專利名稱：用于集成電路封裝的具有最大化可用面積的條帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及集成電路封裝輪廓的條帶，所述條帶具有最大化可用面積。
背景技術(shù)：
對便攜式消費者電子裝置的需求的強勁增長推動對高容量存儲裝置的需要。非易 失性半導(dǎo)體存儲器裝置(例如，快閃存儲器存儲卡)正愈來愈廣泛地用來滿足對數(shù)字信 息存儲與交換的持續(xù)增長的需求。所述非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置的可攜性、多功能 性與耐用設(shè)計連同其的高度可靠性與大容量，使得此類存儲器裝置十分適合用于各式 各樣的電子裝置，包括例如數(shù)碼相機、數(shù)字音樂播放器、視頻游戲控制臺、PDA與蜂 窩式電話。
盡管已知有數(shù)種封裝配置，但快閃存儲器存儲卡通?？芍圃鞛閱畏庋b系統(tǒng)(SiP) 或多芯片模塊(MCM)，其中襯底上安裝多個電路小片。所述襯底通?？砂▌傂曰?， 其具有蝕刻于一個或兩個側(cè)上的導(dǎo)電層。電連接形成于所述電路小片與所述導(dǎo)電層之 間，且所述導(dǎo)電層提供用于將電路小片集成到電子系統(tǒng)中之電引線結(jié)構(gòu)。 一旦在所述 電路小片與結(jié)構(gòu)之間形成電連接，通常接著將組合件的一個或兩個側(cè)包封于模制化合
物中，以提供保護封裝輪廓。
鑒于小形式因數(shù)要求，以及快閃存儲器卡必須是可拆卸的而非永久附接到印刷電 路板的事實，因此此類卡通常構(gòu)造成焊盤柵格陣列(LGA)封裝輪廓。在LGA封裝輪廓 中，所述半導(dǎo)體電路小片電連接到形成于所述封裝輪廓的下表面上的暴露接觸指狀件。 主機印刷電路板上與其它電子組件的外部電連接是通過使所述接觸指狀件與所述印刷 電路板上的互補電墊壓力接觸而實現(xiàn)。LGA存儲器封裝輪廓適合快閃存儲器卡，因為 LGA存儲器封裝輪廓與插針格柵陣列(PGA)及球格柵陣列(BGA)封裝輪廓相比具有較
小的外形及較低的電感。
比例尺的明顯經(jīng)濟性是通過在面板上同時形成多個集成電路(IC)封裝輪廓而實 現(xiàn)。 一旦制造完成，便從面板分離IC封裝，且接著將那些通過檢驗的IC封裝包封于 外部塑料蓋內(nèi)，以形成完成的快閃存儲器卡。在現(xiàn)有技術(shù)圖1中顯示常規(guī)IC封裝面板 20的俯視圖。面板20包括多個IC封裝輪廓22。傳統(tǒng)上，面板20在面板20的周圍處 包括多個基準(zhǔn)孔24，以便能定向面板20并在加工工具內(nèi)對齊面板的位置以用于制造 成品芯片封裝。
明確地說，當(dāng)將面板輸送到加工工具(例如，電路小片接合工具)中時，所述面板 沿著x方向(相對于圖1中所指示的x-y座標(biāo)系統(tǒng))而移動，直到光學(xué)辨識傳感器對齊基 準(zhǔn)孔24的第一基準(zhǔn)孔24a的位置為止。例如，光學(xué)辨識傳感器可在面板的一個側(cè)上包 括發(fā)射器，其將光束發(fā)射到面板的相對側(cè)上的接收器。當(dāng)所述孔與光學(xué)傳感器對準(zhǔn)時， 光束會通過所述孔，且被接納于接收器內(nèi)以對齊所述面板的位置。 一旦沿著x軸識別 面板的位置，所述工具便沿著y軸對面板加索弓I以在給定列內(nèi)處理所有的IC封裝輪廓。 一旦完成一列，所述面板便被索引回到起始y軸位置，且接著沿著x軸移動，直到下 一個基準(zhǔn)孔(例如，孔24b)與光學(xué)傳感器對齊為止。此處理是持續(xù)直到每一行與列中的 IC封裝輪廓己在工具內(nèi)處理為止。可接著將面板輸送到制造工藝中的下一組裝工具， 且再次使用基準(zhǔn)孔來相對于工具內(nèi)的設(shè)備對齊面板的位置。已知使用基準(zhǔn)孔24的其它 制造方案。
面板20可進(jìn)一步包括導(dǎo)針孔26。這些孔接納插針以在囊封工藝期間對齊并對準(zhǔn) 面板，在囊封工藝中面板的頂部及/或底部被囊封于模制化合物中以保護個別的IC封 裝。導(dǎo)針孔26還可用于單個化工藝，在單個化工藝中面板被單個化成個別IC封裝。
在常規(guī)面板中，基準(zhǔn)孔24及插針孔26位于距面板20的至少周圍邊緣2毫米到3 毫米處。此外，在基準(zhǔn)孔24及插針孔26與形成于面板上的IC封裝輪廓之間具有額外 的邊界或"阻隔"區(qū)域。因此，常規(guī)面板在所述邊緣處或其附近處不包括IC封裝輪廓 的任何部分。常規(guī)面板上的此空間便成為未使用的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及一種條帶，可在多個加工工具內(nèi)于所述條帶上制造多個集成 電路封裝。所述條帶包括形成于所述條帶的外邊緣中的一個或一個以上基準(zhǔn)切口及/ 或?qū)п樓锌?。所述一個或一個以上基準(zhǔn)及/或?qū)п樓锌谠试S在所述多個加工工具中的至 少一個加工工具內(nèi)識別所述條帶的位置。通過在所述條帶的外周邊中形成所述切口， 增加了所述條帶上可形成集成電路封裝輪廓的可用面積。所述基準(zhǔn)切口可與常規(guī)光學(xué) 辨識傳感器一起使用，以在制造工藝(例如，電路小片附接)中對齊所述條帶的位置。 所述導(dǎo)針切口可與常規(guī)導(dǎo)針一起使用，以在例如囊封與單個化的制造工藝中對齊所述 條帶的位置。
在替代實施例中，所述條帶可包括常規(guī)基準(zhǔn)及/或?qū)п?L，其中在所述條帶的一個 或一個以上側(cè)上至少部分環(huán)繞所述孔施加模制化合物。在實施例中，條帶可包括由模 制化合物與基準(zhǔn)或?qū)п樓锌谒h(huán)繞的基準(zhǔn)或?qū)п樋椎慕M合。
在進(jìn)一步實施例中，基準(zhǔn)孔可形成于所述襯底中，且接著用半透明材料來填充。 所述半透明材料可為多種材料的任一種，包括例如半透明焊料掩模及/或半透明環(huán)氧樹 脂。通過以半透明材料填充所述基準(zhǔn)孔，所述填充孔便可放置在靠近或位于所述條帶 的邊緣處，而不會有條帶破裂的風(fēng)險。此外，用來堵塞所述經(jīng)填充孔的半透明材料允 許光通過所述經(jīng)填充孔。因此，所述經(jīng)填充孔可與常規(guī)光學(xué)辨識傳感器一起使用，以
在所述IC封裝制造工藝期間對齊所述條帶的位置。


圖1是包括多個集成電路封裝的現(xiàn)有技術(shù)面板的俯視圖。 圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括基準(zhǔn)與導(dǎo)針切口的條帶的俯視圖。 圖3是顯示于根據(jù)本發(fā)明實施例的形成于條帶上的完成的IC封裝的剖視圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明替代實施例的包括基準(zhǔn)切口與導(dǎo)針孔的條帶的俯視圖。 圖5是根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步替代實施例的包括基準(zhǔn)孔與導(dǎo)針切口的條帶的俯視圖。 圖6是已囊封于模制化合物中的包括基準(zhǔn)切口、導(dǎo)針切口與多個集成電路的條帶 的俯視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明替代實施例己囊封于模制化合物中的包括基準(zhǔn)切口、導(dǎo)針切口 與多個集成電路的條帶的俯視圖。
圖8是包括在囊封工藝期間由模制化合物部分環(huán)繞的基準(zhǔn)孔與導(dǎo)針孔的條帶的俯 視圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明替代實施例的包括在囊封工藝期間由模制化合物部分環(huán)繞的基 準(zhǔn)孔與導(dǎo)針切口的條帶的俯視圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步替代實施例的包括填充有焊料掩模或環(huán)氧樹脂的基準(zhǔn) 孔的條帶的俯視圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明進(jìn)一步替代實施例的包括填充有焊料掩?；颦h(huán)氧樹脂并部分 覆蓋有模制化合物的基準(zhǔn)孔的條帶的俯視圖。
圖12是包括在所述囊封工藝期間由模制化合物部分環(huán)繞的基準(zhǔn)孔與導(dǎo)針孔以及 形成到模制化合物的邊緣的集成電路封裝輪廓的條帶的俯視圖。
圖13是包括在囊封工藝期間由模制化合物部分環(huán)繞的基準(zhǔn)孔與導(dǎo)針切口以及形 成到模制化合物的邊緣的集成電路封裝輪廓的條帶的俯視圖。
圖14是用于根據(jù)本發(fā)明在條帶上制造集成電路封裝的工藝的流程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考圖2到14描述本發(fā)明的實施例，所述實施例涉及用于集成電路封裝 的具有最大化可用面積的條帶。應(yīng)了解本發(fā)明可以許多不同的形式來具體化，并且不
應(yīng)視為受限于本文中所陳述的實施例。而是，提供這些實施例，使得本揭示內(nèi)容透徹 且完整，并將本發(fā)明完全傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。實際上，本發(fā)明打算涵蓋這些 實施例的替代形式、修改與等效形式，而所述替代形式、修改與等效形式包括在由隨 附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的范圍與精神內(nèi)。此外，在以下本發(fā)明的詳細(xì)說明中， 陳述了許多特定細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明 白，即使無這些特定細(xì)節(jié)也可實踐本發(fā)明。
現(xiàn)參考圖2，顯示包括多個IC封裝輪廓42(在圖中僅一些IC封裝輪廓有編號)的 條帶40。所顯示的條帶40是在囊封之前。在制造工藝期間，每一封裝輪廓42將接納 一個或一個以上半導(dǎo)體電路小片與無源組件，如同下文所解釋。
條帶40包括最大化可用面積。明確地說，在圖2的實施例中，現(xiàn)有技術(shù)的基準(zhǔn) 孔是由基準(zhǔn)切口 44所取代，基準(zhǔn)切口 44是在環(huán)繞外周邊的位置處形成于條帶40的外 周邊中。另一選擇或另外，條帶40可包括形成于條帶40的外周邊中的導(dǎo)針切口 46， 導(dǎo)針切口 46取代傳統(tǒng)上形成于面板中的導(dǎo)針孔。盡管顯示基準(zhǔn)切口 44是沿著頂邊緣 且顯示導(dǎo)針切口46是沿著底邊緣，但應(yīng)了解，在替代實施例中，基準(zhǔn)切口44與導(dǎo)針 切口46的相對位置可顛倒。
通過在條帶的外周邊中形成基準(zhǔn)切口 44及/或?qū)п樓锌?46，增加了條帶上可形成 IC封裝輪廓42的可用面積。基準(zhǔn)切口 44可與常規(guī)光學(xué)辨識傳感器一起使用，以在IC 封裝制造工藝期間對齊條帶的位置。明確地說，條帶40可安裝在X-Y臺上，所述X-Y 臺能夠在與條帶40的頂邊緣平行的X方向上，以及在與條帶40的側(cè)邊緣平行的Y方 向上平移條帶40。光學(xué)辨識傳感器包括發(fā)射器，其用于在條帶40平移時沿條帶40 的邊緣發(fā)射光束；以及接收器，其能夠在條帶40未阻擋光束時接納光束。正常情況下， 條帶40的邊緣防止光束被接納于接收器內(nèi)。然而，在光束遭遇切口44時，光束通過 而到達(dá)接收器，以對齊條帶的位置。因此，可以與常規(guī)基準(zhǔn)孔類似的方式將用于切口 44制造工藝，例如電路小片附接工藝。
在實施例中，切口44可為半圓形，并具有1.5毫米的半徑。應(yīng)了解，在替代實施 例中，切口44可為其它形狀，包括但不限于卵形、三角形、方形、矩形及梯形。應(yīng)進(jìn) 一步了解，在替代實施例中，切口44可具有小于或大于1.5毫米的半徑。此外，應(yīng)了 解，切口44可為半圓形，但小于或大于圓的一半(即，小于或大于180。的弧長)。
導(dǎo)針切口 46可與在包括囊封與單個化工藝的制造工藝中使用的常規(guī)插針一起用 來定位，以如所述工藝所需對齊條帶40的位置。在實施例中，導(dǎo)針切口46可為半圓 形，并具有2毫米的半徑。應(yīng)了解，在替代實施例中，切口46可為其它形狀，包括但 不限于卵形、三角形、方形、矩形及梯形。應(yīng)進(jìn)一步了解，在替代實施例中，切口46 可具有小于或大于2毫米的半徑。此外，應(yīng)了解，切口46可為半圓形，但小于或大于 圓的一半(即，小于或大于180。的弧長)。
在圖2中所顯示的實施例中，條帶40可具有11列與7行的IC封裝輪廓42， IC 封裝輪廓42在完成之后即從條帶40切下，以形成多個便攜式存儲器裝置或其它半導(dǎo) 體裝置(如果每一裝置均通過檢驗，那么形成77個此類裝置)。應(yīng)了解，基準(zhǔn)切口 44 及/或?qū)п樓锌?46可用于具有各式各樣不同IC封裝輪廓配置的不同條帶40上。在一 個實施例中，形成于條帶40上的IC封裝可為用于快閃存儲器卡的LGA封裝。應(yīng)了解， IC封裝輪廓42可用于其它類型的半導(dǎo)體封裝，包括但不限于(例如)BGA封裝。
圖3是已形成于封裝輪廓42中并從條帶40單個化的IC封裝48的剖視圖。IC封 裝48可配置為LGA封裝。在此實施例中，IC封裝48可包括襯底52，其具有頂表面
54與底表面56。襯底52可由核心58形成，核心58具有形成于核心58的頂表面上的 頂導(dǎo)電層60，以及形成于所述核心的底表面上的底導(dǎo)電層62。核心58可由多種介電 材料形成，例如聚酰亞胺壓層、包括FR4與FR5的環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺-三嗪(BT)、 以及類似物。盡管對本發(fā)明并非至關(guān)重要，但核心58可具有在40微米0im)到200iim 之間的厚度，然而在替代實施例中，核心58的厚度可在所述范圍之外變化。在替代實 施例中，核心58可是陶瓷的或有機的。
導(dǎo)電層60與62可由銅或銅合金、鍍敷銅或鍍敷銅合金、合金42(42Fe/58Ni)、鍍 銅的鋼、或在襯底上使用的己知金屬與材料而形成。層60與62可具有約10pm到24nm 的厚度，然而在替代實施例中，層60與62的厚度可在所述范圍之外變化。可以已知 方式蝕刻層60及/或62以在襯底的上部及/或下部表面54、 56上形成電導(dǎo)圖案，從而 在一個或一個以上電路小片68、 70、接觸指狀件66及/或安裝在襯底52的表面上的電 子組件之間提供電連接。在頂表面54與底表面56 二者上均包括電導(dǎo)圖案的實施例中， 可提供通孔(未顯示)以在襯底52的頂與底表面之間傳輸電子信號。
一旦圖案化完成，便可如此項技術(shù)中已知將所述頂與底導(dǎo)電層與焊料掩模64層 壓在一起，且可如此項技術(shù)中已知在底導(dǎo)電層62的部分上形成一個或一個以上金層以 界定接觸指狀件66。包括可根據(jù)本發(fā)明加以圖案化的導(dǎo)電層的襯底是從位于加利福尼 亞州的圣塔克拉拉(Santa Clara CA，)的景碩科技股份有限公司(Kinsus Interconnect Technology)購得。
圖3進(jìn)一步顯示安裝在襯底52的頂表面54上的兩個堆疊半導(dǎo)體電路小片68、70。 另一選擇是，本發(fā)明的實施例可包括單個電路小片，且另一選擇是，本發(fā)明的實施例 可包括堆疊成SiP、 MCM或其它類型的布置的在3與8之間或更多個電路小片。電路 小片68可使用已知的電路小片附接化合物72以已知的黏附或共熔電路小片接合工藝 將電路小片68安裝在襯底52的頂表面54上。電路小片附接化合物72可為例如含有 導(dǎo)電填充物的聚合物黏合劑中的任一種，以獲得導(dǎo)電性。此類電路小片附接化合物是 例如由位于紐約的阿蒙克半導(dǎo)體封裝材料公司(Semiconductor Packaging Materials, Inc. of Armonk， N.Y.)制造的?？梢砸阎木€接合工藝通過線接合74將一個或一個以上電路 小片68、 70電連接到襯底52的導(dǎo)電層60、 62。
在其中IC封裝48包含LGA封裝的實施例中，襯底52的底表面56可包括接觸 指狀件66。接觸指狀件66經(jīng)提供以在將接觸指狀件66壓力接觸到主機裝置(未顯示) 的接觸墊上時以已知方式在成品裝置建立與主機裝置的接觸墊的電連接。盡管顯示四 個接觸指狀件66，但應(yīng)了解在IC封裝48的替代配置中可能有多于或少于四個的指狀 件。在一個實施例中，可具有八個接觸指狀件。
在完成線接合工藝之后，可通過將IC封裝的頂側(cè)包封于模制化合物76中來完成 IC封裝48。此類模制化合物可從例如總部位于日本的住友(Sumitomo)公司與日東 電工(NittoDenko)公司購得?？墒购薪佑|指狀件66的IC封裝輪廓的底表面保持 暴露。
在本發(fā)明的實施例中，與常規(guī)條帶或面板相比，在條帶40的邊緣處形成基準(zhǔn)切
口 44及/或?qū)п樓锌?46允許在給定大小的條帶上形成更多數(shù)目的上述IC封裝輪廓。 明確地說，條帶的大小通常是由半導(dǎo)體封裝制造商來選擇，且條帶的大小通常不會針 對特定數(shù)目的封裝來選擇。設(shè)定條帶的大小，且接著提供將裝配在所述大小上的封裝 輪廓數(shù)量。如果在給定大小條帶上最大化封裝輪廓的密度，那么很難測算出裝配在條 帶上的封裝輪廓的總數(shù)目。而是，最大化所述密度產(chǎn)生給定數(shù)目的全部封裝輪廓，且 一小部分的封裝輪廓位于側(cè)與底邊緣處。例如，條帶可跨越所述條帶的一長度裝配10 '/2個封裝輪廓。顯然，無法制造'/2個半導(dǎo)體封裝。因此，傳統(tǒng)上，在此實例中，將跨越 條帶形成10個此類封裝輪廓，且所述10個封裝輪廓經(jīng)伸展而跨越所述條帶的長度 (即，封裝輪廓之間的邊界可增加)。
然而，通過允許更接近條帶的邊緣制造封裝輪廓，在其中先前可在給定大小條帶 中獲得10'/2個封裝輪廓(其在傳統(tǒng)上是減少到10個封裝輪廓)的實例中，本發(fā)明允許將 額外的^個封裝輪廓裝配在條帶上，因此允許ll個封裝輪廓。這些數(shù)目僅是舉例說明， 但通常，本發(fā)明可允許將一小部分的封裝輪廓轉(zhuǎn)換到整個封裝輪廓中。在給定大小條 帶內(nèi)即使添加單個行及/或列的半導(dǎo)體封裝輪廓將導(dǎo)致封裝輪廓產(chǎn)量的巨大增加。
圖2圖解說明其中條帶40的頂與底邊緣二者均包括切口 44的實施例。在圖4中 所顯示的替代實施例中，條帶40的一個邊緣80包括基準(zhǔn)切口44，而相對邊緣82包 括如在背景技術(shù)中所描述的常規(guī)導(dǎo)針孔26。圖5中顯示另一實施例，其中邊緣80包 括常規(guī)基準(zhǔn)孔24而相對邊緣82包括導(dǎo)針切口 46。應(yīng)了解，條帶40的任一或更多個 側(cè)可包括切口，而剩余側(cè)包括常規(guī)孔，或無任何種類的標(biāo)記。
圖6是包括基準(zhǔn)切口 44與導(dǎo)針切口 46的條帶40的俯視圖，其中條帶40囊封于 如上所述的模制化合物76中。如先前所述，與常規(guī)模制條帶相比，切口44與46允許 更接近條帶40的邊緣施加模制化合物。在圖6的實施例中，跨越大致整個條帶40來 施加模制化合物76，以界定單個區(qū)塊的封裝輪廓42。在圖7中所顯示的替代實施例中， 將模制化合物76施加到條帶40上的兩個不同區(qū)域86與88中，以界定兩個區(qū)塊的封 裝輪廓42，所述兩個區(qū)塊由邊界區(qū)90分離。由于邊界區(qū)90中無任何封裝輪廓42，因 此在邊界區(qū)90處可省略基準(zhǔn)切口 44?？上驐l帶40添加額外導(dǎo)針切口 46，以向制造設(shè) 備指示第二不同區(qū)域88的開始。如上所指示，可如現(xiàn)有技術(shù)那樣用基準(zhǔn)孔24或?qū)п?孔26來取代基準(zhǔn)切口 44或?qū)п樓锌?46。
在圖8中所顯示的另一實施例中，條帶40可包括上述常規(guī)基準(zhǔn)孔24及/或?qū)п樋?26。然而，在此實施例中，與先前技術(shù)相比，可更接近條帶的邊緣將模制化合物76 施加到條帶40上，以便至少部分環(huán)繞基準(zhǔn)孔24及/或?qū)п樋?6。在實施例中，模制化 合物76可朝向邊緣延伸，以便環(huán)繞基準(zhǔn)孔24的一半。應(yīng)了解，在替代實施例中，模 制化合物可環(huán)繞多于或少于每一基準(zhǔn)孔24的一半。在實施例中，模制化合物可朝向邊 緣延伸，以便環(huán)繞導(dǎo)針孔26的四分之一。應(yīng)了解，在替代實施例中，模制化合物可環(huán) 繞多于或少于每一導(dǎo)針孔26的四分之一。
圖8中所顯示的實施例可與圖2的實施例組合。因此，如圖9中所顯示，條帶40 可包括由模制化合物76部分環(huán)繞的基準(zhǔn)孔26，以及導(dǎo)針切口46。另一選擇是，條帶 40可包括如圖2中所顯示的基準(zhǔn)切口 44，以及由模制化合物76部分環(huán)繞的導(dǎo)針孔26。 在進(jìn)一步實施例中，可將模制化合物76施加到條帶40上，以便完全環(huán)繞一個或一個 以上基準(zhǔn)孔24及/或?qū)п樋?6。在又進(jìn)一步實施例中，條帶40可包括基準(zhǔn)切口 44及/ 或?qū)п樓锌?6,切口44及/或46至少部分由模制化合物76環(huán)繞，以使得模制化合物 延伸到(或大致延伸到)條帶40的一個或一個以上邊緣。
在上述實施例中，基準(zhǔn)切口44與孔24是形成于襯底中的開口。在圖7及8中所 顯示的進(jìn)一步實施例中，可在襯底中形成基準(zhǔn)孔92，且接著用半透明材料填充基準(zhǔn) 孔92。半透明材料可為多種材料的任一種，例如包括半透明焊料掩模及/或半透明環(huán)氧 樹脂。預(yù)期其它半透明材料。經(jīng)填充的基準(zhǔn)孔92可為多種形狀，包括但不限于圓形、 卵形、三角形、方形、矩形與梯形。
將未填充孔92定位于條帶的邊緣附近處增加將在未填充孔與條帶邊緣之間形成 破裂的風(fēng)險。通過以材料填充基準(zhǔn)孔，可改善條帶的結(jié)構(gòu)完整性，并可將經(jīng)填充孔92 放置在接近或位于條帶的邊緣處，而無條帶破裂的風(fēng)險。此外，可堵塞經(jīng)填充孔92 的半透明材料允許光通過孔92。因此，經(jīng)填充的孔可與常規(guī)光學(xué)辨識傳感器一起使用， 以在IC封裝制造工藝期間對齊條帶的位置。在圖11中所顯示的進(jìn)一步替代實施例中， 可用模制化合物部分覆蓋經(jīng)填充孔92。
圖12與13圖解說明本發(fā)明的進(jìn)一步實施例，其中IC封裝輪廓42延伸到模具帽 的邊緣。如在圖12與13中所見，此將導(dǎo)致一些封裝輪廓42(例如，圖12中的封裝輪 廓42a與圖13中的封裝輪廓42b)具有經(jīng)切口部分，其中封裝輪廓與模具帽部分環(huán)繞所 述孔及/或切口。在此類實施例中，形成于封裝輪廓42處的IC封裝將各具有對應(yīng)于在 封裝輪廓42a與42b處所見的經(jīng)切口區(qū)域的空白區(qū)域。在替代實施例中，實際上僅需 要經(jīng)切口區(qū)域的邊界行或個別封裝輪廓將在IC封裝中具有對應(yīng)于經(jīng)切口區(qū)域的空白 區(qū)域。應(yīng)了解，圖12與13中所顯示的實施例可與先前揭示的實施例中的任一者組合。
以下參考圖14的流程圖來解釋用于形成成品IC封裝48的工藝。在步驟220中， 鉆孔及/或切割條帶40(其在開始時為裸襯底52)以提供如上所述的基準(zhǔn)孔、基準(zhǔn)切口 、 導(dǎo)針孔及/或?qū)п樓锌?。使用基準(zhǔn)切口及/或孔來將襯底定位于加工工具中，接著使用(例 如)光刻與蝕刻技術(shù)在步驟222中在條帶的相應(yīng)表面上形成電導(dǎo)圖案。接著在步驟224 中，在自動光學(xué)檢驗(AOI)中檢驗經(jīng)圖案化的條帶。在其中用環(huán)氧樹脂或焊料掩模堵塞 基準(zhǔn)孔92的實施例中，可在步驟225中填充孔92。在其中不填充孔的實施例中，可 省略步驟225。 一旦檢驗完成，便在步驟226中將焊料掩模施加到條帶。預(yù)期在其中 用焊料掩模填充孔92的實施例中，可將步驟225與226組合成單個步驟。
在施加焊料掩模之后，完成接觸指狀件。在步驟228中，例如通過薄膜沉積，在 襯底的底表面上的導(dǎo)電層的特定暴露表面上施加軟金層。由于接觸指狀件會因接觸外 部電連接而遭磨損，因此可在步驟230中，例如通過電鍍來施加硬金層。應(yīng)了解，在
替代實施例中可施加單個金層。接著在自動步驟(步驟234)中以及在最終目視檢驗(步 驟236)中檢驗與測試經(jīng)圖案化的襯底，以檢査電操作，以及污染、刮痕與褪色。接著 在步驟238中發(fā)送條帶穿過電路小片附接工藝以將一個或一個以上電路小片附接到每 一封裝輪廓42。接著在步驟240中，在已知的注射模制工藝中封裝襯底與電路小片以 形成JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(或其它)封裝輪廓。接著在步驟242中，布線器或其它切割裝置將條 帶分離成個別IC封裝。應(yīng)了解，在替代實施例中，可通過其它工藝來形成條帶40。
以上已出于圖解及說明的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的詳細(xì)說明。所述說明并不打算包攬 無遺或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的具體形式。根據(jù)以上教示內(nèi)容，可進(jìn)行許多修改及變更。 選擇所述實施例是為了最佳地解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使所屬領(lǐng)域的技 術(shù)人員能夠在各種實施例中最佳地利用本發(fā)明，并作出適用于所預(yù)期特定用途的各種 修改。本發(fā)明的范圍打算由本文隨附權(quán)利要求書加以界定。
權(quán)利要求
1、一種條帶，能夠在多個加工工具內(nèi)在所述條帶上制造多個集成電路封裝輪廓，所述條帶包含一個或一個以上切口，其形成于所述條帶的外邊緣中，所述一個或一個以上切口允許在所述多個加工工具中的至少一個加工工具內(nèi)對齊所述條帶的位置。
2、 如權(quán)利要求1所述的條帶，所述一個或一個以上切口包含可與光學(xué)辨識傳感 器一起操作的一個或一個以上基準(zhǔn)切口 。
3、 如權(quán)利要求1所述的條帶，所述一個或一個以上切口包含可與導(dǎo)針一起操作 的一個或一個以上導(dǎo)針切口。
4、 如權(quán)利要求1所述的條帶，所述條帶進(jìn)一步包含從所述條帶的外邊緣向內(nèi)間 隔開的一個或一個以上孔，所述一個或一個以上孔允許在所述多個加工工具中的至少 一個加工工具內(nèi)對齊所述條帶的位置。
5、 如權(quán)利要求4所述的條帶，其中包括所述一個或一個以上切口的所述邊緣與 包括所述一個或一個以上孔的所述邊緣相對。
6、 如權(quán)利要求4所述的條帶，所述條帶進(jìn)一步包含將集成電路封裝包封于所述 條帶的至少一個側(cè)上的模制化合物，所述模制化合物被施加以至少部分環(huán)繞所述條帶 中的所述一個或一個以上孔。
7、 如權(quán)利要求l所述的條帶，其中所述一個或一個以上切口在形狀上是半圓形。
8、 如權(quán)利要求7所述的條帶，其中所述一個或一個以上切口具有約1.5毫米的半徑。
9、 如權(quán)利要求7所述的條帶，其中所述一個或一個以上切口具有約180°的弧長。
10、 如權(quán)利要求l所述的條帶，其中所述一個或一個以上切口在形狀上是卵形、 三角形、方形、矩形及梯形中的至少一者。
11、 如權(quán)利要求l所述的條帶，其中所述條帶包括十一個列及七個行的集成電路
12、如權(quán)利要求11所述的條帶，其中所述一個或一個以上切口包含用于每一列 的集成電路封裝輪廓的一個基準(zhǔn)切口。
13、 一種在加工工具內(nèi)識別條帶的位置以用于在所述條帶上形成集成電路的一部 分的方法，所述方法包含以下步驟-(a) 在第一方向上平移所述條帶；(b) 在所述條帶于所述步驟(a)中平移時沿著所述條帶的邊緣從發(fā)射器發(fā)射光 束；以及(C) 當(dāng)來自所述發(fā)射器的所述光束經(jīng)過所述條帶的邊緣中的中斷且被接收到接 收器內(nèi)時，對齊所述條帶的位置。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述當(dāng)來自所述發(fā)射器的所述光束經(jīng)過所 述條帶的邊緣中的中斷時對齊所述條帶的位置的步驟(c)包含所述光束經(jīng)過形成于所 述條帶的邊緣中的切口的步驟。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種條帶(40)，可在多個加工工具內(nèi)在所述條帶上制造多個集成電路封裝輪廓(42)。所述條帶包括形成于所述條帶的外邊緣中的一個或一個以上基準(zhǔn)切口(44)及/或?qū)п樓锌?46)。所述一個或一個以上基準(zhǔn)及/或?qū)п樓锌谠试S在所述多個加工工具中的至少一個加工工具內(nèi)識別所述條帶的位置。通過在所述條帶的外周邊中形成所述切口，增加了所述條帶上可形成所述集成電路封裝輪廓的可用面積。另一選擇是，所述條帶可包括常規(guī)基準(zhǔn)及/或?qū)п樋?24、26)，其中在所述條帶的一個或一個以上側(cè)上至少部分環(huán)繞所述孔施加模制化合物。另一選擇是，所述條帶可進(jìn)一步包括填充有半透明材料的基準(zhǔn)孔(92)，所述半透明材料給所述條帶提供穩(wěn)定性，同時允許所述條帶與光學(xué)辨識傳感器一起使用。
文檔編號H01L21/56GK101351876SQ200680050084
公開日2009年1月21日 申請日期2006年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者什里卡爾·巴加特, 安德魯·麥肯齊, 廖智清, 肯·簡明·王, 赫姆·塔基阿爾, 邱錦泰, 陳漢孝, 馬尼克阿姆·塔瓦拉賈 申請人:桑迪士克股份有限公司