專利名稱：制造組件的方法及組件的制作方法
制造組件的方法及組件
本發(fā)明涉及一種制造半導體組件的方法，其包括以下步驟
提供載體，其包括具有第一側和相反的第二側的半導體襯底，且
在襯底中、在第一側處限定有至少一個電元件，還包括多個接觸焊盤; 將至少一個有源器件附著并電耦合到接觸焊盤；以及
從其第二側對半導體襯底進行構圖以形成與電元件電絕緣的端子。
本發(fā)明還涉及可由此獲得的組件。 本發(fā)明進一步涉及在所述方法中使用的載體。
可以從US-A6075279尤其是其中的

圖12獲知這種方法。其中， 載體包括具有多個晶體管的半導體襯底。其還包括通過襯底特別是通 過n+摻雜襯底區(qū)的導電路徑。接觸焊盤耦合到晶體管的電極。將第二 半導體襯底組裝到第一襯底。該第二襯底為布線襯底并且包括適合于 形成集成電路的多個晶體管和互連。該集成電路優(yōu)選用作用于限定在 載體中的晶體管的控制IC。第一和第二襯底上的接觸焊盤利用焊球 相互連接。利用由硅、環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺構成的絕緣粘合樹脂填充 第一和第二襯底之間的焊球周圍的空間。該樹脂確保第一和第二襯底 的相互粘合。這之所以實現(xiàn)，特別是因為樹脂層在熱處理中是熱固性 的。該熱固性還會導致樹脂收縮和硬化。由于第一和第二襯底都包括 硅，因此在熱膨脹系數(shù)上不存在差異，并且防止了由于不同熱膨脹導 致的應力而產(chǎn)生的焊球的破裂。
此后，通過形成狹縫孔，特別是通過切割，從其第二側對半導體 襯底進行構圖。狹縫孔延伸到樹脂層中，以便使導電路徑與晶體管電
絕緣。狹縫孔將導電路徑與晶體管分開，由此允許導電路徑的背側用 作器件的端子。又將這些端子固定到封裝襯底上的接觸焊盤。然而這 僅在填充狹縫孔且將襯底切割為單獨的產(chǎn)品之后進行。
該公知方法的缺點是，產(chǎn)量損失的風險很大。該產(chǎn)量損失的原因 特別在于必須在晶片級上執(zhí)行第一和第二襯底的組裝。因此襯底上的 任何一個器件都被組裝，即使其不能正常工作。因此如果每一襯底上
有3%的器件不正常工作，則最終的產(chǎn)量損失將接近6%。
因此本發(fā)明的第一個目的是提供開篇段落中所述類型的制造方
法，其具有減小的產(chǎn)量損失。之所以能夠?qū)崿F(xiàn)第一目的，是在于
載體包括位于襯底的第一側上的互連結構，其中限定多個接觸焊
盤和到襯底的第一側的延伸部分，以及來自至少一個電元件和到所述
至少一個電元件的互連，將端子耦合到所述延伸部分，
耦合到載體的有源器件的表面面積小于載體并且被封裝，以及 減薄并選擇性地去除載體的半導體襯底以便制造由半導體材料
構成的島。
由此實現(xiàn)第二個目的。
本發(fā)明解決了產(chǎn)量損失的問題，這是因為將單個器件組裝到載 體，該載體橫向延伸超過單個器件。且然后將單個器件封裝。然而，
這種片上片組件(chip on chip)產(chǎn)生其他問題。首先，在封裝體和載 體襯底之間趨向于存在熱膨脹系數(shù)上的差異。在熱循環(huán)期間由這些差 異引起的應力必須在某處釋放。因此對載體襯底與有源器件之間的硬 化熱固性樹脂的使用可能不是十分充分。然而，在沒有這種硬化樹脂 的情況下似乎很難利用切割技術對載體襯底進行切割。
現(xiàn)在這些相關的問題在本發(fā)明中得到了解決。其方法是載體襯底 僅在組裝期間是載體。 一旦施加封裝體，這可以取代載體的作用。然 后直到半導體襯底不在起作用，將其去除。這種去除至此擴展到僅留
下由半導體材料構成的島；并且這種島的產(chǎn)生導致可以適當?shù)啬褪軣?循環(huán)的應力的組件。
在熱循環(huán)期間，將組件附著到印刷電路板。在有源器件或者載體 襯底中產(chǎn)生的熱量將會消散。隨著相應的膨脹和隨后的收縮將產(chǎn)生特 定的熱流。此外，整體溫度可能與組件溫度不同，導致內(nèi)在應力。
在本發(fā)明的組件中，隨著附著到印刷電路板，可以區(qū)分四個部件 有源器件、封裝體、由載體襯底產(chǎn)生的島和印刷電路板。為了清楚起 見，這里假設互連結構為封裝體的一部分。通過將載體襯底構圖為島， 只有印刷電路板和封裝體在整個表面區(qū)域上橫向延伸。這是合適的， 因為封裝體具有與印刷電路板的熱膨脹系數(shù)一也被稱為CTE—匹配
最好的熱膨脹系數(shù)。優(yōu)選地，封裝體的CTE小于印刷電路板的CTE， 最優(yōu)選地，其在橫向方向上處在10和15ppm/K之間，而印刷電路板 的CTE在橫向方向上為17ppm/K。如果需要，在二者之間可以存在 用于應力釋放的部件，例如由順應性材料構成的層。相對于在單一載 體上的情形，有源器件的熱特性相對于封裝體來說至少在一階上沒有 不同。
如果由半導體材料構成的島沒有連接到印刷電路板，則唯一相關 的界面是島與封裝體之間的界面。這里，差小于與印刷電路板的差。 此外，島具有幾毫米或更小的尺寸。因此限制了應力的積累。此外， 由于封裝體的較大CTE，而使島在制造期間受到壓應力。該壓應力是 防止裂縫形成的固有屏障。
如果島也連接到印刷電路板，則有兩個相關界面。于是應力取決 于封裝體與印刷電路板之間的熱膨脹之差。然而，用于印刷電路板與 這些島之間的連接的裝置，例如焊球和底層填料，本質(zhì)上也是應力釋 放的。另外，由半導體材料構成的島的有限厚度使得其相對較有順應 性，從而島可以使其自身變形到一定程度以便消除應力。
為了優(yōu)化載體襯底的島結構，可以去除通常位于載體襯底頂部上
的氧化層以便形成環(huán)繞島的溝槽。因此，隨之而來的，不只是載體襯 底而且其頂部上的氧化層也不是連續(xù)的。取代溝槽狀結構，可以應用 任何其它的構圖結構，從而將氧化層分割成多個島。適合地，在對氧 化物的構圖之后，施加額外的鈍化層。即使這為氧化物或氮化物，其 形狀也將使得氧化物島至少在一定程度上可相對于另一個氧化物島 移動。
在另一實施例中，互連結構包括順應性電介質(zhì)材料。已知順應性 材料由于其高變形性的程度而釋放應力。特別地，有機電介質(zhì)層優(yōu)選 在無機層上以用作在組件的整個表面區(qū)域上延伸的層。
將載體襯底構造到其中的島優(yōu)選為臺面(mesa)狀。即，垂直于 襯底表面的橫截面于是基本上呈梯形形狀。之所以獲得臺面結構，是 因為首先將襯底減薄，然后按照期望的圖案對其進行濕法化學蝕刻。 在平行于襯底表面的平面中，島可以具有任意形狀。然而，優(yōu)選地它 們的周邊無拐角，且最優(yōu)選地它們的周邊為圓形。
可以在將有源器件安裝到載體之前和之后執(zhí)行對載體襯底的減 薄。雖然適合將有源器件安裝在厚且剛性的載體上，但是焊接連接易 受到任何機械力的影響且因此也易受到由于研磨而產(chǎn)生的振動的影 響。因此在組裝步驟之前至少在一定程度上將載體襯底減薄。在一個 適當?shù)膶嵤├?，在組裝步驟之前且在減薄步驟之后，載體襯底還在 其第二側上設有掩模。適當?shù)难谀＠鐬镹i、 Au、 Pd、 TiW或這些 材料的組合，而且也可以使用箔狀光刻膠。
特別地，如果在組裝之后執(zhí)行減薄，則可以將底填材料施加到在 平穩(wěn)加熱時熔化的載體襯底上。這種平穩(wěn)加熱導致有源器件穿過底填 材料的下沉，且因此導致載體與有源器件的機械連接。在減薄步驟之 后則可以執(zhí)行提供電連接的步驟，例如，使焊料與相反表面上的金屬 發(fā)生化學反應以形成焊接連接。
可以將封裝體選擇為金屬襯底、利用粘合劑附著的玻璃襯底或者
包覆成型封裝體。很清楚對封裝體的選擇將影響組件的熱特性。
包覆成型封裝體的熱膨脹系數(shù)在硅襯底的熱膨脹系數(shù)與印刷電 路板的熱膨脹系數(shù)之間?？梢酝ㄟ^填充物的量來調(diào)節(jié)其特定系數(shù)。更
為適當?shù)?，將該系?shù)選擇為處在10和15ppm/K之間的范圍內(nèi)。這允 許與印刷電路板相匹配，而且與組件內(nèi)的半導體材料的差并未變得太 大。
然而大表面區(qū)域例如晶片的包覆成型具有在組裝期間產(chǎn)生翹曲 的趨勢。于是對所得到的彎曲的載體襯底的處理是困難的。然而，如 果在包覆成型步驟之前減薄襯底，則在包覆成型之前可以在載體襯底 的第二側施加蝕刻掩模。即使組件不是平面的，也可以執(zhí)行蝕刻，尤 其是濕法蝕刻。作為蝕刻步驟的結果，將基本上減小翹曲效應?；蛘?， 可以在載體襯底上的兩個或更多的區(qū)域(通常被稱為圖(map))中 實施包覆成型。載體襯底的第一側上的表面修正有助于防止包覆成型 材料沉積在期望圖之外。
更為適當?shù)?，電器件或整個載體襯底設置有彈性材料(楊氏模量 低于包覆成型材料)的涂層。這種涂層被稱為晶片涂層或芯片涂層。 然而，在本文中，還可以將其施加在電器件的背側上。該涂層的目的 是，特別是在電器件和模塑化合物之間的橫向范圍內(nèi)，釋放應力。
金屬襯底實際上所具有的熱膨脹系數(shù)至少在平行于襯底表面的 方向上可與印刷電路的熱膨脹系數(shù)相比。其具有實現(xiàn)散熱的優(yōu)點。這 種改善的散熱有效地導致熱循環(huán)的較低頻率和較小幅度。對于具體的 應用，可以選擇金屬襯底、有源器件和載體之間的熱絕緣和電絕緣。 這里一個具體的選擇是產(chǎn)生帶狀線，其中信號線夾在第一與第二接地
面之間。這種帶狀線非常適合于在超高頻下工作的器件。
具有粘合劑的玻璃襯底實際上是兩層乃至多層的封裝體。粘合劑 可以用作應力釋放層。適當?shù)剡x擇玻璃襯底使其的熱膨脹系數(shù)在其橫 向方向上相對比較接近印刷電路板的熱膨脹系數(shù)。這可以通過適當?shù)?br> 選擇玻璃成分來實現(xiàn)。
在另一實施例中，封裝體設有一個或多個通孔。在電絕緣封裝體 的情況下，隨后將通孔金屬化。該操作本身是公知的，特別是對于玻 璃襯底。以這種方式，還可以在組件的第一側提供接觸。這允許器件 的進一步疊置。
在制造期間的組裝步驟通常包括提供焊接連接。然而，同樣對于 向外部板提供端子，適合使用焊球。因此優(yōu)選地，用于電器件和載體 襯底的連接的焊球與用于載體襯底到印刷電路板的連接的焊球相比
具有更高的熔點。與用于印刷電路板的連接的Sn-Ag-Cu焊料結合的 例子例如為Pb-Sn和Au-Sn。于是，防止首先提及的焊料的再熔化。 這種再熔化會導致穩(wěn)定性問題，例如焊球和載體襯底的變形。在其中 疊置焊球的構造中這是特別的風險。于是，僅有將兩個焊球分開的金 屬鍵合焊盤。
還可以實現(xiàn)在內(nèi)側提供焊接連接，這在于使焊球下沉穿過在加熱 時液化的絕緣層。同樣地，不需要施加單獨的底填材料。另外，可以 將焊接連接的形成推遲到制造中的隨后步驟。
為了使組件的高度最小化，可以利用焊料蓋實施電器件與載體襯 底之間的焊接連接。例如可以將這種蓋用作浸沒式焊料突起。
更為適當?shù)?，用于電器件與載體襯底之間的連接的焊接材料是具 有作為第二相的顆粒的兩相焊接材料，所述顆粒是熱力亞穩(wěn)態(tài)的。在 未公幵的申請PCT/IB2005/051547 (PHNL040567)中描述的該焊接 材料允許在氧化的表面上提供焊料，而不需要首先去除氧化物。其特 別適合于鋁。因此，在該組件中，允許使用鋁或鋁合金，例如A1-Si、 Al-Cu，用于互連結構中的導電跡線。這具有Al和其普通合金相對柔 軟的優(yōu)點。
本發(fā)明的第二個目的是提供可以根據(jù)本發(fā)明制造的產(chǎn)量損失有 限且可以耐受熱循環(huán)的應力的組件。
該目的可以實現(xiàn)，在于該組件包括 橫向有限的半導體襯底區(qū)，其中限定電元件；
覆在襯底區(qū)之上且具有第一側和第二側的互連結構，該結構在其 第一側設有用于耦合到電器件的接觸焊盤，且在其第二側設有與電元
件的連接；
位于互連結構的第二側處并通過延伸部分耦合到互連結構的端 子，橫向設置延伸部分并使其與所述半導體襯底區(qū)隔離；
耦合到互連結構的第一側的電器件，以及在互連結構的第一側上 延伸并封裝電器件的封裝體。
如參考方法所述的那樣，由于半導體區(qū)域為封裝體和互連結構上 的島的事實，而使所得到的器件耐受熱循環(huán)。這里封裝體用作支撐體。
限定在載體襯底中的器件，至少部分地，例如為溝槽電容器、溝 槽電池、晶體管、二極管、變?nèi)荻O管。對于RF應用而言，溝槽電 容器由于其高電容密度是適合的，并且變?nèi)荻O管由于其可保持的性 質(zhì)是適合的。pin 二極管(pin-diode)適合用作開關。在臺面結構中 使用pin 二極管另外還具有如下優(yōu)點防止通過襯底的pin 二極管之 間的任何相互影響。pin 二極管優(yōu)選為橫向pin 二極管?？梢匀菀椎?將這些從頂側連接。同樣，橫向pin二極管具有如下優(yōu)點可以在一 個襯底上集成具有不同尺寸的pin二極管。不同尺寸導致不同的特性， 例如擊穿、絕緣和導通電阻等。在包括功率放大器、波段開關和阻抗 匹配以及任選的收發(fā)器的移動電話的一個前端內(nèi)，具有不同尺寸的 pin二極管是非常優(yōu)選的。
為了保護有源器件免受靜電放電(ESD)脈沖的影響，可以將諸 如齊納二極管和背對背二極管的二極管適當?shù)丶傻捷d體襯底中。這 里，適當?shù)貙d體襯底進行摻雜以使其導電。為了除去在放電期間產(chǎn) 生的電荷和熱量，也使島適當?shù)嘏c印刷電路板連接。在與作為有源器 件的集成電路的結合中特別需要ESD保護器件，且其特別適用于諸
如移動電話的移動應用。此外，集成電路尺寸的縮小使得這些更易受 到損壞，且因此增加了靜電放電器件和電路的重要性。電容器和電阻 器可以存在于用于對信號進行濾波的互連結構中。
為了識別有源器件，由半導體材料構成的島可以包含識別電路以 及用于信號的無線傳輸?shù)碾娐?。天線可以存在于互連結構中。
對于電源應用，功率晶體管可以位于載體襯底中。同樣在該應用 中，島適當?shù)嘏c印刷電路板電連接。在本文中有源器件例如為用于單 個功率晶體管的控制的控制ic。
對于光電子應用，發(fā)光二極管和/或光電二極管可以位于載體襯
底中。任選地，載體襯底另外包含m-v半導體襯底材料來代替硅。 在該實施例中有源器件適合為驅(qū)動器ic。
將參考附圖進一步說明方法和組件的這些以及其他方案，附圖是 概略的而且不是按比例繪制的，并且其中在不同附圖中的相同數(shù)字表 示相同或等效的部件，其中
圖1-6示出組裝方法的第一實施例中的幾個階段的截面圖7-9示出組裝方法的第二實施例中的幾個階段的截面圖；以及
圖10-14示出組裝方法的第三實施例中的幾個階段的截面圖。
圖l-6概略地示出用于獲得封裝內(nèi)系統(tǒng)的本發(fā)明的方法的第一實 施例的截面圖。雖然這種步驟順序是優(yōu)選的，但是并不排除另一種順 序。雖然僅示出一個單獨的部件，但應該理解的是工藝適合在晶片級 上執(zhí)行。這些和以下附圖未按比例繪制。
圖1示出載體10。在該實例中，載體10包括具有第一側101和 相反的第二側102的硅襯底11。其設有多個設置在襯底11的區(qū)域15 中的電元件20，將所述區(qū)域15設計成臺面。電元件20例如為電容 器和/或開關以及傳感器。用于RF應用的實例包括溝槽電容器、pin
二極管和絕緣的電路塊，例如VCO。在該實施例中部件優(yōu)選為具有
低功耗的部件，因為沒有與地的直接連接。而且它們存在于臺面15
中還提供優(yōu)良的絕緣，這可以充分應用在對于通過襯底11的寄生的
相互作用敏感的部件中。雖然這里未示出，但是元件20還可以部分 或全部位于襯底表面12上。關于此的實例為LC電路、具有鐵電電 介質(zhì)(didectricum)的電容器以及可調(diào)電容器和開關，例如特別是 MEMS元件。另外，組合是有利的，例如具有高電容的溝槽電容器， 以及可調(diào)的MEMS元件。RF應用之外的實例例如包括傳感器，以及 單個或多個晶體管。對于RF應用，使用高歐姆襯底是非常有利的。 可以通過粒子注入或利用e-光束進行照射來制備這種襯底11。此外， 在其第一側ioi附近將襯底11制成是非晶的。
在襯底11的第一側101存在氧化層12。這適合為熱氧化物。在 氧化物層12中形成孔以提供至電元件20的互連21，而且還提供用 于提供外部連接的延伸部分22、 23。在部分去除襯底ll之后將它們 暴露出來以形成端子52、 53。雖然這里示出互連21為單層，但是作 為選擇可以使用多層。當在該互連(結構)21內(nèi)限定諸如電阻器、 薄膜電容器和電感的電元件時，這特別適合?；ミB(結構)21覆蓋 有例如由氮化硅構成的鈍化層24。在所選擇的位置處將鈍化層24開 口以形成頂側鍵合焊盤25、 26。雖然在該附圖中示出所有的鍵合焊 盤22、 23、 25、 26以及至電元件20的互連具有相同的尺寸，但這不
需要是實際設計的精確表示。
適當?shù)?，將頂側鍵合焊盤25、 26中的至少一個設計為測試焊盤， 即連接到下層測試結構。這允許在將任何其它部件安裝到載體襯底 IO之前測試載體襯底10。不必每一個單元都設有測試結構。要執(zhí)行 的測試主要是常規(guī)的電測試。
對于RF應用，需要具有高品質(zhì)因數(shù)的電感器。如果使用鋁或鋁 合金作為金屬，則這可以通過使用相對較厚的金屬層來實現(xiàn)，所述相
對較厚的金屬層例如處在0.5微米或更高的數(shù)量級上，尤其處在1.0
微米或更高的數(shù)量級上。該同一層同時非常適用于對鍵合焊盤的支 撐。
雖然在該附圖中未示出，但是頂側鍵合焊盤25、 26可以設有附 加的支撐物和粘合覆蓋物，例如在封裝領域中公知的作為突起下金屬 化。該金屬化例如包括NiPdAu的疊層。然而疊層取決于下層金屬。 如果互連21由銅制成，則可能需要阻擋層來防止銅的擴散。然而， 在非常適合與鋁或鋁合金的互連21結合的適當修改中，不需要這種 附加的突起下金屬化。相反，可以將設置在互連21上的焊料突起材 料選擇為包括亞穩(wěn)態(tài)粒子。在加熱時，這種粒子會減少被氧化的鋁并 與其形成穩(wěn)定的合金。在未公幵的專利申請PCT/IB2005/051547
(PHNL040567)中描述了該原理，將該申請并入本文中作為參考。 該焊料的使用最適合與其中還集成電感器的厚金屬層結合。適當?shù)兀?一些區(qū)域不被任何金屬化覆蓋并且被限定為絕緣狹帶。
圖2示出在將有源器件30設置在載體10上之后產(chǎn)生的組件100。 將有源器件30沿倒裝片的方向安裝到載體10，使得其鍵合焊盤35、 36面對載體10中的頂側鍵合焊盤25、 26，并且鍵合焊盤可以與焊料 突起32相互連接。為了保護的目的，存在鈍化層34，例如在本領域 中公知的那樣。取代焊料突起32，可以使用具有減小高度的焊料蓋。 例如，在本身被稱為浸沒式焊接突起的工藝中可以應用這種焊料蓋。 對載體10上的有源器件30的高度限制有利于隨后工藝的可靠性。在 這點上，進一步優(yōu)選地有源器件30具有減薄的襯底31。
有源器件30可以包括以下功能中的一個或多個其可以是聲學 器件，例如體聲濾波器。其可以是阻抗匹配器件，包括LC濾波器以 及開關，尤其是MEMS部件。可以是收發(fā)器或其至少一部分。其可 以是或包括功率晶體管，并且可以用作功率放大器或功率管理單元。 顯然，還可以沿面朝上的方向施加有源器件30并利用引線鍵合將其 連接到頂側鍵合焊盤25、 26。然而，采用倒裝片方向的本構造是非 常適當?shù)?，因為可以形成從有源器?0到外部板的非常直接的連接， 這將從工藝的稍后階段中變得顯而易見。需要該直接連接用于接地， 如在收發(fā)器或功率放大器等中那樣，或者用于從電池中提供功率，例 如在功率管理單元中，或用于散熱。雖然僅示出一個有源器件30， 但是在組件的一個單元中可以存在幾個有源器件。這允許制造如所期 望的任意功能系統(tǒng)，例如具有功率放大器、收發(fā)器和匹配功能的移動 電話的完全前端。
將底層填料33設置在有源器件30與載體10之間。雖然這里未 示出，但是可以使用在將有源器件30安裝到載體10之前設置在該載 體10上的底層填料30。如果不限制底層填料的流動，則其存在于整 個載體上。適當?shù)兀瑢⑵湓O置為箔，然而這不是必需的。通常，其由 丙烯酸脂或聚酰亞胺類材料制成。例如通過加熱至大約100°C，可以 將該類填充材料軟化。軟化使得其在機械上是脆弱的，并且焊料突起 由于其重量會下沉穿過該底層填料層。
使用這種材料的另一個優(yōu)點是在工藝的該階段不必電連接焊料 突起32，在所述階段將焊料突起設置在載體10上；或者更明確地說 焊料突起不必與載體10的鍵合焊盤22、23反應以形成金屬間化合物。 這對于制造的所有階段中的結構可靠性來說是優(yōu)點。在組件100中焊 球32是固有的在機械上脆弱的區(qū)域。它們需要在組裝的所有步驟期 間以及在使用期間釋放應力，該應力源自組件中的不同部件之間的熱 膨脹之差。如果這是不可能的，則在焊球中會形成裂縫，或者會發(fā)生 焊球與任意鍵合焊盤的層離。這導致組件出故障。雖然可以使用額外 的焊球來充當次要路徑，但這通常是不期望的。然而，在本工藝中， 焊球32還需要承受由于另外的工藝步驟而產(chǎn)生的機械力。這些步驟 可以包括對載體襯底的研磨和蝕刻。雖然研磨涉及強振動力，但是蝕 刻可能導致載體10的彎曲，例如翹曲。如果焊球32已經(jīng)在化學和電
學上連接到載體10，則它們需要承受這些機械力。如果僅設置在載 體上，則這是不需要的。
圖3示出在另一工藝步驟之后的組件100，在該工藝步驟中提供 封裝體40。除了對現(xiàn)存的任一引線鍵合以及有源器件30提供化學和 機械保護之外，封裝體40還應具有基本平坦的頂表面41。平坦度應 該足于將組件通過其布置在設備上且在載體10的襯低11上執(zhí)行操 作。在該實施例中，封裝體40為環(huán)氧樹脂包覆成型物?；蛘撸梢?使用金屬包覆成型物或粘合劑和玻璃層。另一選擇是使用具有適當載 體的保護包覆成型物，例如類似引線框架的構造。在另一變形中，封 裝體40包括多層，其中第一層具有平坦化效應。最為適當?shù)兀撈?坦化層的熱膨脹系數(shù)與有源器件30的熱膨脹系數(shù)匹配或相似。此外， 可以在包覆成型物之前使用具有低楊氏模量的用于釋放應力的層。
圖4示出在另兩個工藝步驟之后的器件，其中將部分去除襯底 11。在第一步驟中，襯底11被減薄至厚度處在30-100微米的數(shù)量級 上，并且優(yōu)選為大約50-60微米。因此研磨是最廣泛公知的選擇。然 而，在工藝的修改例中，已經(jīng)在將有源器件30安裝到載體10之前執(zhí) 行研磨。適當?shù)?，然后將支撐層附著到載體襯底11以便穩(wěn)定載體10。 例如通過溶解支撐層與載體襯底11之間的粘合劑，通過溶解整個支 撐層，通過剝離支撐層，在工藝的該階段又去除支撐層?；蛘呖梢允?用其它方法以及組合。在例如通過研磨去除支撐物之后是另一濕法化 學蝕刻步驟。其后，選擇性蝕刻載體襯底11，以便保持具有電元件 20的臺面15，而去除別處的襯底11以暴露互連結構21的延伸部分 22、 23，并以其形成端子52、 53?；蛘撸梢詫⒎庋b層設置在第二 側上，并對其迸行構圖以暴露延伸部分22、 23。然后在該封裝層上 形成端子。適當?shù)牟牧侠鐬榫埘啺返取＿@具有如下效果可以使 載體襯底處于來自第一側和來自第二側的壓應力之下。
在該階段，在襯底去除之后并在向端子提供焊料之前，可以執(zhí)行
最終的測試。這種最終測試的目的具體是檢驗在載體襯底上的接觸焊 盤與有源器件30之間的所有焊接連接是否允許電耦合。此外，可以 執(zhí)行一些測試以檢驗組件是否經(jīng)受得住彎曲。
圖5示出最終的組裝步驟之后的組件。這里，端子52、 53于此 設有金屬化54以便加強結構并提高鍵合能力。其后，通過絲網(wǎng)印刷 來提供焊劑55。最后，將焊球56附著于其。這里，焊劑55確保焊 球不散布在載體襯底10的整個第二側上。適當?shù)?，焊?6的間距大 于焊球32的間距，以便可以使在小表面區(qū)域上具有許多接觸焊盤25 的有源器件30與通常具有較低分辨率的印刷電路板結合。
圖6示出處于其在板300上的位置處的組件100。這里，焊球56 將端子52、 53耦合到板的相應接觸焊盤301。板300通常為印刷電 路板，例如由FR4材料制成，但是作為選擇，也可以是諸如帶的柔 性載體。此外，板300還可以是封裝內(nèi)系統(tǒng)的一部分。于是其可以包 括諸如無源部件和互連的功能性，并且誒其可以由有機或陶瓷材料構 成。這似乎為特別適合于RF應用的系統(tǒng)。從設計角度來講，其優(yōu)點 是不必將端子52、 53按陣劌布置。
如果板不是系統(tǒng)的一部分，則最優(yōu)選地將端子52、 53按陣列布 置。于是優(yōu)選將組件100設計成使得向有源器件30提供直接連接的 端子52、 53設置在組件第一邊緣的附近。優(yōu)選地向臺面狀島15中的 電元件提供連接的端子52、 53位于組件的相對邊緣附近。以這種方 式，有效地將組件100分割成若干區(qū)域。
圖7-9概略地示出本法明的組裝方法的第二實施例的截面圖和最 終的組件。該實施例的組件包括功率器件，尤其是垂直MOS型的功 率器件。將這種功率器件設計成盡可能地減小導通電阻。這意味著器 件形成在用作漏極或集電極接觸的重摻雜、n型硅襯底中。然而，該 方法的缺點是每個管芯僅可以存在一個晶體管；否則現(xiàn)存的晶體管的 漏極或集電極會被連接。
減少這種問題的一個解決方案是將襯底構造成臺面。這本身可以
從US5753537中獲知。雖然可以使用該技術來創(chuàng)造較高的集成度， 但是不會產(chǎn)生具有形成功能實體的多個元件的封裝內(nèi)系統(tǒng)。在 US6075279中公開了另一方法。該方法建議第一和第二晶片相互組裝 以產(chǎn)生垂直集成。隨后，對第一晶片進行機械構圖。這里，重要的是 最終的狹縫穿過第一晶片延伸到晶片之間的用樹脂填充的區(qū)域。否 則，會導致第一晶片中的相鄰電極的不充分絕緣。這些狹縫隨后被絕 緣樹脂填充。
然而，該方法的缺點是必須組裝晶片，這迅速導致產(chǎn)量損失，就 無法工作而言，晶體管中有一個不充分工作就足夠了。此外，對穿過 晶片的孔的干法蝕刻是費時的工藝，其因此也是昂貴的。
在本發(fā)明中，將單獨的器件集成在設有互連結構的第一晶片上。 隨后將第一晶片減薄并利用濕法蝕刻技術對其進行構圖，由此將第一 晶片減少至幾個島，所述島是從它們所附著的組件結構而不是從它們 自身來獲得它們的機械特性。這里，島不對應于一個晶體管，如在 US6075279中的器件那樣，而對應于一個接觸焊盤。
為了在組裝的所有階段期間以及在使用期間提供所需的機械穩(wěn) 定性，可以將單獨的器件封裝。此外，在該實施例中在第一晶片的頂 部上存在柔性層且優(yōu)選為順應性層。通孔延伸穿過該柔性層，并且單 獨器件耦合到其上的接觸焊盤僅存在于該柔性層上。以這種方式，布 置機械去耦。
圖7示出載體10的截面圖。其包括具有為n型重摻雜的第一層 111的硅襯底11。摻雜劑濃度處在1019/cm3的數(shù)量級上。在襯底11 的n—層111上存在基本未摻雜的襯底層112。該本征層112用作晶體 管的溝道。深擴散113從,層111延伸穿過未摻雜層112至互連結 構21中的一個或多個延伸部分22。另外，將電元件20限定在襯底 中，在該實例中其為垂直MOS器件。這里，襯底1I1用作漏極，而
源極和柵極位于頂側。這些垂直MOS器件是常規(guī)的。或者，可以應
用溝槽MOS器件或雙極性器件。通過互連21將延伸部分或接觸焊盤 22電耦合到元件20中的第一個(或?qū)嶋H上是同一個)。第二元件20 也設置有這種互連，然而對于另一個，未示出延伸部分22。
元件20和具有其延伸部分22的互連結構被電介質(zhì)層120覆蓋。 這優(yōu)選為順應性層，例如聚酰亞胺。適當?shù)捻槕詫訛榫哂行钍夏?量和低玻璃轉變溫度的有機材料。這種類型的材料應用于封裝工業(yè) 中，其用于芯片級封裝中的晶片涂層、再布線層以及用于球柵陣列封 裝中的集成電路的管芯附著材料。如果在將有源器件30安裝到載體 之后執(zhí)行研磨，則優(yōu)選使用玻璃轉變溫度在室溫之上的材料。這確保 在室溫下進行研磨期間載體襯底與封裝體的組裝在機械上足夠硬。另 外，室溫下的相對硬度似乎適合于組裝步驟其自身。電介質(zhì)層120的 厚度優(yōu)選處在0.5-20微米的范圍內(nèi)，最為優(yōu)選地處在1-5微米的數(shù)量 級上。這是允許足夠柔性的厚度，同時可以適當?shù)刂圃齑怪被ミB區(qū)域 121。實際上，電介質(zhì)層120還在相鄰的元件20之間形成電絕緣。垂 直互連區(qū)域121延伸穿過電介質(zhì)層120?；ミB122位于電介質(zhì)層120 上且延伸到接觸焊盤25。這些接觸焊盤25設有適合于鍵合的材料 125，例如NiAu。可以通過無電鍍生長來施加還被稱為突起下金屬化 的該材料125。雖然這里僅作為突起下金屬化示出，但是不排除還應 用焊料突起。該結構最后被鈍化層24覆蓋，例如為其選擇Si3N4。
圖8示出在安裝器件30并提供封裝體40之后的組件100。通過 倒裝片技術利用在安裝之前已經(jīng)設置在器件30上的焊球32，將器件 30安裝到載體10。優(yōu)選地，使用底填材料33?？梢栽诎惭b之后或之 前施加該底層填料33，如之前關于第一實施例所論述的那樣?？梢?使用焊料蓋來代替焊球32?？梢圆捎每蛇x擇的連接技術，例如各向 異性導電膠。器件30優(yōu)選具有減薄的襯底31。在加熱步驟中，將有 源器件30上的焊球32和突起下金屬化125結合到焊接連接32。
這里，特別設計器件30以控制電元件20，且優(yōu)選為集成電路。 這種控制IC本身對于本領域技術人員來說是公知的。顯而易見地， 集成到單個封裝中的一個優(yōu)點是可以簡化將組件100設置到其上的 板。在控制IC與受控元件之間不需要提供互連，并且可以減少組件 100的端子的數(shù)量。該結構的另一優(yōu)點是控制IC與電元件之間的距 離相對較短且簡單。這在簡單通信協(xié)議的使用中被充分利用。另外， 集成允許提供額外的從元件20到控制IC 30的反饋機制，以便改善 控制。
封裝體40在該實例中包括粘合劑41和覆蓋整個組件的玻璃襯底 43?；蛘呖梢允褂美缭诘谝粚嵗惺褂玫沫h(huán)氧樹脂包覆成型物。粘 合劑41和玻璃襯底43的應用顯得非常適合于其中預期有大的溫差的 組件，例如功率晶體管。粘合劑主要存在于有源器件30之間并且可 以將其選擇為可高度變形。以此可以適當?shù)蒯尫啪植康暮拖鄬ι倭康?應力。
圖9示出對載體的襯底11進行減薄和構圖之后的組件100。這 與第一實施例的不同之處在于使用臺面15以及至用于耦合到外部 部件的端子52、 53的互連。每一臺面15限定一個以上的端子52、 53，但是其也許不必用于同一個信號或接地連接。提供多個端子以便 獲得來自用作功率晶體管和板的電元件20的優(yōu)良的熱傳遞。接觸焊 盤22通過深擴散113耦合到端子52。將端子53耦合到功率晶體管 20的漏極。雖然這里未示出，但是可以存在另一深擴散以減少高摻 雜層112與襯底中用作源極的區(qū)域之間的接觸電阻。通常將功率晶體 管的柵極耦合到控制IC 30，并且分離的端子可用于至控制IC 30的 輸入和輸出。將接觸焊盤52 (且所有分別至控制IC的接觸焊盤)設 置在接觸焊盤53周圍被認為是有利的。這對于其上安裝組件100的 板的簡單布圖是有利的。如果希望，可以對氧化層12進行構圖以便 增大島15的相互可移動性。此后可以施加另一鈍化層。臺面15可以
用作用于對氧化層12進行構圖的掩模。然而，觀察到氧化層12適合 為厚度為大約500nm的熱氧化物并且其自身構成優(yōu)良的鈍化。
在該實施例中，僅在對載體襯底IO進行構圖之后，且因此僅在 有源器件30的安裝之后，可以執(zhí)行組件和載體襯底中的元件的測試。 適當?shù)?，在將焊料設置在焊球上之前執(zhí)行該測試。為了限制產(chǎn)量損失， 優(yōu)選在相對較大的規(guī)模上并且利用公知的工藝技術制造載體襯底10 中的元件，和/或雙重提供相對脆弱的互連。此外，提供特定的測試 焊盤作為互連122的一部分(或連接到其)以便使得能夠在蝕刻步驟 之前對到有源器件30的焊接連接32進行測試。
圖10-15示出本發(fā)明第三實施例中的不同階段的截面概略圖，其 未按比例繪制。該實施例針對BICMOS或CMOS電路與ni-v襯底
中的半導體器件的集成。m-v襯底中的半導體器件例如為功率放大
器、低噪聲放大器或者甚至是光電子器件，例如發(fā)光二極管。附圖所
示的實例包括具有BICMOS電路的載體IO且另外包括帶狀線、以及 作為半導體器件30的InP雙極性晶體管。
在機械上，該第三實施例的組件IOO結合了第一和第二實施例的 兩個概念，并且引入了另外一個概念。如在第一實施例中那樣，在載 體的互連結構21中設置用于至外部板的連接的接觸焊盤。換言之， 在接觸焊盤22的區(qū)域處完全去除襯底11。如在第二實施例中那樣， 在載體10的頂部上使用柔性層。該柔性層允許被減薄的并被部分去 除的襯底11與半導體器件30的機械去耦。該實施例的另一特征是提 供金屬封裝體，其同時用作有效的散熱器。
圖10示出組裝之前的載體10。其設有具有第一側101和相反的 第二側102的襯底11。氧化層12位于第一側101上。在襯底11中將 電元件20限定在該相同的第一側101處。電元件20在該實例中形成 集成電路。特別將其設計為收發(fā)器集成電路。為此，優(yōu)選地電路包括 雙極性和CMOS晶體管。將互連結構21限定在元件20的頂部上。
其包括至襯底11的第一側101的延伸部分22、 23。該結構21可以 與集成電路20所需的常規(guī)互連結構集成，盡管這不是必需的。互連 結構21至少包括第一層211和第二層212。第一層211用作用于端子 52、 53的互連，所述端子52、 53將由襯底11的第一側101處的延 伸部分22、 23形成。第二層212用作用于頂側接觸焊盤25、 26的互 連。利用一個或多個絕緣層213使這些層211、 212相互分離。優(yōu)選 地，該絕緣層213包括具有低介電常數(shù)的材料，例如從DowCorning 可獲得的SilKTM。另外，可以使用材料的疊層用作絕緣層213。通孔 214延伸穿過絕緣層213并位于第一和第二層211、 212之間，或者 接觸焊盤22、 23、 25、 26之間。另外，在該設計中，在層211、 212 中都限定帶狀線215。這可以實現(xiàn)，是因為互連結構的第一層211， 達到耦合到延伸部分22的程度，用作接地面。在互連結構21完全與 集成電路20的互連結構集成的情況下，第一層211優(yōu)選為互連結構 的底層。然而，帶狀線不是唯一可行的構造。以相同的方式可以形成 電容器，而且還可以獲得具有屏蔽的電感器或多層電感器。特別對于 電容器，適合將第一和第二層211、 212設置得彼此較近。
以構圖的方式將鈍化層24沉積在結構21的頂部上，以便僅覆蓋 接觸焊盤26。如稍后所述，接觸焊盤26連接到熱沉，而接觸焊盤25 連接到另一半導體器件30。因此，額外的金屬化125適合僅沉積在 接觸焊盤25上。鈍化層24優(yōu)選包括氮化物。另一絕緣構圖層216存 在于該結構上。該層216用作間隔物并限定用作接觸焊盤25、 26的 區(qū)域，其中例如可以將感光苯并環(huán)丁垸(BCB)或感光聚酰亞胺或丙 烯酸脂用于所述層216。
圖11示出在工藝過程中的第二階段的組件100。這里己采用倒 裝片技術組裝有源器件30和載體10，并且利用在限定在載體10中 的集成電路20的接觸焊盤25與限定在有源器件中的接觸焊盤35之 間的焊球32形成電接觸。提供底層填料33以保護焊球32以及改善
機械可靠性。在該實例中有源器件30為由m-v半導體材料、特別是
由InP構成的襯底31上的放大器?；蛘?，其可以為低噪聲放大器、 諸如光耦合器、光電二極管或發(fā)光二極管的光電子元件、另一集成電 路、MEMS部件或濾聲器。襯底31包括襯底層231、蝕刻停止層232 (在該實例中由InGaAs構成)、間隔層233 (在該情況下為InP I間 隔物)。在具有層結構231-233的該襯底31的頂部上，限定幾個被構 圖的層，即InGaAs 11++掩埋集電極接觸234、 InPn集電極235、 InGaAs p基極236和InP 11++發(fā)射極237。雖未示出但實際存在的是基極236 和集電極237之間的InP n—間隔物、以及InGaAs n^發(fā)射極接觸。金 屬化238在集電極和發(fā)射極的接觸與接觸焊盤35之間提供電耦合， 所述金屬化238例如由具有諸如TiN的適當阻擋層的Au構成。金屬 化39和層234-237掩埋在電介質(zhì)材料239中。
圖12示出在工藝過程中的第三階段的組件。這里，通過蝕刻去 除有源器件30的襯底。首先，去除InP襯底231。在HC1中的蝕刻 在InGaAs蝕刻停止層232上停止。然后，朝向間隔物233選擇性地 去除蝕刻停止層232。這在其中導致將間隔物233暴露出來。另外， 將頂側接觸焊盤26上的鈍化層24開口以便暴露該接觸焊盤26。雖 然這里未示出，但是可以在另一絕緣層216和底層填料33上提供諸 如氮化硅或氧化硅的額外保護層。這種保護層保護下面的層不受用于 去除有源器件30的襯底的抗蝕劑的影響。
圖13示出在工藝過程中的第四階段的組件100。已經(jīng)將封裝體 40施加到組件上。在該情況下，使用金屬封裝體40。雖然這種金屬 封裝體最適合由銅制成，但是也可以用其它材料制成，例如A1、 Ni、 Au或合金。另外，金屬封裝體40包括不止一層，例如可以將由Au 構成的粘合層施加到銅金屬化40的頂部上。如果想要透明層，可以 使用ITO。適合通過電鍍來施加金屬化。對此，首先，例如通過濺射 將電鍍基材42設置在另一絕緣層216上以及半導體器件30的暴露的
表面上。由于己經(jīng)去除半導體器件30的襯底231、 232,所以其排除 焊球32的厚度處在1-5微米的數(shù)量級上，優(yōu)選為約1微米?？梢匀?意選擇焊球的尺寸。適當?shù)?，它們在另一絕緣層216上僅延伸5到 15微米。因此，在另一絕緣層216與暴露的間隔物層233之間的最 終高度差優(yōu)選在5-20微米的數(shù)量級上，且適當?shù)卮蠹s為10微米。這 種距離不會引起電鍍工藝中的問題，特別是當所預見的厚度處在 50-100微米的數(shù)量級上時。
該封裝體的效果具有兩個優(yōu)點。首先，帶狀線215在這里為全帶 狀線，因為信號傳輸線(即第二層212)在兩側(即第一層211與封 裝體40)上設置有接地面。
第二個優(yōu)點是散熱。存在從半導體器件30到熱沉的短路徑，使 得能夠容易地散熱。此外，熱沉在整個表面上的延伸允許在器件中產(chǎn) 生均勻的溫度。以此，可以優(yōu)化器件的操作。
圖14示出最終的組件100。在提供封裝體40之后，通過研磨并 向下蝕刻至20-50 u m，來減薄載體的襯底11。銅封裝體40在這里使 結構機械穩(wěn)定。此后，選擇性地蝕刻襯底11以通過暴露到互連結構 21的延伸部分22、 23來形成端子52、 53，并產(chǎn)生具有集成電路20 的臺面15?？梢詫ρ趸瘜?2進行構圖。
最后，底側接觸焊盤22、 23設有適當?shù)慕饘倩?41和用于設置 到外部板上的焊球242。可以將封裝體40設置在熱沉上，或連接到 任何其它的散熱機構，例如熱導管。或者，可以將封裝體40用于承 載組件100。于是底側接觸焊盤22、 23可以設有鍵合引線或箔，例 如柔性箔(flexfoil)。
參考標記列表
10:載體
11:載體的半導體襯底
12:半導體襯底ll上的氧化層
15:限定在襯底ll中的臺面結構
20:電元件
21:互連(結構)
22、23:互連結構的延伸部分
24:鈍化層
25、26:頂側接觸焊盤
30:有源器件
31:有源器件30的襯底
32:載體與有源器件之間的焊球
33:底層填料
34:有源器件30的鈍化層
35、36:有源器件30的接觸焊盤
40:封裝體
41:粘合劑
42:用于封裝體的電鍍基材
43:玻璃襯底
52、53:端子
54:端子上的金屬化
55:焊劑
56:焊球
100:組件
101:襯底ll的第一側
102:襯底ll的第二側
111:半導體襯底(高摻雜n^)的第一層
112:襯底11中的本征層
113:襯底ll中的深擴散
120:電介質(zhì)層
121:垂直互連區(qū)域
122:互連
125:突起下金屬化
211:互連結構21的第一金屬層
212:互連結構21的第二金屬層 213:互連結構21的絕緣層 214:穿過絕緣層213的通孔
215:限定在第一&第二金屬層211、 212中的帶狀線
216:另一絕緣層
231:有源器件30的襯底31的襯底層
232:襯底31的蝕刻停止層
233:襯底31的間隔物層
234:掩埋的集電極接觸
235:集電極
236:基極
237:發(fā)射極
238:金屬化
239:電介質(zhì)材料
241:用于底側接觸焊盤22、 23的金屬化 242:附著到底側接觸焊盤22、 23的焊球 300:印刷電路板 301:印刷電路板上的接觸悍盤
權利要求
1、一種制造半導體組件的方法，包括以下步驟提供載體，其包括具有第一側和相反的第二側的半導體襯底，且具有限定在所述襯底中、在所述第一側處的至少一個電元件，所述載體還包括位于所述襯底的所述第一側上的互連結構，其中限定多個接觸焊盤和至少一個至所述襯底的所述第一側的延伸部分，以及來自所述至少一個電元件和到所述至少一個電元件的互連；將有源器件附著并電耦合到所述互連結構中的所述接觸焊盤，所述有源器件的表面面積小于所述載體；封裝電器件，通過從其第二側選擇性地去除所述半導體襯底來形成至少一個由半導體材料構成的島，以及限定用于耦合到所述互連結構中的所述延伸部分的外部連接的端子。
2、 如權利要求1所述的方法，其中以形成臺面狀島的這樣一種 方式去除所述襯底。
3、 如權利要求1所述的方法，其中所述載體在半導體層的第一 側處設有氧化層，局部去除所述臺面狀島周圍的所述氧化層。
4、 如權利要求1或2所述的方法，其中所述互連結構包括應力 消除電介質(zhì)層，以允許所述有源器件與所述臺面狀島之間的相對移 動。
5、 如權利要求1所述的方法，其中在選擇性地去除所述半導體 襯底的過程中同時形成所述臺面狀島和所述端子，由于襯底在所述延 伸部分的區(qū)域處被完全去除以便形成所述端子。
6、 如權利要求1所述的方法，其中所述端子形成在所述臺面狀島的表面上并通過所述臺面狀島電耦合到所述延伸部分。
7、 如權利要求1所述的方法，其中對所述襯底的選擇性去除將 所述互連結構中的所述延伸部分暴露出來，其后將樹脂層設置在該第 二側上，在該第二側面上限定通過延伸穿過所述樹脂層的互連而耦合 到所述延伸部分的所述端子。
8、 如權利要求1所述的方法，其中所述有源器件設有接觸焊盤， 其利用焊球耦合到所述載體的所述接觸焊盤。
9、 如權利要求8所述的方法，其中在對所述襯底的選擇性去除 之前通過研磨從其第二側來減薄該襯底，且其中僅在所述減薄步驟之 后，將所述焊球施加到所述有源器件的所述接觸焊盤并對其進行熱處 理以便與所述接觸焊盤或其上的任何材料形成焊接點。
10、 一種半導體組件，包括 橫向有限的半導體襯底區(qū)，其中限定電元件； 覆在所述襯底區(qū)之上且具有第一側和第二側的互連結構，該結構在其第一側設有用于耦合到電器件的接觸焊盤，且在其第二側設有與 所述電元件的連接，位于所述互連結構的所述第二側處并通過延伸部分耦合到所述 互連結構的端子，橫向設置所述延伸部分并使其與所述半導體襯底區(qū) 隔離， 耦合到所述互連結構的所述第一側的電器件，以及 在所述互連結構的所述第一側上延伸以便支撐所述互連結構并 封裝所述電器件的封裝體。
11、 如權利要求io所述的半導體組件，其中所述封裝體包括金屬層，并且所述互連結構的所述延伸部分延伸到所述第一側并耦合到 所述金屬層。
12、 如權利要求11所述的半導體組件，其中所述封裝體包括絕緣層。
13、 如權利要求11所述的半導體組件，其中所述有源器件包括 用于所述襯底區(qū)中的所述電元件的控制器件。
14、 一種載體襯底，包括具有第一側和相反的第二側的半導體襯 底，且具有限定在所述襯底中的所述第一側處的區(qū)域中的至少一個電 元件，所述載體襯底還包括位于該襯底的所述第一側上的互連結構，其中限定互連結構暴露在所述第二側處的多個接觸焊盤，所述接觸焊盤對應于將要安裝到其上的電器件的接觸焊盤；至少一個至所述襯底的所述第一側的延伸部分，其與所述襯底區(qū) 相鄰；按照預定設計在所述至少一個電元件、延伸部分和接觸焊盤之間 的互連。
全文摘要
組件(100)包括其中限定電元件(20)的橫向有限的半導體襯底區(qū)(15)。其上，存在互連結構(21)。在其第一側(101)設有用于耦合到電器件(30)的接觸焊盤(25、26)，而在其第二側(102)設有到電元件(11)的連接(20)。端子(52、53)位于互連結構(21)的第二側(102)處，并且通過延伸部分(22、23)耦合到互連結構(21)，橫向設置所述延伸部分并使其與半導體襯底區(qū)(15)隔離。將電器件(30)安裝到互連結構(21)的第一側(101)，并且存在封裝體(40)，其在互連結構(21)的第一側(101)上延伸以便支撐其并封裝電器件(30)。
文檔編號H01L21/48GK101208789SQ200680023338
公開日2008年6月25日 申請日期2006年6月23日 優(yōu)先權日2005年6月29日
發(fā)明者F·A·C·M·朔夫斯, M·A·德桑貝爾, N·J·A·范費恩, R·德克爾, T·M·米希爾森, W·H·德哈斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司