專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、特別是涉及在支撐襯底之上 形成諸如晶體管的半導(dǎo)體元件之后去除支撐襯底的半導(dǎo)體器件的制造 方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，通過(guò)在諸如玻璃襯底的剛性襯底之上形成半導(dǎo)體元件，供諸如LCD或有機(jī)EL顯示器的顯示器或諸如光電傳感器或太陽(yáng)能電 池的光電變換元件等使用的半導(dǎo)體器件已得到積極開(kāi)發(fā)。除此之外， 沒(méi)有接點(diǎn)的發(fā)射和接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件(也被稱為RFID (射頻識(shí) 別)標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、無(wú)線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或無(wú)線 芯片)也已得到積極開(kāi)發(fā)。另外，最近需要諸如薄膜狀態(tài)顯示器的柔 性器件或被嵌入紙內(nèi)的半導(dǎo)體器件，并且，減小厚度一直是重要的思 路。為了減小半導(dǎo)體器件的厚度，存在例如使用事先被減薄的襯底的 方法。但是，在這種情況下，出現(xiàn)襯底的翹曲等的問(wèn)題，或者，在處 理元件的過(guò)程中，出現(xiàn)由于應(yīng)力導(dǎo)致翹曲、難以操作、在光刻或印刷 步驟中無(wú)法對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。因此， 一般使用在襯底之上形成半導(dǎo)體元件 之后減薄或去除襯底的方法。作為用于減薄或去除村底的方法，存在例如通過(guò)磨削處理或拋光 處理或使用化學(xué)反應(yīng)的濕蝕刻去除支撐襯底(玻璃襯底)的技術(shù)(例 如，參見(jiàn)參考文獻(xiàn)l:日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2002-87844)。發(fā)明內(nèi)容但是，在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，通過(guò)磨削處理或拋光處理，由于器件的精度的限制和拋光的面內(nèi)不均勻性，因此存在減薄膜的限制，從而難以使得整個(gè)表面具有50nm或更小的厚度， 難以去除襯底。另外，當(dāng)襯底經(jīng)受磨削處理和拋光處理時(shí)，在襯底之 上設(shè)置的半導(dǎo)體元件產(chǎn)生應(yīng)力，由此具有損壞半導(dǎo)體元件的危險(xiǎn)。這 是因?yàn)?，隨著襯底變薄，半導(dǎo)體元件的應(yīng)力大大增加，因此難以通過(guò) 磨削處理或拋光處理去除襯底。另外，在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，通過(guò)化學(xué)處 理，以較高的產(chǎn)量并且均勻地僅去除襯底是極其困難的，因此存在執(zhí) 行處理占用太多的時(shí)間的問(wèn)題。鑒于以上的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供即使在在支撐襯底之上形 成半導(dǎo)體元件之后減薄或去除支撐襯底的情況下，也防止半導(dǎo)體元件 受損并提高其生產(chǎn)速度的半導(dǎo)體器件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟 在襯底的上表面之上形成多個(gè)元件組；形成絕緣膜以覆蓋多個(gè)元件組； 選擇性地在位于在多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之間的區(qū)域中的 絕緣膜中形成開(kāi)口以露出襯底；形成第一膜以覆蓋絕緣膜和開(kāi)口；通 過(guò)去除襯底露出元件組；形成第二膜以覆蓋露出的元件組的表面；和 在多個(gè)元件組之間切斷以不露出絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟 在襯底的上表面之上形成基底膜；在基底膜之上形成多個(gè)元件組；形 成絕緣膜以覆蓋多個(gè)元件組；選擇性地在位于在多個(gè)元件組中的兩個(gè) 相鄰的元件組之間的區(qū)域中的絕緣膜中形成開(kāi)口以露出襯底或基底 膜；形成第一膜以覆蓋絕緣膜和開(kāi)口；通過(guò)去除襯底露出基底膜；形 成第二膜以覆蓋露出的基底膜的表面；和在多個(gè)元件組之間切斷以不露出絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在以上的結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體器件的制造方 法中，通過(guò)從另一側(cè)減薄并然后通過(guò)使用化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)處理(化學(xué) 反應(yīng)處理(以下，也被簡(jiǎn)稱為化學(xué)處理))去除減薄的襯底，去除襯 底。注意，可以通過(guò)使用物理手段或具有化學(xué)手段的物理手段減薄襯底，并且，例如，可以使用磨削處理或拋光處理中的任一種或兩種?？梢酝ㄟ^(guò)將減薄的襯底浸入化學(xué)溶液中并對(duì)減薄的村底產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)執(zhí)行化學(xué)處理。即使在去除上面形成半導(dǎo)體元件的襯底的情況下，也可根據(jù)本發(fā) 明防止半導(dǎo)體元件受損。因此，可以提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)速度。


在附圖中，圖1A 1D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖2A 2D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的 示圖；圖3A 3C是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖4A和圖4B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子 的示圖；圖5A 5D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的 示圖；圖6A 6C是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖；圖7A和圖7B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子 的示圖；圖8A和圖8B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子 的示圖；圖9A和圖9B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子 的示圖；圖10A 10C是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子 的示圖；圖11A-11H是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖；圖12A-12D是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子 的示圖；圖13A和圖13B是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例 子的示圖；圖14是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子的示圖； 圖15A 15F是分別表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子 的示圖；圖16是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子的示圖。
具體實(shí)施方式
以下參照附圖解釋本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限于以下 的解釋，并且，很容易理解，各種變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái) 說(shuō)是十分明顯的。因此，除非這些變化和修改背離本發(fā)明的主旨和范 圍，否則它們應(yīng)被解釋為在此被包含。注意，在以下解釋的本發(fā)明的 結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖中都使用表示相同部分的相同的附圖標(biāo)記，并 且在一 些情況下省略其解釋。 (實(shí)施方式1)本實(shí)施方式將參照附圖解釋本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的例子。首先，在襯底101之上形成元件組102 (圖1A)。在本實(shí)施方式 中，在襯底101之上設(shè)置多個(gè)構(gòu)成半導(dǎo)體器件的元件組102。通過(guò)在 襯底101之上形成多個(gè)元件組102，可以從一個(gè)襯底制造多個(gè)半導(dǎo)體 器件，這是優(yōu)選的。作為襯底101,優(yōu)選使用在一個(gè)表面之上形成絕緣膜的玻璃襯底、 石英村底、金屬襯底或不銹鋼襯底或可在該過(guò)程中耐受處理溫度的耐 熱塑料襯底等。對(duì)于這種襯底101的面積或形狀沒(méi)有限制。因此，例 如只要一側(cè)為1米或更大的矩形襯底被用作襯底101，那么生產(chǎn)率可 大大提高。此外，也可使用諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯底。例如，元件組102包含諸如晶體管或二極管的半導(dǎo)體元件。作為 晶體管，可以設(shè)置在諸如玻璃的剛性襯底上形成的半導(dǎo)體膜被用作溝 道的薄膜晶體管(TFT)、襯底被用作溝道的諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯 底上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)或有機(jī)材料被用作溝道的有機(jī)TFT等。 另外，作為二極管，可以應(yīng)用諸如可變電容二極管、肖特基二極管和 隧道二極管的各種二極管。在本發(fā)明中，通過(guò)使用這些晶體管或二極 管等，可以設(shè)置包含CPU、存儲(chǔ)器、微處理器和諸如溫度傳感器、濕 度傳感器和生物傳感器的各種傳感器等的任意種類(lèi)的集成電路。并且， 作為元件組102，除了諸如晶體管的半導(dǎo)體元件以外，本發(fā)明還包括 具有天線的方式。元件組102具有天線的半導(dǎo)體器件可以通過(guò)在天線 中產(chǎn)生的AC電壓來(lái)操作，可以通過(guò)調(diào)制施加到天線上的AC電壓在 不與一件外部設(shè)備(讀取器/寫(xiě)入器)接觸的情況下發(fā)射和接收數(shù)據(jù)。 注意，天線可以與具有晶體管的集成電路一起形成，或者也可以在以 與集成電路分開(kāi)的方式形成之后與集成電路電連接。然后，形成絕緣膜103以覆蓋元件組102 (圖1B)。絕緣膜103 被i殳置在多個(gè)元件組102之上以及元件組之間，并用作元件組102的 保護(hù)膜。絕緣膜103可具有諸如氧化硅(SiOx )膜、氮化硅(SiNx )膜、 氧氮化硅(SiOxNY ) (X>Y )膜或氮氧化硅(SiNxOY ) ( X>Y )膜的 含氧和/或氮的絕緣膜、諸如DLC (類(lèi)鉆碳)膜的含碳的膜、諸如環(huán) 氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸樹(shù)脂 的有機(jī)材料或諸如硅氧烷樹(shù)脂的硅氧烷材料的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層 結(jié)構(gòu)。注意，硅氧烷材料與具有Si-O-Si鍵的材料對(duì)應(yīng)。硅氧烷具有 由硅(Si)和氧(O)的鍵形成的骨架。作為取代基，使用至少包含 氫的有機(jī)基團(tuán)(例如，烷基基團(tuán)或芳族烴)。作為替代基，也可以使 用氟基基團(tuán)(fluoro group)。作為替代方案，可以使用至少包含氫和 氟基基團(tuán)的有機(jī)基團(tuán)作為替代基。然后，在絕緣膜103中選擇性地形成開(kāi)口 104 (圖1C).通過(guò)用 激光照射多個(gè)元件組102之間的部分(這里是相鄰的元件組102之間的部分)或通過(guò)使用光刻方法選擇性地形成開(kāi)口 104。注意，開(kāi)口 104 在避開(kāi)元件組102的部分中形成，并且，這里，通過(guò)用激光照射元件 組之間的部分線性形成開(kāi)口 104。因此，優(yōu)選不通過(guò)形成開(kāi)口 104露 出元件組102。然后，形成膜105以覆蓋絕緣膜103和開(kāi)口 104 (圖1D)。當(dāng)包 含元件組102、絕緣膜103和膜105的層(以下被稱為元件形成層110 ) 與村底101分開(kāi)時(shí)，通過(guò)設(shè)置膜105防止元件形成層110變形 (transform),另外，這里優(yōu)選形成膜105以使其部分或完全填充開(kāi) 口 104。膜105可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯基(vinyl)、聚氟乙烯或聚 氯乙烯等制成的膜、多孔材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無(wú)機(jī)汽 相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹(shù)脂膜(丙烯酸基合成樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù) 脂基合成樹(shù)脂等)的層疊膜等。該膜通過(guò)經(jīng)受熱處理和壓力處理固定 到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過(guò)程中，設(shè)置在膜的最 上面的表面之上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑 層)通過(guò)熱處理熔化，以通過(guò)施加壓力被固定?？梢栽谀さ谋砻嬷?設(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固性樹(shù)脂、UV 硬化樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂基樹(shù)脂或樹(shù)脂添加劑的粘接劑的層對(duì)應(yīng)。用于密 封的膜優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如， 可以使用其中層疊粘接劑層、聚酯等的膜和硅石涂層的板材。因此， 這些膜的粘接劑層被設(shè)置為部分或完全填充開(kāi)口 104。另外，可以使用熱熔性粘接劑作為粘接劑層。熱熔性粘接劑是通 過(guò)使用不含水或溶液的不揮發(fā)的熱塑性材料形成的，并在室溫下保持 固態(tài)。熱熔性粘接劑是通過(guò)施加溶解狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)并使其冷卻將物 體固定在一起的化學(xué)物質(zhì)。并且，熱熔性粘接劑具有粘接時(shí)間短、無(wú) 污染、安全、衛(wèi)生、節(jié)能和成本低的優(yōu)點(diǎn)。由于熱熔性粘接劑在正常 溫度下保持固態(tài)，因此可以使用事先處理成膜形式或纖維形式的熱熔 性粘接劑。作為替代方案，可以使用事先在由聚酯等制成的基底膜之 上形成并然后被處理成膜形式的粘接劑層。這里使用在由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯制成的基底膜之上形成熱熔性膜的膜。通過(guò)使用軟化點(diǎn)比基 底膜的軟化點(diǎn)低的樹(shù)脂形成熱熔性膜。通過(guò)執(zhí)行熱處理，只有熱熔性 膜被溶解并變成橡膠態(tài)，使得溶解的熱熔性膜被固定到物體上。熱熔 性膜在冷卻時(shí)硬化。作為熱熔性膜，例如可以使用包含乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚酯、聚酰胺、熱塑性彈性體或聚烯烴等作為 其主要成分的膜。然后，通過(guò)用于對(duì)膜進(jìn)行減薄的手段107對(duì)襯底101進(jìn)行減薄(圖 2A)。這里，通過(guò)從要成為襯底106的襯底101的相對(duì)側(cè)(背面)減 薄上面形成元件組102的襯底101減薄襯底101。在減薄村底101的 情況下，優(yōu)選盡可能地減薄以減少隨后的步驟(通過(guò)化學(xué)處理蝕刻) 中的處理時(shí)間。但是，隨著襯底101變薄，襯底101可能由于施加到 元件形成層110上的應(yīng)力而受到損壞。因此，使得襯底106的厚度為 5~50,、優(yōu)選5~20,、更優(yōu)選5 10fxm。作為用于對(duì)膜進(jìn)行減薄的手段107，可以使用物理手段和具有化 學(xué)手段的物理手段，并且，例如可以使用磨削處理或拋光處理等。關(guān) 于磨削處理，通過(guò)使用磨石的晶粒磨削待處理物體的上表面(這里是 襯底IOI的背面)并使平滑化。關(guān)于拋光處理，通過(guò)塑性平滑加工或待處理物體的上^面平滑化。在執(zhí)行磨;j處理或拋光處理的情況下， 可以使用純凈水或拋光溶液等。另外，作為拋光處理，也可以使用CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)。在本實(shí)施方式中，對(duì)襯底101的背面執(zhí)行磨削處理，然后，對(duì)村 底101的背面執(zhí)行拋光處理，因此將襯底101減薄成襯底106。注意， 可以執(zhí)行磨削處理和拋光處理中的 一種。在執(zhí)行磨削處理或拋光處理 中的任一種或兩種的情況下，優(yōu)選盡可能多地減薄襯底101。但是， 隨著襯底101被減薄，元件形成層110可能受到應(yīng)力，因此存在由于 裂紋等而受損的擔(dān)心，一般地，如圖4A和圖4B所示，在在不i殳置開(kāi)口 104地在元件組 102之上形成絕緣膜103和膜105之后對(duì)襯底101執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下(圖4A)，當(dāng)元件形成層110受到應(yīng)力時(shí)，在元件組 102或絕緣膜103中產(chǎn)生裂紋111 (圖4B )。另一方面，在在本實(shí)施方式中說(shuō)明的制造方法中，在襯底101經(jīng) 受磨削處理或拋光處理之前的階段中，存在在多個(gè)元件組102 (這里 是相鄰的元件組102之間的部分)之間形成開(kāi)口 104的結(jié)構(gòu)。因此， 存在當(dāng)元件形成層110由于磨削處理或拋光處理受到應(yīng)力時(shí)被施加到 元件組102和絕緣膜103上的應(yīng)力被分散的優(yōu)點(diǎn)，因此不可能在元件 組102中產(chǎn)生裂紋。另外，當(dāng)產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，只要應(yīng)力被選擇性地施加 到設(shè)置到開(kāi)口 104上的膜105上就可有效抑制元件組102的損壞。因 此，在考慮覆蓋元件組102的絕緣膜103和膜105的材料時(shí)，例如優(yōu) 選用比元件組102或絕緣膜103更易于彎曲的材料形成膜105。用于膜105的材料優(yōu)選具有比元件組102或絕緣膜103更易于彎 曲的性能。例如，可以使用表現(xiàn)出彈性的材料或具有塑性的材料。注 意，在使用表現(xiàn)出彈性的材料的情況下，用于膜105的材料被設(shè)為具 有比用于絕緣膜103的材料低的彈性模量(應(yīng)力與應(yīng)變的比)。在使 用具有塑性的材料的情況下，用于膜105的材料被設(shè)為具有比在絕緣 膜103中設(shè)置的材料高的彈性。注意，這里彈性是指形狀或體積由于 外力而變化的物體在力被去除之后返回其原始條件的性能。另外，這 里塑性意味著易于通過(guò)外力變形并且即使在去除力之后也保持變形的 性能。另外，在使用具有玻璃轉(zhuǎn)變溫度的高分子量有機(jī)化合物等作為絕 緣膜103或膜105的情況下，用于膜105的材料被設(shè)為具有比用于絕 緣膜103的材料低的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)。具有較低的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料具有 比具有較高的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料高的粘彈性。因此，在設(shè)置具有較低 的玻璃轉(zhuǎn)變的材料和具有較高的玻璃轉(zhuǎn)變的材料的情況下，當(dāng)施加應(yīng) 力時(shí)，在具有較低的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料中選擇性地產(chǎn)生較大的應(yīng)力。 因此，可以抑制覆蓋有絕緣膜103的元件組102的損傷。然后，通過(guò)對(duì)襯底106執(zhí)行化學(xué)處理將其去除(圖2B)。作為化 學(xué)處理，通過(guò)使用化學(xué)溶液對(duì)待處理物體執(zhí)行化學(xué)蝕刻。這里，通過(guò)將襯底106和元件形成層110浸入化學(xué)溶液108中執(zhí)行襯底106的蝕 刻。只要可以去除襯底，那么可以采用任何化學(xué)溶液作為化學(xué)溶液 108,并且，例如，在使用玻璃襯底作為襯底101的情況下優(yōu)選使用含 有氫氟酸的溶液作為化學(xué)溶液108。注意，作為膜105,優(yōu)選使用不可 能與化學(xué)溶液108反應(yīng)的材料。另外，可以用不可能與化學(xué)溶液108 反應(yīng)的材料在襯底101和元件組102之間形成基底膜。在使用玻璃襯jA a idri " i a tn :S 、l々" A 、、直、在條磁士收甘土 岫,漆、'W ,f^V，V /A 71 J3L《j^^T雙,^'j /^4/3C,、玄Vi取敞甲付弄云你下，優(yōu)選向基底膜提供氮化物，例如，諸如氮化硅(SiNx)膜、氣氮 化硅(SiOxNY ) ( X>Y )膜或氮氧化硅(SiNxOY ) ( X>Y )膜的含氮 的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。注意，在以上的步驟中，可以通過(guò)磨削處理或拋光處理等去除襯 底101。但是，在以襯底101被減薄的狀態(tài)執(zhí)行磨削處理或拋光處理 的情況下，難以獲得均勻的薄膜，并且，由于施加到元件形成層110 上的應(yīng)力的產(chǎn)生導(dǎo)致受損的概率增加。另一方面，可以在不使用磨削 處理或拋光處理的情況下通過(guò)使用化學(xué)處理去除襯底101;但是，在 這種情況下，存在去除襯底101花費(fèi)很多時(shí)間并且生產(chǎn)速度降低的擔(dān) 心。并且，存在長(zhǎng)時(shí)間將元件形成層浸入化學(xué)溶液中給元件形成層110 帶來(lái)有害的效果的擔(dān)心。因此，在本發(fā)明中，在執(zhí)行磨削處理或拋光處理等并在一定程度 上減薄襯底101之后，通過(guò)使用化學(xué)處理去除減薄的襯底。因此，可 抑制施加到元件形成層上的應(yīng)力等，并且生產(chǎn)速度可提高。然后，在元件形成層110的一個(gè)表面(去除襯底IOI的表面)之 上形成膜109以對(duì)元件形成層110執(zhí)行密封處理(圖2C )。膜109可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯基(vinyl)、聚氟乙烯或聚 氯乙烯等制成的膜、多孔材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無(wú)機(jī)汽 相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹(shù)脂膜(丙烯酸基合成樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù) 脂基合成樹(shù)脂等)的層疊膜等。該膜通過(guò)經(jīng)受熱處理和壓力處理固定 到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過(guò)程中，設(shè)置在膜的最 上面的表面之上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過(guò)熱處理熔化，以通過(guò)施加壓力被固定?？梢栽谀さ谋砻嬷显O(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固性樹(shù)脂、UV 硬化樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂基樹(shù)脂或樹(shù)脂添加劑的粘接劑的層對(duì)應(yīng)。用于密 封的膜優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如， 可以使用其中層疊有粘接劑層、聚酯等的膜和硅石涂層的板材。另外，可以使用熱熔性粘接劑作為粘接劑層。熱熔性粘接劑是通 過(guò)使用不含水或溶液的不揮發(fā)的熱塑性材料形成的，并在室溫下保持 固態(tài)。熱熔性粘接劑是通過(guò)施加溶解狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)并使其冷卻將物 體固定在一起的化學(xué)物質(zhì)。并且，熱熔性粘接劑具有粘接時(shí)間短、無(wú) 污染、安全、衛(wèi)生、節(jié)能和成本低的優(yōu)點(diǎn)。由于熱熔性粘接劑在正常 溫度下保持固態(tài)，因此可以使用事先處理成膜形式或纖維形式的熱熔 性粘接劑。作為替代方案，可以使用事先在由聚酯等制成的基底膜之 上形成并然后被處理成膜形式的粘接劑層。這里使用在由聚對(duì)苯二甲 酸乙二酯制成的基底膜之上形成熱熔性膜的膜。通過(guò)使用軟化點(diǎn)比基 底膜的軟化點(diǎn)低的樹(shù)脂形成熱熔性膜。通過(guò)執(zhí)行熱處理，只有熱熔性 膜被溶解并變成橡膠態(tài)，使得溶解的熱熔性膜被固定到物體上。熱熔 性膜在冷卻時(shí)硬化。作為熱熔性膜，例如可以使用包含乙烯-醋酸乙 烯酯共聚物(EVA)、聚酯、聚酰胺、熱塑性彈性體或聚烯烴等作為 其主要成分的膜。然后，切割元件形成層110和膜109，并將設(shè)置在襯底101上的 多個(gè)元件組分成各個(gè)元件組(圖2D)。在分開(kāi)時(shí)優(yōu)選使得在不露出絕 緣膜103的情況下露出膜105和膜109。這是因?yàn)?，?dāng)絕緣膜103被 露出時(shí)，水分或雜質(zhì)元素混入絕緣膜103中，由此使元件組102的特 性劣化。一般地，如圖3A 3C所示，在在在不設(shè)置開(kāi)口 104的情況下在元 件組102之上形成絕緣膜103和膜105 (圖3A )并去除襯底101以形 成膜109 (圖3B )之后將設(shè)置在襯底101之上的多個(gè)元件組分成各個(gè) 元件組(圖3C)的情況下，存在在側(cè)面露出絕緣膜103的結(jié)構(gòu)。另一 方面，使得通過(guò)使用在本實(shí)施方式中說(shuō)明的制造方法獲得的半導(dǎo)體器件具有在去除襯底101之前的階段在多個(gè)元件組102之間形成開(kāi)口104以向開(kāi)口提供膜105的結(jié)構(gòu)。因此，如圖2D所示，可存在元件組102和絕緣膜103在被分成各個(gè)元件時(shí)覆蓋有膜105和膜109的結(jié)構(gòu)。具體而言，在該結(jié)構(gòu)中，元件組102覆蓋有絕緣膜103和膜109而不被露出，并且絕緣膜103覆蓋有膜105和膜109而不被露出。因此，抑制水分或雜質(zhì)元素進(jìn)入元件組102和絕緣膜103中，并且，可提高 半導(dǎo)體器件的可靠性。通過(guò)以上步驟，可形成半導(dǎo)體器件。 (實(shí)施方式2)本實(shí)施方式參照附圖解釋與上面的實(shí)施方式不同的半導(dǎo)體器件的 制造方法。具體地，將參照附圖解釋包含薄膜晶體管、存儲(chǔ)元件和天 線的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法。首先，在襯底201的一個(gè)表面之上形成要成為基底(base)的絕 緣膜202，并且在絕緣膜202之上形成半導(dǎo)體膜203 (圖5A)。注意， 可連續(xù)形成絕緣膜202和半導(dǎo)體膜203。作為襯底201,優(yōu)選使用在一個(gè)表面之上形成絕緣膜的玻璃襯底、 石英襯底、金屬襯底或不銹鋼襯底或可在該過(guò)程中耐受處理溫度的耐 熱塑料襯底等。對(duì)于這種襯底201的面積或形狀沒(méi)有限制，因此例如 只要一側(cè)為1米或更大的矩形襯底被用作襯底201，那么生產(chǎn)率可大 大提高。此外，也可使用諸如Si襯底的半導(dǎo)體襯底?？梢杂弥T如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅 (SiOxNY ) ( X>Y )膜或氮氧化硅(SiNxOY ) ( X>Y )膜的含氧和/ 或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)，通過(guò)CVD方法或?yàn)R射 方法等設(shè)置絕緣膜202。當(dāng)要成為基底的絕緣膜具有二層結(jié)構(gòu)時(shí)，例 如，優(yōu)選形成氮氧化硅膜作為第一層并形成氧氮化硅膜作為笫二層。 當(dāng)要成為基底的絕緣膜具有三層結(jié)構(gòu)時(shí)，例如，優(yōu)選形成氧化硅膜作 為第 一層、形成氮氧化硅膜作為第二層并形成氧氮化硅膜作為第三層。 作為替代方案，優(yōu)選形成氣氮化硅膜作為第一層、形成氮氧化硅膜作 為第二層并形成氧氮化硅膜作為第三層。要成為基底的絕緣膜用作防止雜質(zhì)進(jìn)入襯底201的阻擋膜。可以用非晶半導(dǎo)體或半晶半導(dǎo)體(SAS)形成半導(dǎo)體膜203。作 為替代方案，可以使用多晶半導(dǎo)體膜。SAS具有非晶結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu) (包含單晶和多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)和自由能穩(wěn)定的第三狀態(tài)，并且 SAS包含具有短程有序和晶格畸變的晶體區(qū)域。在該膜的某一區(qū)域的 至少一部分中，可觀察到0.5~20nm的晶體區(qū)域。在包含硅作為主成 分的情況下，拉曼光鐠偏移到比520cnT1低的波數(shù)側(cè)。在X射線衍射 中觀察到由硅的晶格導(dǎo)致的(111)或(220)的衍射峰。包含至少1 原子％或更多的氫或卣素以終止不飽和鍵。通過(guò)對(duì)含硅氣體執(zhí)行輝光 放電分解(等離子CVD)形成SAS。給出SiH4作為含硅氣體。另夕卜， 也可以使用Si2H6、 SiH2Cl2、 SiHCl" SiCI4或SiF4等作為含硅氣體。 另外，也可以混合GeF4。可以用H2或H2和He、 Ar、 Kr和Ne的一 種或更多種稀有氣體元素稀釋含硅氣體。其稀釋比可以為2~1000倍； 壓力為約0.1~133Pa;電源頻率為1 120MHz、優(yōu)選為13 60MHz;襯 底加熱溫度為300。C或更低。作為膜中的雜質(zhì)元素的諸如氫、氮或碳 的大氣組成雜質(zhì)的濃度優(yōu)選為lxlO"原子/cn^或更低；具體地，氧的 濃度為5xl0"原子/cn^或更低、優(yōu)選lxlO"原子/cn^或更低。這里， 通過(guò)使用濺射方法或CVD方法等、以含硅(Si)氣體作為其主成分(諸 如SixGe^x)以25~200nm的厚度(優(yōu)選以30~150nm的厚度)形成非 晶半導(dǎo)體膜。然后，通過(guò)用諸如激光結(jié)晶方法、使用RTA或退火爐的熱結(jié)晶 方法或使用促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素的熱結(jié)晶方法等的結(jié)晶方法使非晶半 導(dǎo)體膜203結(jié)晶形成晶體半導(dǎo)體膜。另外，也可以通過(guò)通過(guò)施加DC 偏壓產(chǎn)生熱等離子并將熱等離子施加到半導(dǎo)體膜上執(zhí)行半導(dǎo)體膜的結(jié) 晶。然后，將獲得的半導(dǎo)體膜蝕刻成希望的形狀以形成晶體半導(dǎo)體膜 203a 203f，并且形成柵絕緣膜204以覆蓋半導(dǎo)體膜203a 203f(圖5B ),以下簡(jiǎn)要解釋半導(dǎo)體膜203a 203f的制造過(guò)程的例子。首先，通 過(guò)使用等離子CVD方法形成66nm厚的非晶半導(dǎo)體膜。然后，在在非 晶半導(dǎo)體膜上保持含有作為促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素的鎳的溶液之后，通過(guò)對(duì)非晶半導(dǎo)體膜執(zhí)行脫氫處理(在500。C下處理1小時(shí))和熱結(jié)晶 處理(在550。C下處理4小時(shí))形成晶體半導(dǎo)體膜。然后，如果有必 要，用激光照射晶體半導(dǎo)體膜，并且通過(guò)使用光刻方法形成晶體半導(dǎo) 體膜203a 203f。在用激光結(jié)晶方法形成晶體半導(dǎo)體膜的情況下，可以使用連續(xù)波 激光束(CW激光束)或脈沖波激光束(脈沖激光束)。作為這里可 使用的激光束，可以使用從諸如Ar激光器、Kr激光器和準(zhǔn)分子激光 器的氣體激光器、YAG激光器、YV04激光器、鎂橄欖石(Mg2Si04)、 YA103激光器和GdV04激光器的單晶或摻雜有作為摻雜劑的Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm和Ta中的一種或更多種的YAG、 Y203、 YV04、 YA103和GdV04的多晶(陶資)、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石 激光器、Ti:藍(lán)寶石激光器、銅蒸汽激光器和金蒸汽激光器中的一個(gè)或更多個(gè)振蕩的激光束。通過(guò)除了以上激光束的基諧波以外還發(fā)射基波 的第二到第四波的激光束，可以獲得具有較大的晶粒尺寸的晶體。例如，可以使用Nd:YV04激光(基波，1064nm)的二次諧波(532nm ) 或三次諧波(355nm)。此時(shí)，激光需要約0.01 100MW/cm2 (優(yōu)選 為約0.1 10MW/cm2)的功率密度。激光在約10~2000cm/sec的掃描 速度下被發(fā)射。注意，可以連續(xù)振蕩使用YAG、 YV04、鎂橄欖石 (Mg2Si04) 、 YA103或GdV04的單晶或摻雜有作為摻雜劑的Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm和Ta中的一種或更多種的YAG、 Y203、 YV04、 YA103或GdV04的多晶(陶乾)、Ar離子激光器或Ti:藍(lán)寶 石激光器作為介質(zhì)的激光。并且，可以通過(guò)執(zhí)行Q開(kāi)關(guān)操作或模式同 步等用10MHz或更大的振蕩頻率執(zhí)行其脈沖振蕩。當(dāng)用10MHz或更 大的重復(fù)頻率振蕩激光束時(shí)，在半導(dǎo)體膜被激光束熔化并然后固化的 過(guò)程中，半導(dǎo)體膜被下一個(gè)脈沖照射。因此，與使用具有較低的重復(fù) 頻率的脈沖激光器的情況不同，固液界面可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)移動(dòng)， 使得可獲得向掃描方向連續(xù)生長(zhǎng)的晶粒。另外，使用用于促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶的優(yōu)點(diǎn) 是可以在短時(shí)間內(nèi)在較低的溫度下執(zhí)行結(jié)晶并且晶體的方向變得十分均勻，同時(shí)存在這樣一種問(wèn)題，即，由于截止電流(off current)因 金屬元素在晶體半導(dǎo)體膜中的殘留而增加，因此性能是不穩(wěn)定的。因 此，優(yōu)選在晶體半導(dǎo)體膜之上形成用作吸氣點(diǎn)(gettering site)的非 晶半導(dǎo)體膜。為了形成吸氣點(diǎn)，要求非晶半導(dǎo)體膜包含諸如磷或氬的 雜質(zhì)元素，因此優(yōu)選通過(guò)可使得以高濃度包含氬氣的濺射方法形成非 晶半導(dǎo)體膜。然后，執(zhí)行熱處理(RTA方法或使用退火爐的熱退火等) 以將金屬元素?cái)U(kuò)散到非晶半導(dǎo)體膜中，并且含有金屬元素的非晶半導(dǎo) 體膜被去除。因此，可減少或去除晶體半導(dǎo)體膜中的金屬元素的含量。 通過(guò)CVD方法或?yàn)R射方法等、通過(guò)包含硅的氧化物或硅的氮化 物的膜的單層或疊層形成柵絕緣膜204。具體地，以單層結(jié)構(gòu)形成或 通過(guò)層疊形成包含氧化硅的膜、包含氧氮化硅的膜或包含氮氧化硅的 膜。另外，也可以通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體膜203a 203f的氧化物或氮化物表面 執(zhí)行高濃度等離子處理形成柵絕緣膜204。例如，通過(guò)引入諸如He、 Ar、 Kr或Xe的稀有氣體和氧氣、氧化氮(N02)、氨氣、氮?dú)夂蜌?氣等的混合氣體的等離子處理形成柵絕緣膜204。在這種情況下，當(dāng) 通過(guò)引入微波執(zhí)行等離子的激發(fā)時(shí)，可以在較低的電子溫度下產(chǎn)生高 濃度等離子。半導(dǎo)體膜的表面可被由該高濃度等離子產(chǎn)生的氧根(可 包含OH根)或氮根(可包含NH根)氧化或氮化。通過(guò)這種使用高濃度等離子的處理，在半導(dǎo)體膜之上形成厚度為 l~20nm、 一般為5~10nm的絕緣膜。由于這種情況下的反應(yīng)是固相反 應(yīng)，因此可使得絕緣膜和半導(dǎo)體膜之間的界面狀態(tài)濃度極低。在這種 高濃度等離子處理中，由于半導(dǎo)體膜(晶體硅或多晶硅)被直接氧化 (或氮化)，因此可十分理想地使得形成的絕緣膜的厚度的變化極小。 另外，由于晶體硅的晶粒邊界中的半導(dǎo)體膜沒(méi)有被氧化太多，因此可 獲得極希望的狀態(tài)。換句話說(shuō)，在這里說(shuō)明的高濃度等離子處理中， 通過(guò)半導(dǎo)體膜表面的固相氧化，可以在不過(guò)量氧化晶粒邊界的情況下 形成具有有利的均勻性和較低的界面狀態(tài)濃度的絕緣膜。關(guān)于柵絕緣膜，可僅使用由高濃度等離子處理形成的絕緣膜。作為替代方案，可以通過(guò)使用等離子或熱反應(yīng)的CVD方法將氧化硅、 氧氮化硅或氮化硅等的絕緣膜淀積或?qū)盈B為絕緣膜。在任意情況下， 在包含由高濃度等離子形成的絕緣膜作為柵絕緣膜的一部分或全部的 晶體管中特性變化可減小。并且，通過(guò)在用連續(xù)波激光束或以10MHz或更大的頻率振蕩的 激光束照射的同時(shí)沿一個(gè)結(jié)晶方向掃描半導(dǎo)體膜獲得的半導(dǎo)體膜 203a 203f具有晶體沿射束的掃描方向生長(zhǎng)的特性?？梢酝ㄟ^(guò)配置晶 體管使得掃描方向與溝道長(zhǎng)度方向(當(dāng)形成溝道形成區(qū)域時(shí)栽流子的 流動(dòng)方向)對(duì)準(zhǔn)并通過(guò)組合以上的柵絕緣膜獲得特性變化減小并且場(chǎng) 效應(yīng)遷移率較高的晶體管(TFT)。然后，在柵絕緣膜204之上層疊第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。通過(guò) 等離子CVD方法或?yàn)R射方法等形成第一導(dǎo)電膜以使其具有20~100nm 的厚度。通過(guò)等離子CVD方法或?yàn)R射方法等形成第二導(dǎo)電膜以使其 具有100~400nm的厚度。用鉭(Ta )、鴒(W )、鈥(Ti)、鉬(Mo )、 鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等的元素或包含該元素 作為其主成分的合金材料或化合物材料形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為替代方案，用以摻雜有諸如磷的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的 半導(dǎo)體材料形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合的例子，可以舉出氮化鉭(TaN)膜和鎢(W)膜、氮化 鵠(WN)膜和鵠膜和氮化鉬(MoN)膜和鉬(Mo)膜等。由于鴒和 氮化鉭具有較高的耐熱性，因此可以在形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜 之后執(zhí)行用于熱激活的熱處理。在不是二層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況 下，優(yōu)選使用鉬膜、鋁膜和鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。然后，通過(guò)使用光刻方法形成光刻膠掩模，并執(zhí)行用于形成柵電 極和柵線的蝕刻處理以形成用作柵電極的導(dǎo)電膜(以下，稱為柵電極 205)。這里，柵電極205具有層疊以上材料中的任意材料的結(jié)構(gòu)。然后，通過(guò)光刻方法形成光刻膠掩模，并且通過(guò)離子摻雜方法或 離子注入方法以較低的濃度將賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo) 體膜203b、 203c、 203e和203f以形成N型雜質(zhì)區(qū)域206。作為賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，優(yōu)選使用屬于第15族的元素，例如使用褲(P) 或砷(As )。然后，通過(guò)光刻方法形成光刻膠掩;^，并且將賦予P型導(dǎo)電性的 雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜203a和203d以形成P型雜質(zhì)區(qū)域207。作 為賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，例如使用硼(B)(圖5C)。然后，形成絕緣膜以覆蓋柵絕緣膜204和柵電極205。用包含諸脂的有機(jī)材料的膜的^層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)通過(guò)等離;CVD方法或?yàn)R 射方法等形成絕緣膜.然后，通過(guò)主要沿垂直方向執(zhí)行蝕刻的各向異 性蝕刻選擇性地蝕刻絕緣膜，以形成與柵電極205的側(cè)面接觸的絕緣 膜(也被稱為側(cè)壁)208。與絕緣膜208的制造同時(shí)，蝕刻?hào)沤^緣膜 204以形成絕緣膜210。絕緣膜208在隨后形成源極和漏極區(qū)的過(guò)程中 被用作用于摻雜的掩模。然后，使用由光刻方法形成的光刻膠掩模和絕緣膜208作為掩模， 將賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜203b、 203c、 203e和 203f以形成第一N型雜質(zhì)區(qū)域209a (也被稱為L(zhǎng)DD (輕摻雜漏極) 區(qū)域)和第二N型雜質(zhì)區(qū)域209b。在第一N型雜質(zhì)區(qū)域209a中包含 的雜質(zhì)元素的濃度比第二N型雜質(zhì)區(qū)域209b中的低。通過(guò)以上步驟， 完成N型薄膜晶體管230b、 230c、 230e和230f以及P型薄膜晶體管 230a和230d (圖5D )。注意，為了形成LDD區(qū)域，存在在蝕刻或執(zhí)行各向異性蝕刻等 時(shí)，用形成為兩個(gè)層或更多個(gè)層的柵電極的低導(dǎo)電膜作為柵極的掩模， 以提供錐形的柵電極的技術(shù)，和用作為側(cè)壁的絕緣膜作為掩模的技術(shù)。 通過(guò)使用前一種技術(shù)形成的薄膜晶體管具有LDD區(qū)域被設(shè)置為與柵 電極交迭使得在其間插入柵絕緣膜的結(jié)構(gòu)。但是，為了利用蝕刻或各 向異性蝕刻以在該結(jié)構(gòu)中提供錐形的柵電極，難以控制LDD區(qū)域的 寬度，并且，只要優(yōu)選不執(zhí)行蝕刻步驟，就在一些情況下不能形成LDD 區(qū)域。另一方面，通過(guò)使用作為側(cè)壁的絕緣膜作為掩模的后一種技術(shù)， 與前一種技術(shù)相比，可更確定地形成LDD區(qū)域。隨后，形成絕緣膜的單層或疊層以覆蓋薄膜晶體管230a 230f(圖聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙^酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂或硅ft!烷的有機(jī)材料等 的單層或疊層通過(guò)SOG方法或液滴排出方法等形成覆蓋薄膜晶體管 230a 230f的絕緣膜。例如，在覆蓋薄膜晶體管230a 230f的絕緣膜具 有三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成包含氧化硅的膜作為笫一層的絕緣膜 211、形成包含樹(shù)脂的膜作為第二層的絕緣膜212并形成包含氮化硅的 膜作為第三層的絕緣膜213。注意，優(yōu)選在形成絕緣膜211-213之前或形成絕緣膜211 213中 的一個(gè)或多個(gè)之后執(zhí)行用于恢復(fù)半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性、激活添加到半導(dǎo) 體膜中的雜質(zhì)元素或使半導(dǎo)體膜氫化的熱處理。優(yōu)選通過(guò)施加熱退火 方法、激光退火方法或RTA方法等執(zhí)行熱處理。然后，通過(guò)光刻方法選擇性地蝕刻絕緣膜211 213以形成露出半 導(dǎo)體膜203a 203f的接觸孔。隨后，形成導(dǎo)電膜以使其填充接觸孔。 導(dǎo)電膜被構(gòu)圖為形成用作源極和漏極布線的導(dǎo)電膜214。用鋁(A1)、鵠(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、 柏(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈮(Nb )、 碳(C )和硅(Si)的元素或包含該元素作為其主要成分的合金材料或 化合物材料的單層或疊層通過(guò)CVD方法或?yàn)R射方法等形成導(dǎo)電膜 214。包含鋁作為其主要成分的合金材料與例如包含作為其成分的鋁和 鎳的材料或包含作為其主要成分的鋁、鎳和碳或硅中的任一種或兩種 的合金材料對(duì)應(yīng)。導(dǎo)電膜214可具有例如阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜和 阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)或阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦(TiN)膜和 阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋膜與鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化 物的薄膜對(duì)應(yīng)。鋁和鋁硅具有較低的電阻并且較為便宜，它們是導(dǎo)電 膜214的材料的最佳選項(xiàng)。當(dāng)設(shè)置上下阻擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅 的隆起(hillock)的產(chǎn)生。通過(guò)形成作為具有較高的還原性的元素的 鈦的阻擋膜，即使當(dāng)在晶體半導(dǎo)體膜之上形成較薄的自然氧化物膜時(shí)， 自然氧化物膜也可減少，使得可以形成與晶體半導(dǎo)體膜的有利的接觸。然后，形成絕緣膜215以覆蓋導(dǎo)電膜214 (圖6B)。通過(guò)SOG 方法、液滴排出方法或諸如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷(gravure printing )方法的印刷方法，用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料的單層或疊層形成 絕緣膜215。另外，形成的絕緣膜215優(yōu)選具有0.75 3nm的厚度。隨后，通過(guò)光刻方法蝕刻絕緣膜215以形成在薄膜晶體管230a、 230c、 230d和230f中露出導(dǎo)電膜214的接觸孔。然后，形成導(dǎo)電膜 以使其填充接觸孔。通過(guò)使用等離子CVD方法或?yàn)R射方法等由導(dǎo)電 材料形成導(dǎo)電膜。然后，對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成導(dǎo)電膜216a 216d。 注意，導(dǎo)電膜216b和216d中的每一個(gè)用作在后面形成的存儲(chǔ)元素中 包含的一對(duì)導(dǎo)電膜中的一個(gè)。因此，優(yōu)選用鈦或包含鈦?zhàn)鳛槠渲饕?成的合金材料或化合物材料的單層或疊層形成導(dǎo)電膜216b和216d。 鈦具有較低的電阻，這導(dǎo)致存儲(chǔ)元件的尺寸的減小并實(shí)現(xiàn)更高的集成 度。在用于形成導(dǎo)電膜216a 216d的光刻步驟中，優(yōu)選執(zhí)行濕蝕刻處 理以不致?lián)p壞下面的薄膜晶體管230a 230f，并且優(yōu)選使用氟化氫 (HF)或過(guò)氧化氨作為蝕刻劑。然后，形成絕緣膜217以覆蓋導(dǎo)電膜216a 216d的端部。通過(guò)SOG膜217。另外，形成的絕緣膜217優(yōu)選具有0.75~3nm的厚度。然后，與導(dǎo)電膜216a和216c接觸形成用作天線的導(dǎo)電膜218(圖 6C)。通過(guò)CVD方法、濺射方法、印刷方法或液滴排出方法等由導(dǎo) 電材料形成導(dǎo)電膜218。優(yōu)選地，用鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、 銅(Cu)和金(Au)的元素或包含該元素作為其主要成分的合金材料 或化合物材料的單層或疊層形成導(dǎo)電膜218。具體地，通過(guò)通過(guò)絲網(wǎng) 印刷方法使用含銀漿料并且然后在50~350。C的溫度下執(zhí)行熱處理形 成導(dǎo)電膜218。注意，可以通過(guò)在優(yōu)選的熱處理的時(shí)間施加壓力獲得 具有優(yōu)選的特性的天線。作為替代方案，通過(guò)通過(guò)濺射方法形成鋁膜 并對(duì)鋁膜進(jìn)行構(gòu)圖形成導(dǎo)電膜218。優(yōu)選通過(guò)濕蝕刻處理對(duì)鋁膜進(jìn)行 構(gòu)圖，并且，在濕蝕刻處理之后，優(yōu)選在200 300。C的溫度下執(zhí)行熱 處理。然后，形成用作存儲(chǔ)元件的有機(jī)化合物層219以使其與導(dǎo)電膜 216b和216d接觸(圖7A)。性能或狀態(tài)通過(guò)電效應(yīng)、光效應(yīng)或熱效 應(yīng)等改變的材料可被用作用于存儲(chǔ)元件的材料。例如，可以使用性能 或狀態(tài)通過(guò)由焦耳熱或電介質(zhì)擊穿等導(dǎo)致的熔化而改變以導(dǎo)致上電極 和下電極短路的材料。因此，用于存儲(chǔ)元件的層(這里是有機(jī)化合物 層)的厚度優(yōu)選為5 100nm、更優(yōu)選10~60nm。這里，通過(guò)液滴排出方法、旋涂方法或汽相淀積方法等形成有機(jī) 化合物層219。隨后，形成導(dǎo)電膜220以使其與有機(jī)化合物層219接 觸。通過(guò)濺射方法、旋涂方法、液滴排出方法或汽相淀積方法等形成 導(dǎo)電膜220。通過(guò)以上的步驟，完成包含導(dǎo)電膜216b、有機(jī)化合物層219和導(dǎo) 電膜220的疊層體的存儲(chǔ)元件部分23la和包含導(dǎo)電膜216d、有機(jī)化 合物層219和導(dǎo)電膜220的疊層體的存儲(chǔ)元件部分231b。注意，由于有機(jī)化合物層219的熱阻不高，因此以上的制造步驟 的特征是在形成用作天線的導(dǎo)電膜218的步驟之后執(zhí)行形成有機(jī)化合 物層219的步驟。作為用于有機(jī)化合物層的有機(jī)材料，例如，可以使用諸如4，4 -二[TV- (1-萘基)-TV-苯基-氛基]-聯(lián)苯(縮寫(xiě)-NPD ) 、 4，4 -二[TV-(3-甲苯基)-W-苯基-氨基l-聯(lián)苯(縮寫(xiě)TPD) 、 4，4，4 -三(AyV-聯(lián) 苯-氨基)-三苯胺(縮寫(xiě)TDATA) 、 4，4，4 -三[(A^(3-甲苯基)-7V-苯基 -苯基-三苯胺(縮寫(xiě)MTDATA )或4，4 -:(;V-4(iV，iV-di-m-tolylamino) 苯基)-iV-苯氛基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)DNTPD)的芳族胺基化合物(即，具 有苯環(huán)-氮鍵的化合物)、聚乙烯呻唑(縮寫(xiě)PVK)或諸如酞華(縮 寫(xiě)H2Pc)、銅酞胥(縮寫(xiě)CuPc)或氧釩酞普(縮寫(xiě)VOPc)的 酞著化合物等。這些材料具有較高的空穴傳輸性能。此外，可以使用由諸如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫(xiě)Alq3)、三(4-曱基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫(xiě)Almq3)、 二(10-羥基苯基[W-quinolinato) 鈹(縮寫(xiě)B(tài)eBq2)或二(2-甲基-8-羥基會(huì)啉)-4-聯(lián)苯氧基-鋁(縮寫(xiě) BAlq )的具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物等形成的材料或由諸如二2-(2 -羥基苯基)苯并惡唑鋅(縮寫(xiě)Zn(BOX)2)或二 [2-(2 -羥基苯基)苯并噻唑I鋅(縮寫(xiě)Zn(BTZ)2)的具有惡唑基或 噻唑基配位體的金屬絡(luò)合物等形成的材料等。這些材料具有較高的電 子傳輸性能。可以使用諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4々W-丁苯基)-l，3，4-惡二唑(縮寫(xiě) PBD ) 、 1，3-bis5-(4々W-丁苯基)-l，3，4-惡二唑-2-ylI苯(縮寫(xiě)OXD-7 )、 3-(4-teW-丁苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-l，2，4-三唑(縮寫(xiě)TAZ )、3- (4勿/- 丁苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4畫(huà)聯(lián)苯基)-l，2，4-三唑(縮寫(xiě) p-EtTAZ)、紅菲繞啉(縮寫(xiě)B(tài)Phen)、或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-l，10-鄰二氮雜菲 (bathoc叩roin，縮寫(xiě)B(tài)CP)的金屬絡(luò)合物以外的化合 物等。有機(jī)化合物層可具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。在疊層結(jié)構(gòu)的情況下， 材料可選自上述材料以形成疊層結(jié)構(gòu)。并且，以上的有機(jī)材料和發(fā)光 材料可被層疊。作為發(fā)光材料，可以使用4-二泉亞曱基-2-甲基 -6-l2-(l，l，7，7-四甲基久洛尼定-9-yl)乙烯基卜4i7-吡喃(縮寫(xiě)DCJT )、4- 二氰亞甲基-2-/- 丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-yl)乙烯 基-4H-吡喃、periflantheiie、 1，4-二[2-(10-甲氧基)-(1,1，7，7-四甲基久 洛尼定-9-yl)乙烯基l-2，5-二氛基苯、7V，iV -二甲基喹吖啶酮(dimethylquinacridone )(縮寫(xiě)DMQd )、香豆素6、香豆素545T、 三(8-羥基會(huì)啉)鋁(縮寫(xiě)Alq3) 、 9，9 -binathryl、 9，10-聯(lián)苯蒽(diphenylanthracene )(縮寫(xiě):DPA ) 、 9，10-二 ( 2-萘基)蒽(縮寫(xiě): DNA)或2，5，8,11-四-t-buthylperylene (縮寫(xiě):TBP )等?？梢允褂闷渲蟹稚⒁陨系陌l(fā)光材料的層。在其中分散以上的發(fā)光 材料的層中，可以使用諸如9，10-二(2-萘基)-2々W-丁基蒽(縮寫(xiě) t-BuDNA)的蒽衍生物、諸如4，4 -di(N-呻唑基)聯(lián)苯(縮寫(xiě)CPB) 的呼唑衍生物或諸如二口-(2 -羥苯基)吡啶l鋅(縮寫(xiě)Z叩pJ或二2-(2 -羥苯基)benzoxazolatol鋅(縮寫(xiě)ZnBOX)的金屬絡(luò)合物等作 為基材。另夕卜，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫(xiě)Alq3)、 9，10-二 ( 2-萘基)蒽(縮寫(xiě)DNA)或二(2-曱基-8-羥基喹啉)-4-聯(lián)苯氧基-鋁(縮寫(xiě)B(tài)Alq)等。這些有機(jī)材料通過(guò)熱效應(yīng)等改變其性能，因此其玻璃轉(zhuǎn)變溫度 (Tg)優(yōu)選為50~300。C、更優(yōu)選為80~120°C。另外，可以使用金屬氣化物與有機(jī)材料或發(fā)光材料混合的材料。 注意，混合金屬氧化物的材料包含金屬氧化物與以上的有機(jī)材料或以 上的發(fā)光材料混合或?qū)盈B的狀態(tài)。具體地，它指示通過(guò)使用多個(gè)蒸發(fā) 源的共蒸發(fā)方法形成的狀態(tài)，這種材料可指的是有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合材料。例如，在將具有較高的空穴傳輸性能的物質(zhì)與金屬氧化物混合的 情況下，優(yōu)選使用氧化釩、氣化鉬、氧化鈮、氧化錸、氣化鵠、氣化 釕、氧化鈦、氣化鉻、氧化鋯、氧化鉿或氣化鉭作為金屬氣化物。在將具有較高的電子傳輸性能的物質(zhì)與金屬氧化物混合的情況 下，優(yōu)選使用氧化鋰、氧化鈣、氣化鈉、氧化鉀或氧化鎂作為金屬氧 化物?？蓪?duì)于有機(jī)化合物層使用性能通過(guò)電效應(yīng)、光效應(yīng)或熱效應(yīng)改變 的材料，因此例如，可以使用摻有通過(guò)吸收光產(chǎn)生酸的化合物(光酸 產(chǎn)生劑，photoacid generator)的共輒高分子化合物。作為共扼高分 子化合物，可以使用聚乙炔、聚苯撐乙烯撐(polyphenylene vinylene )、 聚噻吩、聚苯胺或聚苯撐乙炔撐(polyphenylene ethynylene )等。作 為光酸產(chǎn)生劑，可以使用芳基锍鹽(aryl sulfonium salt)、芳基碘翁 鹽(aryl iodonium salt) 、 o-硝基節(jié)基甲苯磺酸鹽、芳基磺酸p-硝基 千基酯、磺酰乙酰苯或Fe-芳烴絡(luò)合物PF6鹽等。注意，這里說(shuō)明使用有機(jī)化合物材料作為存儲(chǔ)元件部分231a和 231b的例子；但是，本發(fā)明不限于此。例如，可以使用諸如在晶體狀 態(tài)和非晶狀態(tài)之間可逆地變化的材料或在笫一晶體狀態(tài)和第二晶體狀 態(tài)之間可逆地變化的材料的相變材料。另外，也可以使用僅從非晶狀 態(tài)變化為晶體狀態(tài)的材料。在晶體狀態(tài)和非晶狀態(tài)之間可逆地變化的材料是包含鍺(Ge)、 碲(Te )、銻(Sb )、硫(S )、氧化碲(TeOx)、錫(Sn )、金(Au )、 鎵(Ga )、硒(Se )、銦(In )、鉈(Tl)、鈷(Co )和銀(Ag )中的多種元素的材料。例如，可以使用基于Ge-Te-Sb-S 、 Te-Te02-Ge-Sn、 Te國(guó)Ge-Sn-Au、 Ge-Te畫(huà)Sn、 Sn-Se-Te、 Sb-Se-Te、 Sb-Se、 Ga-Se-Te、 Ga國(guó)Se畫(huà)Te-Ge、 In誦Se、 In-Se曙Tl-Co、 Ge-Sb-Te、 In-Se-Te 或Ag-In-Sb-Te的材料。在第一晶體狀態(tài)和第二晶體狀態(tài)之間可逆地 變化的材料是包含例如Ag-Zn、Cu-Al-Ni、In-Sb、In-Sb-Se或In-Sb-Te 的銀(Ag )、鋅(Zn )、銅(Cu )、鋁(Al)、鎳(Ni)、銦(In )、 銻(Sb)、硒(Se)和碲(Te)中的多種元素的材料。當(dāng)使用該材料 時(shí)，在兩種不同的晶體狀態(tài)之間實(shí)施相變。僅從非晶狀態(tài)變化為晶體 狀態(tài)的材料是包含例如Te-Te02、 Te-Te02-Pd或Sb2Se3/Bi2Te3的碲 (Te )、氧化碲(TeOx)、把(Pd )、銻(Sb )、硒(Se )和鉍(Bi) 中的多種元素的材料。然后，通過(guò)SOG方法、旋涂方法、液滴排出方法或印刷方法等 形成用作保護(hù)膜的絕緣膜221以覆蓋存儲(chǔ)元件部分231a和231b和用 作天線的導(dǎo)電膜218。絕緣膜221由包含諸如DLC (類(lèi)鉆碳)的碳的 膜、包含氮化硅的膜、包含氮氧化硅的膜或優(yōu)選為環(huán)氧樹(shù)脂的有機(jī)材 料形成。然后，如在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的那樣，在具有薄膜晶體管 203a 203f、用作天線的導(dǎo)電膜218和存儲(chǔ)元件部分231a和231b等的 元件形成層233中選擇性地形成開(kāi)口 ，并且形成膜222以覆蓋元件形 成層233和開(kāi)口 (圖7B )。膜222可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯樹(shù)脂、聚氟乙烯或聚氯乙烯 等制成的膜、多孔材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無(wú)機(jī)汽相淀積 膜或紙等)和粘接劑合成樹(shù)脂膜(丙烯酸基合成樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂基合 成樹(shù)脂等)的層疊膜等。該膜通過(guò)經(jīng)受熱處理和壓力處理固定到待處 理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過(guò)程中，設(shè)置在膜的最上面的 表面之上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通 過(guò)熱處理熔化，以通過(guò)施加壓力被固定?？梢栽谀さ谋砻嬷显O(shè)置粘 接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固性樹(shù)脂、UV硬化 樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂基樹(shù)脂或樹(shù)脂添加劑的粘接劑的層對(duì)應(yīng)。用于密封的膜優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部，并且，例如，可 以使用其中層疊粘接劑層、聚酯等的膜和硅石涂層的板材。然后，通過(guò)對(duì)襯底201執(zhí)行磨削處理或拋光處理中的任一種或兩 種將襯底201減薄成襯底224。這里，襯底201的上面沒(méi)有形成元件 形成層223的一側(cè)(背面)經(jīng)受磨削處理，然后，襯底201的背面進(jìn) 一步經(jīng)受拋光處理以減薄襯底201，由此獲得襯底224。在對(duì)襯底201 執(zhí)行磨削處理或拋光處理的情況下優(yōu)選盡可能多地減薄襯底201。但 是，隨著襯底201被減薄，元件形成層233容易產(chǎn)生應(yīng)力，因此使得 襯底224具有5 50nm、優(yōu)選5 20nm、更優(yōu)選5~10nm的厚度。然后，通過(guò)化學(xué)處理去除襯底224 (圖8B)。作為化學(xué)處理，通 過(guò)使用化學(xué)溶液對(duì)待處理物體執(zhí)行化學(xué)蝕刻。這里，通過(guò)將襯底224 和元件形成層233浸入化學(xué)溶液中執(zhí)行襯底224的蝕刻。只要可以去 除襯底，那么可以采用任何化學(xué)溶液作為化學(xué)溶液，并且，例如，在 使用玻璃襯底作為襯底201的情況下優(yōu)選使用含有氫氣酸的溶液作為 化學(xué)溶液。注意，作為膜222,優(yōu)選使用不可能與化學(xué)溶液反應(yīng)的材 料，并且，這里使用包含環(huán)氧樹(shù)脂的絕緣膜。另外，由于在去除襯底 201之后絕緣膜202與化學(xué)溶液直接接觸，因此優(yōu)選使用對(duì)化學(xué)溶液 具有抵抗力的材料作為絕緣膜202。例如，優(yōu)選在二層結(jié)構(gòu)中設(shè)置絕 緣膜202，這里形成氮氧化硅膜作為第一層并形成氧氮化硅膜作為第 二層。然后，通過(guò)對(duì)元件形成層233的一側(cè)設(shè)置膜225執(zhí)行密封處理(圖 9A)。作為密封處理，在元件形成層233的一側(cè)(去除襯底201的一 側(cè))設(shè)置膜225，并且，如圖16所示通過(guò)使用滾筒243將膜225固定 到元件形成層233上。用于密封的膜225可以是由聚丙烯、聚酯、乙烯樹(shù)脂、聚氟乙烯 或聚氯乙烯等制成的膜、多孔材料的紙或基底膜(聚酯、聚酰胺、無(wú) 機(jī)汽相淀積膜或紙等)和粘接劑合成樹(shù)脂膜(丙烯酸基合成樹(shù)脂或環(huán) 氧樹(shù)脂基合成樹(shù)脂等)的層疊膜等。該膜通過(guò)經(jīng)受熱處理和壓力處理 固定到待處理物體上。在執(zhí)行熱處理和壓力處理的過(guò)程中，設(shè)置在膜的最上面的表面之上的粘接劑層或設(shè)置在最外面的層上的層(不是粘接劑層)通過(guò)熱處理熔化，以通過(guò)施加壓力被固定?？梢栽谀?25的 表面之上設(shè)置粘接劑層；但未必設(shè)置它。粘接劑層與包含諸如熱固性 樹(shù)脂、UV硬化樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂基樹(shù)脂或樹(shù)脂添加劑的粘接劑的層對(duì) 應(yīng)。用于密封的膜優(yōu)選涂有硅石以防止水分等在密封之后進(jìn)入內(nèi)部， 并且，例如，可以使用其中層疊粘接劑層、聚酯等的膜和硅石涂層的 板材。例如，作為膜225，可以使用在諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯的基底 膜之上設(shè)置包含熱塑性樹(shù)脂的熱熔性粘接劑的膜。熱熔性粘接劑在室 溫下保持固態(tài)但通過(guò)施加熱溶解。因此，元件形成層233的表面具有 具有熱熔性粘接劑的膜，并然后經(jīng)受滾筒243的熱處理和壓力處理， 因此元件形成層233可被密封。注意，在用滾筒243執(zhí)行熱處理的情 況下，必須在使得熱熔性粘接劑充分溶解的高溫下執(zhí)行處理。因此， 在臺(tái)板(stage) 241使用諸如鋁的金屬的情況下，存在臺(tái)板241吸收 由滾筒243產(chǎn)生的熱的擔(dān)心，因此熱溶性粘接劑不充分溶解。因此， 優(yōu)選在臺(tái)板241和待處理物體之間設(shè)置諸如硅橡膠的熱絕緣材料。作為膜222和膜225，也可使用經(jīng)受用于防止靜電等的抗靜電處 理的膜(以下，稱為抗靜電膜)?？轨o電膜包含在樹(shù)脂中分散抗靜電 材料的膜和固定抗靜電材料的膜等。包含抗靜電材料的膜可以是一側(cè) 具有抗靜電材料的膜或兩側(cè)均有抗靜電材料的膜。并且，在一側(cè)具有 抗靜電材料的膜中，可以將包含抗靜電材料的一側(cè)固定到膜的里面或 外面。注意，可以在膜的整個(gè)表面或一部分之上設(shè)置抗靜電材料。這 里抗靜電材料包含金屬、銦和錫的氧化物(ITO)和諸如兩性離子表 面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑和非離子表面活性劑的表面活性劑。作 為替代，可以使用包含在側(cè)鏈中具有羧基團(tuán)和季銨基的交聯(lián)的共聚物 高分子化合物的樹(shù)脂材料作為抗靜電材料。可以通過(guò)將這些材料固定、 捏制或施加到膜上獲得抗靜電膜。當(dāng)用抗靜電膜密封半導(dǎo)體器件時(shí)， 可以在半導(dǎo)體元件作為產(chǎn)品被操作時(shí)保護(hù)其免受外部靜電等的影響。注意，在用膜225執(zhí)行元件形成層233的密封處理之后，如有必要可以執(zhí)行密封以覆蓋膜222。然后，將元件形成層233、膜222和膜225切分成各個(gè)元件(圖 9B)。此時(shí)，優(yōu)選在分開(kāi)時(shí)使得在不露出元件形成層233的情況下露 出膜222和膜225。通過(guò)以這種方式完全用膜222和膜225覆蓋元件 形成層233，可以抑制雜質(zhì)元素或水分從外面混入諸如薄膜晶體管的 半導(dǎo)體元件中，因此可以獲得高度可靠的半導(dǎo)體器件。注意，可以通過(guò)與以上的實(shí)施方式任意地組合實(shí)施本實(shí)施方式。 換句話說(shuō)，也可在本實(shí)施方式中組合使用在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的 材料或形成方法，并且也可以在以上的實(shí)施方式中組合使用在本實(shí)施 方式中說(shuō)明的材料或形成方法。 (實(shí)施方式3)本實(shí)施方式將解釋通過(guò)使用在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的制造方法獲得的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子。具體地，下面將參照附圖解釋 可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用。根據(jù)應(yīng)用方式，可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件也被稱為RFID (射頻識(shí)別)標(biāo)簽、ID 標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、RF (射頻)標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或 無(wú)線芯片。半導(dǎo)體器件80具有非接觸地傳送數(shù)據(jù)的功能，并且包含高頻電路 81、電源電路82、復(fù)位電路83、時(shí)鐘產(chǎn)生電路84、數(shù)據(jù)解調(diào)電路85、 數(shù)據(jù)調(diào)制電路86、用于控制其它電路的控制電路87、存儲(chǔ)電路88和 天線89 (圖10A)。高頻電路81是從天線89接收信號(hào)并從天線89 輸出通過(guò)數(shù)據(jù)調(diào)制電路86接收的信號(hào)的電路。電源電路82是從接收 的信號(hào)產(chǎn)生電源電勢(shì)的電路。復(fù)位電路83是產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)的電路。時(shí) 鐘產(chǎn)生電路84是基于從天線89輸入的接收的信號(hào)產(chǎn)生各種時(shí)鐘信號(hào) 的電路。數(shù)據(jù)解調(diào)電路85是對(duì)接收的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)并將該信號(hào)輸出到 控制電路87的電路。數(shù)據(jù)調(diào)制電路86是調(diào)制從控制電路87接收的信 號(hào)的電路。作為控制電路87，例如設(shè)置代碼提取電路91、代碼確定電 路92、 CRC確定電路93和輸出單元電路94。注意，代碼提取電路 91是單獨(dú)地提取在向控制電路87傳送的指令中包含的多個(gè)代碼的電路。代碼確定電路92是將提取的代碼與與基準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的代碼相比較以確 定指令的內(nèi)容的電路。CRC電路是基于確定的代碼檢測(cè)傳送誤差等的 有無(wú)的電路。另外，要被設(shè)置的存儲(chǔ)電路的數(shù)量不限于一個(gè)，可以是多個(gè)。可 以使用SRAM、快擦寫(xiě)存儲(chǔ)器、ROM或FeRAM等或在存儲(chǔ)元件部 分中使用在以上實(shí)施方式中說(shuō)明的有機(jī)化合物層的電路。然后，將解釋本發(fā)明的可非接觸地傳送數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的操作 的例子。首先，通過(guò)天線89接收無(wú)線電信號(hào)。無(wú)線電信號(hào)通過(guò)高頻電 路81被傳送到電源電路82，并且，產(chǎn)生高電源電勢(shì)(以下稱為VDD )。 VDD被供給到在半導(dǎo)體器件8C中包含的各個(gè)電路。另外，通過(guò)高頻并且，經(jīng)由高頻電路81通過(guò)復(fù)位電路 3和時(shí)鐘產(chǎn)生電路84傳i^的信 號(hào)以及解調(diào)信號(hào)被傳送給控制電路87。傳送給控制電路87的信號(hào)通 過(guò)代碼提取電路91、代碼確定電路92和CRC評(píng)價(jià)電路93等被分析。 然后，根據(jù)分析的信號(hào)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電路88中的半導(dǎo)體器件的信息被 輸出。半導(dǎo)體器件的輸出信息通過(guò)輸出單元電路94被編碼。并且，半 導(dǎo)體器件80的編碼信息通過(guò)數(shù)據(jù)調(diào)制電路86作為無(wú)線電信號(hào)被天線 89傳送。注意，在半導(dǎo)體器件80中包含的多個(gè)電路中低電源電勢(shì)(以 下稱為VSS )是共用的，且VSS可被設(shè)為GND。因此，可以通過(guò)從讀取器/寫(xiě)入器向半導(dǎo)體器件80傳送信號(hào)并通 過(guò)讀取器/寫(xiě)入器接收從半導(dǎo)體器件80傳送的信號(hào)讀取半導(dǎo)體器件的 數(shù)據(jù)。另外，半導(dǎo)體器件80可以在不安裝電源(電池)的情況下通過(guò)電 磁波或在安裝電源(電池)的情況下通過(guò)電磁波和電源(電池)向各 個(gè)電路供給電源電壓。由于可以通過(guò)使用在以上的實(shí)施方式中示出的結(jié)構(gòu)制造可彎曲的 半導(dǎo)體器件，因此，可以通過(guò)固定在具有彎曲表面的物體之上設(shè)置半導(dǎo)體器件。然后，將解釋可非接觸地交換數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子。包含顯示部分3210的便攜式終端的側(cè)面具有讀取器/寫(xiě)入器3200， 并且物品3220的側(cè)面具有半導(dǎo)體器件3230 (圖10B )。當(dāng)在在物品 3220中包含的半導(dǎo)體器件3230之上保持讀取器/寫(xiě)入器3200時(shí)，在顯 示部分3210上顯示諸如原材料、原產(chǎn)地、各制造過(guò)程中的檢查結(jié)果、 分配的歷史或物品的解釋的關(guān)于物品3220的信息。另外，當(dāng)通過(guò)傳輸 帶運(yùn)輸產(chǎn)品3260時(shí)，可以通過(guò)使用讀取器/寫(xiě)入器3240和在產(chǎn)品3260 之上設(shè)置的半導(dǎo)體器件3250檢查產(chǎn)品3260 (圖10C )。因此，通過(guò) 利用用于系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件，可以很容易地獲取信息，并且可以實(shí)現(xiàn) 系統(tǒng)的功能和附加價(jià)值的提高。如在以上的實(shí)施方式中示出的那樣， 即使當(dāng)半導(dǎo)體器件被固定到具有彎曲表面的物體上時(shí)也可防止在半導(dǎo) 體器件中包含的晶體管等免受損壞，并且可提供可靠的半導(dǎo)體器件。另外，作為可以非接觸地交換數(shù)據(jù)的以上的半導(dǎo)體器件中的信號(hào) 傳送方法，可以使用電磁耦合方法、電磁感應(yīng)方法或微波方法等?？?以考慮預(yù)期用途由從業(yè)者適當(dāng)?shù)剡x擇傳送系統(tǒng)，并且可根據(jù)傳送方法 設(shè)置最佳的天線。在使用例如電磁耦合方法或電磁感應(yīng)方法(例如，13.56MHz頻 帶)作為半導(dǎo)體器件中的傳送方法的情況下，通過(guò)磁場(chǎng)密度的變化導(dǎo) 致電磁感應(yīng)。因此，以環(huán)形形狀(例如，環(huán)形天線)或螺旋形狀(例 如，螺旋天線)形成用作天線的導(dǎo)電膜。在使用例如微波方法(例如，UHF頻帶(860 960MHz頻帶)或 2.45GHz頻帶等)作為半導(dǎo)體器件中的信號(hào)傳送方法的情況下，可以 考慮對(duì)信號(hào)傳送使用的電磁波的波長(zhǎng)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定諸如天線的導(dǎo)電膜的 諸如長(zhǎng)度的形狀。例如，可以以線性形狀(例如，偶極天線(圖12A))、 平板形狀(例如，貼片天線patch antenna (圖12B ))或條帶形狀 (圖12C和圖12D)等形成用作天線的導(dǎo)電膜。用作天線的導(dǎo)電膜的 形狀不限于線性形狀，并且可以考慮電磁波的波長(zhǎng)以曲線形狀、曲折 形狀或它們的組合設(shè)置用作天線的導(dǎo)電膜。通過(guò)CVD方法、濺射方法、諸如絲網(wǎng)印刷方法或凹版印刷方法 的印刷方法、液滴排出方法、分配器方法或電鍍方法等用導(dǎo)電材料形成用作天線的導(dǎo)電膜。用鋁(AO 、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、 金(Au )、柏(Pt)、鎳(Ni)、把(Pd )、鉭(Ta )和鉬(Mo ) 的元素或包含這些元素作為其主要成分的合金材料或化合物材料的單 層結(jié)構(gòu)或其疊層結(jié)構(gòu)等形成導(dǎo)電材料。在通過(guò)例如絲網(wǎng)印刷方法形成用作天線的導(dǎo)電膜的情況下，可以 通過(guò)選擇性印刷在有機(jī)樹(shù)脂中溶解或分散分別具有幾納米到幾十微米 的粒子尺寸的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電漿料提供導(dǎo)電膜。作為導(dǎo)電粒子，可以 使用諸如銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、賴(Pt)、 鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)和鈦(Ti)的金屬粒子中的一種或 更多種、卣化銀的微細(xì)粒子或可分散的納米粒子。另外，作為在導(dǎo)電 漿料中包含的有機(jī)樹(shù)脂，可以使用分別用作粘合劑、溶劑、分散劑或 金屬粒子的涂層的一種或多種有機(jī)樹(shù)脂。 一般地，可以使用諸如環(huán)氧 樹(shù)脂或硅樹(shù)脂的有機(jī)樹(shù)脂。在形成導(dǎo)電膜的過(guò)程中，優(yōu)選在施加導(dǎo)電 漿料之后執(zhí)行烘焙。例如，在使用包含銀作為其主要成分的細(xì)粒子(其 晶粒尺寸為l~100nm)作為導(dǎo)電漿料的材料的情況下，可以通過(guò)在 150~300。C的溫度下烘焙使導(dǎo)電漿料硬化獲得導(dǎo)電膜。作為替代方案， 可以使用包含焊料或無(wú)鉛焊料作為其主要成分的細(xì)粒子；在這種情況 下，優(yōu)選使用具有20微米或更小的晶粒尺寸的細(xì)粒子。焊料或無(wú)鉛焊 料具有諸如低成本的優(yōu)點(diǎn)。除了以上的材料以外，可以向天線施加陶瓷或鐵氧體等。并且，metamaterial)。在應(yīng)用電磁耦合方法或電磁感應(yīng)方法并設(shè)置包含與金屬接觸的天 線的半導(dǎo)體器件的情況下，優(yōu)選在半導(dǎo)體器件和金屬之間設(shè)置具有導(dǎo)磁性的磁性材料。在設(shè)置包含與金屬接觸的天線的半導(dǎo)體器件的情況 下，渦流伴隨磁場(chǎng)的變化在金屬中流動(dòng)，并且由渦流產(chǎn)生的去磁場(chǎng)削 弱磁場(chǎng)的變化并減小通信距離。因此，通過(guò)在半導(dǎo)體器件和金屬之間 設(shè)置具有導(dǎo)磁性的材料，可抑制金屬的渦流和通信范圍的減小。注意， 可以使用具有較高的導(dǎo)磁率和很小的高頻波損失的鐵氧體或金屬薄膜作為磁性材料。在設(shè)置天線的情況下，可以在一個(gè)襯底之上直接形成諸如晶體管 的半導(dǎo)體元件和用作天線的導(dǎo)電膜，或者，半導(dǎo)體元件和用作天線的 導(dǎo)電膜可被設(shè)置在分開(kāi)的襯底之上并然后被固定為相互電連接。注意，除了以上的應(yīng)用范圍以外，柔性半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍是 很寬的，并且，柔性半導(dǎo)體器件可被應(yīng)用于任何產(chǎn)品，只要它非接觸 地澄清諸如物體的歷史的信息并對(duì)于制造或管理等是有用的。例如， 半導(dǎo)體器件可被安裝到紙幣、硬幣、有價(jià)證券、證書(shū)、無(wú)記名債券、包裝容器、書(shū)、記錄介質(zhì)、私人用品、車(chē)輛、食品、衣物、保健產(chǎn)品、日用品、藥品和電子設(shè)備等上。將參照?qǐng)D11A 11H解釋其例子。紙幣和硬幣是在市場(chǎng)中分布的錢(qián)幣，并包含在特定區(qū)域有效的錢(qián) 幣(代金券)和紀(jì)念幣等。有價(jià)證券是指支票、憑證和期票等(圖11A )。 證書(shū)是指駕駛員的許可證和居住證等(圖11B)。無(wú)記名債券是指郵 票、糧票和各種禮券等(圖11C)。包裝容器是指用于食品容器等的 包裝紙和塑料瓶等(圖11D)。書(shū)是指硬皮書(shū)和平裝本等(圖11E)。 記錄介質(zhì)是指DVD軟件和視頻帶等(圖11F )。車(chē)輛是指諸如自行車(chē) 的有輪車(chē)輛和輪船等(圖IIG)。私人用品是指包和眼鏡等(圖IIH)。 食品是指食物和飲料等。衣物是指衣服和鞋襪等。保健產(chǎn)品是指醫(yī)療 器械和保健器械等。日用品是指家具和照明設(shè)備等。藥品是指醫(yī)療產(chǎn) 品和殺蟲(chóng)劑等。電子設(shè)備是指液晶顯示器、EL顯示器、電視(電視 機(jī)和平板屏幕電視機(jī))和蜂窩式電話等。通過(guò)向紙幣、硬幣、有價(jià)證券、證書(shū)或無(wú)記名債券等提供半導(dǎo)體 器件，可以防止偽造。通過(guò)向包裝容器、書(shū)、記錄介質(zhì)、私人用品、 食品、日用品或電子設(shè)備等提供半導(dǎo)體器件，可以提高檢查系統(tǒng)或在租用商店中使用的系統(tǒng)等的效率。通過(guò)向車(chē)輛、保健產(chǎn)品或藥品等提 供半導(dǎo)體器件，可以防止偽造或盜竊；并且，在藥物的情況下，可以防止誤服藥物。在將半導(dǎo)體器件安裝到以上的物品上時(shí)可將半導(dǎo)體器 件固定到其表面上或嵌入其中。例如，在書(shū)的情況下，可以將半導(dǎo)體 器件嵌入一張紙中；在由有機(jī)樹(shù)脂制成的封裝的情況下，可以將半導(dǎo)體器件嵌入有機(jī)樹(shù)脂中。通過(guò)使用柔性半導(dǎo)體器件，即使在將半導(dǎo)體 器件安裝在紙等上時(shí)也可防止在半導(dǎo)體器件內(nèi)包含的元件的破裂等。如上所述，通過(guò)向包裝容器、記錄介質(zhì)、私人用品、食品、衣物、 日用品或電子設(shè)備等提供半導(dǎo)體器件，可以提高檢查系統(tǒng)或在租用商 店中使用的系統(tǒng)等的效率。另外，通過(guò)向車(chē)輛提供半導(dǎo)體器件，可以 防止偽造或盜竊。并且，通過(guò)將半導(dǎo)體器件植入諸如動(dòng)物的生物體內(nèi)， 可以很容易地識(shí)別單個(gè)的生物。例如，通過(guò)將具有傳感器的半導(dǎo)體器 件植入諸如家畜的生物體內(nèi)，可以很容易地管理諸如當(dāng)前的體溫的其 健康狀況以及其出生年份、性別或品種等。注意，在實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例時(shí)可將其與以上的實(shí)施方式任意組合。換 句話說(shuō)，也可在本實(shí)施方式中組合使用在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的材 料或形成方法，并且也可以在以上的實(shí)施方式中組合使用在本實(shí)施方 式中說(shuō)明的材料或形成方法。(實(shí)施方式4)本實(shí)施方式將解釋通過(guò)使用在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的制造方法 獲得的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式的例子。具體地，將參照附圖解釋具有 顯示單元的半導(dǎo)體器件。首先，作為顯示單元，將參照?qǐng)D13A和圖13B解釋向像素部件提 供發(fā)光元件的情況。注意，圖13A表示表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的例 子的俯視圖；圖13B表示沿線a-b和c-d切取的圖13A的斷面圖。如圖13A所示，在本實(shí)施方式中示出的半導(dǎo)體器件包含在膜225 (膜狀襯底)之上設(shè)置的掃描線驅(qū)動(dòng)器電路502、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路 503和像素部分504等。另外，設(shè)置膜222 (膜狀襯底)以與膜225 一起夾住像素部分504?？梢酝ㄟ^(guò)在膜225之上形成分別具有在以上 的實(shí)施方式中示出的結(jié)構(gòu)中的任一種的薄膜晶體管設(shè)置掃描線驅(qū)動(dòng)器 電路502、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503和像素部分504。掃描線驅(qū)動(dòng)器電路502和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503從用作外部輸入 端子的FPC (柔性印刷電路)507接收視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、開(kāi)始信 號(hào)或復(fù)位信號(hào)等。注意，這里僅示出FPC，但是FPC可帶有印刷布線板。另外，作為形成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503或掃描線驅(qū)動(dòng)器電路502 的薄膜晶體管，可以如在以上的實(shí)施方式中示出的那樣使用層疊薄膜 晶體管的結(jié)構(gòu)。通過(guò)設(shè)置層疊的薄膜晶體管，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503 或掃描線驅(qū)動(dòng)器電路502占據(jù)的面積可減少，因此形成的像素部分504 可具有較大的面積。圖13B是沿線a-b和c-d切取的圖13A的斷面圖的示意圖。這里， 示出在膜225之上設(shè)置在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503和像素部分504中包 含的薄膜晶體管的情況。形成作為具有在以上的實(shí)施方式中示出的結(jié) 構(gòu)中的任一種的n型薄膜晶體管510a和p型薄膜晶體管510b的組合 的CMOS電路作為信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503?？梢酝ㄟ^(guò)使用CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成用來(lái) 形成諸如掃描線驅(qū)動(dòng)器電路502或信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503的驅(qū)動(dòng)器電 路的薄膜晶體管。在本實(shí)施方式中說(shuō)明在膜225之上形成諸如掃描線 驅(qū)動(dòng)器電路502或信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路503的驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)器集成 (integration)類(lèi)型，但是這不是必需的，也可以在膜225之外，而 不是之上，形成驅(qū)動(dòng)器電路。像素部分504由分別包含發(fā)光元件516和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件516 的薄膜晶體管511的多個(gè)像素形成。可將具有在以上的實(shí)施方式中示 出的結(jié)構(gòu)中的任一種的薄膜晶體管應(yīng)用于薄膜晶體管511。這里，第 一電極513被設(shè)置為與與薄膜晶體管511的源極或漏極區(qū)域連接的導(dǎo) 電膜214連接，并且絕緣膜217形成為覆蓋第一電極513的端部。絕 緣膜217用作多個(gè)像素中的隔離物。作為絕緣膜217,這里使用正型光敏丙烯酸樹(shù)脂膜。為了有利于 覆蓋，絕緣膜217形成為在其上端部分或下端部分上具有曲面。例如， 在使用正型光敏丙烯酸樹(shù)脂作為絕緣膜217的材料時(shí)，絕緣膜217優(yōu) 選形成為僅在上端部分上具有具有曲率半徑(0.2 3nm)的曲面。通劑中的正型可:;作絕緣膜217。作為i代方案，、絕緣膜;n可具有諸如環(huán)氧樹(shù)脂、聚跣亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯或硅氧烷樹(shù)脂的有機(jī)材料的單層結(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。如在以上的實(shí)施方式中示出的那樣，可通過(guò)使絕緣膜217經(jīng)受等離子處理并氧化或氮 化絕緣膜217將絕緣膜217的表面改性以獲得致密的膜。通過(guò)將絕緣 膜217的表面改性，可以提高絕緣膜217的密度，并且可以減少諸如 形成開(kāi)口等時(shí)的裂紋產(chǎn)生或蝕刻時(shí)的膜縮小的物理?yè)p傷。另外，通過(guò) 將絕緣膜217的表面改性，可以提高諸如與要在絕緣膜217之上設(shè)置 的發(fā)光層514的粘接性的界面質(zhì)量。另外，在圖13A和圖13B所示的半導(dǎo)體器件中，在第一電極513 之上形成發(fā)光層514,并在發(fā)光層514之上形成515。發(fā)光元件516 具有第一電極513、發(fā)光層514和第二電極515的疊層結(jié)構(gòu)。第一電極513和第二電極515中的一個(gè)被用作陽(yáng)極，另一個(gè)被用 作陰極。對(duì)于陽(yáng)極優(yōu)選使用具有較高的功函的材料。例如，可以使用以下 的結(jié)構(gòu)諸如ITO膜、包含硅的氧化銦錫膜、通過(guò)使用氧化銦與 2 20wt。/。的氧化鋅(ZnO)混合的靶材通過(guò)濺射方法形成的透明導(dǎo)電 膜、氧化鋅(ZnO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜或Pt膜的單 層膜；氮化鈦膜和包含鋁作為其主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、包含鋁作為其主要成分的膜和另一氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)；等等。當(dāng)使用疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，電極可如布線那樣具有較低的電阻并形成有利的歐姆接 點(diǎn)。并且，電極可用作陽(yáng)極。對(duì)于陰極優(yōu)選使用具有較低的功函的材料(Al、 Ag、 Li、 Ca或 諸如MgAg、 Mgln、 AILi、 CaF:或Ca3N2的它們的合金)。在使得用 作陰極的電極透光的情況下，優(yōu)選使用具有較小的厚度的金屬薄膜和 透明的導(dǎo)電膜(ITO膜、包含硅的氧化銦錫膜、通過(guò)使用氧化銦與 2 20wt。/。的氧化鋅(ZnO)混合的靶材通過(guò)濺射方法形成的透明導(dǎo)電 膜或氧化鋅(ZnO)等)的疊層作為電極。這里，通過(guò)使用具有透光性能的ITO作為陽(yáng)^l形成第一電極513， 并且，從膜225側(cè)引出光，注意，可以通過(guò)對(duì)第二電極515使用具有 透光性能的材料從膜222側(cè)引出光，或者可以通過(guò)用具有透光性能的材料形成第一電極513和第二電極515 (該結(jié)構(gòu)被稱為雙發(fā)射)從膜 225側(cè)和膜222側(cè)引出光?？梢酝ㄟ^(guò)諸如使用蒸發(fā)掩模的汽相淀積方法、噴墨方法或旋涂方 法的方法用低分子材料、中間分子材料(包含低聚物或樹(shù)枝狀聚合物) 或高分子材料(也稱為聚合物)的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成發(fā)光層514。注意，包含像素部分的半導(dǎo)體器件不限于以上的如上面說(shuō)明的那 樣在像素部分中使用發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，并且它還包含在像素部分中使 用液晶的半導(dǎo)體器件。在圖14中示出在像素部分中使用液晶的半導(dǎo)體 器件。圖14表示在像素部分中具有液晶的半導(dǎo)體器件的例子。液晶522 被設(shè)置在被設(shè)置為覆蓋導(dǎo)電膜214和第一電極513的取向膜521和被 設(shè)置在膜222之上的取向膜523之間。另外，第二電極524被設(shè)置為 與膜222接觸。通過(guò)控制施加到設(shè)置在第一電極513和第二電極524 之間的液晶上的電壓、通過(guò)控制透光率顯示圖像。并且，在液晶522 中設(shè)置隔板525以控制第一電極513和第二電極524之間的距離(單 元間隙)。如上所述，在本實(shí)施方式中說(shuō)明的半導(dǎo)體器件中，像素部分可具 有發(fā)光元件或液晶。下面，參照附圖解釋具有以上的像素部分的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式。作為具有以上的像素部分的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方式，可給出以下 的電子裝置諸如攝像機(jī)或數(shù)字照相機(jī)的照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭 戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(汽車(chē)音頻或音頻部件等)、 計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、蜂窩式電話、便攜 式游戲機(jī)或電子圖書(shū)等)和具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體而言， 能夠處理諸如數(shù)字萬(wàn)用盤(pán)(DVD)的記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)并具有可顯示 數(shù)據(jù)的圖像的顯示器的裝置)等。以下說(shuō)明其特定的例子。圖15A表示包含主體4101、支架4102或顯示部分4103等的顯示 器。通過(guò)使用可實(shí)現(xiàn)輕薄的顯示器的柔性襯底形成顯示部分4103。另外，顯示部分4103可以是彎曲的，并可從支架4102上被卸下，并且 顯示器可沿彎曲的墻壁被安裝。因此，可以在彎曲的部分以及平整的 表面之上設(shè)置柔性顯示器，因此它可被用于各種應(yīng)用?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)顯 示部分4103或電路等使用在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的 柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng)用方式的柔性 顯示器。圖15B表示包含主體4201和顯示部分4202等的可巻起的顯示器。 由于主體4201和顯示部分4202是通過(guò)4吏用柔性襯底^f吏用的，因此可 以在彎曲或巻起的狀態(tài)中攜帶顯示器。因此，即使在顯示器具有較大 的尺寸的情況下，可以在彎曲或巻起的狀態(tài)中在袋子中攜帶顯示器。 可以通過(guò)對(duì)顯示部分4202或電路等使用在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施 方式中示出的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng) 用方式的柔性輕薄大尺寸顯示器。圖15C表示包含主體4401、顯示部分4202、鍵盤(pán)4403、觸摸板 4404、外部連接端口 4405和電源插頭4406等的板型計(jì)算機(jī)。通過(guò)使 用可實(shí)現(xiàn)輕薄的顯示器的柔性襯底形成顯示部分4402。另外，顯示部 分4202可被巻起，并且，可通過(guò)向主體4401的一部分提供存放空間 將其存放在主體內(nèi)。并且，還通過(guò)形成柔性的鍵盤(pán)4403，鍵盤(pán)4403 可以以與顯示部分4202類(lèi)似的方式被巻起并被存放在主體4401的存 放空間內(nèi)，這便于隨身攜帶。可以通過(guò)對(duì)顯示部分4402或電路等使用 在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本 發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng)用方式的柔性輕薄計(jì)算機(jī)。圖15D表示具有20 80英寸的大尺寸顯示部分的顯示裝置，該顯 示裝置包含主體4300、作為操作部分的鍵盤(pán)4301、顯示部分4302或 揚(yáng)聲器4303等。顯示部分4302是通過(guò)使用柔性襯底形成的，并且主 體4300可以在鍵盤(pán)4301被卸下的情況下在彎曲或巻起的狀態(tài)中被攜 帶。另外，可以在沒(méi)有導(dǎo)線的情況下執(zhí)行鍵盤(pán)4301和顯示部分4302 之間的連接。例如，主體4300可沿彎曲墻壁被安裝，并且可以在沒(méi)有 導(dǎo)線的情況下通過(guò)鍵盤(pán)4301被操作。在這種情況下，可以通過(guò)對(duì)顯示部分4302或電路等使用在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的柔 性半導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng)用方式的柔性輕薄大尺寸顯示裝置。圖15E表示包含主體4501 、顯示部分4502和操作鍵4503等的電 子圖書(shū)。另外，可以在主體4501中加入調(diào)制解調(diào)器。顯示部分4502 是通過(guò)使用柔性襯底形成的并且可被彎曲或巻起。因此，電子圖書(shū)可 以在不占據(jù)位置的情況下被攜帶。并且，顯示部分4502可顯示移動(dòng)圖 像以及諸如字符的靜態(tài)圖像?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)顯示部分4502或電路等使用 在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的柔性半導(dǎo)體器件制造作為本 發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng)用方式的柔性輕薄電子圖書(shū)。圖15F表示包含主體4601、顯示部分4602和連接端子4603等的 IC卡。由于顯示部分4602通過(guò)使用柔性襯底形成為輕薄板型，因此 它可通過(guò)固定在卡表面之上形成。當(dāng)IC卡可以非接觸地接收數(shù)據(jù)時(shí)， 可以在顯示部分4602上顯示從外面獲得的信息?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)顯示部分 4602或電路等使用在本實(shí)施方式或以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的柔性半 導(dǎo)體器件制造作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)應(yīng)用方式的柔性輕薄IC卡。如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的適用范圍是十分寬的，本發(fā)明 的半導(dǎo)體器件可被應(yīng)用于各領(lǐng)域的電子裝置。注意，可以通過(guò)與以上的實(shí)施方式任意組合實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式。換句話說(shuō)，也可在本實(shí)施方式 中組合使用在以上的實(shí)施方式中說(shuō)明的材料或形成方法，并且也可以 在以上的實(shí)施方式中組合使用在本實(shí)施方式中說(shuō)明的材料或形成方 法。本申請(qǐng)基于在2005年9月30日在日本專利局提交的日本專利申 請(qǐng)No.2005-288141，在此加入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在襯底的上表面之上形成多個(gè)元件組；形成絕緣膜以覆蓋所述多個(gè)元件組；選擇性地在所述絕緣膜的一部分中形成開(kāi)口以露出所述襯底，該部分被設(shè)置在所述多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之間的區(qū)域中；設(shè)置第一膜以覆蓋所述絕緣膜和所述開(kāi)口；通過(guò)去除所述襯底露出所述元件組；設(shè)置第二膜以覆蓋所述露出的元件組的所述表面；和在所述多個(gè)元件組之間切斷以不露出所述絕緣膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述開(kāi)口是 通過(guò)被激光照射形成的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述襯底是 玻璃襯底。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，使用彈性模 量比所述絕緣膜的材料低的材料作為所述第一膜的材料。
5. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在襯底的上表面之上形成基底膜； 在所述基底膜之上形成多個(gè)元件組； 形成絕緣膜以覆蓋所述多個(gè)元件組；選擇性地在所述絕緣膜的一部分中形成開(kāi)口以露出所述襯底或所 述基底膜，該部分被設(shè)置在所述多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之 間的區(qū)域中；設(shè)置笫一膜以覆蓋所述絕緣膜和所述開(kāi)口 ；通過(guò)去除所述襯底露出所述基底膜；設(shè)置第二膜以覆蓋所述露出的基底膜的所述表面；和在所述多個(gè)元件組之間切斷以不露出所述絕緣膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述基底膜由氮化物形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述開(kāi)口是 通過(guò)被激光照射形成的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所迷襯底是 玻璃襯底。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，使用彈性模 量比所述絕緣膜的材料低的材料作為所述第一膜的材料。
10. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在襯底的上表面之上形成多個(gè)元件組； 形成絕緣膜以覆蓋所述多個(gè)元件組；選擇性地在所述絕緣膜的一部分中形成開(kāi)口以露出所述襯底，該 部分被設(shè)置在所述多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之間的區(qū)域中； 設(shè)置第一膜以覆蓋所述絕緣膜和所述開(kāi)口； 從所述襯底的背面減薄所述襯底；通過(guò)化學(xué)反應(yīng)處理去除所述減薄的襯底以露出所述元件組； 設(shè)置第二膜以覆蓋所述露出的元件組的表面；和 在所述多個(gè)元件組之間切斷以不露出所述絕緣膜。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過(guò)磨削 處理或拋光處理中的任一種或兩種減薄所述襯底。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過(guò)將所 述減薄的襯底浸入化學(xué)溶液中執(zhí)行所述化學(xué)反應(yīng)處理。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述開(kāi)口 是通過(guò)被激光照射形成的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述襯底 是玻璃襯底。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，使用彈性 模量比所述絕緣膜的材料低的材料作為所述第一膜的材料。
16. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在襯底的上表面之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成多個(gè)元件組； 形成絕緣膜以覆蓋所述多個(gè)元件組；選擇性地在所述絕緣膜的一部分中形成開(kāi)口以露出所述襯底或所 述基底膜，該部分被設(shè)置在所述多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之 間的區(qū)域中；設(shè)置第一膜以覆蓋所述絕緣膜和所述開(kāi)口；從所述襯底的背面減薄所述襯底；通過(guò)化學(xué)反應(yīng)處理去除所述減薄的襯底以露出所述元件組； 設(shè)置第二膜以覆蓋所述露出的元件組的表面；和 在所述多個(gè)元件組之間切斷以不露出所述絕緣膜。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過(guò)磨削 處理或拋光處理中的任一種或兩種減薄所述襯底。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過(guò)將所 述減薄的襯底浸入化學(xué)溶液中執(zhí)行所述化學(xué)反應(yīng)處理。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述基底 膜由氮化物形成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述開(kāi)口 是通過(guò)被激光照射形成的。
21. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述襯底 是玻璃襯底。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，使用彈性 模量比所述絕緣膜的材料低的材料作為所述第一膜的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，即使在支撐襯底之上形成半導(dǎo)體元件之后減薄或去除支撐襯底的情況下，也防止半導(dǎo)體元件受損并提高其生產(chǎn)速度。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟在襯底的上表面之上形成多個(gè)元件組；形成絕緣膜以覆蓋多個(gè)元件組；選擇性地在位于在多個(gè)元件組中的兩個(gè)相鄰的元件組之間的區(qū)域中的絕緣膜中形成開(kāi)口以露出襯底；形成第一膜以覆蓋絕緣膜和開(kāi)口；通過(guò)去除襯底露出元件組；形成第二膜以覆蓋露出的元件組的表面；和在多個(gè)元件組之間切斷以不露出絕緣膜。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101278398SQ200680036259
公開(kāi)日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者渡邊了介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所