專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在厚的導電箔上形成半蝕刻孔，在其側(cè)面上形成焊接用的導電性金屬層并也作為反射面利用的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術：
圖6表示的是防止從發(fā)光元件發(fā)出的光在底座基板內(nèi)被吸收，謀求抑制發(fā)光損失和提高整體亮度的發(fā)光裝置。
該發(fā)光裝置包括發(fā)光元件100、底座基板200、基板電極300、連接電極部400、光反射部500、孔部600和電鍍層700。發(fā)光元件100是三族氮化物系化合物半導體發(fā)光元件。底座基板200是由聚酰亞胺、玻璃環(huán)氧或BT樹脂等樹脂所形成的絕緣性基板，包括有由從該表面到背面形成的銅箔膜構成的一對基板電極部300、由在與發(fā)光元件100的放置面相反側(cè)的面上形成的銅箔膜構成的光反射部500、在一對基板電極部300相對的絕緣部向底座基板200的厚度方向開設的孔部600、在從該孔部600露出的光反射部500的露出面和孔部600的內(nèi)周面上形成的金或銀的電鍍層700。由設置在底座基板200的背面并與基板電極部300導通的導電膜構成的電極，是安裝在母板等裝置基板上的連接電極部400。
專利文獻1日本國特開2005-175387號公報但在上述的發(fā)光裝置中有以下的問題點。
與安裝了發(fā)光元件的背面對應而在底座基板上形成有孔部，從發(fā)光元件的下方發(fā)出的光是向上方反射，因此散熱性不好，有難于長時間使用的問題點。
另外，由于是在底座基板的厚度方向上進行切削來形成孔部，所以孔部被發(fā)光元件覆蓋而難于提高光反射量。
且為了提高發(fā)光元件的亮度，就需要有在底座基板上進行蝕刻而形成凹部的工序、在與發(fā)光元件的放置面相反側(cè)的面或孔部的內(nèi)周面上形成光反射部的工序，所以還有制造工序復雜的問題點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于該問題點而作出的，其包括在絕緣基板的一主面上設置的厚的第一導電箔、設置在所述絕緣基板的相反主面上且比所述第一導電箔薄的第二導電箔、從所述第一導電箔的主面通過化學蝕刻形成，且把底面設置在所述第一導電箔中間的半蝕刻孔、固著在該半蝕刻孔底面的所述發(fā)光元件、通過貫通所述絕緣基板的通孔把所述第一導電箔與所述第二導電箔進行電連接的通孔電極、設置在所述半蝕刻孔的彎曲側(cè)面和所述通孔電極表面的能進行焊接的導電性金屬層、把所述發(fā)光元件的電極與所述通孔電極表面的所述導電性金屬層進行連接的金屬細線，把設置在所述蝕刻孔側(cè)面的所述導電性金屬層作為所述發(fā)光元件的反射面使用。
本發(fā)明的制造方法包括把厚的第一導電箔粘貼在一主面上，并把比該第一導電箔薄的第二導電箔粘貼在相反主面上的絕緣基板準備工序、把貫通所述絕緣基板、所述第一導電箔和第二導電箔的通孔形成在預定位置的工序、把所述通孔通過通孔電鍍而形成電連接所述第一導電箔與第二導電箔的通孔電極的工序、蝕刻所述第一導電箔而形成多個放置各發(fā)光元件的單元圖形的工序、把所述各單元的所述第一導電箔從表面進行半蝕刻，形成具有彎曲側(cè)面的半蝕刻孔的工序、在所述半蝕刻孔和所述通孔電極表面有選擇地通過電鍍附著能進行焊接的導電性金屬層的工序、在各單元的所述半蝕刻孔的底面固著所述發(fā)光元件的工序、把所述發(fā)光元件的電極與所述導電性金屬層通過金屬細線的焊接進行連接的工序、
把所述發(fā)光元件和所述金屬細線利用透明樹脂進行覆蓋的工序、按各單元進行切割以分割成各個發(fā)光裝置的工序。
根據(jù)本發(fā)明，能把發(fā)光元件安裝在通過化學蝕刻第一導電箔而設置的半蝕刻孔處，能大幅度提高散熱性。
在半蝕刻孔側(cè)面的凹面狀彎曲面形成有焊接使用的導電性金屬層，能作為反射鏡利用。彎曲面的傾斜角在第一導電箔的厚度和化學蝕刻的條件下能適當進行選擇。
根據(jù)本發(fā)明，能符合發(fā)光元件厚度地來選擇第一導電箔的厚度，能把發(fā)光元件容納在半蝕刻孔中，并通過設置在側(cè)面的導電性金屬層進行高效率反射。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，由于在第一導電箔形成半蝕刻孔的工序中能同時形成成為反射鏡的彎曲面，所以不需要特意形成反射鏡的工序，能把制造工序簡單化。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過把附著在半蝕刻孔側(cè)面的導電性金屬層兼用作設置在通孔電極上的焊接用導電性金屬層而能在電鍍工序中同時形成。因此，導電性金屬層能從金、銀或鎳的任一個中選擇一個，兼用作焊接用和反射用。這樣雖然需要現(xiàn)有的反射鏡用金屬膜電鍍工序，但本發(fā)明有所省略，能實現(xiàn)工序的簡單化。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過選擇第一導電箔的厚度而能調(diào)整半蝕刻孔的深度和彎曲面的傾斜，能形成符合發(fā)光元件高度的半蝕刻孔。這樣，能按照所安裝發(fā)光元件的大小來設計半蝕刻孔，能提供反射效率好的彎曲面。通過對齊第一導電箔的表面與發(fā)光元件的電極表面而能使金屬細線的焊接容易。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，通過把各單元形成長方形，并且行列狀地并列配置多個，能大量地制造發(fā)光裝置，還能把必需的反射鏡制造裝入第一導電箔中。
圖1(A)是本發(fā)明發(fā)光裝置的上面圖、圖1(B)是剖面圖；圖2(A)是本發(fā)明所使用安裝基板的上面圖、圖2(B)底面圖；圖3(A)～(E)是說明本發(fā)明制造方法的剖面圖；
圖4(A)～(C)是說明本發(fā)明制造方法的剖面圖；圖5是本發(fā)明安裝基板的上面圖；圖6是說明現(xiàn)有發(fā)光裝置的剖面圖。
附圖標記說明10絕緣基板11第一導電箔12第二導電箔20a、20b、20c、20d、20e、20f通孔21a、21b、21c、21d、21e、21f通孔電極23a、23b、23c導電性金屬層 25半蝕刻孔26彎曲面 27、28分離槽29連接圖形30金屬細線31發(fā)光元件 32透明樹脂33粘接劑 34對位孔具體實施方式
首先，圖1表示了本發(fā)明的發(fā)光裝置。圖1(A)是其上面圖、圖1(B)是其剖面圖。
本發(fā)明的發(fā)光裝置包括絕緣基板10、設置在絕緣基板10一主面上的厚的第一導電箔11、設置在絕緣基板10相反主面上的薄的第二導電箔12、設置在第一導電箔11上的半蝕刻孔25、發(fā)光元件31、連接第一導電箔11與第二導電箔12的通孔電極21a、21b、21c、21d、21e、21f、導電性金屬層23a、23b、23c、金屬細線30和透明保護樹脂32。
作為絕緣基板10使用玻璃環(huán)氧基板或玻璃聚酰亞胺基板是優(yōu)選的。發(fā)揮作為第一和第二導電箔11、12支承基板的作用。
第一導電箔11和第二導電箔12是通過粘接劑按壓并粘貼在絕緣基板10兩面上的銅箔。第一導電箔11比發(fā)光元件31的厚度厚，第二導電箔12由于是起配線的作用，所以比第一導電箔11薄很多。
半蝕刻孔25被設置在第一導電箔11的大致中央附近，通過化學蝕刻形成。因此，半蝕刻孔25的底面位于第一導電箔11厚度方向的中間位置，多數(shù)情況是在一半的位置。半蝕刻孔25形成為大小比所容納的發(fā)光元件31大的正方形、圓形、橢圓形或多邊形等形狀，在側(cè)面形成有通過化學蝕刻形成的凹面狀的彎曲面26。
發(fā)光元件31是三族氮化物系化合物半導體發(fā)光元件。發(fā)光元件的形狀使用的是底面是0.15mm的四方形、高度是90μm的形狀。發(fā)光元件31通過粘接劑33被固著在半蝕刻孔25的底面上。把陰極從發(fā)光元件31的底面引出時，粘接劑33使用導電糊劑，把陰極從發(fā)光元件31的上面引出來時，粘接劑33使用絕緣糊劑便可。
通孔電極21a、21b、21c、21d、21e、21f由對設在半蝕刻孔25左右的通孔20a、20b和對在以達到絕緣基板10的周端的方式而設在四角附近的通孔20c、20d、20e、20f進行通孔電鍍而形成的銅等的金屬層形成。通孔電極21a、21c、21f與第一和第二導電箔11、12一起形成發(fā)光元件31的陽極側(cè)電極，通孔電極21b、21d、21e與第一和第二導電箔11、12一起形成發(fā)光元件31的陰極側(cè)電極。陽極側(cè)和陰極側(cè)的電極都分別通過三處通孔電極把第一導電箔11與第二導電箔12進行電連接。
導電性金屬層23a、23b、23c由能焊接的金屬形成，通過有選擇的電鍍附著在半蝕刻孔的底面和側(cè)面以及通孔電極21a、21b上。作為導電性金屬層選擇能焊接的金、銀、鎳的任一個。在此使用銀。在半蝕刻孔25的底面和側(cè)面附著該導電性金屬層23b，附著在側(cè)面彎曲面26上的導電性金屬層23b有反射鏡的作用。由于彎曲面26是凹面，所以把來自發(fā)光元件31的發(fā)光高效率地向其焦點方向(上方)反射。
金屬細線30把發(fā)光元件31表面的陽極和陰極電極與通孔電極21a、21b上的導電性金屬層23a、23c進行電連接。
透明保護樹脂32覆蓋整體，在保護發(fā)光元件31和金屬細線30的同時，作為發(fā)光元件31的透鏡而起作用。
半蝕刻孔的形狀是上面開口徑是0.3mm、下面開口徑是0.16mm、高度是0.1mm。半蝕刻孔的傾斜角度是125度。
在第一導電箔11上，形成的是圖1(A)所示的長方形圖形，在中央的左側(cè)形成有凸狀圖形和與凸狀圖形相對的凹狀圖形。通過把凹狀圖形形成得大而保持半蝕刻孔25的周圍寬廣，能提高固著在半蝕刻孔25底面的發(fā)光元件31的散熱性。
接著，圖2表示了本發(fā)明的各個單元。圖2(A)是其上面圖、圖2(B)是其底面圖。
單元是把厚的第一導電箔11一體粘貼在絕緣基板10的上面，把薄的第二導電箔12一體粘貼在下面。在第一導電箔11的大致中央設置有放置發(fā)光元件31的半蝕刻孔25。在該半蝕刻孔25的緊左側(cè)設置有分離槽27，把第一導電箔11分離成左右并把一側(cè)作為陽極電極，把另一側(cè)作為陰極電極。第二導電箔12與第一導電箔11對應地也被分離槽28分離成左右并作為陽極電極和陰極電極。
在半蝕刻孔25附近左右形成有通孔20a、20b，通過該通孔內(nèi)形成的通孔電極21a、21b而把成為陽極電極和陰極電極的第一導電箔11和第二導電箔12連結而進行電連接。在單元的周端部形成有比上述通孔20a、20b大的通孔20c、20d、20e、20f，通過該通孔內(nèi)形成的通孔電極21c、21d、21e、21f，即使在單元周端部也把成為陽極電極和陰極電極的第一導電箔11和第二導電箔12連結，在三處可靠地進行通孔連接。
本發(fā)明中，準備了在絕緣基板10上面粘貼有比發(fā)光元件31厚的第一導電箔11、在絕緣基板10下面粘貼有薄的第二導電箔12的安裝基板。半蝕刻孔25通過從表面半蝕刻第一導電箔11而形成，半蝕刻孔25的深度形成得能收容發(fā)光元件31的高度。發(fā)光元件31也不一定被完全收容在半蝕刻孔25內(nèi)。
作為絕緣基板10使用玻璃環(huán)氧基板或玻璃聚酰亞胺基板是優(yōu)選的，但根據(jù)情況也可以采用氟基板、玻璃PPO基板或陶瓷基板等。也可以是柔性板、膜片等。本實施例采用了厚度200μm左右的玻璃環(huán)氧基板。
作為第一導電箔11和第二導電箔12只要是能進行蝕刻的金屬便可。本實施例采用了由銅構成的金屬箔。第一導電箔11采用的是膜厚175μm左右的銅箔。該膜厚由與半蝕刻孔25的深度相對應來決定。能采用最大230μm左右膜厚的導電箔。因此，能通過半蝕刻孔25的深度來選擇第一導電箔11的厚度。
第二導電箔12使用具有配線所需厚度的導電箔。本實施例把第二導電箔12的膜厚設定是18μm左右。配線的厚度通過安裝的電路元件的電流容量等能任意確定。
導電性金屬層23a、23b、23c重疊設置在半蝕刻孔25的內(nèi)面和通孔電極21a、21b上，選擇能焊接的金屬即金、銀、鎳中的任一個，通過電鍍形成1～3μm。
如圖5所示，上述單元行列狀地并列配置在大的安裝基板上，形成得配列有多個。
接著參照圖3和圖4說明本發(fā)明的制造方法。
本發(fā)明的制造方法包括把厚的第一導電箔粘貼在一主面上，并把比第一導電箔薄的第二導電箔粘貼在相反主面上的絕緣基板準備工序、把貫通絕緣基板、第一導電箔和第二導電箔的通孔形成在預定位置的工序、把通孔通過通孔電鍍而形成電連接第一導電箔與第二導電箔的通孔電極的工序、蝕刻第一導電箔而形成放置各發(fā)光元件的多個單元圖形的工序、把各單元的第一導電箔從表面進行半蝕刻，形成具有彎曲側(cè)面的半蝕刻孔的工序、在半蝕刻孔和通孔電極表面有選擇地通過電鍍附著能進行焊接的導電性金屬層的工序、在各單元的半蝕刻孔的底面固著發(fā)光元件的工序、把發(fā)光元件的電極與導電性金屬層通過金屬細線的焊接進行連接的工序、把發(fā)光元件和金屬細線利用透明樹脂進行覆蓋的工序、按各單元進行切割以分割成各個發(fā)光裝置的工序。
如圖3(A)所示，本發(fā)明第一工序準備在一主面上粘貼有比發(fā)光元件厚的銅等的第一導電箔11、而在相反主面粘貼有比該第一導電箔11薄的銅等的第二導電箔12的玻璃環(huán)氧基板10。
作為絕緣基板10使用玻璃環(huán)氧基板或玻璃聚酰亞胺基板是優(yōu)選的，但根據(jù)情況也可以采用氟基板、玻璃PPO基板或陶瓷基板等。也可以是柔性板、膜片等。本實施例采用了厚度200μm左右的玻璃環(huán)氧基板。
作為第一導電箔11和第二導電箔12只要是能進行蝕刻的金屬便可。本實施例采用了由銅構成的金屬箔。在第一導電箔11上，采用的是膜厚175μm左右的銅箔。該膜厚由與后述半蝕刻孔25的深度相對應來決定。能采用最大230μm左右膜厚的導電箔。因此，能通過導電箔的厚度來選擇半蝕刻孔25的深度。
第二導電箔12使用具有與配線高度對應的厚度的導電箔。本實施例把第二導電箔12的膜厚設定是18μm左右。配線的厚度通過安裝的電路元件的電流容量等能任意決定。
如圖3(B)所示，本發(fā)明第二工序把貫通絕緣基板、第一導電箔和第二導電箔的通孔形成在預定位置。
本工序使用NC機床通過鉆頭等貫通第一導電箔11、第二導電箔12和絕緣基板10來鉆出用于形成通孔電極的通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f。通孔20a、20b設置在圖2(A)所示的半蝕刻孔左右，直徑是0.3mm大小，通孔20c、20d、20e、20f為了達及絕緣基板10的周端而設置成直徑0.4mm大小。圖3為了方便就把通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f表示在了同一剖面圖上，但實際的配置是圖2(A)、圖2(B)所示。
如圖3(C)所示，本發(fā)明第三工序把通孔通過通孔電鍍而形成電連接所述第一導電箔11與第二導電箔12的通孔電極21a、21b、21c、21d、21e、21f。
本工序把整體浸漬在鈀溶液中，把第一導電箔11和第二導電箔12作為電極而在通孔20a、20b、20c、20d、20e、20f的內(nèi)壁上通過銅的無電解電鍍和電解電鍍形成膜厚約20μm的通孔電極21a、21b、21c、21d、21e、21f。
如圖3(D)所示，本發(fā)明第四工序是蝕刻第一導電箔11而形成放置各發(fā)光元件31的多個單元圖形。
本工序把絕緣基板10的第一導電箔11和第二導電箔12用保護層(未圖示)覆蓋，把圖2(A)所示長方形圖形在第一導電箔11上進行曝光顯影，把殘留的保護層作為掩模對第一導電箔11進行蝕刻。這樣就行列狀形成多個放置各發(fā)光元件31的單元圖形。第一導電箔11是銅時，作為蝕刻溶液是使用氯化鐵。然后把保護層進行剝離除去。關于各單元圖形的形狀已經(jīng)參照圖2(A)進行了說明，在此省略。分離槽27也在該工序中一起形成。
如圖3(E)所示，本發(fā)明第五工序把各單元的第一導電箔11從表面進行半蝕刻，形成具有彎曲側(cè)面26的半蝕刻孔25。
本工序再次把絕緣基板10的第一導電箔11和第二導電箔12用保護層(未圖示)覆蓋，把圖2(A)所示圓狀圖形在第一導電箔11中央附近進行曝光顯影，把殘留的保護層作為掩模從第一導電箔11的表面進行半蝕刻。這樣就在第一導電箔11上形成具有彎曲側(cè)面26的半蝕刻孔25。在第一導電箔11是銅時，同樣地是使用氯化鐵。然后把保護層進行剝離除去。
本工序中通過半蝕刻孔25的深度來選擇蝕刻條件，從其蝕刻速度到蝕刻時間進行控制。
在本工序后如圖4(A)所示，還進行第二導電箔12的化學蝕刻。再次把絕緣基板10的第一導電箔11和第二導電箔12用保護層(未圖示)覆蓋，把圖2(B)所示長方形圖形和中央左側(cè)的凸狀圖形在第二導電箔12進行曝光顯影，把殘留的保護層作為掩模對第二導電箔12進行蝕刻，形成分離槽28。這樣就行列狀完成多個單元圖形。第二導電箔12是銅時，同樣地是使用氯化鐵。然后把保護層進行剝離除去。第二導電箔12的單元圖形分別通過連接圖形29[參照圖2(B)]被電連接。這是為了在下工序電鍍導電金屬層時把第二導電箔12作為共通電極使用。
如圖4(B)所示，本發(fā)明第六工序是在半蝕刻孔25和通孔電極21a、21b表面有選擇地通過電鍍附著能進行焊接的導電性金屬層23a、23b、23c。
本工序把連結的第二導電箔12的單元圖形作為共通電極，在由通孔電極21a、21b、21c、21d、21e、21f電連接的第一導電箔11的單元圖形的半蝕刻孔25和通孔電極21a、21b表面有選擇地通過電鍍附著能進行焊接的導電性金屬層。作為導電性金屬層選擇金、銀或鎳中的任一個，多數(shù)情況下是設置銀電鍍層23a、23b、23c，能進行金屬細線的焊接。
如圖4(C)所示，本發(fā)明第七工序是在各單元的半蝕刻孔25的底面固著發(fā)光元件31。
本工序中把發(fā)光元件31的芯片用絕緣性環(huán)氧樹脂等粘接劑33固著在半蝕刻孔25的底面上。發(fā)光元件的上面有陽極電極和陰極電極，底面是與第一導電箔11電絕緣并固著在半蝕刻孔25上。在發(fā)光元件31的固著中使用芯片插裝。作為粘接劑33是使用導電糊劑時，要把陰極從第一導電箔11取出來。
如圖4(C)所示，本發(fā)明第八工序把發(fā)光元件31的電極(未圖示)與導電性金屬層23a、23c通過金屬細線30的焊接進行連接。
本工序中使用金的金屬細線30通過連接機一邊圖形辨認電極位置，一邊通過超聲波熱壓接把發(fā)光元件31的電極與通孔電極21a、21b上的導電性金屬層23a、23c進行連接。由于利用半蝕刻孔25而發(fā)光元件31的電極與導電性金屬層23a、23c是位于大致同一平面上，所以金屬細線30的焊接能沒有高低差地高效率進行。
如圖4(C)所示，本發(fā)明第九工序把發(fā)光元件31和金屬細線30利用透明樹脂32進行覆蓋。
本工序把發(fā)光元件31和金屬細線30利用透明樹脂32進行覆蓋，與外部大氣隔絕，且還有把光取出來的凸透鏡作用。
如圖5所示，本發(fā)明的第十工序按各單元進行切割以分割成各個發(fā)光裝置。
本工序把行列狀配列在絕緣基板10上的多個單元通過切割以分割成各個完成了的發(fā)光裝置。這時連結第二導電箔12的連接圖形29[參照圖2(B)]也被切斷，第二導電箔12的單元也各個被電分離。
具體說就是，絕緣基板10使用68mm×100mm的玻璃環(huán)氧基板。周邊設置有多個對位孔，內(nèi)部在行列上配置有多個長方形的各單元。對位孔34在上述的工序中被利用來定位。
權利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，其包括在絕緣基板的一主面上設置的厚的第一導電箔、設置在所述絕緣基板的相反主面上且比所述第一導電箔薄的第二導電箔、從所述第一導電箔的主面通過化學蝕刻形成，且把底面設置在所述第一導電箔中間的半蝕刻孔、固著在該半蝕刻孔底面的所述發(fā)光元件、通過貫通所述絕緣基板的通孔把所述第一導電箔與所述第二導電箔進行電連接的通孔電極、設置在所述半蝕刻孔的彎曲側(cè)面和所述通孔電極表面的能進行焊接的導電性金屬層、把所述發(fā)光元件的電極與所述通孔電極表面的所述導電性金屬層進行連接的金屬細線，把設置在所述蝕刻孔側(cè)面的所述導電性金屬層作為所述發(fā)光元件的反射面使用。
2.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述半蝕刻孔底面的長度設定成是所述第一導電箔表面開口部長度的大致一半。
3.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，把所述發(fā)光元件的上面與所述第一導電箔表面大致對齊。
4.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一和第二導電箔由銅構成，所述導電性金屬層從金、銀、鎳任一個中選擇。
5.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，其包括把厚的第一導電箔粘貼在一主面上，并把比該第一導電箔薄的第二導電箔粘貼在相反主面上的絕緣基板準備工序、把貫通所述絕緣基板、所述第一導電箔和第二導電箔的通孔形成在預定位置的工序、把所述通孔通過通孔電鍍而形成電連接所述第一導電箔與第二導電箔的通孔電極的工序、蝕刻所述第一導電箔而形成多個放置各發(fā)光元件的單元圖形、把所述各單元的所述第一導電箔從表面進行半蝕刻，形成具有彎曲側(cè)面的半蝕刻孔的工序、在所述半蝕刻孔和所述通孔電極表面有選擇地通過電鍍附著能進行焊接的導電性金屬層的工序、在各單元的所述半蝕刻孔的底面固著所述發(fā)光元件的工序、把所述發(fā)光元件的電極與所述導電性金屬層通過金屬細線的焊接進行連接的工序、把所述發(fā)光元件和所述金屬細線利用透明樹脂覆蓋的工序、按各單元進行切割以分割成各個發(fā)光裝置的工序。
6.如權利要求5所述的發(fā)光裝置制造方法，其特征在于，所述第一導電箔和第二導電箔由銅構成，通孔電極由電鍍銅形成。
7.如權利要求5所述的發(fā)光裝置制造方法，其特征在于，各單元形成長方形狀，行列狀配列多個。
8.如權利要求5所述的發(fā)光裝置制造方法，其特征在于，在形成所述半蝕刻孔的工序后，具備把所述第二導電箔形成為與所述各單元對應的長方形狀的工序。
9.如權利要求5所述的發(fā)光裝置制造方法，其特征在于，作為所述導電性金屬是使用金、銀、鎳的任一個，把所述第二導電箔作為共通電極通過電解電鍍進行附著。
10.如權利要求5所述的發(fā)光裝置制造方法，其特征在于，在把所述發(fā)光元件的電極與所述導電性金屬層通過金屬細線的焊接進行連接的工序中，把所述發(fā)光元件的電極與所述導電性金屬層的表面大致對齊來進行焊接。
全文摘要
一種發(fā)光裝置，由于現(xiàn)有的發(fā)光裝置把反射鏡另外設置，所以有在結構上和制造上都復雜的問題點。該發(fā)光裝置包括設置在絕緣基板(10)一主面上的厚的第一導電箔(11)、設置在相反主面上的薄的第二導電箔(12)、設置第一導電箔上的半蝕刻孔(25)、發(fā)光元件(31)、連接第一導電箔與第二導電箔的通孔電極(21a)、(21b)、(21c)、(21d)、(21e)、(21f)、導電性金屬層(23a)、(23b)、(23c)、金屬細線(30)和透明保護樹脂(32)，發(fā)光元件的發(fā)光被設置在半蝕刻孔的彎曲面(26)上的導電性金屬層(23b)反射，金屬細線(30)焊接在導電金屬層(23a)、(23c)上。
文檔編號H01L33/48GK101079462SQ20071000613
公開日2007年11月28日 申請日期2007年1月31日 優(yōu)先權日2006年5月24日
發(fā)明者成田悟郎 申請人:株式會社元素電子