專利名稱：臺裝置和等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在大氣壓附近的壓力環(huán)境下進行等離子體處理的等離 子體處理裝置和能夠適合用于該等離子體處理裝置等的處理裝置中的 用于載置被處理基板的臺裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，例如通過0.1 10Torr程度的低壓的輝光放電等離 子體對玻璃或塑料等的基板進行表面處理是廣為所知的，也應用于產(chǎn) 業(yè)中。當使處理環(huán)境處于這種真空水平的低壓中時，因為能夠防止從 放電轉(zhuǎn)移到電弧放電，所以即便基板是耐熱性低的塑料等，也能夠進 行表面處理。
可是，當在進行基于低壓的輝光放電等離子體的表面處理時，作 為處理容器需要高價的真空腔室、真空排氣裝置。此外，如以所謂的 液晶電視等的大畫面化為代表的那樣，也存在著基板大型化正在發(fā)展 的領(lǐng)域，在這種情況下，需要更大的真空腔室和真空排氣裝置。結(jié)果， 裝置成本變高，也不能夠避免裝置的占地面積的增大。此外，當對吸 水率高的基板進行表面處理時，也存在為了使真空腔室內(nèi)部達到真空 而需要長時間，導致處理成本自身提高的問題。
因此，為了克服上述種種問題，提出有在大氣壓下生成輝光放電 等離子體進行基板的表面處理的裝置(例如，參照專利文獻O。
這種等離子體處理裝置，如圖24所示，包括保持被處理基板104 的電極臺102和與電極臺102相對配置的相對電極103。在相對電極 103上形成有多個供處理氣體流出的氣體供給孔(圖示省略)，并且連 接有用于施加電壓的電源部110。另一方面，電極臺102包括向上突出 并支持被處理基板104的升降銷機構(gòu)120和使被處理基板104吸附在 電極臺102的表面的吸附槽106，并且接地。
吸附槽106在被處理基板104和電極臺102之間具有空隙部108，
在該空隙部108中由于內(nèi)部為低壓所以容易產(chǎn)生等離子體。因此，在 吸附槽106中的電壓降比較小。
如作為等效電路的圖25所示，能夠考慮在吸附槽106的附近，在 電源部IIO和接地部112之間，串聯(lián)地連接有電阻131、電容器132和 電阻130的電路結(jié)構(gòu)。電阻131表示在相對電極103和被處理基板104 之間發(fā)生的等離子體所引起的電壓降。電容器132是被處理基板104 中的電容量。此外，電阻130表示吸附槽106中的電壓降。電容器132 中的電壓降比較大，而電阻132、 130中的電壓降比較小。這樣，由于 吸附槽106的空隙部108中的電壓降小，所以實質(zhì)上不發(fā)生對被處理 基板104的處理不均。
此外，在專利文獻2中，不限于等離子體處理裝置，揭示了獨立 地控制用于使載置在載置臺上的晶片從載置面浮起的多個升降銷上升 時的高度的技術(shù)。
專利文獻1:日本國公開專利公報"特開平7-118857號公報(1995 年5月9日公開)"
專利文獻2:日本國公開專利公報"特開2002-64132號公報(2002 年2月28日公開)"

發(fā)明內(nèi)容
可是，因為升降銷機構(gòu)120的機械精度存在極限，所以即便按照 升降銷機構(gòu)120下降時的銷(升降銷)的上端120a的位置與電極臺102 的吸附面102a為相同高度的方式進行設(shè)定，也不會如設(shè)定的一樣。艮口， 如圖24所示，變?yōu)橄鲁恋轿矫?02a的下方的狀態(tài)，或者如圖26所 示，相反地從吸附面102a突出的狀態(tài)。
當銷的上端120a變得比電極臺102的吸附面102a低時，如圖24 所示，在銷的上端120a和被處理基板104之間產(chǎn)生由高低平面差引起 的空隙部109。此外，當銷的上端120a變得比電極臺102的吸附面102a 高時，如圖26所示，在吸附面102a和被處理基板104之間產(chǎn)生由高 低平面差引起的空隙部111。
但是，與吸附槽106的情形不同，因為由這些高低平面差引起的 空隙部109、 lll的壓力為大氣壓，所以即便當施加電壓時也不產(chǎn)生等
離子體。結(jié)果，導致空隙部109、 lll中的電壓降增大。
艮口，如作為等效電路的圖27所示，能夠考慮在升降銷機構(gòu)120的
附近，在電源部IIO和接地部112之間，串聯(lián)連接有電阻131、電容器 132和電容器133的電路結(jié)構(gòu)。電容器133是在升降銷機構(gòu)120的附近 產(chǎn)生的由銷和吸附面102a的高低平面差引起的空隙部109、111的電容 量。這樣，因為在由高低平面差引起的空隙部109、 lll中不產(chǎn)生等離 子體所以不可避免地電壓降變得比較大。結(jié)果，導致在被處理基板104 中產(chǎn)生處理不均和所謂的處理遺漏。
本發(fā)明就是鑒于這種課題而提出，本發(fā)明的目的是提供一種在將 被處理基板載置在臺的載置面上的狀態(tài)下，在升降銷機構(gòu)的銷的上端 和載置面之間不產(chǎn)生高低平面差的臺裝置，此外，提供通過搭置這種 臺裝置能夠抑制處理不均的發(fā)生的等離子體處理裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明的臺裝置的特征在于，包括具有載 置被處理基板的載置面的臺；和升降銷機構(gòu)，該升降銷機構(gòu)具有設(shè)置 在上述臺中并且能夠從上述載置面突出沒入的第一銷，通過上述第一 銷突出使上述被處理基板從上述載置面脫離，其中，上述升降銷機構(gòu) 具備使沒入到上述臺中的狀態(tài)的上述第一銷的上端與上述載置面上的 被處理基板接觸而不從載置面抬起該被處理基板的接觸調(diào)整部件。
此外，本發(fā)明的等離子體處理裝置，其通過在大氣壓附近的壓力 環(huán)境下，在電極臺與相對電極之間產(chǎn)生等離子體，對載置在上述電極 臺上的被處理基板進行等離子體處理，其特征在于，作為上述電極臺， 包括上述本發(fā)明的臺裝置。
根據(jù)本發(fā)明的臺裝置的結(jié)構(gòu)，因為升降銷機構(gòu)所具備的接觸調(diào)整 部件，使沒入到臺中的狀態(tài)的第一銷的上端與載置面上的被處理基板 接觸，而不從載置面(與吸附面相當)抬起被處理基板，所以能夠利 用被處理基板使第一銷上端和載置面為相同的高度。
艮口，實現(xiàn)在將被處理基板載置在載置面上的狀態(tài)下，利用該被處 理基板，使第一銷的上端與載置面之間不存在高低平面差的臺裝置。
而且，在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，因為在電極臺中使用這 種本發(fā)明的臺裝置，所以即便在第一銷附近，被處理基板也與載置面 和第一銷兩者接觸。
因此，不形成由上述的升降銷(第一銷)和載置面的高低平面差 產(chǎn)生的空隙部，即不產(chǎn)生等離子體且電壓降大的、在被處理基板和升 降銷(第一銷)之間或者被處理基板和載置面之間的空隙部，所以能 夠減少在被處理基板上產(chǎn)生的處理不均和處理遺漏
因為如此，起到能夠提供在將被處理基板載置在載置面上的狀態(tài) 下，在第一銷的上端和載置面之間不產(chǎn)生高低平面差的臺裝置和等離 子體處理裝置的效果。
此外，因為本發(fā)明的顯示面板用基板是用于制造顯示面板的顯示 面板用基板，其特征在于，使用能夠有效地減少處理不均的發(fā)生的本 發(fā)明的上述等離子體處理裝置實施過表面處理，所以通過用這種顯示 面板用基板制造顯示面板，能夠提供沒有顯示不均的顯示品質(zhì)優(yōu)良的 顯示裝置。


圖1表示本發(fā)明的實施方式，是表示實施方式1的等離子體處理 裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是表示搭載在圖1的等離子體處理裝置中的電極臺的外觀的 平面圖。
圖3是圖2中的B-B'線剖面圖。
圖4是表示升降銷處于收容位置，在電極臺上沒有載置被處理基 板的狀態(tài)的圖2中的A-A'線剖面圖。
圖5是表示升降銷處于收容位置，在電極臺上載置有被處理基板 的狀態(tài)的圖2中的A-A'線剖面圖。
圖6是表示升降銷處于收容位置，吸附有載置在電極臺上的被處 理基板的狀態(tài)的圖2中的A-A'線剖面圖。
圖7是表示升降銷處于突出位置，使被處理基板從電極臺脫離的 狀態(tài)的圖2中的A-A'線剖面圖。
圖8 (a)是圖1的等離子體處理裝置中的升降銷附近的主要部分 剖面模式圖，(b)是表示其等效電路的電路圖。
圖9是說明當將彈簧式升降銷配置在電極臺的外周部時可能產(chǎn)生 的問題的圖。
圖IO是說明在電極臺的外周露出電極面時產(chǎn)生的異常放電的圖，
(a)是露出有電極面的等離子體處理裝置的主要部分剖面模式圖，(b)
是表示其等效電路的電路圖。
圖11是說明通過將絕緣部配置在電極臺的外周部而不產(chǎn)生異常放
電的圖，(a)是圖1的等離子體處理裝置的主要部分剖面模式圖，(b) 是表示其等效電路的電路圖。
圖12是表示能夠搭載在圖1的等離子體處理裝置中的其它電極臺 的外觀的平面圖。
圖13 (a) (e)都是表示使配置在電極臺的外周部的絕緣部為 工作模式的、本發(fā)明的其它實施方式的等離子體處理裝置中搭載的電 極臺的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖14是圖1的等離子體處理裝置的變形例中的升降銷附近的主要 部分剖面模式圖。
圖15是圖1的等離子體處理裝置的變形例中的升降銷附近的主要 部分剖面模式圖。
圖16是表示彈簧式升降銷的升降順序不同的、本發(fā)明的其它實施
方式的等離子體處理裝置中搭載的電極臺的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖17是表示本發(fā)明的其它實施方式的圖，是表示實施方式2的等
離子體處理裝置中搭載的電極臺的外觀的平面圖。
圖18是表示升降銷處于收容位置，吸附有載置在電極臺上的被處
理基板的狀態(tài)的圖17中的C-C'線剖面圖。
圖19是表示搭載在圖1的等離子體處理裝置中的電極臺的外觀的
平面圖。
圖20是表示升降銷處于收容位置，吸附有載置在電極臺上的被處 理基板的狀態(tài)的圖19中的D-D'線剖面圖。
圖21 (a) (d)都是表示用圖1或圖17的等離子體處理裝置在 基板上形成彩色濾光片的液晶面板的一個制造工序的步驟的剖面圖。
圖22 (a) (b)都是表示在彩色濾光片的形成中使用的黑矩陣形狀 的一個例子的平面圖。
圖23是表示在圖21 (b)中所示的噴出墨汁后的狀態(tài)的平面圖。
圖24是放大表示現(xiàn)有的等離子體處理裝置的剖面圖。
圖25是表示現(xiàn)有的等離子體處理裝置中的吸附槽的等效電路的電 路圖。
圖26是放大表示現(xiàn)有的其它等離子體處理裝置的剖面圖。
圖27是表示現(xiàn)有的等離子體處理裝置中的升降銷附近的等效電路
的電路圖。
符號的說明
S等離子體處理裝置
2電極臺
3相對電極
4被處理基板
6吸附機構(gòu)
6a吸附口
7升降銷機構(gòu)
ll吸附面
18a 處理有效區(qū)域 18b處理無效區(qū)域
20 彈簧式升降銷(第一銷)
21 固定式升降銷(第二銷)
具體實施例方式
圖1 圖11表示本發(fā)明的實施方式1。本實施方式的等離子體處 理裝置S，如作為剖面圖的圖1所示，在處理容器1的內(nèi)部，包括電極 臺裝置(臺裝置)35和相對電極3。而且，在大氣壓附近的壓力環(huán)境 下，對保持在電極臺裝置35中的電極臺2上的玻璃基板等被處理基板 4實施等離子體處理。
相對電極3由導電性部件構(gòu)成，與電極臺2相對配置。相對電極3 上連接有電源部10，相對電極3能夠在其與電極臺2之間進行放電。 此外，相對電極3設(shè)置在上述處理容器1內(nèi)部的上方位置，用于將處 理氣體導入相對電極3內(nèi)部的氣體導入管9的一端連接在與電極臺2 的相對面相反的一側(cè)的面上。而且，在相對電極3中，形成有多個氣 體導入孔8……，通過各氣體導入孔8將從氣體導入管9供給相對電極
3的處理氣體供給被處理基板4 一側(cè)。
此外，關(guān)于相對電極3的結(jié)構(gòu)，不限定于上述結(jié)構(gòu)，只要是能夠 將氣體均勻地導入相對電極3和電極臺2之間的機構(gòu)即可。
上述氣體導入管9的另一端側(cè)，延伸到處理容器1的外部，與氣 體供給源連接。用于排出處理容器1內(nèi)部的排氣氣體的排氣管5與該 處理容器1的底部連接。
電極臺裝置35包括電極臺2、設(shè)置在該電極臺2上的吸附機構(gòu)6 和升降銷機構(gòu)7。
電極臺2用于載置被處理基板4，具有由做成板狀的導電性部件構(gòu) 成的電極部2a、和由配置在該電極部2a周圍的絕緣體構(gòu)成的絕緣部 2b。電極部2a和絕緣部2b的上表面成為載置被處理基板4的載置面 11。電極部2a接地。
如圖2所示，載置面11上的區(qū)域分成進行等離子體處理的處理有 效區(qū)域18a和不進行等離子體處理(或者即便進行也不呈現(xiàn)規(guī)定品質(zhì)) 的處理無效區(qū)域18b。在圖2中，用點劃線包圍的內(nèi)側(cè)的區(qū)域是處理有 效區(qū)域18a，包含上述絕緣部2b的點劃線的外周側(cè)的區(qū)域是處理無效 區(qū)域18b。該處理無效區(qū)域18b以載置在載置面11上的被處理基板4 中的像素無效區(qū)域位于該區(qū)域的方式設(shè)定。從被處理基板4中的像素 無效區(qū)域的尺寸考慮，上述絕緣部2b的寬度優(yōu)選5mm以上，更加優(yōu) 選5 10mm。
上述絕緣部2b具有防止異常放電的功能。S卩，被處理基板4和電 極臺2具有相同的尺寸，當在電極臺2的側(cè)端面露出電極部2a時，在 圖10 (a)所示的位置A，不經(jīng)過由被處理基板4產(chǎn)生的電容器，引起 電極臺2和相對電極3的露出電極的放電、異常放電。圖10(b)是圖 10 (a)的等效電路，電阻33表示由相對電極3和電極臺2之間的直 接放電產(chǎn)生的電壓降。
對此，如本實施方式，通過將絕緣部2b配置在電極臺2的周圍， 如圖11 (a)和作為其等效電路的同圖(b)所示，不引起異常放電， 變?yōu)橥ㄟ^由被處理基板4產(chǎn)生的電容器32的放電(正常放電)。此外， 電阻31表示相對電極3和被處理基板4之間的電壓降。
吸附機構(gòu)6如圖1所示，用于將被處理基板4吸附在電極臺2的 載置面11上。在本實施方式中，吸附機構(gòu)6由通過在載置面11中開
口的剖面圓狀的豎孔構(gòu)成的多個吸附口 6a……構(gòu)成。
如圖3所示，在電極臺2的背面?zhèn)?，設(shè)置有多個排氣通路19。各 吸附口 6a經(jīng)過排氣通路19與真空泵50連接。各排氣通路19通過驅(qū) 動真空泵50使內(nèi)部減壓，使各吸附口 6a中產(chǎn)生真空力(負壓)。艮P， 在載置面11上載置有被處理基板4的狀態(tài)下驅(qū)動真空泵50，由此使各 吸附口 6a的內(nèi)部產(chǎn)生真空力，能夠?qū)⑸鲜霰惶幚砘?吸附保持在載 置面11上。
此外，各吸附口6a如圖2所示，均等地矩陣狀地配置在電極臺2 的載置面11上。通過在載置面11上分散地形成吸附口 6a，能夠?qū)⒈?處理基板4均勻地吸附保持在整個載置面11上。
進一步，這里，如圖3所示，因為每次匯集多個吸附口 6a與1個 排氣通路19連接，所以比使排氣通路19分別與各吸附口 6a連接的結(jié) 構(gòu)更能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)造的簡單化。
此外，吸附口 6a在被處理基板4和電極臺2之間具有空隙部，如 上所述，因為通過抽真空使吸附口 6a內(nèi)部為低壓，所以容易產(chǎn)生等離 子體，電壓降比較小，處理不均的問題少。但是，當吸附口6a的直徑 大時，即便空隙部為負壓，也存在產(chǎn)生處理不均的擔心。因此優(yōu)選吸 附口 6a的直徑在0.5mm以下。
此外，吸附口 6a之間存在間距，但是當在100mm以下時，在電 極臺2和絕緣部2b中需要復雜的加工，成本增加。另一方面，當間距 過寬時，影響使被處理基板4吸附在載置面11上的能力，需要加強負 壓。因此，吸附口 6a之間的間距優(yōu)選100 200mm的范圍。
此外，作為吸附機構(gòu)6，除上述以外，也可以是在電極臺2上形成 平面視圖呈矩形環(huán)狀(方形的框狀)，由同心狀并列配置的多個吸附槽 組成的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，只要經(jīng)過在各吸附槽的底部形成的排氣 通路與真空泵等連接即可。在這種情況下也優(yōu)選吸附槽的槽寬度在 0.5mm以下。
升降銷機構(gòu)7，使用構(gòu)成為能夠從電極臺2的載置面11突出沒入 的升降銷，將被處理基板4設(shè)置在電極臺2上，此外，還可以使被處
理基板4從電極臺2脫離。詳細情形將在后面述說，在本實施方式中， 具備接觸調(diào)整部件，其使得沒入到電極臺2中的狀態(tài)下的升降銷的上 端與載置面11上的被處理基板4接觸而不從載置面11抬起該被處理 基板4，由此可以減少等離子體處理時的上述處理不均。
在這樣結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置s中，在將處理氣體供給相對電
極3和電極臺2之間的狀態(tài)下，通過從電源部10將例如1 數(shù)十kV 的電壓施加在相對電極3和電極臺2之間，使相對電極3和電極臺2 之間產(chǎn)生等離子體。然后，通過該等離子體，對被處理基板4進行等 離子體處理。
例如，當對在被處理基板4上形成的薄膜(具有化學的、機械的、 光學的或電特性的薄膜)進行刻蝕時，優(yōu)選使用CF4與He或Ar的混 合氣體作為處理氣體。此外，當進行對被處理基板4的表面賦予撥水 性(防液性)的這種處理時，可以用CF4、 C2F6和SF6等的含氟氣體， 作為處理氣體。此外，當在被處理基板4的表面形成Si02、 Ti02、 Sn02 等金屬氧化膜的薄膜，對被處理基板4賦予親水性時，可以應用氫化 金屬氣體、鹵化金屬氣體和金屬醇化物等的金屬有機化合物的氣體或 水蒸氣。
下面，用圖4 圖7詳細地說明搭載在等離子體處理裝置S的電極 臺裝置35上的升降銷機構(gòu)7。圖4 圖7是圖2中的A-A'線剖面圖。
如上所述，升降銷機構(gòu)7包括構(gòu)成為能夠從電極臺2的載置面11 突出沒入的升降銷。這里，包括具備沿銷移動方向具有彈性的線圈彈 簧(彈性體)23的彈簧式升降銷(第一銷)20和不具備該彈簧23的 固定式升降銷(第二銷)28這2種銷。如圖2所示，彈簧式升降銷20 配置在電極臺2的中央部的電極部2a，固定式升降銷28配置在電極臺 2的外周部，這里為絕緣部2b。
如圖4所示，彈簧式升降銷20和固定式升降銷端28都配設(shè)在電 極臺2上形成的各圓筒26內(nèi)。圓筒26由載置面11中開口的圓筒狀的 孔部構(gòu)成。彈簧式升降銷20和固定式升降銷端28構(gòu)成為能夠沿圓筒 26的長度方向(即上下方向)移動，在圖4所示的收容位置和圖7所 示的突出位置之間移動。
收容位置是使彈簧式升降銷20和固定式升降銷端28的上端20a、
28a位于載置面11附近的位置。此外，突出位置是使彈簧式升降銷20 和固定式升降銷28的上端20a、 28a在比載置面11更向上方突出的位 置，能夠使處于載置面11上的被處理基板4從載置面11脫離。這些 彈簧式升降銷20和固定式升降銷28與電極臺2同樣地電連地。
彈簧式升降銷20，其形成為沿圓筒26的內(nèi)壁的形狀的圓柱狀的活 塞部21和上表面平坦地形成的螺栓狀的銷上部22通過線圈彈簧(彈 性體)23連接。線圈彈簧23是使上端20a與載置面11上的被處理基 板4接觸而不從載置面11抬起該被處理基板4的接觸調(diào)整部件，此外， 也是將沿其移動方向具有彈性的功能賦予彈簧式升降銷20的彈性功能 賦予部件。彈簧式升降銷20由該線圈彈簧23而賦予具有彈性的功能， 由此在也為長度方向的銷移動方向上具有彈性。
艮口，通過做成使彈簧式升降銷20沿銷移動方向具有彈性的結(jié)構(gòu)， 即便不能夠使彈簧式升降銷20正確地停止在上端20a的位置與載置面 lla相同的位置上，也能夠利用彈簧式升降銷20的彈性，使沒入電極 臺2中的狀態(tài)的彈簧式升降銷20的上端20a與載置面11上的被處理 基板4接觸而不從載置面11抬起該被處理基板4。
在本實施方式中，彈簧式升降銷20，如圖4所示，處于收容位置， 在載置面11上未搭載有被處理基板4，對銷上部22沒有加諸任何負荷 的狀態(tài)下，彈簧式升降銷20的上端20a比載置面11更向上方突出若 干量。在未加負荷的狀態(tài)下，彈簧式升降銷20的上端20a從載置面11 突出的突出量是被處理基板4的自重克服彈簧式升降銷20的彈力，能 夠壓入其上端20a直到與載置面ll相同的高度為止的量，可以適當設(shè) 定，例如能夠為0.3 0.8mm。
而且，如圖6所示，在載置面11上載置被處理基板4，通過吸附 機構(gòu)6的作用吸附被處理基板4，由此彈簧式升降銷20被完全壓入到 圓筒26內(nèi)。因為壓入到圓筒26內(nèi)的狀態(tài)的彈簧式升降銷20通過想要 回到線圈彈簧23的原來的狀態(tài)的力，使銷上端20a擠壓被處理基板4， 所以被處理基板4即便在升降銷附近，也能夠與載置面11和升降銷兩 者接觸。
因此，在本實施方式的等離子體處理裝置S中，在等離子體處理 時，不由彈簧式升降銷20的上端20a和載置面11的高度不同而產(chǎn)生 上述空隙部，能夠減少處理不均。
可是，為了通過被吸附機構(gòu)6吸附的被處理基板4加在銷上部22
的力(負荷)，將彈簧式升降銷20完全壓入到圓筒26內(nèi)，在被處理基 板4加在銷上部22的力(負荷)和想要回到線圈彈簧23的原來的狀 態(tài)的力平衡的狀態(tài)下的上端20a的位置必須處于載置面11的下方。當 利用吸附機構(gòu)6的吸附作用時，因為能夠增大從被處理基板受到的負 荷，所以這樣的設(shè)計是容易的。
但是，當然，也能夠不考慮吸附機構(gòu)6的吸附作用，只根據(jù)由被 處理基板4的自重加諸的負荷進行設(shè)計。但是，加在1個彈簧式升降 銷20上的負荷也由于被處理基板4的重量、彈簧式升降銷20的配置 數(shù)、其它、基板的彎曲等而變化。因此，在被處理基板4的負荷和想 要回到線圈彈簧23的原來的狀態(tài)的力平衡的狀態(tài)下的上端20a的位 置，在使線圈彈簧23的彈力相同的情況下，由來自被處理基板4的負 荷而變化，在負荷小的載置面11的外周部，有可能比載置面11靠上。 當處于平衡狀態(tài)的上端20a比載置面11靠上時，即便將被處理基板4 載置在載置面11上，彈簧式升降銷20的上端20a也照樣從載置面11 突出。
與此相對，如本實施方式，通過形成將被處理基板4吸附保持在 載置面ll上的結(jié)構(gòu)，雖然被處理基板4的自重小，也能夠確實地使被 處理基板4與載置面11接觸。此外，因為能夠根據(jù)在吸附被處理基板 4的狀態(tài)下加在銷上部22的負荷來設(shè)定線圈彈簧23的彈力，所以與只 根據(jù)由被處理基板4的自重產(chǎn)生的負荷的情形比較，能夠更大地增強 彈力，從而線圈彈簧23的設(shè)計變得容易，此外，也能夠使線圈彈簧23 的壽命長。
此外，在彈簧式升降銷20中，以在活塞部21和銷上部22之間， 包圍線圈彈簧23的方式，設(shè)置有圓筒部件24，該圓筒部件24的下端 固定在活塞部21上，上端打開。此外，在銷上部22的軸部設(shè)置有與 該圓筒部件24接觸的鍔狀的卡止片25。
圓筒部件24和卡止片25用于限制線圈彈簧23的收縮。g卩，通過 按壓銷上部22使銷上部22向下方移動，線圈彈簧23收縮，但是通過 卡止片25與圓筒部件24相接觸，線圈彈簧23不會收縮到在此以上的
程度。
通過這樣地限制線圈彈簧23的收縮，規(guī)定彈簧式升降銷20的最 短尺寸，不會在線圈彈簧23上加上超過需要的壓力，能夠抑制線圈彈 簧23的劣化。此外，在使被處理基板4從電極臺2脫離的工序中，因 為線圈彈簧23的部分，通過圓筒部件24和卡止片25，如圓柱狀的部 件那樣起作用，所以當進行使被處理基板4脫離的動作時，與固定式 升降銷28同等地起作用，可以使被處理基板4穩(wěn)定地脫離。
但是，因為線圈彈簧23需要收縮到彈簧式升降銷20的上端20a 與載置面11處于同一高度為止，所以需要預先將圓筒部件24和卡止 片25的間隔距離，g卩，卡止片25移動到與圓筒部件24相接觸的距離， 設(shè)定得比在收容位置處上端20a從載置面11突出的量長。
另一方面，固定式升降銷28形成沿圓筒26的內(nèi)壁的形狀的圓柱 體，在電極臺2的背面?zhèn)?圖4中下側(cè))，形成得比載置面11側(cè)(圖4 中上側(cè))的直徑大。而且，固定式升降銷28，如圖4 圖6所示，在 移動到下方的收容位置的狀態(tài)下，其上端配置在載置面ll的下方，如 圖7所示，按照在處于突出位置的狀態(tài)下，其上端28a的高度位置與 抬起被處理基板4的彈簧式升降銷20的上端20a —致的方式設(shè)計。
此外，通過將固定式升降銷28的上端配置在載置面11的下方， 在固定式升降銷28的上端28a和被處理基板104之間具有空隙部49， 產(chǎn)生電壓降。但是，因為配置有固定式升降銷28的區(qū)域是處理無效區(qū) 域18b，所以對被處理基板4沒有處理品質(zhì)的問題。
下面，說明用上述等離子體處理裝置S實施的被處理基板4的等 離子體處理方法。
首先，在基板吸附工序中，如圖4所示，升降銷機構(gòu)7在分別使 彈簧式升降銷20和固定式升降銷28移動到收容位置的狀態(tài)下，將被 處理基板4載置在電極臺2上。在載置后的狀態(tài)下，如圖5所示，因 為彈簧式升降銷20的上端20a從載置面11突出，所以被處理基板4 在電極臺2的中央部，為相對電極臺2稍微浮起的狀態(tài)。
接著，驅(qū)動真空泵50對多個吸附口 6a……進行減壓，如圖6所示， 將被處理基板4吸附保持在載置面11上。這時，彈簧式升降銷20的 上端20a被完全壓入圓筒26內(nèi)，因此，被處理基板4與電極臺2接觸。 此外，通過彈簧式升降銷20的彈力，上端20a與被處理基板4接觸。
接著，在等離子體發(fā)生工序中，將處理氣體導入到相對電極3的 內(nèi)部，從相對電極3的各氣體導入孔8將該處理氣體均勻地供給到相 對電極3和電極臺2之間的空間。在該狀態(tài)下，從電源部10將規(guī)定電 壓加到相對電極3上，在相對電極3和電極臺2上的被處理基板4之 間，在大氣壓附近的壓力環(huán)境下產(chǎn)生等離子體。通過該等離子體，對 被處理基板4實施例如蝕刻等的等離子體處理。此外，經(jīng)過排氣管5 排出處理容器1內(nèi)部的排氣氣體。
接著，在基板脫離工序中，在實施過等離子體處理后，停止從電 源部10施加電壓和從氣體導入管9供給氣體。此后，停止驅(qū)動真空泵 50，分別使升降銷機構(gòu)7中的彈簧式升降銷20和固定式升降銷28從 收容位置上升移動到突出位置。由此，使被處理基板4從載置面11脫 離并搬出。
通過這樣一連串的工序，用上述等離子體處理裝置S對被處理基 板4進行等離子體處理。
這樣，根據(jù)本實施方式，是在進行等離子體處理時，能夠使電極 臺2的載置面11和升降銷機構(gòu)7中的彈簧式升降銷20的上端20a為 相同的高度，并且能夠使被處理基板4與電極臺2和彈簧式升降銷20 兩者都接觸的結(jié)構(gòu)。所以，在彈簧式升降銷20的附近，在被處理基板 4和電極臺2之間，或者被處理基板4和彈簧式升降銷20的上端20a 之間不會形成空隙部地，產(chǎn)生等離子體。結(jié)果，可以抑制由空隙部引 起的電壓降，對被處理基板4的整個面實施沒有不均的均一的等離子 體處理，能夠減少在大氣壓附近的壓力環(huán)境下的等離子體處理的處理 不均和處理遺漏。
圖8 (a)是上述等離子體處理裝置S中的主要部分剖面模式圖， 以及同圖(b)表示其等效電路。在圖8 (b)中，能夠考慮在彈簧式升 降銷20附近，在電源部IO和接地部12之間，串聯(lián)連接有電阻31、電 容器32的電路結(jié)構(gòu)。電阻31表示由在相對電極3和被處理基板4之 間發(fā)生的等離子體14引起的電壓降。電容器32是被處理基板4中的 電容量。
如果將該圖8 (b)與在課題項目中已經(jīng)說明過的圖25所示的現(xiàn)有
結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置中的等效電路進行比較，可以明確在本實施 方式1的結(jié)構(gòu)中，不存在由升降銷機構(gòu)的升降銷和載置面11的高低平 面差產(chǎn)生的空隙部的電容量，能夠抑制由它引起的電壓降。
此外，在本實施方式中，形成在電極臺2的外周部，配置固定式
升降銷28，并且使收容位置的固定式升降銷28的上端28a處于載置面 11的下方的結(jié)構(gòu)，但是當然也可以形成包括電極臺2的外周部，使全 部升降銷為彈簧式升降銷20的結(jié)構(gòu)。
但是，如圖9所示，雖然對配置在載置面ll的中央部的彈簧式升 降銷20來說，由于由被處理基板4的自重產(chǎn)生的負荷大，下降到所希 望的位置，但是對于配置在載置面11的外周部的彈簧式升降銷20而 言，由被處理基板4的自重產(chǎn)生的負荷小，有可能招致被處理基板4 不與電極臺2相接的事態(tài)發(fā)生。能夠考慮通過利用吸附機構(gòu)6的吸引 力來達到某種程度的改善，但是當彈簧式升降銷20具有的彈力大時， 即便利用吸引力，也可能存在不能夠使被處理基板4與電極臺2接觸 的情形。所以，如在本實施方式中采用的方式，優(yōu)選配置在電極臺2 的外周部的升降銷為固定式升降銷28。電極臺2的外周部通常是處理 無效區(qū)域18b，載置被處理基板4中的顯示區(qū)域外的像素無效區(qū)域，所 以即便在升降銷附近發(fā)生處理不均，也不大會成為問題。
此外，在本實施方式中，如圖2所示，固定式升降銷28設(shè)置在處 理無效區(qū)域18b中的絕緣部2b，但是也可以如圖12所示，為設(shè)置在處 理無效區(qū)域18b中的電極部2a的結(jié)構(gòu)。重要的是，只要固定式升降銷 16處于處理無效區(qū)域18b，而處于處理有效區(qū)域18a的升降銷全部是 彈簧式升降銷20即可。
此外，在本實施方式中，固定式升降銷28配置在電極臺2中的絕 緣部2b，此外，在絕緣部2b形成有圓筒26。但是，在絕緣部2b形成 圓筒26的孔加工等困難的情況下，如圖13 (a) (e)所示，也可以 是將絕緣部2b作為絕緣部39，另外設(shè)置使絕緣部39脫離電極臺2的 機構(gòu)的結(jié)構(gòu)。其中，固定式升降銷28設(shè)置在絕緣部39的下方，當固 定式升降銷28上升時，絕緣部39從固定式升降銷28的上方退避，進 行被處理基板4的交收。在這種情況下，另外形成固定式升降銷28在 其內(nèi)側(cè)移動的圓筒30。
此外，在本實施方式中，如在圖8 (a)中的主要部分剖面模式圖
所示，在處于處理有效區(qū)域18a中的彈簧式升降銷20的附近，可以消 除由彈簧式升降銷20的上端20a和載置面11的高低平面差引起的、 在被處理基板4和電極臺2、以及被處理基板4和彈簧式升降銷20之 間產(chǎn)生的空隙部。但是，在電極臺2中形成的圓筒26和彈簧式升降銷 20之間留下微小的空隙部15。
因此，當在等離子體處理后檢測出由該微小的空隙部15引起的不 均時，更加優(yōu)選如圖14所示，在彈簧式升降銷20的上端20a，或者， 如圖15所示，在彈簧式升降銷20附近的電極臺2的表面，形成介電 常數(shù)不同的膜34的結(jié)構(gòu)。由此，能夠使與彈簧式升降銷20的配置位 置對應的不均的視認性變差，不引人注意。此外，在圖14、 15中，由 參照標號14表示的是在相對電極3和被處理基板4之間產(chǎn)生的等離子 體。
此外，在本實施方式中，彈簧式升降銷20在作為沒入到載置面11 的狀態(tài)的收容位置，在載置面11上沒有載置被處理基板4的狀態(tài)下使 上端20a從載置面ll突出，在該狀態(tài)下進行待機。
但是，在彈簧式升降銷20的收容位置的待機位置不限于這種使上 端20a從載置面11突出的狀態(tài)，也可以如圖16 (a)所示，上端20a 處于比載置面11靠下方的位置。在這種情況下，如圖16 (b)所示， 在被處理基板4被載置在載置面11以后，彈簧式升降銷20上升到不 使被處理基板4從載置面浮起的位置。
即便在這樣的結(jié)構(gòu)中，通過利用賦予彈簧式升降銷20的銷移動方 向的彈性，也能夠補償升降銷的停止位置的偏差，對被處理基板4的 整個面實施均一的等離子體處理，能夠減少在大氣壓附近的壓力環(huán)境 下的等離子體處理的處理不均和所謂的處理遺漏。
此外，在圖2所示的結(jié)構(gòu)中，在載置面ll的中央部配置有8個彈 簧式升降銷20，但是彈簧式升降銷20的配置數(shù)以及配置間隔，只要以 不妨礙被處理基板4的脫離的方式進行設(shè)定即可。關(guān)于配置在電極臺2 的外周部的固定式升降銷28也是同樣如此。
此外，在本實施方式中，作為彈性功能賦予部件，例示有成為彈 簧式升降銷20的一部分的線圈彈簧23，但重要的是，只要將沿其移動
方向具有彈性的功能賦予升降銷即可，例如，通過與升降銷分開設(shè)置 的線圈彈簧、板彈簧，或者橡膠部件來支撐固定式升降銷28這種沿移 動方向不具有彈性的升降銷，也能夠賦予沿移動方向具有彈性的功能。 [發(fā)明的實施方式2]
圖17 圖20表示本發(fā)明的實施方式2。此外，在以后的各實施方
式中，為了說明方便，在具有與實施方式1中使用的部件相同功能的 部件上附加相同的標號，并省略說明。
在本實施方式2中，如圖17所示，在等離子體處理裝置S中的電 極臺2的載置面11上形成的構(gòu)成吸附機構(gòu)6的多個吸附口 6a……的配 置與圖2所示的實施方式1的裝置不同。
艮口，如圖19所示，在電極臺2的載置面11上均等地配置有各吸 附口6a的結(jié)構(gòu)中，如圖20所示，由于彈簧式升降銷20中的線圈彈簧 23的彈力，存在即便利用吸附機構(gòu)6的吸引力也不能夠?qū)⒈惶幚砘?4拉到電極臺2加以吸附的可能性。此外，圖20是圖19中的D-D'線 剖面圖。此外，在均等地配置的情況下，通過減小吸附口 6a的間距， 也能夠增加吸附力，避免不能克服彈簧式升降銷20中的線圈彈簧23 的彈力的情況，但是不可避免地使成本提高。
因此，在本實施方式2的裝置中，如圖17所示，在載置面11的 中央部，在配置有升降銷機構(gòu)7中的彈簧式升降銷20的區(qū)域中，使吸 附口 6a比其它區(qū)域密集地進行配置。吸附口 6a之間的間距，在配置 有彈簧式升降銷20的區(qū)域中，優(yōu)選為20 100mm，在配置彈簧式升降 銷20的區(qū)域以外，只要設(shè)定在不妨礙吸附力的范圍內(nèi)即可。這里，將 吸附口 6a之間的間距，在密集部分設(shè)計為100mm，在其它部分設(shè)計為 200mm。
通過使電極臺2為這樣的結(jié)構(gòu)，除了能夠得到與上述實施方式1 相同的效果外，如圖18所示，即便彈簧式升降銷20中的線圈彈簧23 的彈力強，也能夠確實地將被處理基板4拉到電極臺2 —側(cè)加以吸附， 使被處理基板4和電極臺2接觸。S卩，通過根據(jù)載置面ll中的升降銷 機構(gòu)7的升降銷的種類來改變吸附口 6a的間距，由此抑制成本上升， 成為能夠?qū)μ幚聿痪右愿纳频牡入x子體處理裝置。圖18是圖17中 的C-C'線剖面圖。
此外，在實施方式l、 2中，作為在升降銷附近，在被處理基板4 和電極臺2之間、以及在被處理基板4和升降銷的上端之間，不產(chǎn)生
空隙部的結(jié)構(gòu)，配置有沿移動方向具有彈性的彈簧式升降銷20，但是 如果是在升降銷附近，被處理基板4與電極臺2和升降銷兩者相接的 構(gòu)造，則不限于此，也可以是其它構(gòu)造。
下面，利用圖21 圖23，對使用在實施方式1、 2中說明過的本 發(fā)明的等離子體處理裝置，對基板表面進行等離子體處理而在基板上 形成彩色濾光片的液晶面板的一個制造工序的步驟進行說明。
首先，如圖21 (a)所示，在基板40上形成黑矩陣41，形成凹部42。
作為基板40，優(yōu)選使用玻璃基板或塑料基板，但是如果具有作為 彩色濾光片的透明性、機械強度等的必要特性，則沒有特別的限定。 此外， 一般黑矩陣41的圖案形狀，如圖22 (a)所示，可以舉出矩陣 形狀和同圖(b)所示的條紋形狀等，但是沒有特別的限定。這里，以 圖22 (a)的矩陣形狀為例進行說明。
黑矩陣41形成用于接受墨汁的凹部42，此外，作為用于防止在鄰 接的凹部42之間不同顏色的墨汁的混合的隔離壁(分隔)起作用。這 里，黑矩陣41的形成方法沒有特別的限定，用公知的方法即可，例如， 能夠通過用光刻法等對黑色樹脂進行圖案化來形成。黑矩陣41優(yōu)選形 成0.5 3.(Him的厚度，特別優(yōu)選1.0 2.0pm的厚度。
接著，將這樣形成有黑矩陣41的基板40搭載在上述實施方式1、 2的等離子體處理裝置S的電極臺2上，對黑矩陣41實施撥水處理(撥 水性工序)。
作為處理氣體，優(yōu)選應用CF4、 C2F6和SF6等含氟氣體。但是， 處理氣體不限定于上述氣體，只要是具有能夠防止在黑矩陣41中墨汁 顏色混合的撥水性的氣體即可。
此外，當需要提高凹部42的親水性時，也可以在實施上述撥水處 理前追加UV處理或?qū)r、 He、 02用作處理氣體的等離子體處理(親 水性工序)。
接著，如圖21(b)所示，使用噴墨裝置從噴嘴43噴出墨汁44(墨 汁噴出工序)。
墨汁44的噴出，越過黑矩陣41，并且有選擇地只對黑矩陣41之
間的凹部42進行。噴出的墨汁44優(yōu)選使用使顏料分散的熱固化型的 墨汁。此外，墨汁44的噴出能夠利用公知的方法。
圖23表示從基板40上方看噴出墨汁44的狀態(tài)的彩色濾光片的平 面圖。在圖23中，墨汁44、 45、 46分別是分散有紅、藍、綠顏料的 墨汁。此外，因為圖21是剖面圖，所以墨汁44只可以看到紅色1種 顏色。
此后，使墨汁44干燥，形成著色層48。例如，通過使溶劑蒸發(fā)， 其后，進行燒制，進行墨汁44的熱聚合，能夠形成著色層48。此外， 上述墨汁的溶劑的蒸發(fā)方法、燒制方法，結(jié)合墨汁44、基板40等的狀 態(tài)適當利用公知的方法即可。
根據(jù)上述制造方法制造的彩色濾光片，能夠制造出改善了等離子 體處理裝置的升降銷附近的不均的、整個面上沒有不均的、顯示品質(zhì) 良好的彩色濾光片。而且，具有這樣制造的彩色濾光片的液晶顯示裝 置能夠進行高性能、高品質(zhì)的顯示，供用戶在舒適的觀賞環(huán)境中使用。
這里，舉出實施例更具體地對使用實施方式1、 2說明過的本發(fā)明
的等離子體處理裝置，對基板表面進行等離子體處理而在基板上形成 彩色濾光片的液晶面板的一個制造工序的步驟進行說明。也參照圖21 說明本實施方式。
首先，如圖21 (a)所示，在基板40上形成黑矩陣41，形成凹形 狀的凹部42。在本實施例中，基板40用0.7mm的玻璃基板。此外， 黑矩陣41使用黑樹脂(resinblack)，用旋涂、光處理形成1.5|am的厚 度。
接著，在本實施例中，在形成有黑矩陣41的基板40上，通過UV 處理實施凹部42的親水處理。接著，在本實施例中，用含氟氣體，使 用上述實施方式l、 2的等離子體處理裝置S，進行等離子體處理，實 施黑矩陣41上的撥水處理。在本實施例中，親水化后的凹部42的對 純水的接觸角為10°左右，黑矩陣41上的對純水的接觸角為90 100° 程度。
接著，如圖21 (b)所示，從噴嘴43噴出墨汁44。如圖23所示， 墨汁44的噴出越過黑矩陣41，并且有選擇地只對黑矩陣41之間的凹
部42進行。在本實施例中，墨汁的噴出使用噴墨裝置，在25。C的環(huán) 境下，以每一滴墨汁5pl，對(R)、 (G)、 (B) 3色同時進行。噴出后 的墨汁44 (墨汁45、墨汁46也同樣)的狀態(tài)，如圖21 (c)所示，形 成在凹部42中凸狀鼓起的形狀。
接著，用加熱板(hotplate),在100°C、 10分鐘內(nèi)使溶劑蒸發(fā)， 在爐子中以220°C、進行30分鐘燒制，由此進行墨汁44的熱聚合。通 過以上的處理，如圖21 (d)所示，能夠形成著色層48。
如以上那樣，本發(fā)明的臺裝置的特征在于，包括具有載置被處 理基板的載置面的臺；和升降銷機構(gòu)，其具有設(shè)置在上述臺上并且能 夠從上述載置面突出沒入的第一銷，通過上述第一銷突出使上述被處 理基板從上述載置面脫離，其中，上述升降銷機構(gòu)具備使沒入到上述 臺中的狀態(tài)的上述第一銷的上端與上述載置面上的被處理基板接觸而 不從載置面抬起該被處理基板的接觸調(diào)整部件。
此外，本發(fā)明的等離子體處理裝置，通過在大氣壓附近的壓力環(huán) 境下，使電極臺與相對電極之間產(chǎn)生等離子體，對載置在上述電極臺 上的被處理基板進行等離子體處理，其特征在于作為上述電極臺， 包括上述的本發(fā)明的臺裝置。
根據(jù)本發(fā)明的臺裝置的結(jié)構(gòu)，因為升降銷機構(gòu)所具備的接觸調(diào)整 部件，使沒入到臺中的狀態(tài)的第一銷的上端與載置面上的被處理基板 接觸而不從載置面(與吸附面相當)抬起被處理基板，所以能夠利用 被處理基板使第一銷的上端與載置面為相同的高度。
艮P，實現(xiàn)在將被處理基板載置在載置面上的狀態(tài)下，利用該被處 理基板，使第一銷的上端與載置面之間不存在高低平面差的臺裝置。
而且，在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，因為在電極臺中使用這 種本發(fā)明的臺裝置，所以即便在第一銷附近，被處理基板也與載置面 和第一銷兩者接觸。
因此，不形成由上述的升降銷(第一銷)和載置面的高低平面差 產(chǎn)生的空隙部，即不產(chǎn)生等離子體且電壓降大的、在被處理基板和升 降銷(第一銷)之間或者被處理基板和載置面之間的空隙部，所以能 夠減少在被處理基板上產(chǎn)生的處理不均和處理遺漏。
在本發(fā)明的臺裝置、本發(fā)明的等離子體處理裝置中，能夠是上述
接觸調(diào)整部件由對上述第一銷賦予沿其移動方向具有彈性的功能的彈 性功能賦予部件構(gòu)成，上述第一銷利用由上述彈性功能賦予部件賦予 的彈性使該第一銷的上端與被處理基板接觸的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述情況，接觸調(diào)整部件由對第一銷賦予沿其移動方向具有 彈性的功能的彈性功能賦予部件構(gòu)成，第一銷利用由彈性功能賦予部 件賦予的彈性使該第一銷的上端與被處理基板接觸。即，由于升降銷 機構(gòu)的機械精度的限制，即使不能夠使第一銷停止在其上端與載置面 為相同高度的位置，也能夠通過利用彈性的簡單結(jié)構(gòu)對其進行補償， 能夠不使被處理基板從載置面浮起，使第一銷的上端與被處理基板接 觸。
上述彈性功能賦予部件，例如，能夠通過上述第一銷所具備的沿 第一銷的移動方向具有彈性的彈性體構(gòu)成。
此外，在本發(fā)明的臺裝置和等離子體處理裝置中，能夠是在上述 第一銷沒入上述臺中的收容位置，在上述載置面上沒有載置上述被處 理基板的狀態(tài)下，上述第一銷的上端從上述載置面突出，在上述載置 面上載置有上述被處理基板的狀態(tài)下，上述第一銷的上端由于該被處 理基板的負荷而與上述載置面為相同高度的結(jié)構(gòu)。
此外，在本發(fā)明的臺裝置和等離子體處理裝置中，也能夠是在上 述第一銷沒入上述臺中的收容位置，在上述載置面上沒有載置上述被 處理基板的狀態(tài)下，上述第一銷的上端位于上述載置面的下方，在上 述載置面上載置有上述被處理基板以后，上述第一銷上升，其上端與 上述被處理基板接觸的結(jié)構(gòu)。
此外，在本發(fā)明的臺裝置和等離子體處理裝置中，優(yōu)選在上述臺 設(shè)置有將被處理基板吸附保持在載置面上的吸附機構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
通過設(shè)置吸附機構(gòu)，將被處理基板吸附保持在載置面上，與單純 的載置比較，能夠牢固地固定被處理基板。而且，因為加在第一銷上 的負荷，與只靠被處理基板的自重的情形相比變強，所以賦予具有第 一銷的移動方向的彈性的功能，不從載置面抬起被處理基板地使第一 銷的上端與被處理基板接觸等變得容易進行。
艮口，為了利用第一銷具有的彈性使第一銷的上端與被處理基板接 觸而不使被處理基板從載置面浮起，需要使在從載置的被處理基板受 到的負荷與要使由該負荷產(chǎn)生的變形回到原來的狀態(tài)的力平衡的狀態(tài) 下的第一銷的上端位置處于載置面的下方。
通過形成這樣的結(jié)構(gòu)，容易進行使在從被處理基板受到的負荷與 要恢復的力平衡的狀態(tài)下的第一銷的上端位置處于載置面下方的設(shè) 計。
而且，在這種情況下，優(yōu)選吸附機構(gòu)的吸附力在被賦予上述具有 彈性的功能的上述第一銷附近比其它區(qū)域強。因此，能夠更加有效地 得到利用吸附力產(chǎn)生的上述作用。
再者，在本發(fā)明的臺裝置和等離子體處理裝置中，能夠是上述升 降銷機構(gòu)在臺的外周部具有能夠從上述載置面突出沒入的第二銷，該 第二銷沿該第二銷的移動方向不具有彈性，該第二銷在沒入上述臺中 的狀態(tài)下，使該第二銷的上端位于上述載置面的下方的結(jié)構(gòu)。
如上所述，為了利用第一銷具有的彈性使第一銷的上端與被處理 基板接觸而不使被處理基板從載置面浮起，需要使在從被處理基板受 到的負荷與要恢復的力平衡的狀態(tài)下的第一銷的上端位置處于載置面 的下方。但是，因為在載置臺的外周部，來自被處理基板的負荷小， 所以存在兩方的力平衡的狀態(tài)下的第一銷的上端位置處于載置面之 上，使被處理基板浮起的擔心。
與此相對，如上述結(jié)構(gòu)那樣，在臺的外周部配置有能夠從載置面 突出沒入的第二銷，該第二銷沿該第二銷的移動方向不具有彈性，該 第二銷在沒入上述臺中的狀態(tài)下，通過使該第二銷的上端位于上述載 置面的下方，能夠防止這種在載置臺的外周側(cè)的被處理基板的浮起。
因為本發(fā)明的顯示面板用基板是用于顯示面板的制造的顯示面板 用基板，其特征在于使用能夠有效地減少處理不均的發(fā)生的本發(fā)明的 上述等離子體處理裝置實施過表面處理，所以通過用這種顯示面板用 基板制造顯示面板，能夠提供沒有顯示不均的顯示品質(zhì)優(yōu)良的顯示裝 置。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
例如，能夠應用在顯示面板用基板等的制造中。
權(quán)利要求
1.一種臺裝置，其特征在于，包括具有載置被處理基板的載置面的臺；和升降銷機構(gòu)，該升降銷機構(gòu)具有設(shè)置在所述臺中并且能夠從所述載置面突出沒入的第一銷，通過所述第一銷突出使所述被處理基板從所述載置面脫離，其中，所述升降銷機構(gòu)具備使沒入到所述臺中的狀態(tài)的所述第一銷的上端與所述載置面上的被處理基板接觸而不從載置面抬起該被處理基板的接觸調(diào)整部件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的臺裝置，其特征在于所述接觸調(diào)整部件由對所述第一銷賦予沿其移動方向具有彈性的 功能的彈性功能賦予部件構(gòu)成，所述第一銷利用由所述彈性功能賦予 部件賦予的彈性使該第一銷的上端與被處理基板接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的臺裝置，其特征在于所述彈性功能賦予部件是在所述第一銷中具備的沿該第一銷的移 動方向具有彈性的彈性體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的臺裝置，其特征在于-在所述第一銷沒入所述臺中的收容位置，在所述載置面上沒有載置所述被處理基板的狀態(tài)下，所述第一銷的上端從所述載置面突出， 在所述載置面上載置有所述被處理基板的狀態(tài)下，所述第一銷的上端 由于該被處理基板的負荷而與所述載置面為相同高度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的臺裝置，其特征在于在所述第一銷沒入所述臺中的收容位置，在所述載置面上沒有載 置所述被處理基板的狀態(tài)下，所述第一銷的上端位于所述載置面的下 方，在所述載置面上載置有所述被處理基板以后，所述第一銷上升， 其上端與所述被處理基板接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的臺裝置，其特征在于 在所述臺設(shè)置有將被處理基板吸附保持在載置面上的吸附機構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的臺裝置，其特征在于所述吸附機構(gòu)的吸附力，在被賦予所述具有彈性的功能的所述第 一銷附近比其它區(qū)域強。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的臺裝置，其特征在于所述升降銷機構(gòu)在臺的外周部具有能夠從所述載置面突出沒入的 第二銷，該第二銷沿該第二銷的移動方向不具有彈性，該第二銷在沒 入所述臺中的狀態(tài)下，使該第二銷的上端位于所述載置面的下方。
9. 一種等離子體處理裝置，其通過在大氣壓附近的壓力環(huán)境下， 在電極臺與相對電極之間產(chǎn)生等離子體，對載置在所述電極臺上的被 處理基板進行等離子體處理，其特征在于作為所述電極臺，包括權(quán)利要求1 8中任一項所述的臺裝置。
10. —種顯示面板用基板，其用于顯示面板的制造，其特征在于 使用權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置實施過表面處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及臺裝置和等離子體處理裝置。提供在臺的載置面上載置有被處理基板的狀態(tài)下，在升降銷的上端和載置面之間不產(chǎn)生高低平面差的臺裝置，此外，還提供利用該臺裝置作為電極臺，能夠抑制處理不均的發(fā)生的等離子體處理裝置。在電極臺(2)的中央部，配置有沿銷移動方向具有彈性的彈簧式升降銷(20)。彈簧式升降銷(20)在收容位置上，銷上端(20a)從電極臺(2)的載置面(11)向上方突出，通過在載置面(11)上載置并吸附被處理基板(4)，由于從被處理基板(4)受到的負荷而被壓下至與載置面(11)相同的高度。
文檔編號H01L21/3065GK101352108SQ20068004957
公開日2009年1月21日 申請日期2006年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者中嶋節(jié)男, 中野良憲, 佐藤崇, 田中惠一, 真弓聰, 若崎環(huán)樹 申請人:夏普株式會社;積水化學工業(yè)株式會社