專利名稱：應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種多重發(fā)光二極管裝置，且特別是有關(guān)一種應(yīng)用于礦燈使之具 有主副光源的多重發(fā)光二極管裝置。
背景技術(shù)：
礦燈是煤礦工人必備的井下照明燈具，屬特殊型防爆產(chǎn)品，其安全性能和質(zhì) 量與煤礦安全生產(chǎn)息息相關(guān)。傳統(tǒng)的礦燈是以鹵素?zé)襞葑鳛榈V燈的主要光源來(lái)源，然而傳統(tǒng)的卣素?zé)襞葑?為礦燈的光源有諸多缺點(diǎn)，如壽命短、不耐摔、易碎等問(wèn)題。傳統(tǒng)鹵素?zé)襞輭勖?約僅約千余小至三千多小時(shí)，造成礦人每幾個(gè)月即需自行換裝燈泡，而礦工于下 礦作業(yè)時(shí)換裝燈泡是極為危險(xiǎn)的，換裝作業(yè)中若稍不慎，極易引起火花而引發(fā)爆 炸，嚴(yán)重威脅礦工的生命財(cái)產(chǎn)安全。為提高礦燈的安全性能，防止因礦燈性能問(wèn)題引發(fā)的瓦斯事故，中國(guó)已正式 頒布了礦燈國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《礦燈安全性能通用要求》，并于2004年6月1日正式施行。 新的礦燈標(biāo)準(zhǔn)要求礦燈至少有兩個(gè)光源，采用阻燃電纜，外殼具備防靜電性能， 且對(duì)抗沖擊、抗跌落和蓄電池防護(hù)性能提出了更高的要求。然而，縱使新的礦燈 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范了礦燈至少有兩個(gè)光源得以消除礦工自行換裝燈泡產(chǎn)生的危險(xiǎn)，然而傳 統(tǒng)鹵素?zé)襞莸囊姿樾允菬o(wú)法改變的，礦工于作業(yè)中各種碰撞、礦燈掉落等均可能 使得卣素?zé)襞萜屏讯查g弓I發(fā)火花而發(fā)生爆炸。隨著近年來(lái)發(fā)光二極管亮度不斷提升，價(jià)格也不斷下降，并且發(fā)光二極管本 身有著鹵素?zé)襞菟鶝](méi)有的壽命長(zhǎng)、耐摔、無(wú)破碎問(wèn)題以及省電等優(yōu)勢(shì)，因此近幾 年來(lái)即大量取代鹵素?zé)襞荻\(yùn)用于礦燈的領(lǐng)域中。然而，在礦燈國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《礦燈安全性能通用要求》要求礦燈至少有兩個(gè)光源 的情況下，目前礦燈中所實(shí)施的發(fā)光二極管裝置皆須設(shè)計(jì)一主要發(fā)光二極管，再外購(gòu)并組裝另一組發(fā)光二極管作為副燈之用。如此做法組裝較為不便，電路設(shè)計(jì) 較為復(fù)雜，而且體積也較為龐大。因此，提供一個(gè)可應(yīng)用于礦燈的主副光的多重發(fā)光二極管裝置，并符合國(guó)家 法規(guī)中關(guān)于新型礦燈的規(guī)定是十分重要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是提供一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種多重發(fā)光二極管裝置。依照本發(fā)明一 較佳實(shí)施例，該多重發(fā)光二極管裝置至少包含第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā) 光二極管芯片與導(dǎo)電支架。第一發(fā)光二極管芯片是作為礦燈的主燈之用，第一發(fā)光二極管芯片的功 率約為0.4 W 1.4W，且驅(qū)動(dòng)電流至少為120毫安培(mA)。第二發(fā)光二極管芯 片是作為礦燈的副燈之用，第二發(fā)光二極管芯片的功率約為0.1 W 0.5W。導(dǎo)電支架上同時(shí)設(shè)置有第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片；其 中，第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片可以為共陽(yáng)極與共陰極，如 此導(dǎo)電支架僅需有三個(gè)接腳即可，例如為一正極兩負(fù)極或一負(fù)極兩正極。此 種組態(tài)在電路控制時(shí)設(shè)計(jì)極為簡(jiǎn)單。若第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極 管芯片為不同的陽(yáng)極與陰極，則導(dǎo)電支架需要兩個(gè)陽(yáng)極接腳與兩個(gè)陰極接腳。反射體則以射出(injection)成形或壓模(molding)成形，以便將第一發(fā)光二 極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射至多重發(fā)光二極管裝置側(cè)面的光反射至 透鏡處，再由透鏡導(dǎo)引至多重發(fā)光二極管裝置外側(cè)。本發(fā)明的另一目的就是提供一種具有反射體的多重發(fā)光二極管裝置，以 應(yīng)用于新型礦燈。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種多重發(fā)光二極管裝置。依照本發(fā)明另 一較佳實(shí)施例，該多重發(fā)光二極管裝置至少包含第一發(fā)光二極管芯片、第二 發(fā)光二極管芯片、反射體與導(dǎo)電支架。第一發(fā)光二極管芯片是作為礦燈的主燈之用，第一發(fā)光二極管芯片的功 率約為0.4 W 1.4W，且驅(qū)動(dòng)電流至少為120毫安培(mA)。第二發(fā)光二極管芯 片是作為礦燈的副燈之用，第二發(fā)光二極管芯片的功率約為0.1 W 0.5W。導(dǎo)電支架上同時(shí)設(shè)置有第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片；其 中，第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片可以為共陽(yáng)極與共陰極，如此導(dǎo)電支架僅需有三個(gè)接腳即可，例如為一正極兩負(fù)極或一負(fù)極兩正極。此 種組態(tài)在電路控制時(shí)設(shè)計(jì)極為簡(jiǎn)單。反射體則以射出(injection)成形或壓模 (molding)成形，以便將第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的光 源反射至透鏡處，再由透鏡導(dǎo)引至多重發(fā)光二極管裝置外側(cè)。本發(fā)明的再一目的就是提供一種具有環(huán)設(shè)的諸多反射體于主反射體的外 環(huán)所形成的多重發(fā)光二極管裝置，以應(yīng)用于新型礦燈。根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種多重發(fā)光二極管裝置。依照本發(fā)明再 一較佳實(shí)施例，該多重發(fā)光二極管裝置至少包含第一發(fā)光二極管芯片、第二 發(fā)光二極管芯片、主反射體、副反射體與導(dǎo)電支架。第一發(fā)光二極管芯片是作為礦燈的主燈之用，第一發(fā)光二極管芯片的功 率約為0.4 W 1.4W，且驅(qū)動(dòng)電流至少為120毫安培(mA)。第二發(fā)光二極管芯 片是作為礦燈的副燈之用，第二發(fā)光二極管芯片的功率約為0.1 W 0.5W。導(dǎo)電支架上同時(shí)設(shè)置有第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片；其 中，第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片可以為共陽(yáng)極與共陰極，如 此導(dǎo)電支架僅需有三個(gè)接腳即可，例如為一正極兩負(fù)極或一負(fù)極兩正極。此 種組態(tài)在電路控制時(shí)設(shè)計(jì)極為簡(jiǎn)單。主反射體外環(huán)射有諸多副反射體，主反 射體內(nèi)設(shè)有第一發(fā)光二極管芯片、副反射體內(nèi)設(shè)有第二發(fā)光二極管芯片；以 便將第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的光源分別反射至透鏡 處，再由透鏡導(dǎo)引至多重發(fā)光二極管裝置外側(cè)。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下將結(jié)合附圖 對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明圖1是依照本發(fā)明一第一實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 剖視圖。圖2是依照本發(fā)明一第一實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。圖3是依照本發(fā)明一第一實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 不同接線俯視圖。圖4是依照本發(fā)明一第二實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。圖5是依照本發(fā)明一第三實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。圖6是依照本發(fā)明一第四實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 立體圖。圖7是依照本發(fā)明一第四實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 俯視圖。圖8是依照本發(fā)明一第五實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置的 立體圖。
具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1與圖2，其分別是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的 多重發(fā)光二極管裝置的立體圖與俯視圖。多重發(fā)光二極管裝置100至少包含 基座110、散熱塊120、第一發(fā)光二極管芯片130、第二發(fā)光二極管芯片140、 導(dǎo)電支架150與透鏡160。基座IIO，由絕緣材料所制成。散熱塊120，固設(shè)于基座110內(nèi)；該散熱塊120底端略為突出于基座110。第一發(fā)光二極管芯片130設(shè)于散熱塊120上，是作為礦燈的主燈之用， 第一發(fā)光二極管芯片130的功率約為0.4瓦特 1.4瓦特(W)，且驅(qū)動(dòng)電流至 少為120毫安培(mA)。另外，第一發(fā)光二極管芯片130位于多重發(fā)光二極管 裝置100的幾何中心。第二發(fā)光二極管芯片140也設(shè)于散熱塊120上，是作為礦燈的副燈之用， 第二發(fā)光二極管芯片120的功率約為0. 1 W 0. 5W。導(dǎo)電支架150與基座110連設(shè)，利用金屬導(dǎo)線151分別與第一發(fā)光二極 管芯片130與第二發(fā)光二極管芯片140形成電性連接；該導(dǎo)電支架150由銅 合金或鋁合金組成，還可為電路板或內(nèi)含導(dǎo)電線路的陶瓷基材。第一發(fā)光二極管芯片130與第二發(fā)光二極管芯片140可以為共陽(yáng)極與共陰極，如此且導(dǎo) 電支架150僅需一個(gè)陽(yáng)極接腳或一個(gè)陰極接腳即可(如圖2所示)。若第一 發(fā)光二極管芯片130與第二發(fā)光二極管芯片140為不同的陽(yáng)極與陰極，則導(dǎo) 電支架150需要兩個(gè)陽(yáng)極接腳與兩個(gè)陰極接腳(如圖3所示)。透鏡160設(shè)置于基座110上以封裝包覆第一發(fā)光二極管芯片130與第二 發(fā)光二極管芯片140。參照?qǐng)D4，其是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二 極管裝置的俯視圖。多重發(fā)光二極管裝置200至少包含基座210、散熱塊220、 第一發(fā)光二極管芯片230、第二發(fā)光二極管芯片240、導(dǎo)電支架250與透鏡260。與第一實(shí)施例的差別在于第二發(fā)光二極管芯片240設(shè)置有二個(gè)、且成對(duì) 應(yīng)置于第一發(fā)光二極管芯片230兩側(cè)。參照?qǐng)D5，其是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二 極管裝置的俯視圖。多重發(fā)光二極管裝置300至少包含基座310、散熱塊320、 第一發(fā)光二極管芯片330、第二發(fā)光二極管芯片340、導(dǎo)電支架350與透鏡360。與第一實(shí)施例的差別在于第二發(fā)光二極管芯片340設(shè)置對(duì)應(yīng)于第一發(fā)光 二極管芯片330四周。參照?qǐng)D6、 7，其是分別是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的 多重發(fā)光二極管裝置的立體圖和俯視圖。多重發(fā)光二極管裝置400至少包含 基座410、散熱塊420、第一發(fā)光二極管芯片430、第二發(fā)光二極管芯片440、 導(dǎo)電支架450、透鏡460與反射體470。與第一至三實(shí)施例的差別在于基座410之外同時(shí)連設(shè)有反射體470，該反 射體470高于基座410相當(dāng)高度且包覆部分透鏡460。第二發(fā)光二極管芯片440 也可為多個(gè)且分布于第一發(fā)光二極管芯片430四周。該反射體470則以射出(injection)成形或壓模(molding)成形，利用反 射面471將第一發(fā)光二極管芯片430與第二發(fā)光二極管芯片440發(fā)射的光源 反射至透鏡460處，再由透鏡460導(dǎo)引至多重發(fā)光二極管裝置400外側(cè)。另外，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D8，其是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種應(yīng)用于礦燈的 多重發(fā)光二極管裝置的立體圖。多重發(fā)光二極管裝置500至少包含基座510、 散熱塊520、第一發(fā)光二極管芯片530、第二發(fā)光二極管芯片540、第一透鏡550與第二透鏡560?；?10設(shè)有凹穴511，該凹穴511的外環(huán)設(shè)有多個(gè)小凹穴512，該基座 510內(nèi)多條導(dǎo)電線路，且第一發(fā)光二極管芯片530設(shè)置于這些凹穴511內(nèi)，第 二發(fā)光二極管芯片540均設(shè)置于這些小凹穴512內(nèi)；凹穴511及多個(gè)小凹穴512 內(nèi)側(cè)可直接成為反射體?；?10的材質(zhì)包含銅合金、鋁合金、電路板或內(nèi) 含導(dǎo)電線路的陶瓷基材。第一發(fā)光二極管芯片530是作為礦燈的主燈之用，功率約為0.4 W 1.4W，且驅(qū)動(dòng)電流至少為120毫安培(mA)。另外，第一發(fā)光二極管芯片530 位于多重發(fā)光二極管裝置500的幾何中心。第二發(fā)光二極管芯片540是作為 礦燈的副燈之用，第二發(fā)光二極管芯片540的總功率約為0. 1 W 0.5W。上述諸多實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置成為一種至少有一主燈，配合有一副 燈或多個(gè)副燈多重發(fā)光二極管裝置，組合相當(dāng)數(shù)量的多重發(fā)光二極管可做為 該礦燈的一發(fā)光源。借助上述的結(jié)構(gòu)組成及實(shí)施例，本發(fā)明的實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相較具有下 列優(yōu)點(diǎn)1. 因現(xiàn)有技術(shù)是將作為主光源與副光源各自獨(dú)立的發(fā)光二極管裝置分別 組裝于礦燈中，本發(fā)明的實(shí)施例則僅需一個(gè)發(fā)光二極管裝置，即可達(dá)成主、 副光源的多重切換效果。2. 借助使用單一個(gè)多重發(fā)光二極管裝置，達(dá)到礦燈的工作環(huán)境需求，既 能簡(jiǎn)化礦燈中的電路布局，還可降低礦燈的組裝成本。雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明， 任何熟本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種等同 的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的本申請(qǐng)權(quán)利要求范圍所界 定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其包含一基座，由絕緣材質(zhì)制成；一散熱塊，固設(shè)于基座內(nèi)；一第一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于散熱塊上；一第二發(fā)光二極管芯片，設(shè)于散熱塊上且該第二發(fā)光二極管芯片的功率小于第一發(fā)光二極管芯片；一導(dǎo)電支架，固設(shè)于基座且該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片均與該導(dǎo)電支架作電性連接；以及一透鏡，固設(shè)于基座上且將該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片完全封裝包覆。
2. —種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其包含 一基座，由絕緣材質(zhì)制成；一散熱塊，固設(shè)于基座內(nèi)； . 一第一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于散熱塊上；一第二發(fā)光二極管芯片，設(shè)于散熱塊上且該第二發(fā)光二極管芯片的功率 約小于第一發(fā)光二極管芯片；一導(dǎo)電支架，固設(shè)于基座且該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管 芯片均與該導(dǎo)電支架作電性連接；一透鏡，固設(shè)于基座上且將將該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極 管芯片完全封裝包覆；以及一反射體，包覆于基座之外。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該散熱塊的底部突出于基座。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在于該第一發(fā)光二極管芯片位于多重發(fā)光二極管裝置的幾何中心，第二發(fā)光二 極管芯片位于多重發(fā)光二極管裝置的一側(cè)。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該第一發(fā)光二極管芯片的總功率為0.4瓦特~1.4瓦特，驅(qū)動(dòng)電流至少為120 毫安培。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該第二發(fā)光二極管芯片功率為0.1瓦特~0.5瓦特。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該第二發(fā)光二極管芯片為多個(gè)。
8. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該該第一發(fā)光二極管芯片與這些第二發(fā)光二極管芯片為共陽(yáng)極或共陰極。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在 于該第一發(fā)光二極管芯片與這些第二發(fā)光二極管芯片為不同陽(yáng)極與不同陰 極。
10. 如權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征 在于該基材包含銅合金、鋁合金、電路板或內(nèi)含導(dǎo)電線路的陶瓷基材。
11. 一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其包含一基座，由絕緣材質(zhì)制成，設(shè)有凹穴，于凹穴四周環(huán)設(shè)有諸多小凹穴； 一散熱塊，固設(shè)于基座內(nèi)；一第一發(fā)光二極管芯片，設(shè)于凹穴的散熱塊上；一第二發(fā)光二極管芯片，設(shè)于小凹穴散熱塊上且該第二發(fā)光二極管芯片 的功率小于第一發(fā)光二極管芯片；且該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片形成電性連接；一第一透鏡，固設(shè)于基座的凹穴上且將將該第一發(fā)光二極管芯片完全封 裝包覆；以及一第二透鏡，固設(shè)于基座諸多小凹穴上且將將該第二發(fā)光二極管芯片完 全封裝包覆。
12. 如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該第一發(fā)光二極管芯片位于多重發(fā)光二極管裝置的幾何中心。
13. 如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該第一發(fā)光二極管芯片的總功率為0.4瓦特 L4瓦特，驅(qū)動(dòng)電流至少為120毫 安培。
14. 如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該第二發(fā)光二極管芯片功率為0.1瓦特~0.5瓦特。
15. 如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，其特征在于 該基材包含銅合金、鋁合金、電路板或內(nèi)含導(dǎo)電線路的陶瓷基材。
全文摘要
一種應(yīng)用于礦燈的多重發(fā)光二極管裝置，至少包含兩種發(fā)光二極管芯片、導(dǎo)電支架與透鏡。兩種發(fā)光二極管芯片是用以適應(yīng)礦場(chǎng)中不同的工作環(huán)境需要，作為主光源與副光源切換之用，以便延長(zhǎng)礦燈電源的使用時(shí)間，減輕工作人員需攜帶額外電源的負(fù)擔(dān)。
文檔編號(hào)H01L25/10GK101236960SQ20071000618
公開(kāi)日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2007年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月29日
發(fā)明者洪榮豪, 邢陳震侖 申請(qǐng)人:葳天科技股份有限公司