu)。圖20A展示表面的示意性平面圖。圖20B展示沿圖20A的線20B-20B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20C展示沿圖20A的線20C-20C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20D展示沿圖20A的線20D-20D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖21A展示第三臨時(shí)層中的孔圖案已經(jīng)延伸到襯底中，已經(jīng)去除了第三臨時(shí)層且已經(jīng)用導(dǎo)電材料填充所述孔之后的圖20C的結(jié)構(gòu)。圖21B展示己經(jīng)蝕刻掉溢出導(dǎo)電材料之后的圖21A的結(jié)構(gòu)。圖22到圖25說(shuō)明可結(jié)合圖17的結(jié)構(gòu)使用以產(chǎn)生以有利方式密集堆積的小掩模柱的工藝流程。圖22A到圖22E展示蝕刻(例如非晶硅蝕刻)去除下伏圖案的暴露部分的條帶材料中的一者之后的圖17的結(jié)構(gòu)。圖22A展示表面的示意性平面圖。圖22B展示沿圖22A的線22B-22B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖22C展示沿圖22A和圖22B的線22C-22C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖22D展示沿圖22A和圖22B的線22D-22D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖22E展示沿圖22A的線22E-22E截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖23A到圖23B展示選擇性蝕刻(例如二氧化硅蝕刻)已經(jīng)蝕刻下圖22中的暴露材料的部分以暴露下伏掩?；蚺R時(shí)層的部分之后的圖22的結(jié)構(gòu)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，下伏臨時(shí)層是無(wú)定形碳。所述選擇性蝕刻尚未去除保留在臨時(shí)層上的合適位置中的條帶材料(例如硅)中的一者的島狀物。圖23A展示表面的示意性平面圖。圖23B展示沿圖23A的線23B-23B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖24A到圖24B展示蝕刻下伏臨時(shí)層的暴露部分之后的圖23的結(jié)構(gòu)。島狀圖案因此已經(jīng)延伸到下伏材料中，留下由硅蓋保護(hù)的直立柱或支柱。圖25A到圖25B展示硅蝕刻已經(jīng)將硅蓋從所述柱或支柱上去除之后的圖24的結(jié)構(gòu)。所述柱可用作下伏材料的掩模。圖26到圖27說(shuō)明可結(jié)合圖17的結(jié)構(gòu)使用以產(chǎn)生以有利方式密集且/或均勻間隔的小掩模柱、支柱或島狀物的替代工藝流程。圖26A到圖26D展示蝕刻兩個(gè)有條帶材料的暴露部分，從而暴露下伏掩?；蚺R時(shí)層的交叉線的非選擇性蝕刻(例如濺式蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻)之后的圖17的結(jié)構(gòu)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，下伏臨時(shí)層是無(wú)定形碳。圖26A展示表面的示意性平面圖。圖26B展示沿圖26A的線26B-26B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖26C展示沿圖26B的線26C-26C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖26D展示沿圖26B的線26D-26D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖27A到圖27D展示間隔物圖案已經(jīng)延伸到下伏層(即無(wú)定形碳層)中之后的圖26的結(jié)構(gòu)。圖27A展示表面的示意性平面圖。圖27B展示沿圖27A的線27B-27B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖27C展示沿圖27B的線27C-27C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖27D展示沿圖27B的線27D-27D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖28A到圖28B展示去除間隔物、條帶材料中的一者，且島狀圖案延伸到下伏層的剩余部分以留下由非晶硅蓋保護(hù)的直立柱或支柱之后的圖27的結(jié)構(gòu)。圖29A到圖29B是說(shuō)明根據(jù)所描述的實(shí)施例形成的密集小孔陣列的橫截面視圖的掃描電子顯微照片(scanningelectronmicrograph,SEM)。圖30A到圖30B是說(shuō)明根據(jù)所描述的實(shí)施例形成的密集小孔陣列的透視圖的掃描電子顯微照片(SEM)。圖31A到圖31C是說(shuō)明根據(jù)所描述的實(shí)施例形成的密集小孔陣列的SEM。圖30B以一個(gè)維度說(shuō)明圖30A的橫截面，且圖30C以近似垂直的維度說(shuō)明圖30A的橫截面。圖32是根據(jù)所揭示的實(shí)施例的小密集柱或支柱陣列的SEM。圖33A到圖33B是根據(jù)所揭示的實(shí)施例的小密集柱或支柱陣列的SEM。具體實(shí)施例方式參看圖2,提供部分形成的集成電路100。在各個(gè)遮掩層120-170下方提供襯底110?？晌g刻所述層120-170以形成用于使下伏層或襯底110圖案化的掩模。這些掩?？捎糜谛纬筛鞣N特征，如下文所論述。所述特征可包括以下任一者的部分一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管、電容器、導(dǎo)電線、柵極、源極、漏極或到達(dá)以上任一者的觸點(diǎn)。這些組件可包括DRAM或快閃存儲(chǔ)器陣列、或非邏輯陣列、與非邏輯陣列等的部分。在一些實(shí)施例中，所述特征可由包括半導(dǎo)電材料的襯底材料形成。舉例來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)電材料可以是硅、硅-鍺化合物或m-v材料。如本說(shuō)明書中所使用，術(shù)語(yǔ)"襯底"可不僅指代襯底層110，而且指代任一位于另一層之下的層。術(shù)語(yǔ)"襯底"還可描述其中由于受上伏遮掩層控制的半導(dǎo)體工藝(例如蝕刻、摻雜、沉積等)的緣故而形成有特征或結(jié)構(gòu)的一個(gè)層或多個(gè)層。如本說(shuō)明書中所使用，術(shù)語(yǔ)"圖案"可指代從上方觀看時(shí)會(huì)在表面上可見(jiàn)的形狀陣列或系列。圖案可指代對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)層中所形成的特征的橫截面或陰影的形狀的整體。圖案通常不是特征本身，而是對(duì)應(yīng)于特征的尺寸和布置的設(shè)計(jì)。圖案可由從多個(gè)重疊或并排層得出的圖案的組合來(lái)界定。圖案可起源于一個(gè)層(例如光可界定層)中，且接著轉(zhuǎn)移到另一層(例如臨時(shí)層或硬掩模層)。據(jù)稱，即使特征大小和間隔改變(例如通過(guò)上文所述的特征縮小步驟)，圖案也轉(zhuǎn)移到下面的層。相反，新的圖案可通過(guò)間距倍增來(lái)界定，借此第二圖案中的兩個(gè)或兩個(gè)以上特征代替第一圖案的一個(gè)特征。一個(gè)層中的圖案可從另一之前或上伏層中的一個(gè)或一個(gè)以上圖案得出。據(jù)稱，即使所得層中的特征并不完全類似產(chǎn)生原始圖案的那些特征，而是下伏圖案通常在尺寸上有微小偏離的情況下遵循上伏圖案的輪廓，也可從一個(gè)圖案得出另一圖案。術(shù)語(yǔ)"圖案化"還可用作動(dòng)詞并表示產(chǎn)生或形成圖案。特定層中所形成的特征布置可產(chǎn)生圖案。陣列也可產(chǎn)生圖案。陣列是以重復(fù)配置形成的電氣組件或特征的集合，其可跨越集成電路的多個(gè)層。如上文所述，多個(gè)單元可形成用于(例如)DRAM或與非快閃存儲(chǔ)器電路的存儲(chǔ)器陣列，或邏輯陣列。優(yōu)選基于對(duì)本文所論述的各個(gè)圖案形成和圖案轉(zhuǎn)移步驟的化學(xué)和工藝條件的考慮，選擇上伏于襯底110上的層120-170的材料。因?yàn)樽钌厦娴目蛇x擇性地界定的層120(其優(yōu)選可由平版印刷工藝界定)與襯底iio之間的層將優(yōu)選用于將從可選擇性地界定的層20得出的圖案轉(zhuǎn)移到襯底110，所以優(yōu)選將可選擇性地界定的層120與襯底110之間的層選擇為使得它們可相對(duì)于其它暴露材料而被選擇性地蝕刻。當(dāng)針對(duì)一種材料的蝕刻速率比針對(duì)周圍材料的蝕刻速率大至少約兩倍、優(yōu)選大約十倍且最優(yōu)選大至少約四十倍時(shí)，可認(rèn)為所述材料是被選擇性地或優(yōu)選蝕刻。在圖2的所說(shuō)明的實(shí)施例中，可選擇性地界定的層120上伏于第一硬掩?；蛭g刻停止層130上，第一硬掩?；蛭g刻停止層130上伏于第一臨時(shí)層140上，第一臨時(shí)層140上伏于第二臨時(shí)層150上，第二臨時(shí)層150上伏于第二硬掩?；蛭g刻停止層160上，第二硬掩?；蛭g刻停止層160上伏于待穿過(guò)掩模而處理(例如蝕刻)的第三臨時(shí)層170上，第三臨時(shí)層170上伏于襯底層IIO上。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，第三臨時(shí)層170將充當(dāng)最終掩模，蝕刻(或其它處理)將穿過(guò)所述最終掩模而執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，對(duì)第三臨時(shí)層來(lái)說(shuō)，無(wú)定形碳是優(yōu)選材料，因?yàn)榭稍诓粫?huì)顯著損害碳層的情況下，選擇性地蝕刻許多其它材料(硅、氧化硅、氮化硅等)。對(duì)于所說(shuō)明的實(shí)施例來(lái)說(shuō)，襯底110可包括層間電介質(zhì)(ILD)層，穿過(guò)其而形成觸點(diǎn)。在轉(zhuǎn)移圖案的常見(jiàn)方法中，使掩模和下伏襯底兩者暴露于蝕刻劑，蝕刻劑優(yōu)選將襯底材料蝕刻掉。然而，蝕刻劑也可能損耗掉掩模材料，雖然是以較慢的速率。因此，在轉(zhuǎn)移圖案的過(guò)程中，掩模可能在圖案轉(zhuǎn)移完成之前被蝕刻劑損耗掉。在襯底110包括多個(gè)不同的待蝕刻材料的情況下，這些困難加劇。在此類情況下，可使用額外的掩模層(未圖示)來(lái)防止掩模圖案在圖案轉(zhuǎn)移完成之前被損耗掉。因?yàn)榭苫诨瘜W(xué)和工藝條件的要求來(lái)選擇各個(gè)層，所以可在一些實(shí)施例中省略所述層中的一者或一者以上。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，硬掩模層130和160有利地起到保護(hù)作用，在蝕刻上伏層期間保護(hù)下伏層，使其不會(huì)不必要地降解。類似地，對(duì)于特別簡(jiǎn)單的襯底110來(lái)說(shuō)，可省略各個(gè)其它層(例如第二硬掩模層160本身)，且上伏掩模層對(duì)所需的圖案轉(zhuǎn)移來(lái)說(shuō)可能是足夠的。對(duì)于將圖案轉(zhuǎn)移到難以蝕刻的襯底(例如包括多種材料或多個(gè)材料層的襯底)，或?qū)τ趹?yīng)形成小且高縱橫比的特征來(lái)說(shuō)，更高數(shù)目的掩模層是有利的。參看圖2，可選擇性地界定的層120優(yōu)選由光致抗蝕劑形成，所述光致抗蝕劑包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何光致抗蝕劑。舉例來(lái)說(shuō)，所述光致抗蝕劑可以是任何適合13.7納米(nm)、157nm、193nm、248nm或365nm波長(zhǎng)系統(tǒng)、193nm波長(zhǎng)浸沒(méi)系統(tǒng)或電子束平版印刷系統(tǒng)的光致抗蝕劑。優(yōu)選光致抗蝕劑材料的實(shí)例包含對(duì)氟化氬(ArF)敏感的光致抗蝕劑(即適合與ArF光源一起使用的光致抗蝕劑)，和對(duì)氟化氪(KrF)敏感的光致抗蝕劑(即適合與KrF光源一起使用的光致抗蝕劑)。ArF光致抗蝕劑優(yōu)選與利用相對(duì)較短波長(zhǎng)的光(例如193nm)的光刻系統(tǒng)一起使用。KrF光致抗蝕劑優(yōu)選與較長(zhǎng)波長(zhǎng)光刻系統(tǒng)(例如248nm系統(tǒng))一起使用。在其它實(shí)施例中，層120和任何隨后的抗蝕劑層可由可通過(guò)納米壓印平版印刷來(lái)圖案化(例如通過(guò)使用模具或機(jī)械力來(lái)使抗蝕劑圖案化)的抗蝕劑形成。光致抗蝕劑通常通過(guò)暴露于穿過(guò)光罩的輻射并接著顯影而圖案化。在負(fù)性光致抗蝕劑的情況下，輻射(例如光)聚焦在光致抗蝕劑的要保留的部分上，例如聚焦在要形成線(例如線124(見(jiàn)圖3))的區(qū)域上。通常，所述輻射激活感光性化合物，例如光感生酸發(fā)生劑(photo-inducedacidgenerator,PAG),其(例如)通過(guò)致使光致抗蝕劑聚合來(lái)降低光致抗蝕劑的溶解度?？墒褂萌魏慰山缍ú牧?包含正性或負(fù)性光致抗蝕劑)來(lái)應(yīng)用優(yōu)選實(shí)施例。一些實(shí)施例的測(cè)試中所使用的優(yōu)選光罩是T37Z46/47光罩。用于第一硬掩模層130的材料優(yōu)選包括無(wú)機(jī)材料，且示范性材料包含二氧化硅(Si02)、硅或介電抗反射涂層(dielectricanti-reflectivecoating,DARC)，例如富硅氮氧化硅(silicon-richsiliconoxynitride)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，第一硬掩模層130是介電抗反射涂層(DARC)。因此，硬掩模層130可充當(dāng)中間硬掩模，并用于減小平版印刷期間的反射。對(duì)形成具有接近光刻技術(shù)的分辨度限制的間距的圖案來(lái)說(shuō)，對(duì)第一硬掩模層130使用DARC材料可能尤其有利。DARC可通過(guò)使光反射減到最少，因此增加光刻可界定圖案邊緣的精確度，來(lái)增強(qiáng)分辨度。視情況而定，除第一硬掩模層130之外或代替第一硬掩模層130，可類似地使用有機(jī)底部抗反射涂層(BARC)(未圖示)來(lái)控制光反射。第一臨時(shí)層140優(yōu)選由無(wú)定形碳形成，無(wú)定形碳相對(duì)于優(yōu)選硬掩模材料提供非常高的蝕刻選擇性。更優(yōu)選的情況是，無(wú)定形碳是這樣一種形式的透明碳其對(duì)光高度透明，且其通過(guò)對(duì)用于光對(duì)準(zhǔn)的光的波長(zhǎng)透明來(lái)提供對(duì)光對(duì)準(zhǔn)的進(jìn)一步改進(jìn)。用于形成高度透明碳的沉積技術(shù)可見(jiàn)A.Helmbold，D.Meissner的ThinSolidFilms,283(1996)196-203，其整個(gè)揭示內(nèi)容以引用的方式并入本文中，并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。第二臨時(shí)層150優(yōu)選由非晶硅形成。使用非晶硅的益處將在下文描述的各個(gè)蝕刻和圖案轉(zhuǎn)移步驟的上下文中變得顯而易見(jiàn)?？蛇x擇性地蝕刻非晶硅，而其它鄰近材料(例如氧化物層)保持完整。第二硬掩?；蛭g刻停止層160優(yōu)選包括二氧化硅(Si02)、硅或介電抗反射涂層(DARC)，例如富硅氮氧化硅，或氧化鋁(A1203)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，第一硬掩模層160是DARC。第三臨時(shí)層170優(yōu)選由無(wú)定形碳形成，無(wú)定形碳相對(duì)于許多材料具有優(yōu)良的蝕刻選擇性。上文相對(duì)于第一臨時(shí)層140進(jìn)一步論述了無(wú)定形碳的益處。襯底可以是用于形成集成電路的硅晶片?？墒褂酶鞣N襯底材料。除為各個(gè)層選擇適當(dāng)?shù)牟牧现猓瑑?yōu)選根據(jù)與本文所述的蝕刻化學(xué)物質(zhì)和工藝條件的適合性來(lái)選擇層120-170的厚度。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)選擇性地蝕刻下伏層來(lái)將圖案從上伏層轉(zhuǎn)移到下伏層時(shí)，將來(lái)自所述兩個(gè)層的材料去除到某種程度。因此，上層優(yōu)選足夠厚，使得其在圖案轉(zhuǎn)移的過(guò)程中不會(huì)被損耗掉。硬掩模層有利地較薄，以使得其轉(zhuǎn)移或去除可迅速發(fā)生，使周圍材料受到較少損耗。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，可選擇性地界定的層120(例如光致抗蝕劑)是厚度優(yōu)選在約100-250nm之間且更優(yōu)選在約130-200nm之間的光可界定層。第一硬掩模層130(例如Si02或DARC)的厚度優(yōu)選在約10-30nm之間，且更優(yōu)選在約15-25nm之間。第一臨時(shí)層140(例如無(wú)定形碳)的厚度優(yōu)選在約100-200nm之間，且更優(yōu)選在約120-150nm之間。第二臨時(shí)層150(例如非晶硅)的厚度優(yōu)選在約30-50nm之間，且更優(yōu)選在約35-45nm之間。第二硬掩模層160(例如Si02或DARC)的厚度優(yōu)選在約10-30nm之間，且更優(yōu)選為約15nm。第三臨時(shí)層170(例如無(wú)定形碳)的厚度優(yōu)選在約100-300nm之間，且更優(yōu)選在約150-250nm之間?？赏ㄟ^(guò)所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種方法來(lái)形成本文所論述的各個(gè)層。舉例來(lái)說(shuō)，可使用各種氣相沉積工藝(例如化學(xué)氣相沉積)來(lái)形成抗蝕劑下的各個(gè)掩模層。優(yōu)選地，使用低溫化學(xué)氣相沉積工藝將硬掩模層或任何其它材料(例如間隔物材料)沉積在碳上。此低溫沉積工藝有利地防止下伏無(wú)定形碳層的化學(xué)或物理破壞?？墒褂眯D(zhuǎn)涂布(Spin-on-coating)工藝來(lái)形成光可界定層。另外，可使用碳?xì)浠衔锘虼祟惢衔锏幕旌衔镒鳛樘记绑w，通過(guò)化學(xué)氣相沉積來(lái)形成無(wú)定形碳層。示范性前體包含丙烯、丙炔、丙烷、丁垸、丁烯、丁二烯和乙炔。2003年6月3日頒發(fā)給Fairbairn等人的第6,573,030Bl號(hào)美國(guó)專利中描述了一種用于形成無(wú)定形碳層的合適方法，所述美國(guó)專利的整個(gè)揭示內(nèi)容以引用的方式并入本文中，并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。另外，可對(duì)無(wú)定形碳進(jìn)行摻雜。頒給Yin等人的第10/652,174號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案中描述了一種用于形成摻雜無(wú)定形碳的合適方法，所述美國(guó)專利申請(qǐng)案的整個(gè)揭示內(nèi)容以引用的方式并入本文中，并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。第一階段在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例且參看圖2到圖10的方法的第一階段中，通過(guò)間距倍增形成間隔物圖案，且使用所述間隔物圖案來(lái)產(chǎn)生用于隨后的方法步驟的下伏有條帶結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖10)。此階段的蝕刻序列的一個(gè)實(shí)例如下1)沉積多個(gè)層；2)對(duì)第一層進(jìn)行光刻圖案化；3)縮小特征；4)使圖案延伸到下伏層中；5)去除上伏層的剩余部分；6)覆蓋沉積間隔物材料；7)間隔物蝕刻；8)去除間隔物心軸；9)使間隔物圖案延伸到下伏材料中；10)覆蓋沉積填充物材料；11)去除間隔物；以及12)平面化。參看圖3，在可界定層120中形成包括由可界定材料特征124定界的間隙或間隔122的圖案?？赏ㄟ^(guò)(例如)光刻來(lái)形成間隔122，其中可選擇性地界定的層120暴露于穿過(guò)光罩的輻射并接著顯影。在顯影之后，剩余的可界定材料(所說(shuō)明的實(shí)施例中的光致抗蝕劑)形成掩模特征，例如所說(shuō)明的線124(以橫截面展示)。線124的間距等于線124的寬度與相鄰間隔122的寬度的總和。為了使通過(guò)使用線124和間隔122的此圖案形成的特征的臨界尺寸減到最小，所述間距優(yōu)選處于或接近用于使可界定層120圖案化的光刻技術(shù)的限制。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于利用248nm光的光刻來(lái)說(shuō)，線124的間距可以是約200nm。因此，所述間距可以處于光刻技術(shù)的最小間距，且下文所論述的間隔物圖案可有利地具有小于光刻技術(shù)的最小間距的間距。如由圖3所說(shuō)明，預(yù)備步驟可包括產(chǎn)生一系列光致抗蝕劑線124。因此，可使用光刻在掩模材料中形成多個(gè)線。常規(guī)光刻可形成間距不小于可由光子界定的間距的線。然而，隨后的間距倍增可形成間距小于可由常規(guī)光刻界定的間距的線。圖4展示已經(jīng)通過(guò)各向同性蝕刻縮小了線124以產(chǎn)生經(jīng)修改的線124a之后的圖3的結(jié)構(gòu)。間隔122可視情況加寬或變窄成所需尺寸。舉例來(lái)說(shuō)，如圖6中所說(shuō)明，已經(jīng)通過(guò)蝕刻光致抗蝕劑線124使間隔122加寬，以形成經(jīng)修改的間隔122a和經(jīng)修改的線124a。優(yōu)選使用各向同性蝕刻(例如氧化硫等離子體，例如包括S02、02、N2和Ar的等離子體，或任何其它合適的等離子體)來(lái)減小光致抗蝕劑線124的尺寸?？墒褂玫膬煞N其它等離子體(例如)是HBr/02等離子體或<:12/02等離子體。各向同性蝕刻從各個(gè)方向使暴露的表面降解。因此，圖4中已經(jīng)將線124a的拐角描繪為微圓。優(yōu)選將蝕刻的程度選擇為使得線124a的寬度大體上等于稍后形成的間隔物182之間的所需間隔，如將從圖7到圖8的論述中了解的。有利地，此蝕刻允許線124a比原本使用用于使光可界定層120圖案化的光刻技術(shù)可能會(huì)實(shí)現(xiàn)的線窄。即，如果線124處于或接近光刻技術(shù)的分辨度限制，那么此蝕刻可更進(jìn)一步減小線124的尺寸，使它們低于所述分辨度限制。另外，所述蝕刻可使線124a的邊緣平滑，從而改進(jìn)那些線的均勻性。在一些實(shí)施例中，可通過(guò)使線124擴(kuò)大到所需尺寸來(lái)使線124a之間的間隔122a變窄。舉例來(lái)說(shuō)，可將額外材料(未圖示)沉積在線124上，或可使線124起化學(xué)反應(yīng)，以形成具有更大體積的材料(未圖示)來(lái)增加它們的尺寸。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，經(jīng)修改的線124a界定位置標(biāo)志物或心軸的尺寸，在將圖案轉(zhuǎn)移到下伏層(圖5和圖6)和覆蓋沉積間隔物材料180(圖7)之后，將沿所述位置標(biāo)志物或心軸形成間隔物182的圖案(圖8)。在替代實(shí)施例中，如果間隔物材料的沉積和蝕刻適合可界定層120，那么可省略臨時(shí)層140，且可將間隔物材料直接沉積在光界定的線124或較細(xì)的線124a上。在其它替代實(shí)施例中，可在不首先對(duì)線124進(jìn)行修整或如上文所述使它們的寬度減小的情況下，將線124的圖案轉(zhuǎn)移到下伏層。在此類實(shí)施例中，可在臨時(shí)層140中形成對(duì)應(yīng)于線124的圖案的圖案，且可用縮小步驟來(lái)減小所述圖案的特征的寬度。如圖5中所示，在修改了線寬度(圖4)之后，優(yōu)選將光可界定層120中的圖案轉(zhuǎn)移到第一臨時(shí)層140，以允許稍后沉積間隔物材料層180(圖7)。臨時(shí)層140優(yōu)選由下文論述的可承受用于間隔物材料沉積和蝕刻的工藝條件的材料形成。具體地說(shuō)，形成臨時(shí)層140的材料與光致抗蝕劑相比，優(yōu)選具有較高的耐熱性，且優(yōu)選被選擇為使得其可相對(duì)于間隔物182(圖8)和下伏層150的材料而選擇性地去除。如上文所述，層140優(yōu)選由無(wú)定形碳形成。如圖5中所示，圖4中的線124a和間隔122a的圖案可延伸到或轉(zhuǎn)移到下伏層。此圖案延伸可通過(guò)選擇性地蝕刻形成層130和140的材料來(lái)實(shí)現(xiàn)，而線124a形成保護(hù)性掩模，其防止蝕刻劑去除位于線124a下面的材料。為了將圖案轉(zhuǎn)移到硬掩模層130中，可使用各向異性蝕刻，例如使用碳氟化合物等離子體的蝕刻。如果硬掩模層130較薄，那么濕式(各向同性)蝕刻也可以是合適的。優(yōu)選的碳氟化合物等離子體蝕刻化學(xué)物質(zhì)包含用于蝕刻優(yōu)選DARC材料的CF4、CFH3、CF2I"UCF3H。為了將圖案轉(zhuǎn)移到第一臨時(shí)層140中，優(yōu)選使用含S02的等離子體，例如含有S02、02和Ar的等離子體。有利地，所述含S02的等離子體可以用這樣的速率來(lái)蝕刻優(yōu)選臨時(shí)層140的碳所述速率比蝕刻硬掩模層130的速率大20倍，且更優(yōu)選地大40倍。2004年8月31日申請(qǐng)的頒給Abatchev等人的題為CriticalDimensionControl的第10/931,772號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案(代理人案號(hào)MICRON.286A;Micron參考號(hào)2003-1348)中描述了一種合適的含S02的等離子體，所述美國(guó)專利申請(qǐng)案的整個(gè)揭示內(nèi)容以應(yīng)用的方式并入本文中，并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。盡管圖5展示在圖案已經(jīng)延伸到第一臨時(shí)層140中之后，線124a是完整的，但含S02的等離子體可同時(shí)蝕刻臨時(shí)層140并且也去除可界定層120的剩余部分。如圖6中所示，一旦原先形成于層120中的線圖案已經(jīng)向下延伸到層140中，就可使用選擇性蝕刻將層120的剩余部分剝離掉?；蛘?，如上文所述，可在無(wú)定形碳蝕刻步驟(例如使圖案向下延伸到層140中的步驟)期間，將120的剩余部分蝕刻掉。因此，原先形成于可界定層120中的線圖案已經(jīng)轉(zhuǎn)移到硬掩模和臨時(shí)層130和140。轉(zhuǎn)移的圖案與原先形成于層120中的線圖案近似相同；轉(zhuǎn)移的圖案具有線144a和間隔142a，其分別大體上對(duì)應(yīng)于線124a和間隔122a。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，硬掩模層130的部分保留在原位，作為線144a上的保護(hù)蓋。層130的這些部分可充當(dāng)隨后步驟中的蝕刻停止物。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，圖案形成于上伏層中，且稍后轉(zhuǎn)移到下伏層。在圖5中，所說(shuō)明的形成于層130和140中的特征的壁是垂直的，其中這些層已經(jīng)被蝕刻。為了在此步驟中且在本文所述的其它步驟中實(shí)現(xiàn)垂直側(cè)壁，可使用定向或各向異性蝕刻。蝕刻工藝的變化可能改變上伏層中的圖案對(duì)應(yīng)于下伏層中所產(chǎn)生的圖案的精確度。盡管通常將圖案從層轉(zhuǎn)移到層示意性地說(shuō)明為一個(gè)精確的過(guò)程，但對(duì)于垂直壁，此類精確度在實(shí)踐中可能難以實(shí)現(xiàn)。因此，希望圖案轉(zhuǎn)移包含下伏與上伏圖案之間的一般對(duì)應(yīng)。類似地，圖案轉(zhuǎn)移意在包含原先界定所述圖案的特征的修改(例如通過(guò)放大或縮小那些特征)，其中此類修改不改變間距。如圖7中所示，間隔物材料層180優(yōu)選經(jīng)覆蓋沉積以使得其與暴露表面相符，所述暴露表面包含第二臨時(shí)層150和線144a。如圖所示，當(dāng)沉積間隔物材料層180時(shí)，可將硬掩模層130的部分留在線144a上面的合適位置中，以隨后充當(dāng)CMP蝕刻停止物?；蛘?，可在間隔物沉積之前，用選擇性蝕刻去除硬掩模部分。間隔物材料可以是任何可充當(dāng)用于將圖案轉(zhuǎn)移到下伏層的掩?；蚩梢云渌绞皆试S通過(guò)形成的掩模對(duì)下伏結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理的材料。間隔物材料優(yōu)選1)以良好的階梯覆蓋率(stepcoverage)來(lái)沉積；2)可在適合臨時(shí)層140和下伏層的溫度下沉積；且3)可相對(duì)于臨時(shí)層140和直接下伏于臨時(shí)層140下的任一層而選擇性地蝕刻。優(yōu)選材料包含氧化硅和氮化硅。優(yōu)柵極過(guò)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積來(lái)沉積間隔物材料。優(yōu)選將層180沉積到約20-60nm且更優(yōu)選約20-50nm之間的厚度。優(yōu)選地，階梯覆蓋率約為80%或更大，且更優(yōu)選地約為90%或更大。圖8展示間隔物蝕刻和隨后的蝕刻之后，留下已經(jīng)延伸到下伏層中的自立間隔物的圖案的圖7的結(jié)構(gòu)。間隔物蝕刻可包括各向異性蝕刻以將間隔物材料從水平表面去除?？墒褂锰挤衔锏入x子體來(lái)執(zhí)行間隔物蝕刻。還可使用針對(duì)硅間隔物材料的HBr/Cl等離子體來(lái)執(zhí)行間隔物蝕刻。(然而，注意，優(yōu)選實(shí)施例使用氧化硅間隔物)。在執(zhí)行間隔物蝕刻之后，其可留下相對(duì)于線具有有效減小的間距的伸長(zhǎng)間隔物的圖案。在間隔物蝕刻之后，接下來(lái)去除硬掩模層130(如果仍存在的話)和臨時(shí)層140的剩余部分，以留下自立間隔物182。優(yōu)選使用含硫等離子體蝕刻(例如使用S02的蝕刻)來(lái)選擇性地去除第一臨時(shí)層140的剩余部分(以線144a的形式)。以此方式，去除一個(gè)圖案的特征以留下由間隔物形成的另一圖案。因此，在一些實(shí)施例中，已經(jīng)使用間隔物材料執(zhí)行間距減小以產(chǎn)生遮掩特征。以此方式形成的遮掩特征的間距可以小于光致抗蝕劑線的間距，且所述遮掩特征可包括由間距減小的間隔隔開的間距減小的遮掩線；間距倍增已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，由間隔物182形成的圖案的間距約為由光致抗蝕劑線124a和間隔122a(圖3到圖5)形成的圖案的間距的一半，其中所述間距原先由光刻確定。優(yōu)選地，可形成具有約100nm間距的間隔物圖案。進(jìn)一步參看圖8，由間隔物182形成的圖案可延伸到下伏第二臨時(shí)層150中?？捎眠x擇性蝕刻化學(xué)物質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)所述延伸。舉例來(lái)說(shuō)，如果間隔物182由二氧化硅形成，且下伏層150由非晶硅形成，那么蝕刻可去除后者，同時(shí)使前者基本保持完整。優(yōu)選蝕刻包含物理成分且優(yōu)選還可包含化學(xué)成分，且可以是(例如)反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)，例如HBr/Cl2蝕刻?？?例如)使用LAMTCP9400(可從加利福尼亞州弗里蒙特市的LAMResearchCorporation購(gòu)買到)來(lái)執(zhí)行此類蝕刻，LAMTCP9400以約300-1000W最高功率和約50-250W最低功率，在約7-60mTorr壓力下，使約0-50sccmCh和約0-200sccmHBr流動(dòng)。圖9展示覆蓋沉積填充物材料190之后的圖8的結(jié)構(gòu)。填充物材料l卯有利地由二氧化硅(Si02)形成。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，間隔物182和填充物材料190由相同或類似材料形成，如將從下文的圖17-20、22-23以及26-27的論述更好地理解。因此，間隔物182和填充物材料190兩者都可由二氧化硅形成。一種用于沉積填充物材料190(即二氧化硅)的優(yōu)選工藝是AppliedMaterials的ProducerHARPtm系統(tǒng)。(HARP表示"高縱橫比工藝(HighAspectRatioProcess)，，)。在替代實(shí)施例中，可在沉積填充物材料190之前去除間隔物182。如果硬掩模層160由DARC材料形成，那么可使用濕式蝕刻來(lái)去除間隔物。去除間隔物182可允許填充物材料190的良好覆蓋率。圖10-20、22-23以及26-27每一者說(shuō)明至少四個(gè)對(duì)應(yīng)視圖，標(biāo)以字母A-D，如下10A-10D、11A-11D等。以"A"表示的視圖一貫展示頂視圖或平面圖，其中為了方便而包含陰影。視圖B-C—貫展示對(duì)應(yīng)的圖A中描繪的同一結(jié)構(gòu)的橫截面。此外，以"B"表示的那些視圖一貫與以"B"表示的其它視圖在同一方位上展示所述結(jié)構(gòu)。對(duì)于"C"表示，且同樣對(duì)于"D"表示來(lái)說(shuō)，方位也是類似的。圖10A-10D展示通過(guò)(例如)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝去除間隔物182和填充物材料190的一部分之后的圖9的結(jié)構(gòu)。干式蝕刻或等離子體蝕刻也可用于平面化。如果使用CMP工藝，那么優(yōu)選在硬掩模層160與臨時(shí)層150之間添加較薄蝕刻停止層。舉例來(lái)說(shuō)，蝕刻停止層可由Si3N4形成。圖IOA展示平面化之后的表面的示意性平面圖。所述表面帶有有條帶圖案，其具有交替的填充物材料條帶212(其例如是非晶硅)和條帶214(其例如可以是二氧化硅)。非晶硅條帶212已經(jīng)形成于第二臨時(shí)層150中，且二氧化硅條帶214是填充條帶212之間的間隔的填充物材料190的剩余部分。為了方便，以交叉陰影來(lái)描繪圖IOA中的表面，以展示包括有條帶結(jié)構(gòu)的材料。條帶212優(yōu)選具有在約30-70nm的范圍內(nèi)的寬度213。條帶214優(yōu)選具有在約30-70nm的范圍內(nèi)的寬度215。更優(yōu)選地，條帶212和214每一者分別具有約50nm的寬度213和215。在后一種情況下，由所述條帶形成的圖案具有約100nm的間距。圖10B展示沿圖10A的線10B-10B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。此視圖展現(xiàn)兩組條帶形成于同一"級(jí)"上。此申請(qǐng)案中為了方便起見(jiàn)，使用術(shù)語(yǔ)"級(jí)"來(lái)表示集成電路的通常位于與襯底IOO的表面的平面平行且等矩的厚平面中的部分。因此，層160與層170位于不同的級(jí)，但條帶212和條帶214位于同一個(gè)級(jí)。相反，術(shù)語(yǔ)"層"通常用于指代集成電路的由同一材料形成并沉積在一起的部分。圖IOC展示沿圖IOB的線10C-10C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IOD展示沿圖10B的線10D-10D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。在上文參看圖2-10描述并說(shuō)明的方法的第一階段中，通過(guò)間距倍增形成間隔物圖案，且所述間隔物圖案用于產(chǎn)生下伏有條帶結(jié)構(gòu)或從第一抗蝕劑掩模的圖案得出且相對(duì)于第一抗蝕劑掩模的圖案而間距倍增的"第一圖案"。第二階段在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例且參看圖11到圖17的方法的第二階段中，通過(guò)間距倍增形成第二間隔物圖案，且第二間隔物圖案用于產(chǎn)生上伏有條帶結(jié)構(gòu)(見(jiàn)圖17)，其與圖10的下伏有條帶結(jié)構(gòu)交叉。用于此階段的蝕刻序列的一個(gè)實(shí)例如下1)沉積多個(gè)層；2)對(duì)上伏層進(jìn)行光刻圖案化；3)縮小特征；4)使圖案延伸到下伏層中；5)去除上伏層的剩余部分；6)覆蓋沉積間隔物材料；7)間隔物蝕刻；8)去除間隔物心軸。圖IIA到圖IID展示沉積多個(gè)新的遮掩層320-340之后的圖10的結(jié)構(gòu)。具有條帶212和條帶214的圖案現(xiàn)在下伏于多個(gè)新的材料層下。如同層120-170—樣，也可對(duì)層320-340進(jìn)行蝕刻，以形成用于對(duì)襯底110的下伏層進(jìn)行圖案化的掩模?？墒褂眠@些掩模來(lái)形成各個(gè)特征，如下文所論述。所述特征可包括一個(gè)或多個(gè)集成電路組件的部分。圖11A展示表面的示意性平面圖。圖11B展示沿圖11A的線11B-11B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖11C展示沿圖11B的線11C-11C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖IID展示沿圖11B的線11D-11D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。參看圖IIA到圖IID，遮掩層320優(yōu)選具有與上文相對(duì)于層120所描述的那些特性類似的特性。參看圖11B到圖IID，層330優(yōu)選具有與上文相對(duì)于層130所描述的那些特性類似的特性。參看圖IIB到圖IID，第四臨時(shí)層340優(yōu)選具有與上文相對(duì)于層140所描述的那些特性類似的特性。如同用于層120-170的材料一樣，優(yōu)選基于對(duì)用于本文所論述的各個(gè)圖案形成和圖案轉(zhuǎn)移步驟的化學(xué)和工藝條件的考慮，來(lái)選擇用于上伏于襯底110上的層320-340的材料。此類層還優(yōu)選經(jīng)選擇，以使得它們可相對(duì)于其它暴露材料而選擇性地被蝕刻。在圖IIA到圖11D的所說(shuō)明的實(shí)施例中，第二可選擇性地界定的層320上伏于第三硬掩模(或蝕刻停止)層330上，第三硬掩模層330上伏于第四臨時(shí)層340上，第四臨時(shí)層340上伏于具有條帶212和214的級(jí)上。下伏級(jí)160和170以及襯底110保持完整。如上文相對(duì)于圖2中所描繪的層而描述的，在一些實(shí)施例中，可省略層320-340中的一者或一者以上。參看圖IIA到圖IID，第二可選擇性地界定的層320優(yōu)選由光致抗蝕劑形成，所述光致抗蝕劑包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何光致抗蝕劑。上文參考層120所描述的所有優(yōu)選特性和替代方案同樣適用于層320。第三硬掩模層330優(yōu)選包括無(wú)機(jī)材料，且在所說(shuō)明的實(shí)施例中，層330是DARC。上文參考層130所描述的所有優(yōu)選特性和替代方案同樣適用于層330。第四臨時(shí)層340優(yōu)選由無(wú)定形碳形成。上文相對(duì)于層140所描述的所有優(yōu)選特性和替代方案同樣適用于層340。在一些實(shí)施例中，層340由無(wú)定形碳形成。因?yàn)橛袝r(shí)難以實(shí)現(xiàn)無(wú)定形碳沉積的良好的階梯覆蓋率，所以已經(jīng)使下伏有條帶表面平面化(見(jiàn)圖10)。如同層120-170—樣，優(yōu)選根據(jù)與本文所述的蝕刻化學(xué)物質(zhì)和工藝條件的適合性來(lái)選擇層320-340的厚度。因此，如上文所述，厚度必須允許適當(dāng)?shù)膱D案轉(zhuǎn)移，且硬掩模層330有利地較薄，以使得其轉(zhuǎn)移或去除可迅速發(fā)生，從而使周圍材料受到較少損耗。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，第二可選擇性地界定的層320是厚度優(yōu)選在約100-250nm之間且更優(yōu)選在約130-200nm之間的光可界定層。第三硬掩模層330的厚度優(yōu)選在約10-30nm之間，且更優(yōu)選在約15-25nm之間。第四臨時(shí)層340的厚度優(yōu)選在約130-200nm之間，且更優(yōu)選在約140-160nm之間。此外，可通過(guò)所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種方法來(lái)形成層320，330和340。舉例來(lái)說(shuō)，上文描述的用于形成層120，130和140的方法可分別用于形成層320，330和340。圖12A到圖12D說(shuō)明層320中所形成的圖案，其中線324中配置有間隔322。上文在圖3以及下列等等中描述的用于形成線124的方法的優(yōu)選特性同樣適用于線324，然而，線324不平行于線124。這可通過(guò)觀察到條帶212和條帶214不平行于線324看出(盡管線124已經(jīng)去除)。因此，因?yàn)闂l帶212和214以與線124相同的伸長(zhǎng)維度伸長(zhǎng)，所以線124和線324不平行。因?yàn)榫€324不平行于條帶212和214，所以可以說(shuō)所說(shuō)明的方法要求在下伏圖案上施加交叉的光致抗蝕劑圖案。因此，當(dāng)?shù)谝粓D案的伸長(zhǎng)維度與第二圖案的伸長(zhǎng)維度不對(duì)準(zhǔn)或不平行時(shí)，一個(gè)圖案與第二圖案"交叉"。線124的伸長(zhǎng)維度與條帶212和214的伸長(zhǎng)維度對(duì)準(zhǔn)，但條帶212和214的伸長(zhǎng)維度與線324的伸長(zhǎng)維度交叉。因此，可將線124描述為與條帶212和214對(duì)準(zhǔn)，且可將條帶212和214描述為與線324交叉。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，線324不僅與條帶212和214交叉，而且它們與條帶212和214垂直交叉。然而，術(shù)語(yǔ)"交叉"希望包含所有非平行角度，不僅是90度的角度。因此，盡管通過(guò)所說(shuō)明的方法形成的示范性特征和/或孔具有大體上矩形的占用面積(見(jiàn)例如圖21A、圖25A和圖27A)，但還涵蓋其它占用面積，例如斜四邊形或菱形形狀的占用面積。參看圖12A到圖12D，以與上文相對(duì)于線124描述且在圖3中描繪的方式類似的方式，在第二可界定層320中形成包括由可界定材料特征324定界的間隔322的圖案。因此，圖12A到圖12D展示對(duì)上伏抗蝕劑層進(jìn)行光刻圖案化之后的圖11的結(jié)構(gòu)。圖12A展示表面的示意性平面圖。圖12B展示沿圖12A的線12B-12B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖12C展示沿圖12B的線12C-12C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖12D展示沿圖12B的線12D-12D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。如同圖3中所描繪的圖案一樣，已經(jīng)通過(guò)常規(guī)光刻形成由光致抗蝕劑線324系列產(chǎn)生的圖案。如同先前描述的圖案一樣，可完成縮小步驟以使線324變得更薄，且可使用經(jīng)修改的線324a作為心軸來(lái)完成間隔物形成，或者可在縮小步驟完成之前，將圖案轉(zhuǎn)移到下伏層。然而，在下文所述的所說(shuō)明實(shí)施例中，對(duì)光致抗蝕劑線324執(zhí)行縮小步驟，接著將圖案轉(zhuǎn)移到下伏層，且下伏層的部分形成間隔物心軸。圖13A到圖13D展示線324已經(jīng)通過(guò)(例如)各向同性蝕刻而縮小以產(chǎn)生經(jīng)修改的線324a之后的圖12的結(jié)構(gòu)?？s小步驟還使間隔322加寬以形成經(jīng)修改的間隔322a。圖13A展示表面的示意性平面圖。圖BB展示沿圖13A的線13B-13B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13C展示沿圖13B的線13C-13C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13D展示沿圖13B的線13D-13D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖13A到圖13D的結(jié)構(gòu)優(yōu)選共享結(jié)合圖4所描述的特征的許多特征。還可使用實(shí)現(xiàn)所述結(jié)構(gòu)的類似方法；上文描述了優(yōu)選蝕刻材料和方法以及所需配置。舉例來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用各向同性蝕刻(例如氧化硫等離子體，例如包括S02、02、N2和Ar的等離子體，或任何其它合適的等離子體)來(lái)減小光致抗蝕劑線324的尺寸?？墒褂玫膬煞N其它等離子體(例如)是HBr/02等離子體或Cl2/02等離子體。如同線124a—樣，經(jīng)修改的線324a界定位置標(biāo)志物或心軸的維度，將沿所述位置標(biāo)志物或心軸形成間隔物圖案。上文所述的替代方案在此處同樣適用。舉例來(lái)說(shuō)，在替代實(shí)施例中，可在不首先對(duì)線324進(jìn)行修整或如上文所述使它們的寬度減小的情況下，將線324的圖案轉(zhuǎn)移到下伏層。在此類實(shí)施例中，可在臨時(shí)層340中形成對(duì)應(yīng)于線324的圖案的圖案，且可用縮小步驟來(lái)減小所述圖案的特征的寬度。在其它替代實(shí)施例中，如果間隔物材料的沉積和蝕刻適合可界定層320,那么可省略臨時(shí)層340，且可將間隔物材料直接沉積在光界定的線324或較細(xì)的線324a上。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，線324a產(chǎn)生稍后將在下伏層340中形成的位置標(biāo)志物或心軸的掩模，在覆蓋沉積間隔物材料380(圖16)之后，將沿所述位置標(biāo)志物或心軸形成間隔物382的圖案(圖17)。圖14A到圖14D說(shuō)明光可界定層320中的圖案可如何延伸到第四臨時(shí)層340中。圖14A展示表面的示意性平面圖。圖14B展示沿圖14A的線14B-14B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖14C展示沿圖14B的線14C-14C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖14D展示沿圖14B的線14D-14D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。第四臨時(shí)層340優(yōu)選具有上文針對(duì)第二臨時(shí)層140所描述的有利特性，例如高耐熱性。如圖14A到圖14D中所示，可通過(guò)使用(例如)將圖案轉(zhuǎn)移到硬掩模層330中的選擇性蝕刻和將圖案轉(zhuǎn)移到第四臨時(shí)層340中的含S02的各向異性等離子體蝕刻，用與將線124a和間隔122a的圖案轉(zhuǎn)移到下伏層的方式類似的方式，使圖13A到圖13D中的線324a和間隔322a的圖案延伸到下伏層中或轉(zhuǎn)移到下伏層。上文描述了優(yōu)選和替代蝕刻化學(xué)物質(zhì)。如圖14A中所說(shuō)明，所描述的蝕刻步驟去除層330和340的未由線324a遮掩的部分，因此使條帶212和214的部分暴露。可在圖14A中看到的表面已經(jīng)加上陰影以展現(xiàn)所描繪的結(jié)構(gòu)的下伏材料，且展示線324a如何與條帶212和214交叉。圖15A到圖15D展示已經(jīng)剝離了上伏層320和330的剩余部分之后的圖14的結(jié)構(gòu)。此類工藝在上文描述且在圖5到圖6中說(shuō)明。圖15A展示表面的示意性平面圖。圖15B展示沿圖15A的線15B-15B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖15C展示沿圖15B的線15C-15C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖15D展示沿圖15B的線15D-15D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。如由圖15C到圖15D所說(shuō)明，線344和間隔342顯示先前在上伏層中可見(jiàn)(例如，見(jiàn)線144a和間隔142a)的同一交叉圖案。如圖15中所示，一旦原先形成于可界定層320中的線圖案已經(jīng)向下延伸到層340中，就可使用選擇性蝕刻將可界定層320的剩余部分剝離掉。或者，可在使圖案向下延伸到層340中的碳蝕刻步驟期間，將層320的剩余部分蝕刻掉。因此，原先形成于層320中的線圖案已經(jīng)轉(zhuǎn)移到層330和340。轉(zhuǎn)移的圖案與原先形成于層320中的線圖案近似相同；轉(zhuǎn)移的圖案具有線344a和間隔342a，其分別大體上對(duì)應(yīng)于線324a和間隔322a。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，硬掩模層330的部分保留在原位，作為線344a上的保護(hù)蓋。線344a將充當(dāng)用于隨后形成的間隔物的心軸。圖16A到圖16D展示間隔物材料380覆蓋沉積在心軸344a上之后的圖15的結(jié)構(gòu)。圖16A展示表面的示意性平面圖。圖16B展示沿圖16A的線16B-16B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖16C展示沿圖16B的線16C-16C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖16D展示沿圖16B的線16D-16D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。間隔物材料層380優(yōu)選在材料、厚度、覆蓋率和沉積模式方面與上文所述的間隔物材料層180類似。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，硬掩模層330的部分被留在原位，但是替代實(shí)施例不將此類部分留在原位。如果在間隔物沉積之前去除硬掩模層330的部分，那么可使用選擇性蝕刻來(lái)將它們?nèi)コＷ⒁?，?80的材料可與層180的材料不同，只要如本文所述每個(gè)層可相對(duì)于其它周圍層而選擇性地蝕刻即可。二氧化硅是優(yōu)選間隔物材料。圖17A到圖17D展示間隔物蝕刻和隨后的蝕刻之后留下自立間隔物圖案的圖16的結(jié)構(gòu)。圖17A展示表面的示意性平面圖。圖17B展示沿圖17A的線17B-17B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖17C展示沿圖17B的線17C-17C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖17D展示沿圖17B的線17D-17D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。上文相對(duì)于圖7到圖8描述優(yōu)選間隔物蝕刻和替代方案。舉例來(lái)說(shuō)，可使用碳氟化合物等離子體來(lái)執(zhí)行間隔物蝕刻。如同上文所述的間隔物蝕刻一樣，結(jié)果優(yōu)選是相對(duì)于線344a具有有效減小的間距的伸長(zhǎng)間隔物圖案。在間隔物蝕刻之后，接下來(lái)去除硬掩模層330(如果仍存在的話)和第四臨時(shí)層340的剩余部分，以留下自立間隔物382。以此方式，去除一個(gè)圖案的特征以留下由間隔物382形成的另一圖案。在伸長(zhǎng)間隔物382位于原位，與下伏掩模線212和214交叉的情況下，已經(jīng)在交叉維度(即，不與線212和214平行的維度)上執(zhí)行第二間距減小工藝。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，由間隔物382形成的圖案的間距約為由光致抗蝕劑線344和間隔342形成的圖案的間距的一半。有利地，間隔物382的圖案具有約140nm或更小的間距。優(yōu)選地，間隔物382的圖案具有約100nm或更小的間距。在上文參考圖11到圖17所描述并說(shuō)明的方法的第二階段中，第二間隔物圖案已經(jīng)通過(guò)間距倍增而形成，且用于產(chǎn)生上伏的線圖案，其與圖10中所說(shuō)明的下伏的線圖案交叉。第三階段在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例且參看圖18到圖20的方法的第三階段中，用圖17中所描繪的交叉的有條帶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生具有可在兩個(gè)維度上以規(guī)則間隔出現(xiàn)的小孔的材料柵格(見(jiàn)圖19到圖20)。用于此階段的蝕刻序列的一個(gè)實(shí)例如下1)去除由共用材料(例如二氧化硅)制成的數(shù)個(gè)暴露層的部分，而使下伏條帶材料的暴露部分的材料中的一者(例如非晶硅)保持完整；2)使兩個(gè)上伏圖案(例如氧化物間隔物圖案和交叉的非晶硅條帶狀圖案)延伸到下伏掩?；蚺R時(shí)層(例如無(wú)定形碳)中；和3)去除上伏層以留下具有孔的單個(gè)下伏層。圖18A到圖18E展示已經(jīng)選擇性地蝕刻若干層的暴露部分(包含間隔物382和條帶214)，而已經(jīng)使條帶212基本上保持完整之后的圖17的結(jié)構(gòu)。在優(yōu)選實(shí)施例中，條帶212由非晶硅形成，且間隔物和條帶214由二氧化硅形成，所以蝕刻是二氧化硅蝕刻，即所述蝕刻相對(duì)于同樣暴露的非晶硅而選擇性地蝕刻二氧化硅?？墒褂玫囊环N蝕刻是碳氟化合物蝕刻。圖18A展示表面的示意性平面圖。圖18B展示沿圖18A的線18B-18B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18C展示沿圖18A和圖18B的線18C-18C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18D展示沿圖18A和圖18B的線18D-18D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖18E展示沿圖18A的線18E-18E截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。如由這些圖所展現(xiàn)的，條帶214的暴露部分通過(guò)蝕刻步驟基本上保持完整，而條帶214、間隔物382和層160的暴露部分都已經(jīng)被蝕刻。因此，在一些實(shí)施例中，由同一蝕刻化學(xué)物質(zhì)來(lái)蝕刻三個(gè)不周的氧化硅層的部分。此對(duì)來(lái)自多個(gè)層的材料進(jìn)行的蝕刻出現(xiàn)在所說(shuō)明的實(shí)施例中，因?yàn)殚g隔物382、條帶214和第二硬掩模層160每一者都可由二氧化硅形成。用不同深淺度的點(diǎn)畫法描繪了這三個(gè)單獨(dú)層的材料，以便可在圖中區(qū)分所述三個(gè)層。在一些實(shí)施例中，所述三個(gè)層中的每一者可由另一共用材料形成。如本說(shuō)明書中所使用，"共用材料"可指代在成分方面足夠類似從而允許每一者都一起蝕刻同時(shí)保持相對(duì)于周圍材料的可選擇性的材料。因此可出于此目的而被認(rèn)為是共用的材料的實(shí)例是各種形式的氧化硅，例如TEOS、BPSG、LSO、Si02、C摻雜的氧化物、F摻雜的氧化物、多孔氧化物、SOD等。更優(yōu)選地，使用同一成分方法且由同一材料(例如每一者可由LSO形成)來(lái)形成這些層中的每一者。在其它實(shí)施例中，第二硬掩模層160由DARC材料形成，如上文所述。因?yàn)闂l帶214比間隔物382薄，所以蝕刻步驟首先去除了條帶214的暴露部分。因此，當(dāng)蝕刻已經(jīng)部分去除了間隔物382的部分，從而產(chǎn)生經(jīng)修改的間隔物382a時(shí)，蝕刻已經(jīng)完全穿透條帶214和層160的暴露部分?；蛘?，如果形成層160的物質(zhì)與形成間隔物382和條帶214的物質(zhì)不同，那么可使用單獨(dú)的選擇性蝕刻來(lái)向下穿透層160并到達(dá)第三臨時(shí)層170。圖19A到圖19D展示蝕刻進(jìn)入第三臨時(shí)層170(其優(yōu)選為無(wú)定形碳)的暴露部分中之后的圖18的結(jié)構(gòu)。圖19A展示表面的示意性平面圖。圖19B展示沿圖19A的線19B-19B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖19C展示沿圖19B的線19C-19C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖19D展示沿圖19B的線19D-19D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。由于通過(guò)與條帶212交叉的間隔物382a在層170上方形成的保護(hù)性柵格的緣故，蝕刻僅在未受保護(hù)的區(qū)域中去除下伏層170的材料，以在層170中形成小的密集且/或均勻間隔的孔412。圖20C以橫截面的形式展示所述孔，并展現(xiàn)所述孔如何優(yōu)選地一直向下延伸穿過(guò)層170到達(dá)層110。如上文所論述，可將層170稱為"襯底"層，但是層110也可被稱為襯底。在此蝕刻步驟之后，層170顯示以兩個(gè)不同上伏圖案呈現(xiàn)的特征。因此，圖19A和圖20A的透視圖說(shuō)明由圖2到圖10中的間距倍增形成的圖案和由圖11到圖17中的間距倍增形成的(交叉的)圖案可如何組合以形成從所述兩個(gè)上伏圖案得出的圖案。圖20A到圖20D展示己經(jīng)剝離上伏層以展現(xiàn)第三臨時(shí)層170中的孔412的圖案之后的圖19的結(jié)構(gòu)。圖20A展示表面的示意性平面圖。圖20B展示沿圖20A的線20B-20B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20C展示沿圖20A的線20C-20C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖20D展示沿圖20A的線20D-20D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D?？墒褂靡粋€(gè)或多個(gè)蝕刻步驟來(lái)去除上伏層的剩余部分，以實(shí)現(xiàn)圖20A到圖20C中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，可使用蝕刻來(lái)去除經(jīng)修改的間隔物382a，且可使用單獨(dú)的蝕刻步驟來(lái)去除氧化硅條帶214、非晶硅條帶212和第二硬掩模層160的剩余部分。或者，單個(gè)蝕刻步驟可用CMP工藝、濺式蝕刻、干式蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻或任何去除除層170和110的材料之外的任何東西的化學(xué)物質(zhì)或工藝來(lái)一次去除所有的上述層。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，在圖20中，層160已經(jīng)完全去除，留下碳柵格位于層IIO頂上。在一些實(shí)施例中，在蝕刻襯底期間，將消耗上伏層的剩余部分，所以不需要單獨(dú)的步驟來(lái)去除這些層。在此實(shí)施例中，碳柵格中的特征是具有略帶矩形的占用面積的孔。在一些實(shí)施例中，特征的占用面積是正方形的，即特征的長(zhǎng)度和寬度近似相同。優(yōu)選地，特征具有小于約60納米的第一寬度和不大于所述第一寬度的IO倍的第一長(zhǎng)度。因此，優(yōu)選實(shí)施例形成隔離的特征，而不是連續(xù)的線。圖案在一個(gè)維度上的間距倍增可導(dǎo)致間距倍增的線，但交叉圖案的間距倍增可導(dǎo)致小的緊密的隔離特征。因此長(zhǎng)度不比特征的寬度長(zhǎng)許多倍的特征與(例如)長(zhǎng)度可能是其寬度的數(shù)千倍的線不同。優(yōu)選實(shí)施例具有占用面積較不細(xì)長(zhǎng)而是具有更正方形形狀的占用面積的特征。特征優(yōu)選以小于約60nm的間隔間隔開。在一個(gè)有利實(shí)施例中，隔離的特征每一者具有有約50nm乘以約60nm的尺寸的矩形占用面積。在另一有利實(shí)施例中，隔離的特征每一者具有有約50nm乘以約50nm的尺寸的正方形占用面積。圖21A展示第三臨時(shí)層170中的孔412的圖案已經(jīng)延伸到襯底110中，第三臨時(shí)層170已經(jīng)去除且已經(jīng)用導(dǎo)電材料420填充所述孔之后的圖20C的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電材料420優(yōu)選大體上填充襯底中的孔，并溢出以形成連續(xù)的溢出層，如所說(shuō)明的。導(dǎo)電材料420可以是任何導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料。在優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電材料420是摻雜的多晶硅。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料420可以是導(dǎo)電金屬，例如鎢、銅或鋁。導(dǎo)電材料420通常包含多個(gè)子層。舉例來(lái)說(shuō)，鈦粘附層、金屬氮化物勢(shì)壘層以及金屬填充物層可全部組合使用。圖21B展示已經(jīng)蝕刻溢出導(dǎo)電材料之后的圖21A的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，使用CMP工藝來(lái)去除溢出材料。在一些實(shí)施例中，硬掩模層(未圖示)可沉積在第三臨時(shí)層170與襯底110之間，以充當(dāng)CMP停止物。一些實(shí)施例可使用RIE或?yàn)R式蝕刻來(lái)去除溢出材料。在己經(jīng)去除導(dǎo)電材料420的連續(xù)溢出層之后，導(dǎo)電材料的部分形成密集且/或規(guī)則間隔的隔離觸點(diǎn)422。優(yōu)選觸點(diǎn)具有小于150nm的間距寬度。更優(yōu)選地，此類觸點(diǎn)422具有約100nm或更小的間距寬度。在優(yōu)選實(shí)施例中，所說(shuō)明的襯底柵格(其已經(jīng)根據(jù)層170的碳柵格而圖案化)提供使觸點(diǎn)422彼此分離的絕緣。在一些實(shí)施例中，可使用孔412來(lái)圖案化或形成其它隔離的特征，例如用于螺栓式電容器(studcapacitor)、溝槽式電容器的支柱，和/或用于晶體管的支柱。在一些實(shí)施例中，可使用孔來(lái)圖案化由半導(dǎo)體形成的特征?？赏ㄟ^(guò)掩模孔中的選擇性外延來(lái)形成這些特征，所述選擇性外延可暴露單晶硅層在掩模層下面的部分。所述特征可包括垂直圍繞柵極晶體管，其將下伏級(jí)中的源極區(qū)域(未圖示)連接到作為隔離的特征的一部分的漏極。因此，所述孔內(nèi)可具有(或所述特征可充當(dāng))將源極區(qū)域連接到漏極的溝道。在所說(shuō)明的實(shí)施例中，如上文所述，在使孔412延伸到襯底110中的過(guò)程中形成觸點(diǎn)422。如從上文所陳述的細(xì)節(jié)可明白，每個(gè)觸點(diǎn)422的尺寸有利地部分由使用間隔物182形成的間隔物圖案的分辨度，且部分由使用間隔物382形成的間隔物圖案的分辨度來(lái)確定。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)具有對(duì)稱的正方形占用面積。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)經(jīng)定形以對(duì)應(yīng)于它們被設(shè)計(jì)為要接觸的特征。在一些替代實(shí)施例中，可在孔412延伸到下伏襯底層110中之前，直接用導(dǎo)電材料填充經(jīng)修改的層170(上伏在襯底110上的具有孔的碳柵格)。在此實(shí)施例中，硬掩模層160可保留在原位以充當(dāng)CMP停止物?？墒褂肅MP工藝來(lái)達(dá)到良好的效果，因?yàn)橛惭谀?60可用作機(jī)械CMP停止物，其含有還呈現(xiàn)于下伏經(jīng)修改的臨時(shí)層170中的同一規(guī)則孔圖案。在一些實(shí)施例中，可兩次使用此蝕刻停止勢(shì)壘一次用來(lái)停止CMP蝕刻(用于去除經(jīng)修改的間隔物382a、氧化硅條帶214、非晶硅條帶212以及第二硬掩模層160的剩余部分)；且一次用來(lái)停止對(duì)已經(jīng)填充臨時(shí)層170中的孔的溢出導(dǎo)電材料的蝕亥U。一旦已經(jīng)用導(dǎo)電材料填充碳柵格，就可去除經(jīng)修改層170的碳柵格，以留下自立導(dǎo)電觸點(diǎn)422。接著，可用例如氧化物的絕緣材料(未圖示)來(lái)填充觸點(diǎn)之間的間隔。在一些實(shí)施例中，經(jīng)修改層170的圖案首先延伸到襯底層110(例如ILD)中，且在下級(jí)處形成觸點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，孔412(不管是延伸到襯底110中還是在上伏層中)經(jīng)配置以接納導(dǎo)電材料，例如金屬。此外，當(dāng)在形成集成電路的過(guò)程中使用時(shí)，孔412優(yōu)選經(jīng)定位以允許形成導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述導(dǎo)電觸點(diǎn)使下伏特征(例如晶體管源極區(qū)域)與上伏級(jí)中的其它組件(例如，位線)連接。在一些實(shí)施例中，觸點(diǎn)422可具有不同的配置。舉例來(lái)說(shuō)，特征可具有界定得沒(méi)有所說(shuō)明的觸點(diǎn)422的拐角那么尖銳的拐角。此外，觸點(diǎn)422的比例、形狀、間隔、高度、寬度和外形可與圖22中的說(shuō)明不同。在某些實(shí)施例中，觸點(diǎn)422是多晶硅插塞。在有利實(shí)施例中，觸點(diǎn)422連接存儲(chǔ)器陣列的元件；然而，此類觸點(diǎn)可將任何電氣裝置或組件的部分連接到任何其它電氣裝置或組件。在上文參看圖18到圖21所描述并說(shuō)明的方法的第三階段中，圖17中所描繪的交叉的有條帶結(jié)構(gòu)用于產(chǎn)生掩模材料柵格，其具有在兩個(gè)維度上以規(guī)則間隔出現(xiàn)的小的密集布置的孔。接著，如圖21中所描繪，可用材料來(lái)填充掩?？谆蛲ㄟ^(guò)掩模蝕刻到下伏層中的孔，以在柵格中產(chǎn)生小的密集間隔的特征。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解使用具有密集孔圖案的掩模的其它應(yīng)用。如圖17中所說(shuō)明，在不同層中具有不同圖案的掩模均可屏蔽下伏層或襯底。圖18到圖21展示兩個(gè)圖案可一起操作或經(jīng)合并以根據(jù)兩個(gè)疊加的圖案有效地形成組合圖案或掩模的一種方式。隨后的圖展示圖案合并的進(jìn)一步實(shí)例，當(dāng)兩個(gè)圖案具有交叉的特征或圖案時(shí)，這可能尤其有益。第四階段在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例且參考圖22到圖28的代替方法的第三階段的第四階段中，用圖17中所描繪的交叉的有條帶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生在兩個(gè)維度上以規(guī)則間隔出現(xiàn)的小的密集布置的掩模特征(例如自立柱或支柱)。具體地說(shuō)，圖17和圖22到圖25展示制作此類隔離的掩模特征的一種途徑。注意，圖17和圖26到圖28展示制作隔離的掩模特征的另一種途徑，其為第三和第四階段的替代方案。圖22到圖25說(shuō)明可結(jié)合圖17的結(jié)構(gòu)使用以產(chǎn)生小的且以有利方式密集且/或均勻間隔的柱的工藝流程。用于此階段的蝕刻序列的一個(gè)實(shí)例如下1)去除條帶材料中的一者(例如非晶硅)的暴露部分；而使其它暴露材料(例如二氧化硅)保持完整；2)去除間隔物、另一條帶材料以及硬掩模層的暴露部分(如果所有三者都由同一材料形成，那么這可在單個(gè)蝕刻步驟中完成)；以及3)使所得圖案(即非晶硅島狀物的掩模)延伸到下伏層中以形成自立掩模柱或支柱。圖22A到圖22D展示已經(jīng)去除條帶212的暴露部分，使三層表面暴露(間隔物382、條帶214和層160的部分都暴露)。圖22A展示表面的示意性平面圖。圖22B展示沿圖22A的線22B-22B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖22C展示沿圖22B的線22C-22C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖22D展示沿圖22B的線22D-22D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。舉例來(lái)說(shuō)，如果條帶212由非晶硅形成，那么可使用HBr/Ci2蝕刻材料來(lái)選擇性地去除條帶212的暴露部分。圖22A說(shuō)明在一些實(shí)施例中，三個(gè)不同氧化硅層的部分可暴露；間隔物382、條帶214和第二硬掩模層160每一者可由二氧化硅形成。己經(jīng)使用不同深淺度的點(diǎn)畫法來(lái)描繪這些單獨(dú)層的材料，以便可在圖中區(qū)分所述三個(gè)層(160，214和382)。在其它實(shí)施例中，第二硬掩模層160由DARC材料形成，如上文所述。圖23A到圖23B展示選擇性蝕刻已經(jīng)去除圖22A中所描繪的各個(gè)氧化物特征的未由新暴露的島狀物或蓋(例如由非晶硅形成)遮掩的所有部分之后的圖22的結(jié)構(gòu)。此蝕刻步驟暴露下伏層(例如由無(wú)定形碳形成)的部分。圖23A展示表面的示意性平面圖。圖23B展示沿圖23A的線23B-23B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。如果每一者由同一材料(例如優(yōu)選實(shí)施例中的二氧化硅)形成，那么間隔物382、條帶214的剩余部分以及硬掩模層160的未受保護(hù)部分可在單個(gè)蝕刻步驟中全部去除?；蛘?，可使用單獨(dú)的蝕刻步驟來(lái)去除這些材料中的每一者。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)蝕刻步驟中，可相對(duì)于由(例如)硅形成的蓋432的材料，選擇性地去除間隔物382。接著，一旦間隔物382不再保護(hù)條帶214的新暴露的部分，就可將那些部分去除。接著，可去除硬掩模層的不受非晶硅島狀物或蓋432保護(hù)的部分。圖24A到圖24B展示各向異性蝕刻步驟已經(jīng)使圖23的島狀圖案延伸到下伏層中，使直立柱430受非晶硅蓋432保護(hù)之后的圖23的結(jié)構(gòu)。圖24A展示表面的示意性平面圖。圖24B展示沿圖24A的線24B-24B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。蝕刻步驟已經(jīng)去除第三臨時(shí)層170(優(yōu)選由無(wú)定形碳形成)的未由非晶硅蓋432遮掩的部分。非晶硅蓋432包括由第二臨時(shí)層150形成的條帶212的剩余部分。蓋432保護(hù)位于蓋432的下面的材料列。因此，蓋432形成可密集且/或均勻間隔的小的保護(hù)性遮掩島狀物的圖案，其可能由已經(jīng)界定所述結(jié)構(gòu)的非島狀物部分的上伏交叉圖案制成。蓋432和所得的柱430可密集且/或均勻地間隔。圖24B以橫截面的形式展示柱430，并展現(xiàn)所述柱如何在每一維度上被間隔434圍繞，所述間隔優(yōu)選一直向下延伸穿過(guò)經(jīng)修改的層170并到達(dá)層110。從這點(diǎn)上看，通過(guò)使間隔434向下延伸到襯底110中，存在于經(jīng)修改的層170中的圖案可進(jìn)一步延伸到襯底IIO中。也就是說(shuō)，可將經(jīng)修改的層170用作掩模以在襯底110中形成柱或島狀物。圖25A到圖25B展示非晶硅蝕刻已經(jīng)將非晶硅蓋432從柱430去除以形成經(jīng)修改的掩模柱430a之后的圖24的結(jié)構(gòu)?；蛘撸墒褂肅MP工藝來(lái)去除非晶硅蓋432。在一些實(shí)施例中，柱或支柱由半導(dǎo)電材料形成。優(yōu)選地，將碳柱用作掩模以對(duì)下伏半導(dǎo)電襯底中的硅柱進(jìn)行蝕刻。在替代實(shí)施例中，可省略碳層170，且可直接在襯底110中形成孔，襯底IIO可以是硅晶片或覆蓋外延層。如上文所述，半導(dǎo)電柱可包括垂直圍繞柵極晶體管，其將下伏級(jí)中的源極區(qū)域連接到柱的上部中的漏極。因此，柱或支柱內(nèi)可具有(或可充當(dāng))將下方的源極區(qū)域連接到上方的漏極的溝道。在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例并參考圖22到圖25的方法的第四替代階段中，圖17中所描繪的交叉的有條帶的結(jié)構(gòu)已經(jīng)用于產(chǎn)生在兩個(gè)維度上以規(guī)則間隔出現(xiàn)的小的密集布置的特征。具體地說(shuō)，圖17和圖22到圖25已經(jīng)展示了一種制作此類特征的途徑。第五階段圖26到圖28說(shuō)明可結(jié)合圖17的結(jié)構(gòu)使用以產(chǎn)生掩模柱，并在下伏襯底中形成以有利方式密集且/或均勻間隔的小柱或島狀物(類似于圖24和圖25中所描繪的那些)的第五階段，作為第三或第四階段的替代階段。用于此階段的蝕刻序列的一個(gè)實(shí)例如下1)損耗所有暴露材料的非選擇性蝕刻(例如濺式蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻)；2)使間隔物圖案向下延伸穿過(guò)最后的遮掩層；3)去除間隔物材料；4)去除兩種條帶材料中的一者的剩余部分；以及5)使用剩余的條帶材料作為掩模來(lái)蝕刻柱或島狀物。圖26A到圖26D展示一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝已經(jīng)去除來(lái)自所有保護(hù)層的材料，從而縮短間隔物并循序地暴露第二硬掩模層160的部分且接著暴露下伏第三臨時(shí)層170的部分之后的圖17的結(jié)構(gòu)。圖26A展示表面的示意性平面圖。圖26B展示沿圖26A的線26B-26B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖26C展示沿圖26B的線26C-26C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖26D展示沿圖26B的線26D-26D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。如同上文相對(duì)于圖18A到圖18D所述的蝕刻步驟一樣，此蝕刻已經(jīng)減小了間隔物382的尺寸，但經(jīng)修改的間隔物382b比經(jīng)修改的間隔物382a短。此外，與圖23A到圖23D的蝕刻不同，除二氧化硅條帶214和第二硬掩模層160之外，所說(shuō)明的蝕刻工藝已經(jīng)穿透非晶硅條帶212的暴露部分，以在未受間隔物382保護(hù)的任何地方暴露下伏第三臨時(shí)層170。因此，間隔物382的高度已用于產(chǎn)生"厚度選擇性"蝕刻，其去除較薄的層，但對(duì)較厚的層只進(jìn)行損耗。在較厚的層(間隔物382)完全去除之前，蝕刻工藝暫停。因此，間隔物382的部分仍保護(hù)有條帶的圖案的下伏在間隔物382下的部分?？捎糜讷@得此效果的一種蝕刻是濺式蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)。反應(yīng)性離子蝕刻是有利的，因?yàn)樗鼈兛梢允沁x擇性的且產(chǎn)生垂直壁。在下伏第三臨時(shí)層170的部分已經(jīng)暴露之后，可執(zhí)行與上文相對(duì)于圖23和圖24所描述的蝕刻步驟類似的蝕刻步驟來(lái)去除第三臨時(shí)層170的暴露部分，并使間隔物圖案延伸到第三臨時(shí)層170中。圖27A到圖27B展示間隔物圖案延伸到下伏層中之后的圖26的結(jié)構(gòu)。圖27B展示沿圖27A的線27B-27B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖27C展示沿圖27B的線27C-27C截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。圖27D展示沿圖27B的線27D-27D截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。可執(zhí)行選擇性無(wú)定形碳蝕刻來(lái)去除層170的未遮掩的部分，從而使線圖案延伸到層170中，并形成經(jīng)修改的層170c。因此，在所說(shuō)明的實(shí)施例中，將間隔物382b用作已產(chǎn)生高碳線的蝕刻的掩模。圖28A到圖28B展示去除經(jīng)修改的間隔物以及下伏條帶材料的剩余部分和硬掩模層的未遮掩部分之后的圖27的結(jié)構(gòu)。島狀圖案也已經(jīng)延伸到下伏碳線中以形成柱。圖28A展示表面的示意性平面圖。圖28B展示沿圖28A的線28B-28B截取的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。從圖27A到圖27D的結(jié)構(gòu)開始，可以以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)圖28A到圖28B中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)。首先，一個(gè)或多個(gè)蝕刻可去除經(jīng)修改的間隔物382b、條帶214和第二硬掩模層160的暴露部分。如果這些層中的每一者由類似材料(例如氧化硅)形成，那么可使用單個(gè)蝕刻步驟。接著，可執(zhí)行另一各向異性的選擇性無(wú)定形碳蝕刻來(lái)去除層170c(即，碳線)的新的未遮掩部分，從而形成經(jīng)修改的層170d(即，碳柱)。圖28A和圖28B中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)類似于圖24A和圖24B中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)，且隨后的步驟與上文相對(duì)于那些圖所描述的那些步驟相同。在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例且參看圖26到圖28的方法的第五替代階段中，使用圖17中所描繪的交叉的有條帶結(jié)構(gòu)來(lái)產(chǎn)生在兩個(gè)維度上以規(guī)則間隔出現(xiàn)的小的密集布置的特征。形成與形成于經(jīng)修改的層170a中且在圖21A到圖21D中所說(shuō)明的柵格類似的柵格結(jié)構(gòu)的替代方式是形成圖24和圖25中所說(shuō)明的柱430，用可相對(duì)于柱430的無(wú)定形碳選擇性蝕刻的材料來(lái)填充柱430之間的間隔，對(duì)所述材料進(jìn)行拋光，使其回到柱430的頂部，并使用選擇性蝕刻來(lái)去除柱430。形成與圖24和圖25中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)類似的柱結(jié)構(gòu)的替代方式是形成經(jīng)修改的層170a，用可相對(duì)于第三臨時(shí)層170a選擇性蝕刻的材料來(lái)填充孔412，對(duì)所述材料進(jìn)行拋光，使其回到無(wú)定形碳層170a的表面，并使用選擇性蝕刻來(lái)去除經(jīng)修改的層170a。輪流使用這些正性和負(fù)性途徑，在遮掩陣列的鄰近部分的同時(shí)，可在陣列的鄰近部分中形成柱或支柱和柵格。實(shí)例1圖29A和圖29B是說(shuō)明根據(jù)所述實(shí)施例而形成的密集小孔陣列的掃描電子顯微照片(SEM)。這些SEM展示孔具有小于100nm的間距，其中處理使用一次性硬掩模和248rnn或193nm光刻工藝。實(shí)例2圖30A到圖30B是說(shuō)明根據(jù)所述實(shí)施例而形成的密集小孔陣列的SEM。圖30A展示其中特征具有約140nm的間距的橫截面視圖。圖30B展示其中特征具有約100rnn的間距的橫截面視圖。這些SEM展示使用以下蝕刻參數(shù)序列而形成的陣列<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>實(shí)例3圖31A到圖31C是說(shuō)明根據(jù)所述實(shí)施例而形成的密集小孔陣列的SEM。將所說(shuō)明的圖案轉(zhuǎn)移到下伏PSG絕緣體中，且在原處剝離硬掩模。如由圖31B和圖31C所說(shuō)明，間距在兩個(gè)垂直維度上約為100nm。圖30A到圖30C中所描繪的陣列具有并非直接對(duì)直而是以規(guī)則波狀圖案偏移的特征。由于此波狀圖案的緣故，孔可能不是正方形或矩形的，而是類似梯形的。此外，垂直壁看起來(lái)并不是完全陡峭且絕對(duì)地垂直。如這些圖所說(shuō)明，本文所揭示的本發(fā)明涵蓋許多實(shí)施例和配置。實(shí)例4圖32是柵格中的小的密集孔陣列的SEM。此圖展示透視圖。實(shí)例5圖33A到圖33B是根據(jù)所揭示的實(shí)施例的小的密集柱或支柱陣列的SEM。將所說(shuō)明的圖案轉(zhuǎn)移到PSG中，且在原處剝離硬掩模。在這些SEM中，間距在兩個(gè)維度上均約為100nm。本文所論述的原理和優(yōu)勢(shì)可應(yīng)用于多種場(chǎng)景，其中兩個(gè)或兩個(gè)以上掩模圖案并置在交叉配置中，且經(jīng)組合以形成電路特征，例如孔或柱。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，對(duì)上文所述的方法和結(jié)構(gòu)作各種其它省略、添加和修改。希望所有此類修改和改變?cè)谌缢綑?quán)利要求書所界定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種在陣列中形成特征的方法，其包括減小一列第一光可界定線的間距以形成列圖案；以及減小一行第二光可界定線的間距以形成行圖案，所述行圖案與所述列圖案交叉，所述行圖案具有行線和行間隔，所述行線遮掩所述下伏列圖案的未暴露部分，且所述行間隔留下所述下伏列圖案的暴露部分，所述交叉的列與行圖案包括具有第三圖案的組合掩模。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括去除所述列圖案的至少一些所述暴露部分中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合掩模界定隔離的特征。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中減小所述列的間距包括在所述第一光可界定線的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔物。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中減小所述行的間距包括在所述第二光可界定線的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔物。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括使用所述組合掩模來(lái)蝕刻下伏襯底中的隔離的特征。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括在將所述隔離的特征蝕刻到下伏于不同層下的襯底中之前，將所述第三圖案轉(zhuǎn)移到所述不同層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述不同層由無(wú)定形碳所形成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光可界定線由光致抗蝕劑形成。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一光可界定線垂直于所述第二光可界定線。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述第一光可界定線的間距在形成所述行的第二光可界定線之前發(fā)生。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述隔離的特征包括孔。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括用導(dǎo)電材料填充所述孔，直到所述導(dǎo)電材料溢出為止；以及用化學(xué)機(jī)械平面化來(lái)蝕刻所述導(dǎo)電材料的溢出部分，以產(chǎn)生隔離的觸點(diǎn)。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述行圖案包括遮掩特征的第二布置，且所述列圖案包括遮掩特征的第一布置，其中所述行圖案上伏于所述列圖案上，其中遮掩特征的所述第一與第二布置中的每一者具有由共用材料形成的部分，其中第一下伏層也由所述共用材料形成，其中第二下伏層位于所述第一下伏層之下，且其中所述方法進(jìn)一步包括同時(shí)蝕刻來(lái)自遮掩特征的所述第一和所述第二布置兩者的所述共用材料的暴露部分。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其在蝕刻來(lái)自遮掩特征的所述第一和所述第二布置兩者的所述共用材料的暴露部分之后，進(jìn)一步包括同時(shí)蝕刻來(lái)自所述第一下伏層和遮掩特征的所述第二布置的所述共用材料的暴露部分，以暴露所述第二下伏層的隔離的部分。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其在暴露所述第二下伏層的隔離的部分之后，進(jìn)一步包括通過(guò)選擇性地蝕刻所述第二下伏層的所述暴露的隔離的部分使所述第三圖案延伸到所述第二下伏層中，以在所述第二下伏層中產(chǎn)生孔。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述共用材料是氧化物。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述共用材料是二氧化硅。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第二下伏層是無(wú)定形碳。20.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述隔離的特征包括柱。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述行圖案包括遮掩特征的第二布置，且所述列圖案包括遮掩特征的第一布置，其中遮掩特征的所述第二布置上伏于遮掩特征的所述第一布置上，其中遮掩特征的所述第一和所述第二布置中的每一者具有由共用材料形成的部分，且其中下伏層也由所述共用材料形成。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括去除遮掩特征的所述第一布置的不是由所述共用材料形成和未由所述共用材料遮掩的那些部分。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其在去除遮掩特征的所述第一布置的不是由所述共用材料形成和未由所述共用材料遮掩的那些部分之后，進(jìn)一步包括同時(shí)蝕刻來(lái)自所述下伏層和遮掩特征的第一和第二布置兩者的所述共用材料的暴露部分，及暴露不是由所述共用材料形成的遮掩島狀物，其中所述遮掩島狀物對(duì)應(yīng)于所述第三圖案。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括去除所述共用材料的未由所述遮掩島狀物遮掩的部分，以留下不是由所述共用材料形成的遮掩島狀物。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述共用材料是氧化物。26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述共用材料是二氧化硅。27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括去除所有暴露材料的部分。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其在去除所有暴露材料的部分之后，進(jìn)一步包括使所述行圖案延伸穿過(guò)遮掩材料的所述第一布置并進(jìn)入至少一個(gè)下伏層中。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括去除所述共用材料的暴露部分，以留下不是由所述共用材料形成的遮掩島狀物，其中所述遮掩島狀物對(duì)應(yīng)于所述第三圖案。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括使所述遮掩島狀物圖案延伸到下伏層中以產(chǎn)生柱。31.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述柱由導(dǎo)電材料形成。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述柱形成于層間電介質(zhì)內(nèi)，所述方法進(jìn)一步包括使用化學(xué)-機(jī)械工藝來(lái)去除過(guò)量材料并隔離所述特征。33.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述柱由半導(dǎo)體形成。34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述柱形成垂直圍繞柵極晶體管。35.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述列的間距包括在減小所述第一光可界定線的寬度之后，將間隔物材料施加到所述列的第一光可界定線。36.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述列的間距包括在將所述列圖案轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之后，將間隔物材料施加到所述列的第一光可界定線。37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述列的間距包括在將所述列圖案轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之前，將間隔物材料施加到所述列的第一光可界定線。38.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述行的間距包括在減小所述第二光可界定線的寬度之后，將間隔物材料施加到所述行的第二光可界定線。39.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述行的間距包括在將所述行圖案轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之后，將間隔物材料施加到所述行的第二光可界定線。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中減小所述行的間距包括在將所述行圖案轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之前，減小所述第二光可界定線的寬度。41.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述行的間距包括在減小第一和第二光可界定線兩者的寬度之后，將間隔物材料施加到所述行的第二光可界定線。42.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中減小所述行和所述列的間距包括在將所述列和行圖案轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之后，將間隔物材料施加到第一和第二光可界定線。43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中在轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之前，所述第一光可界定線的寬度減小，且在轉(zhuǎn)移到下伏的遮掩材料層之前，所述第二光可界定線的寬度也減小。44.一種用于集成電路的掩模圖案，其包括第一系列的伸長(zhǎng)遮掩線；第二系列的伸長(zhǎng)遮掩線，其與所述第一系列的伸長(zhǎng)遮掩線相交；其中所述第一和第二系列的線的每一者的間距小于可通過(guò)光刻實(shí)現(xiàn)的間距。45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一和第二系列的間距已通過(guò)間隔物沉積和至少一個(gè)間隔物蝕刻實(shí)現(xiàn)。46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述相交的線提供用于在下伏層中形成隔離的通孔的圖案。47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述相交的線提供用于在下伏層中形成支柱的圖案。48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一系列的間距小于120nm。49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一系列的間距小于120nm。50.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一和第二系列兩者的間距都小于12051.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一系列的間距小于100nm。52.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一系列的間距小于100nm。53.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一和第二系列兩者的間距都小于100nm。54.根據(jù)權(quán)利要求44所述的掩模圖案，其中所述第一和第二系列兩者的間距都小于約60nm。55.—種包含集成電路的系統(tǒng)，所述集成電路包括一行伸長(zhǎng)特征，其由具有小于或近似120nm的寬度的間隔物材料形成；一列伸長(zhǎng)特征，其由具有小于或近似120mn的寬度的間隔物材料形成，所述列中的所述伸長(zhǎng)特征與所述行中的所述伸長(zhǎng)特征交叉，使得所述列中的每個(gè)伸長(zhǎng)特征與所述行中的多個(gè)伸長(zhǎng)特征交叉。56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二行的伸長(zhǎng)特征每一者已經(jīng)間距倍增，以實(shí)現(xiàn)較大的特征密度。57.根據(jù)權(quán)利要求55所述的系統(tǒng)，其中所述隔離的特征具有尺寸為約50nm乘以約60nm的矩形占用面積。58.根據(jù)權(quán)利要求55所述的系統(tǒng)，其中所述隔離的特征具有尺寸為約50nm乘以約50nm的近似正方形的占用面積。59.根據(jù)權(quán)利要求55所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)進(jìn)一步包括規(guī)則間隔的特征，其具有小于60納米的第一寬度和不大于所述第一寬度的10倍的第一長(zhǎng)度；以及特征之間的間隔，其具有小于60納米的第二寬度。60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述第一長(zhǎng)度小于60納米。61.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述特征之間的間隔在所述布置的長(zhǎng)度和寬度維度兩者上都小于60納米。62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的隔離特征布置，其中所述第一長(zhǎng)度小于60納米。63.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征是柱。64.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征是用于晶體管的支柱。65.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征是用于螺栓式電容器的支柱。66.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征是形成于絕緣層中的孔中的觸點(diǎn)。67.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征是形成于襯底中的溝槽式電容器。68.根據(jù)權(quán)利要求59所述的隔離特征布置，其中所述隔離的特征與下伏層和上伏層兩者電接觸，而同時(shí)與所述其它隔離的特征絕緣。全文摘要本發(fā)明揭示形成供集成電路中使用的小型密集間隔的孔或柱陣列的方法?？山Y(jié)合間距減小技術(shù)及使用各種圖案轉(zhuǎn)移和蝕刻步驟來(lái)產(chǎn)生密集堆積的特征?？山Y(jié)合間距減小技術(shù)及使用常規(guī)光刻步驟來(lái)形成可合并成單個(gè)層的交叉伸長(zhǎng)特征的疊加的、間距減小的圖案。文檔編號(hào)H01L21/033GK101180708SQ200680017977公開日2008年5月14日申請(qǐng)日期2006年5月22日優(yōu)先權(quán)日2005年5月23日發(fā)明者居爾泰基·桑德胡,米爾柴佛·阿巴契夫申請(qǐng)人:美光科技公司