專利名稱：邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光調(diào)阻方法，具體是片式電阻激光修刻中單純通過(guò)調(diào)整激光進(jìn)刀軌跡來(lái)改變工藝效果，提高工藝精度的方法。
背景技術(shù)：
目前激光微調(diào)技術(shù)在以混合電路制造業(yè)為主的很多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，主要用于調(diào)整厚、薄膜電路中的電阻、電容；進(jìn)行功能微調(diào)，即調(diào)整某些元件參數(shù)，使電路達(dá)到總的技術(shù)指標(biāo)。其中最基本的則是對(duì)電阻的微調(diào)。電阻微調(diào)分為薄漠電阻微調(diào)和厚膜電阻微調(diào)兩種。在很多電路中要求這些電阻的阻值十分精確，相對(duì)誤差要求達(dá)到千分之幾甚至萬(wàn)分之幾?，F(xiàn)在制造工藝只能達(dá)到5％，甚至更低，所以必須進(jìn)行電阻微調(diào)，使之達(dá)到高精度要求。以目前普遍使用的厚膜基片阻值的激光修調(diào)為例，由于厚膜絲網(wǎng)印刷操作固有的不準(zhǔn)確性，基板表面的不均勻及燒結(jié)條件的不重復(fù)性，厚膜電阻常出現(xiàn)正負(fù)誤差，如果阻值超過(guò)標(biāo)稱值將無(wú)法修正，但是，一般情況下印刷燒成后阻值低于目標(biāo)值的大約30％，所以只能通過(guò)激光調(diào)整達(dá)到目標(biāo)值。激光微調(diào)還可用于電路或電子器件的功能微調(diào)，如對(duì)有源濾波器的帶寬、增益和中心頻率的微調(diào)，對(duì)放大器的失調(diào)電壓微調(diào)等。
激光微調(diào)是把由激光器產(chǎn)生的一束聚焦的相干光在微機(jī)的控制下定位到工件上，使工件待調(diào)部分的膜層氣化切除以達(dá)到規(guī)定參數(shù)或阻值。調(diào)阻時(shí)局部溫升使玻璃熔化，氣化部分阻值槽邊緣受到玻璃覆蓋，可填平基體表面被切割的介質(zhì)。而片式電阻微調(diào)的主要機(jī)理也就是利用激光束按一定軌跡照射在電阻膜片上，使膜層汽化來(lái)改變膜面積，在膜片上刻出一定軌跡的槽，從而達(dá)到微調(diào)電阻的目的。同時(shí)，對(duì)電阻進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)量，將測(cè)量結(jié)果與設(shè)定阻值進(jìn)行比較，并反饋控制激光的掃射運(yùn)動(dòng)，達(dá)到預(yù)定的要求。目前人們熟知的對(duì)片式電阻的微調(diào)方法就是用脈沖激光沿電阻基片的橫截面積進(jìn)行刻蝕(激光修刻)，使相應(yīng)的半導(dǎo)體材料氣化，從而使電阻阻值增大，達(dá)到要求的電阻精度。
在實(shí)際的電阻微調(diào)過(guò)程中不僅需要根據(jù)具體的工藝要求(主要涉及阻值材料及刻蝕效率等)對(duì)激光器的功率、波長(zhǎng)、脈寬和重復(fù)頻率等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，還要對(duì)激光修刻時(shí)的進(jìn)刀軌跡進(jìn)行選擇預(yù)定。在現(xiàn)有的激光調(diào)阻過(guò)程中，以激光修刻時(shí)的不同進(jìn)刀軌跡為劃分基準(zhǔn)，主要分以下幾種單刀切割電阻法、雙刀切割電阻法、L型刀口切割電阻法、交叉對(duì)切電阻法、曲線型L刀口的切法、曲線型U型刀口的切法；在實(shí)際工作中，應(yīng)用較多的是前4種，又以雙切和L型刀口最為常用，對(duì)于不同的電阻應(yīng)根據(jù)其方數(shù)的不同選擇不同的進(jìn)刀軌跡。但對(duì)于特殊精度要求的電阻，比如象修刻圓形電阻、圓弧形電阻，或者象對(duì)貼片電阻進(jìn)行二次修刻，它們均無(wú)法達(dá)到必須的精度或工藝的要求。原因在于上述目前這些激光修刻方法中，激光的進(jìn)刀軌跡均是沿電阻橫截面方向單點(diǎn)切入電阻，割出缺口，使得電阻上出現(xiàn)間隔斷續(xù)的“溝槽”，顯然在“溝槽”這些阻值突變處傳播電流發(fā)生變化而產(chǎn)生電磁脈沖，這樣的電阻基片極易在工作時(shí)受到電磁干擾信號(hào)，穩(wěn)定性差。尤其是要對(duì)傳感器為主的一些功能電路模塊上的貼片電阻進(jìn)行二次修刻以實(shí)現(xiàn)增益和零位自動(dòng)調(diào)節(jié)的過(guò)程中，上述的激光修刻方法如果控制不好極易造成電阻阻值突變，因此無(wú)法通過(guò)現(xiàn)有的激光修刻調(diào)阻方法來(lái)調(diào)節(jié)，只能通過(guò)人工匹配電阻的方式。然而人工匹配電阻存在效率和精度均較低的缺點(diǎn)依然無(wú)法保證傳感器有效的實(shí)現(xiàn)增益和零位的自動(dòng)調(diào)節(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)采用目前激光調(diào)阻方法中激光刻蝕的進(jìn)刀軌跡造成修刻后的電阻阻值易突變、抗電磁干擾能力差，不穩(wěn)定等缺點(diǎn)，通過(guò)改變傳統(tǒng)片式電阻激光修刻進(jìn)刀軌跡，提供一種能克服上述缺點(diǎn)的邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)，包括由激光器產(chǎn)生激光束，經(jīng)光束定位系統(tǒng)擴(kuò)束聚焦在工作臺(tái)中處于焦平面位置的待刻電阻固定盤上，通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出反饋控制信號(hào)給激光修調(diào)設(shè)定器程序改變Q頻率、刻蝕尺寸和改變切割的修調(diào)方向，并自動(dòng)校正；其特征在于進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟的刻蝕運(yùn)動(dòng)直至達(dá)到電阻設(shè)定值而停止1)以待刻電阻任一原始外邊沿曲線的兩端為起點(diǎn)和終點(diǎn)，激光束自寬為寬度沿該外邊沿曲線軌跡移動(dòng)刻蝕，軌跡經(jīng)過(guò)處電阻材料被全部刻蝕并產(chǎn)生新的外邊沿曲線后，激光束終點(diǎn)滯留或返回起點(diǎn)滯留；2)激光束從前述滯留點(diǎn)開始，推進(jìn)至新的外邊沿曲線，代替步驟1)中的原始外邊沿曲線刻蝕。
本發(fā)明的技術(shù)方案中，由于步驟1)中激光束移動(dòng)軌跡經(jīng)過(guò)處電阻材料被完全刻蝕，待刻電阻便產(chǎn)生了新的外邊沿曲線；因此在步驟2)中激光束向新的外邊沿曲線推進(jìn)后，應(yīng)保證激光束自寬能覆蓋新的外邊沿曲線為準(zhǔn)。這也是為了確保按步驟1)運(yùn)動(dòng)的激光束的相鄰兩次激光刻蝕軌跡間沒有電阻材料予以保留。
本發(fā)明技術(shù)方案的步驟2)中激光束從滯留點(diǎn)開始，由于新產(chǎn)生的外邊沿曲線替代了步驟1)中的原始外邊沿曲線，可以向新外邊沿曲線的任意一側(cè)端點(diǎn)推進(jìn)來(lái)確定刻蝕起始點(diǎn)，但考慮激光束的控制便利性和精度，主要還是向與滯留點(diǎn)同側(cè)的新外邊沿曲線的端點(diǎn)推進(jìn)。
因此步驟1)中若激光束若始終以原始外邊沿曲線的起點(diǎn)為滯留點(diǎn)，則對(duì)新外邊沿曲線的刻蝕軌跡方向與原刻蝕軌跡相同，這樣整個(gè)刻蝕過(guò)程中相鄰兩次激光軌跡的刻蝕方向始終相同，即單向刻蝕。步驟1)中若激光束始終以原始外邊沿曲線的終點(diǎn)為滯留點(diǎn)，則對(duì)新外邊沿曲線的刻蝕軌跡方向與原刻蝕軌跡相反，這樣整個(gè)刻蝕過(guò)程中相鄰兩次激光軌跡的刻蝕方向始終相反，即交替反復(fù)刻蝕。
本發(fā)明邊沿式推進(jìn)電阻修刻方法可以也可以運(yùn)用于目前各類片式電阻。當(dāng)然針對(duì)圓形電阻、圓弧形電阻或者對(duì)傳感器貼片電阻的二次修刻擁有更好的效果。
一般來(lái)說(shuō)針對(duì)傳統(tǒng)的形狀規(guī)則為矩形的貼片電阻、非弧形邊沿為弧形邊沿內(nèi)法線的弧形電阻以及圓形電阻等，本發(fā)明的技術(shù)方案步驟2)中可詳細(xì)為從前述激光束的滯留點(diǎn)開始，沿該點(diǎn)所在原始外邊沿曲線朝向電阻內(nèi)側(cè)的法線方向向新的外邊沿曲線推進(jìn)。
本發(fā)明的待刻電阻具體針對(duì)圓形電阻時(shí)情況稍有特殊，其特征在于步驟1)中原始外邊沿曲線的起點(diǎn)和終點(diǎn)重合，激光束沿外圓周曲線軌跡刻蝕一周恰好回到起點(diǎn)；步驟2)中沿前述起點(diǎn)同圓心連線的軌跡向新的外邊沿曲線推進(jìn)，并沿該新的外邊沿曲線軌跡刻蝕。且由于激光刻蝕軌跡為圓周旋向，固相鄰兩次激光刻蝕軌跡圓周旋向可始終為順時(shí)針或者逆時(shí)針，也可以始終相反。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是1.采用本發(fā)明方法對(duì)傳統(tǒng)片式電阻進(jìn)行修刻，同樣是通過(guò)減小橫截面積的方法來(lái)增大電阻，但與傳統(tǒng)的激光切割方法相比它不會(huì)在薄膜電阻上留下橫截面向的間隔“溝槽”，即不會(huì)造成阻值突變而始終保持片式電阻整體的連貫性，有效降低了電阻基片工作時(shí)的脈沖頻率波動(dòng)，提高了電阻基片的抗電磁干擾性能，使其工作狀態(tài)穩(wěn)定。
2.本發(fā)明能直接對(duì)傳感器等一些功能電路模塊上的貼片電阻進(jìn)行二次修刻，不會(huì)造成其阻值突變，與傳統(tǒng)電阻切割方法在同精度條件下相比，顯然更易于傳感器增益和零位自動(dòng)調(diào)節(jié)的實(shí)現(xiàn)；當(dāng)然更可以免除傳統(tǒng)低精度、低效率的通過(guò)人工匹配電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)傳感器增益和零位自動(dòng)調(diào)節(jié)的方法。


下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述圖1為本發(fā)明在修刻貼片電阻時(shí)的一種具體應(yīng)用。
圖2為本發(fā)明在修刻貼片電阻時(shí)的另一具體應(yīng)用。
圖3為本發(fā)明在修刻弧形電阻時(shí)的一種具體應(yīng)用。
圖4為本發(fā)明在修刻弧形電阻時(shí)的另一具體應(yīng)用。
圖5為本發(fā)明在修刻圓形電阻時(shí)的一種具體應(yīng)用。
圖6為本發(fā)明在修刻圓形電阻時(shí)的另一具體應(yīng)用。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步說(shuō)明實(shí)施例1圖1、圖2為本發(fā)明在修刻貼片電阻時(shí)的具體應(yīng)用。如圖1所示，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)，包括由Nd:YAG激光器產(chǎn)生激光束，經(jīng)光束定位系統(tǒng)擴(kuò)束聚焦在工作臺(tái)中處于焦平面位置的待刻電阻固定盤上，通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出反饋控制信號(hào)給激光修調(diào)設(shè)定器程序改變Q頻率、刻蝕尺寸和改變切割的修調(diào)方向，并自動(dòng)校正；進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟1)以該貼片電阻上邊沿曲線與左邊沿曲線的交匯點(diǎn)為起點(diǎn)、激光束自寬為寬度；沿上邊沿曲線軌跡刻蝕，其刻蝕移動(dòng)軌跡如圖1中1所示為直線?？涛g至上邊沿終點(diǎn)后返回起點(diǎn)。刻蝕軌跡經(jīng)過(guò)處的電阻材料必須保證被刻調(diào)，以使該貼片電阻的上端完全產(chǎn)生新的上邊沿曲線，這個(gè)過(guò)程可以通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并將所得信號(hào)傳遞給激光修調(diào)設(shè)定器進(jìn)行調(diào)整(圖中陰影線部分表示該貼片電阻未經(jīng)刻蝕的電阻材料)。2)返回起點(diǎn)的激光束再沿左邊沿曲線軌跡(如圖1中2所示軌跡)向新的上邊沿曲線推進(jìn)，然后再以新的上邊沿曲線左側(cè)端點(diǎn)為起點(diǎn)繼續(xù)從左到右刻蝕(如圖1中3所示軌跡)。重復(fù)前述兩個(gè)步驟的刻蝕過(guò)程，直至達(dá)到電阻設(shè)定值，阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出停止信號(hào)結(jié)束修刻。因此如圖1中的軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡的方向始終相同，為單向刻蝕。
當(dāng)然如圖2所示，本實(shí)施例1的步驟1)中刻蝕完上邊沿曲線后，激光束可以留在終點(diǎn)，然后在步驟2)中沿該貼片電阻的右邊沿曲線(如圖2中的2所示軌跡)向新的上邊沿曲線推進(jìn)，并以新的上邊沿曲線的右側(cè)端點(diǎn)為起點(diǎn)，從右向左刻蝕(如圖2中3所示軌跡)。然后重復(fù)前述兩個(gè)步驟的刻蝕過(guò)程，直至達(dá)到電阻設(shè)定值，阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出停止信號(hào)結(jié)束修刻。因此如圖2中的軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡的方向始終相反，為交替反復(fù)刻蝕。
實(shí)施例2圖3、圖4為本發(fā)明在修刻弧形電阻時(shí)的具體應(yīng)用。如圖2所示，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)，包括由Nd:YAG激光器產(chǎn)生激光束，經(jīng)光束定位系統(tǒng)擴(kuò)束聚焦在工作臺(tái)中處于焦平面位置的待刻電阻固定盤上，通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出反饋控制信號(hào)給激光修調(diào)設(shè)定器程序改變Q頻率、刻蝕尺寸和改變切割的修調(diào)方向，并自動(dòng)校正；進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟1)以該弧形電阻上弧邊沿曲線與左邊沿曲線的交匯點(diǎn)為起點(diǎn)、激光束自寬為寬度；沿上邊沿曲線刻蝕，其刻蝕移動(dòng)軌跡如圖3中1所示為弧線，刻蝕至上邊沿曲線終點(diǎn)后返回起點(diǎn)?？涛g軌跡經(jīng)過(guò)處的電阻材料必須保證被刻調(diào)，以使該貼片電阻的上端完全產(chǎn)生新的上邊沿曲線，這可以通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并將所得信號(hào)傳遞給激光修調(diào)設(shè)定器進(jìn)行調(diào)整(圖中陰影線部分表示該弧形電阻未經(jīng)刻蝕的電阻材料)。2)返回起點(diǎn)的激光束再以左邊沿曲線軌跡(如圖3中2所示為直線軌跡)向新的上邊沿曲線推進(jìn)，然后以新的上邊沿曲線的左側(cè)端點(diǎn)為起點(diǎn)繼續(xù)從左到右刻蝕(如圖3中3所示軌跡)。重復(fù)前述兩個(gè)步驟的刻蝕過(guò)程，直至達(dá)到電阻設(shè)定值，阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出停止信號(hào)結(jié)束修刻。因此如圖3中的軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡的方向始終相同，為單向刻蝕。
當(dāng)然如圖4所示，本實(shí)施例2的步驟1)中刻蝕完上邊沿曲線后，激光束可以留在終點(diǎn)，然后在步驟2)中沿該弧形電阻的右邊沿曲線(如圖4中的2所示軌跡)向新的上邊沿曲線推進(jìn)，并以新的上邊沿曲線的右側(cè)端點(diǎn)為起點(diǎn)，從右向左刻蝕(如圖4中3所示軌跡)。然后重復(fù)前述兩個(gè)步驟的刻蝕過(guò)程，直至達(dá)到電阻設(shè)定值，阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出停止信號(hào)結(jié)束修刻。因此如圖4中的軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡的方向始終相反，為交替反復(fù)刻蝕。
實(shí)施例3圖5、圖6為本發(fā)明在修刻圓形電阻時(shí)的具體應(yīng)用。如圖5所示，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)，包括由Nd:YAG激光器產(chǎn)生激光束，經(jīng)光束定位系統(tǒng)擴(kuò)束聚焦在工作臺(tái)中處于焦平面位置的待刻電阻固定盤上，通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出反饋控制信號(hào)給激光修調(diào)設(shè)定器程序改變Q頻率、刻蝕尺寸和改變切割的修調(diào)方向，并自動(dòng)校正；進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟1)以圓形電阻外圓周上任意點(diǎn)為起點(diǎn)、激光束自寬為寬度，沿外圓周曲線軌跡順時(shí)針刻蝕一周恰好回到起點(diǎn)(見圖5中1所示圓形軌跡)，刻蝕軌跡經(jīng)過(guò)處的電阻材料必須保證被刻調(diào)，以完全產(chǎn)生新的外邊沿曲線，這可以通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并將所得信號(hào)傳遞給激光修調(diào)設(shè)定器進(jìn)行調(diào)整(圖中陰影線部分表示待刻電阻未經(jīng)刻蝕的電阻材料)。2)返回起點(diǎn)的激光束然后沿該點(diǎn)同圓心連線軌跡(見圖5中2所示軌跡)推進(jìn)至新的外邊沿曲線，并以連線同新的外邊沿曲線的交點(diǎn)為起點(diǎn)繼續(xù)順時(shí)針刻蝕(見圖5中的3所示)。重復(fù)前述兩個(gè)步驟的刻蝕過(guò)程一直至達(dá)到電阻設(shè)定值，阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出停止信號(hào)結(jié)束修刻。因此如圖5中軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡方向均為順時(shí)針方向，為單向刻蝕。
由于對(duì)于圓形電阻而言，其邊沿曲線的刻蝕起點(diǎn)即為終點(diǎn)，步驟1)中刻蝕完外邊沿曲線的激光束其最后的滯留點(diǎn)位置不存在轉(zhuǎn)換，但沿新的外邊沿曲線刻蝕時(shí)可以轉(zhuǎn)換刻蝕方向?yàn)槟鏁r(shí)針方向(見圖6中3所示軌跡)，因此如圖6中軌跡線1和軌跡線3所示，相鄰兩次激光刻蝕軌跡方向相反，為交替回轉(zhuǎn)刻蝕。
本發(fā)明通過(guò)改變傳統(tǒng)片式電阻激光修刻進(jìn)刀軌跡，以邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中修刻后的電阻阻值易突變、抗電磁干擾能力差，部穩(wěn)定等缺點(diǎn)。并可以直接對(duì)傳感器等功能電路模塊上的貼片電阻二次修刻，來(lái)實(shí)現(xiàn)增益或零位的自動(dòng)調(diào)節(jié)，有效避免阻值突變和人工匹配電阻效率低、精度低的缺點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)，包括由激光器產(chǎn)生激光束，經(jīng)光束定位系統(tǒng)擴(kuò)束聚焦在工作臺(tái)中處于焦平面位置的待刻電阻固定盤上，通過(guò)阻值動(dòng)態(tài)測(cè)量系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出反饋控制信號(hào)給激光修調(diào)設(shè)定器程序改變Q頻率、刻蝕尺寸和改變切割的修調(diào)方向，并自動(dòng)校正；其特征在于進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟的刻蝕運(yùn)動(dòng)直至達(dá)到電阻設(shè)定值而停止1)以待刻電阻任一原始外邊沿曲線的兩端為起點(diǎn)和終點(diǎn)，激光束自寬為寬度沿該外邊沿曲線軌跡移動(dòng)刻蝕，軌跡經(jīng)過(guò)處電阻材料被全部刻蝕并產(chǎn)生新的外邊沿曲線后，激光束終點(diǎn)滯留或返回起點(diǎn)滯留；2)激光束從前述滯留點(diǎn)開始，推進(jìn)至新的外邊沿曲線，代替步驟1)中的原始外邊沿曲線刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于步驟2)中從前述激光束的滯留點(diǎn)開始，沿該點(diǎn)所在原始外邊沿曲線朝向電阻內(nèi)側(cè)的法線方向向新的外邊沿曲線推進(jìn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于所述待刻電阻為貼片電阻或弧形電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于在對(duì)步驟2)中新的外邊沿曲線進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕起點(diǎn)始終與滯留點(diǎn)在同一側(cè)，使得相鄰兩次激光軌跡刻蝕方向始終相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于步驟2)中對(duì)新的外邊沿曲線進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕起點(diǎn)始終不與滯留點(diǎn)在同側(cè)，使得相鄰兩次激光軌跡刻蝕方向始終相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于所述待刻電阻為圓形電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于步驟1)中原始外邊沿曲線的起點(diǎn)和終點(diǎn)重合，激光束沿外圓周曲線軌跡刻蝕一周恰好回到起點(diǎn)；步驟2)中沿前述起點(diǎn)同圓心連線的軌跡向新的外邊沿曲線推進(jìn)，并沿該新的外邊沿曲線軌跡刻蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，其特征在于相鄰兩次激光刻蝕的圓周軌跡旋向始終相同或者始終相反。
全文摘要
本發(fā)明公開了邊沿推進(jìn)式電阻修刻方法，采用目前通用的激光修調(diào)系統(tǒng)完成激光產(chǎn)生、定位、移動(dòng)及阻值監(jiān)測(cè)等過(guò)程，其特征在于進(jìn)刀時(shí)控制激光束交替進(jìn)行下述兩個(gè)步驟的刻蝕運(yùn)動(dòng)1)以待刻電阻任一原始外邊沿曲線的兩端為起點(diǎn)和終點(diǎn)，激光束自寬為寬度沿該外邊沿曲線軌跡移動(dòng)刻蝕，軌跡經(jīng)過(guò)處電阻材料被全部刻蝕并產(chǎn)生新的外邊沿曲線后，激光束終點(diǎn)滯留或返回起點(diǎn)滯留；2)激光束從前述滯留點(diǎn)開始，推進(jìn)至新的外邊沿曲線，代替步驟1)中的原始外邊沿曲線刻蝕。本發(fā)明修刻后的電阻穩(wěn)定性高、抗電磁干擾能力強(qiáng)，直接對(duì)傳感器等功能電路模塊的貼片電阻二次修刻，來(lái)實(shí)現(xiàn)增益或零位的自動(dòng)調(diào)節(jié)，有效避免阻值突變和人工匹配電阻效率低、精度低的缺點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01C17/242GK101086910SQ20071002377
公開日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者張學(xué)忠 申請(qǐng)人:蘇州和普激光設(shè)備開發(fā)有限公司