專利名稱：接觸元件和接觸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種接觸元件，用于與接觸構(gòu)件形成電接觸，使得電流 能夠在所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件之間流動，所述接觸元件包括具有 至少一個涂敷有接觸層的適于貼靠接觸構(gòu)件的接觸表面的主體，本發(fā)明 還涉及一種滑動電接觸裝置，即， 一種電接觸裝置，該裝置中的兩個適 于相互貼靠以建立電接觸的接觸表面在建立和/或中斷和/或維持接觸作 用時可以彼此相對滑動。
背景技術(shù)：
這種接觸元件可以具有許多不同用途，在該接觸元件中布置接觸 層，用于形成具有期望性質(zhì)的與接觸構(gòu)件的電接觸，例如相對于待接觸 的接觸構(gòu)件材料的低摩擦系數(shù)、低接觸電阻和高耐磨性等。這種應(yīng)用例 如用于在一種或多種半導(dǎo)體器件的晶片中形成用于該半導(dǎo)體器件的接觸、用于在機(jī)械切斷開關(guān)(disconnector)和斷路器(breaker)中建立 和中斷電接觸以及用于在插入型接觸裝置中建立和中斷電接觸。這種可 以建立滑動接觸或靜態(tài)接觸的電接觸元件優(yōu)選具有例如由銅或鋁制成 的主體(body)。已知，用金屬接觸層涂敷所述主體，以防止接觸元件 的接觸表面磨損和腐蝕。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，目前為止用于這種接觸層的 金屬呈現(xiàn)出容易粘附到與其貼靠的接觸構(gòu)件表面上的趨勢，當(dāng)施加牽引 力試圖使得接觸元件相對接觸構(gòu)件移動時，這可能導(dǎo)致對接觸元件和/ 或接觸構(gòu)件的所述表面附近部分的損傷，例如由于所述接觸元件的熱膨 脹系數(shù)與所述接觸構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)隨溫度的變化不同，或者當(dāng)所述接 觸元件和所述接觸構(gòu)件在滑動接觸中彼此相對移動時，可能導(dǎo)致對接觸 元件和/或接觸構(gòu)件的所述表面附近部分的損傷。這個問題已經(jīng)通過用 潤滑劑潤滑接觸元件和接觸構(gòu)件的接觸表面而得到解決。這種潤滑劑可 以為油基或脂基的，而且也可以為固體潤滑劑，例如石墨等。但是，固 體潤滑劑的導(dǎo)電性差，而且在接觸表面彼此相對滑動時經(jīng)常^皮磨損掉。WO01/41167公開了一種解決上述問題的方案，其中將所述接觸層設(shè)計為包含層疊的多元素材料的連續(xù)膜。
但是，存在相對于已知接觸元件在幾個方面改進(jìn)的所述接觸元件的 期望和需要，所述方面例如為具有低接觸電阻、高的耐磨性和由此增加 的使用壽命，甚至是更低的摩擦，用于減少對潤滑需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電接觸元件，該電接觸元件通過至少部分 滿足所述需要而相對于已知的接觸元件得到改進(jìn)。
本發(fā)明的所述目的是通過提供一種如技術(shù)領(lǐng)域部分所限定類型的 接觸元件而實現(xiàn)，其中所述接觸層包含納米復(fù)合膜，該鈉米復(fù)合膜具有 非晶碳基體和嵌入該基體中的至少一種金屬碳化物的納米尺寸(即，1 ~
lOOnm尺寸范圍)；敞晶。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這種納米膜具有使得其極適合用作這種接觸層的性質(zhì)。 這歸因于非晶碳基體允許所述接觸層的界面與所述接觸構(gòu)件上的相應(yīng) 的或其它的接觸層物理匹配的性質(zhì)以及相對于僅為非晶碳的層而言嵌 入所述非晶碳基體中的金屬碳化物微晶降低了接觸層的電阻率。此外， 金屬碳化物在所述基體或非晶碳的粘結(jié)相(binding phase )中的存在提 高了接觸層的耐磨性。這種納米復(fù)合膜也具有相對于所述接觸構(gòu)件而言 摩擦系數(shù)低的潛能。
本公開中的"基體"應(yīng)解釋為不僅涉及容納碳化物顆粒的連續(xù)主相。 該碳基體也可以為次相，甚至是不連續(xù)相，在極端的情況下，這種基體 僅由碳化物顆粒周圍的少數(shù)原子層組成。因此，基體解釋為這種類型的 粘結(jié)相。
非晶碳基體與納米尺寸的金屬碳化物微晶的不同性質(zhì)使得當(dāng)然可 以通過初始改變金屬碳化物與碳基體的比率針對接觸元件的各種預(yù)定 用途來最優(yōu)化接觸層。接觸層的硬度會隨著金屬碳化物與碳基體的比率 的提高而提高，而接觸層的電阻率會隨著金屬碳化物與碳基體的比率提 高而降低。然而，接觸電阻會隨著這種比率的提高而改變。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，所述金屬為過渡金屬，即元素周期表第3 12族的元素。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，該金屬使得接觸層具有極好的性質(zhì)，特 別在低接觸電阻方面。非常適用于所述納米尺寸金屬碳化物的金屬的例 子為鈮和鈦。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，所述膜僅僅含有一種金屬，即為二 元體系。已經(jīng)證實，為了獲得接觸層的目標(biāo)性質(zhì)，僅僅一種金屬形成嵌 入在所述非晶碳化物基體中的金屬碳化物通常就足夠了 。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，所述膜包含至少一種另外的第二金 屬的碳化物的納米尺寸微晶。有利的是這種金屬可以為過渡金屬。已經(jīng) 發(fā)現(xiàn)，這種第二金屬的加入增加了使接觸層的性質(zhì)滿足在預(yù)定用途中對 接觸元件的要求的可能性。有時，非常低的接觸電阻比高的耐磨性更重 要，或者相反，這可以通過加入這種第二金屬來實現(xiàn)。納米復(fù)合膜的所 謂金屬碳化物性質(zhì)可以通過加入形成碳化物的這種另外的金屬來改進(jìn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，所述微晶具有5~50nm的類似直徑 (diameter-like)的尺寸。已經(jīng)證實，晶體的這種尺寸產(chǎn)生這類接觸層 中通常所要求的特別有利的性質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的另 一個實施方案，所述基體還包含另外的第三金屬， 該第三金屬分布于嵌入所述基體碳并相對于所述基體碳分散的相中。這 種不形成金屬碳化物的金屬的加入將主要改變所述基體的性質(zhì)，可以降 低所述基體的電阻率并由此降低整個接觸層的電阻率。
所述另外的第三金屬有利地為過渡金屬，例如可以為Ag。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，所述碳化物^t晶含有弱形成或不形 成碳化物的金屬的固溶體。"弱"指的是所述金屬形成碳化物的傾向低。 將這種金屬加入到碳化物中引起碳化物相的碳含量降低，并因此提高基 體相中的碳含量。這是由于如下事實所導(dǎo)致這種金屬將結(jié)合所述至少 一種金屬碳化物的金屬，使得所述金屬碳化物的金屬不能結(jié)合原本應(yīng)結(jié) 合的情形那樣多的碳，迫使一些碳析出進(jìn)入基體相并增加基體相中的碳 的量。這會以對于接觸應(yīng)用可能是重要的方式影響機(jī)械和電性能。所述 弱或不形成碳化物的金屬為元素周期表第7~12族的過渡金屬或者Al、 或其組合。尤其可以使用A1結(jié)合鈦。根據(jù)本發(fā)明的另 一個實施方案，所述非晶碳基體在所述非晶碳基體
的碳原子之間具有高的sp2鍵/sp3鍵之比，所述比率高于0.6。其特征 在于這種高比率的非晶碳基體的所謂雜化使得所述基體更象石墨，而不 是更象金剛石，這導(dǎo)致比所述比率低的情形更高的電導(dǎo)率。同時，該基 體較軟，這改善了將所述接觸層的表面與所述接觸構(gòu)件的表面相互壓靠 時的匹配性。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，所述膜的厚度為0.05~10|nm，這適 于大多數(shù)應(yīng)用。
根據(jù)本發(fā)明的另 一個實施方案，所述膜通過使用氣相沉積才支術(shù)沉積在 所述主體上，所述氣相沉積技術(shù)可以為物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相 沉積(CVD )。所述膜也可以通過利用溶液法例如通過溶膠-凝膠法形成 在所述主體上。
本發(fā)明的另 一 目的是提供一種如在技術(shù)領(lǐng)域部分中所定義類型的滑動 電接觸裝置，所述裝置允許彼此貼靠的兩個接觸表面移動，同時較大程度 上降低上述討論的不便之處。
根據(jù)本發(fā)明，通過提供具有根據(jù)本發(fā)明接觸元件的這種裝置來實現(xiàn)這 一目的，所述接觸元件布置為與接觸構(gòu)件形成具有低摩擦系數(shù)的干接觸 (dry contact )，所i^擦系數(shù)低于0.3，優(yōu)選低于0.2。
這種接觸裝置的基本特征和優(yōu)點與根據(jù)本發(fā)明的接觸元件的特征相 關(guān)，并且通過這種接觸元件的上述討論而顯而易見。但是，要指出的是，
"滑動電接觸"包括在建立接觸和/或斷開接觸和/或維持接觸作用時，在 可以彼此相對移動的兩個構(gòu)件之間形成電接觸的所有類型的裝置。因此， 它不僅包括通過驅(qū)動構(gòu)件的作用而彼此滑動的接觸，還包括具有兩個相互 壓靠的接觸元件并由于磁致伸縮、熱循環(huán)以及接觸元件材料具有不同的熱 膨脹系數(shù)或者接觸元件不同部分之間的溫度差隨時間變化而在接觸狀態(tài) 下相互相對移動的所謂靜態(tài)接觸。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件適于彼此 面對壓在一起以建立所述接觸，所述裝置可包括用于彈簧加載 (spring-loading)所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件以使他們彼此相靠以形成所述電接觸的設(shè)備。
從下面的描述和其它的從屬權(quán)利要求可以看出本發(fā)明其它優(yōu)點和有利 的特征。


下面參考附圖，以實施例的方式具體說明本發(fā)明的實施方案。
在附圖中
圖l僅僅示意性地舉例說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的電接觸元件。
圖2示出傳統(tǒng)接觸和根據(jù)本發(fā)明的一種接觸的接觸電阻對接觸力的圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案的螺旋接觸型(helical contact type)電接觸元件的橫截面示意圖。
圖4僅僅示意性地舉例說明斷路器中的根據(jù)本發(fā)明的一種接觸裝置。
圖5僅僅示意性地舉例說明根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的用于變壓器 的調(diào)壓開關(guān)中的滑動接觸裝置。
圖6僅僅示意性地舉例說明用于繼電器中的根據(jù)本發(fā)明的接觸裝 置，和
圖7為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案的用于與半導(dǎo)體芯片形成電接 觸的裝置的部分截面和分解圖。
具體實施例方式
圖l僅僅示意性地示出一種與接觸構(gòu)件2形成電接觸，以使得電流 能夠在接觸元件1和所述接觸構(gòu)件之間流動的接觸元件1。所述接觸元 件包括主體3，其例如可以為鋁或銅，并具有至少一個涂敷有接觸層4 的貼靠于所述接觸構(gòu)件的接觸表面。所述接觸層4的厚度典型地為0.05~10|iim,為了說明的目的，圖1所示的厚度相對于所述接觸元件和 接觸構(gòu)件的其它尺寸被放大。
所述接觸層4包含納米復(fù)合膜，所述納米復(fù)合膜具有非晶碳基體和 嵌入該基體中的至少一種金屬碳化物的納米尺寸(即，1 ~ lOOrnn尺寸) 微晶。這賦予了接觸層上述優(yōu)良性能。所述金屬優(yōu)選為過渡金屬。非晶 碳基體的雜化(即碳在基體內(nèi)與自身如何結(jié)合)優(yōu)選其特征在于具有高 的sp2/sp3比，這使得所述基體更象石墨，而不是更象金剛石?？梢韵?納米復(fù)合材料中加入第三組分以改變其性質(zhì)。其可以是通過形成嵌入在 基體中的另外的金屬碳化物來改善金屬碳化物的性能的另外的金屬，或 可以是通過分布于嵌入所述基體碳并相對于所述基體碳分散的相中來 改變復(fù)合材料性質(zhì)的另外的金屬。根據(jù)所述接觸元件的用途，整體接觸 結(jié)構(gòu)的性質(zhì)可以通過下述過程優(yōu)化
1) 根據(jù)如上討論的結(jié)果，改變非晶碳基體與金屬碳化物的比率
2) 改變金屬碳化物微晶的粒徑，以改變接觸層的體積電阻率，其 中在大多數(shù)情況下，當(dāng)粒徑增大時，體積電阻率降低
3) 根據(jù)上述結(jié)果，改變非晶碳基體的sp2/sp3比率
4) 根據(jù)上述結(jié)果，添加形成碳化合物或不形成碳化合物的第二金 屬，例如Ag。
由此可以獲得具有下述優(yōu)點的接觸層
a) 在寬范圍的接觸載荷(力)內(nèi)的低接觸電阻
b) 高耐磨性
c) 低摩擦
d) 高耐腐蝕性
e) 良好的高溫性能
f) 如上所述調(diào)節(jié)各種性質(zhì)的大的潛能圖2說明優(yōu)點a)，其中示出接觸電阻對接觸力的圖，A表示鍍M墊圏 的傳統(tǒng)接觸，B表示其中嵌入有納米晶體NbC的非晶^體的納米復(fù)合 膜。兩種涂層都相對Ag測量?？梢郧宄乜闯觯鶕?jù)本發(fā)明的接觸層相 對于傳統(tǒng)的接觸層在寬范圍的接觸載荷內(nèi)具有顯著降低的接觸電阻。特別 令人關(guān)注的是，在低載荷下接觸電阻就已經(jīng)低得多。
作為實例，可以提及的是，本發(fā)明的接觸元件中可能的納米復(fù)合膜可 以為Ti-C納米復(fù)合薄膜，該Ti-C納米復(fù)合薄膜具有14原子％ Ti至57原 子％ Ti之間的組成，厚度約0.2 [i m。這些膜含有^V在非晶碳相中的TiC 微晶。這兩相之間的關(guān)系在45原子％至95原子°/。非晶C-C-相之間變化。 在一個具體的實施方案中，納米復(fù)合膜的厚度為0.2nm，總組成為53原 子。/。Ti和47原子。/。C。這種膜含有非晶a體(其中約56原子％的碳被 結(jié)合)和TiC晶體(其中約44%的碳被結(jié)合)。微晶的直徑平均為13nm。
圖3圖示說明接觸裝置的例子，其中有利的是利用根據(jù)本發(fā)明的接觸 層涂敷至少一個接觸表面，以形成具有極低摩擦系數(shù)的自潤滑千接觸。該 實施方案涉及一種螺旋接觸裝置，其具有彈簧加載的環(huán)形體形式的接觸元 件5 (例如螺旋纏繞線環(huán))，適于與第一接觸構(gòu)件6 (例如內(nèi)套筒或銷)和 第二接觸構(gòu)件7 (例如外套筒或管)建立和維持電接觸。接觸元件5在接 觸狀態(tài)下被壓縮，使得其至少一個接觸表面8彈簧加載地貼靠第一接觸構(gòu) 件6的接觸表面9，并且第一接觸元件5的至少另一個接觸表面10彈簧加 載地貼靠第二接觸構(gòu)件7的至少接觸表面11。根據(jù)本發(fā)明的該實施方案， 接觸表面8 ~ 11中的至少一個完全或部分涂敷有根據(jù)本發(fā)明的包含納米復(fù) 合膜的接觸層。這種螺旋接觸裝置例如用于開關(guān)裝置中的斷電器。
圖4僅僅示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的電接觸裝置可以如何布置在斷路 器12中，所述斷路器12在兩個接觸元件14、 15的至少一個接觸表面上具 有納米復(fù)合膜形式的低摩擦膜13，所述納米復(fù)合膜含有非晶^體和^V 在該非晶^體中的金屬碳化物納米尺寸微晶，所述兩個接觸元件14、 15 可以彼此相對移動以在兩個接觸元件之間建立電接觸和實現(xiàn)接觸元件的 明顯斷路。
圖5示意性地說明根據(jù)本發(fā)明另一個實施方案的滑動電接觸裝置，其 中接觸元件16是變壓器的調(diào)壓開關(guān)的可移動部分，適于沿接觸件18滑動 與變壓器17的第二繞組形成電接觸，因此接觸件18形成接IWK用于由所述變壓器分接(tapping)所需的電壓水平。低摩擦膜19包含具有金屬 碳化物納米微晶的非晶a體，設(shè)置在接觸元件16的接觸表面上和/或接 觸構(gòu)件18上。以這種方式，接觸元件16可以容易地沿繞組移動，同時維 持對其的低電阻接觸。最后，圖6僅僅示意性地舉例說明用于繼電器20中的根據(jù)本發(fā)明另一 個實施方案的接觸裝置，可以為相對的接觸元件21、 22的一個或兩個接觸 表面提供根據(jù)本發(fā)明的低摩擦膜23,由于所述接觸層材料的特性，這將使 得接觸表面的磨損較小，并且使得它們耐腐蝕。圖7中舉例說明用于與半導(dǎo)體元件24形成良好電接觸的一種裝置，但 是為了清楚起見，堆疊布置并以高壓力壓在一起的不同構(gòu)件在圖中以空間 分離的方式顯示，所述壓力優(yōu)選超過lMPa，典型地為6-8MPa。所述堆疊 結(jié)構(gòu)的各個一半部分均包含Cu板形式的池形片(poolpiece) 25，用于與 半導(dǎo)體元件形成連接。每一個池形片都有納米復(fù)合薄膜26。半導(dǎo)體元件的 半導(dǎo)體材料例如Si、 SiC和金剛石的熱膨脹系數(shù)與Cu的熱膨脹系數(shù)有很 大不同(Si為2.2 x 107K, Cu為16x 1(T7K)，這意味著當(dāng)Cu板25和半 導(dǎo)體組件24的溫度改變時，其會彼此相對橫向移動。根據(jù)本發(fā)明的膜的低 摩擦使得可以省略所述疊層中的池形片與半導(dǎo)體元件之間的其他構(gòu)件，而 保持在熱循環(huán)時相互移動的趨勢，以避免在半導(dǎo)體元件中出現(xiàn)裂紋和/或避 免所述元件接觸表面的磨損。根據(jù)本發(fā)明的接觸元件和滑動電接觸裝置可以發(fā)現(xiàn)許多其它的優(yōu)選應(yīng) 用，在不偏離本發(fā)明的基本思想情況下，這些應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來 說是顯而易見的，如從屬權(quán)利要求中所限定。還要指出的是，其它過渡金屬可能比上述提到的那些更適于形成所述 的納米尺寸金屬碳化物微晶，以滿足不同應(yīng)用中對接觸層的不同要求。
權(quán)利要求
1.一種接觸元件，用于與接觸構(gòu)件形成電接觸從而使得電流能夠在所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件(2，6，7，18)之間流動，所述接觸元件(1，5，14，15，16，25)包括主體(3)，所述主體(3)具有至少一個涂敷有接觸層的適于貼靠所述接觸構(gòu)件的接觸表面，其特征在于所述接觸層(4)包含納米復(fù)合膜，所述納米復(fù)合膜具有非晶碳基體和嵌入所述非晶碳基體中的至少一種金屬碳化物的納米尺寸微晶，所述納米尺寸微晶的尺寸為1～100nm。
2. 權(quán)利要求l所述的接觸元件，其特征在于所述金屬為過渡金屬，即， 元素周期表3 ~ 12族的元素。
3. 權(quán)利要求2所述的接觸元件，其特征在于所述金屬為鈮或鈦。
4. 前述權(quán)利要求任一項所述的接觸元件，其特征在于所述膜僅僅包含一 種金屬。
5. 權(quán)利要求1~3中任一項所述的接觸元件，其特征在于所述膜包含至 少一種另外的第二金屬的碳化物的納米尺寸微晶。
6. 權(quán)利要求5所述的接觸元件，其特征在于所述第二金屬為過渡金屬。
7. 權(quán)利要求1 ~ 6任一項所述的接觸元件，其特征在于所述^t晶具有5 ~ 50nm的類似直徑的尺寸。
8. 權(quán)利要求1~3、 5、 6和7中任一項所述的接觸元件，其特征在于所 述基體還包含另外的第三金屬，所述第三金屬分布于嵌入所述基體碳并 相對于所述基體碳分散的相中。
9. 權(quán)利要求8所述的接觸元件，其特征在于所述另外的第三金屬為過渡 金屬。
10. 權(quán)利要求9所述的接觸元件，其特征在于所述另外的第三金屬為 Ag。
11. 權(quán)利要求1~3和5~10中任一項所述的接觸元件，其特征在于所述 碳化物微晶包含不形成碳化物或者弱形成碳化物的金屬的固溶體。
12. 權(quán)利要求11所述的接觸元件，其特征在于所述不形成碳化物或者弱 形成碳化物的金屬為元素周期表第7~12族的過渡金屬或者Al，或其組 合。
13. 前述權(quán)利要求任一項所述的接觸元件，其特征在于所述非晶碳基體 在所述非晶碳基體的碳原子之間具有高的sp2鍵/sp3鍵之比，所述比率 大于0.6。
14. 前述權(quán)利要求任一項所述的接觸元件，其特征在于所述膜的厚度為 0.05 ~ 10拜。
15. 前述權(quán)利要求任一項所述的接觸元件，其特征在于所述膜通過使用 氣相沉積技術(shù)沉積在所述主體上。
16. 權(quán)利要求15所述的接觸元件，其特征在于所述膜通過物理氣相沉積 (PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)沉積在所述主體上。
17. 權(quán)利要求1 ~ 14中任一項所述的接觸元件，其特征在于所述膜通過 溶液法，例如通過溶膠-凝膠法形成在所述主體上。
18. —種滑動電接觸裝置，即， 一種其中適合于彼此貼靠以建立電接觸 的兩個接觸表面在建立和/或斷開和/或維持所述接觸作用時可以彼此相 對滑動的接觸裝置，其特征在于所述裝置具有前述權(quán)利要求任一項所述 的接觸元件(l， 5, 14， 15， 16, 25)，所述接觸元件具有被設(shè)置用于 與接觸構(gòu)件形成低摩擦系數(shù)的干接觸的所述膜，所述摩擦系數(shù)小于0.3， 優(yōu)選小于0.2。
19. 權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于所述接觸構(gòu)件(2)也具有涂 敷有包含前述納米復(fù)合膜的前述接觸層的接觸表面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的裝置，其特征在于由于適于彼此貼靠 以建立所述電接觸的所述接觸元件(1)和所述接觸構(gòu)件(2)的表面部 分的材料的熱膨脹系數(shù)不同，當(dāng)所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件的溫度改 變時，所述接觸元件(1)和所述接觸構(gòu)件(2)的表面可以彼此相對移 動。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的接觸裝置，其特征在于所述接觸元件(1)和所述接觸構(gòu)件(2)適于彼此面對擠壓以建立所述接觸。
22、 根據(jù)權(quán)利要求18-21中任一項所述的裝置，其特征在于所述裝置包 含用于彈簧加載所述接觸元件(5)和所述接觸構(gòu)件(6) ^^其彼此貼靠 以形成所述電接觸的設(shè)備(7)。
23、 根據(jù)權(quán)利要求18-20中任一項所述的裝置，其特征在于所述裝置適 于在用于變壓器的調(diào)壓開關(guān)(17)中建立電接觸，用于形成對所述變壓 器的不同繞組線匝的接觸。
24、 根據(jù)權(quán)利要求18-21中任一項所述的裝置，其特征在于所述接觸元 件和所述接觸構(gòu)件屬于機(jī)械斷路器的兩個部件(25， 26)，所述兩個部 件(25， 26)可以彼此移動分離以斷開其兩個終端。
25、 根據(jù)權(quán)利要求18-21中任一項所述的裝置，其特征在于所述接觸元 件和所述接觸構(gòu)件屬于繼電器(20)中可以彼此相對移動的部件(21， 22 ),用以在所述繼電器運(yùn)行時在所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件之間建 立電接觸。
全文摘要
一種接觸元件(1)，用于與接觸構(gòu)件(2)形成電接觸，使得電流能夠在所述接觸元件和所述接觸構(gòu)件之間流動，所述接觸元件(1)包括具有至少一個涂敷有接觸層(4)的適于貼靠接觸構(gòu)件的接觸表面的主體(3)。所述接觸層包含納米復(fù)合膜，該鈉米復(fù)合膜具有非晶碳基體和嵌入該基體中的至少一種金屬碳化物的納米尺寸(即，1～100nm尺寸范圍)微晶。
文檔編號H01H1/021GK101223616SQ200680025749
公開日2008年7月16日 申請日期2006年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者烏爾夫·揚(yáng)松, 埃里克·萊溫, 奧拉·威廉松 申請人:Abb研究有限公司;因帕克特涂層有限公司