專利名稱：一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽的制作方法
一種單晶^t陽能電〗敗:l面腐蝕槽
獄領(lǐng)敏
本發(fā)明涉及晶^i:陽能電池，尤 及單晶硅太陽能電,面腐蝕槽。
背景駄
單晶硅太陽能電M^面陷光效果與太陽能電池的"金字塔"絨面均勻性有直接關(guān)系。
目前，單晶硅太陽能電鵬面都^iil腐蝕 球獲得"金字塔"絨面的，現(xiàn)在常用的方 法超維片豎直鵬爐在硅片承織中，然后離片承織方爐在駭腐蝕液的腐蝕槽 中，腐蝕液由氫氧化鈉驢氧化鉀、水、消泡劑混合而成。目前，單晶硅太陽能電鵬 面腐蝕槽由槽體、加熱管、支撐平板、硅片織器《賊，力口熱管設(shè)置在槽體的底部，支 撐平板架設(shè)在加熱管的上面，在支撐平fel均勻地設(shè)有^f滲液孔，硅片承，方爐在 雄平社，加熱后的腐蝕狐窮掌平社的滲液孔中冒出，流動的腐蝕液與硅片撤蟲， 使單晶硅太陽能電池形成絨面。這種結(jié)構(gòu)的腐蝕槽，腐蝕液的流向是從硅片底部i^i賠 片的上部，再沿lf壁流下，不斷循環(huán)。由于在支撐平fei:有^F個均勻分布的滲液孔， 在設(shè)有滲液孔的^gj^蝕液流動快，沒有滲液孔的^S腐蝕液流動慢，這離片底部腐 蝕液的流動不均勻，造成了硅片表面腐蝕不均，所獲得的絨面表面不均勻，難以達到人 們的f^要求。

發(fā)明內(nèi)容
為了克SgJ^缺陷，提高單晶硅太陽能電池絨面均勻性，本發(fā)明鄉(xiāng)了一種新型單 晶硅太陽能電^^面腐蝕槽。
本發(fā)明所細的技術(shù)方案是
戶;M單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器， 支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi)，并與槽體底面形成一個空腔，硅片承織放置在支撐平t肚，
硅片插^&硅片承，上，，征是在窮掌平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口，
戶;M加熱管安驗槽體內(nèi)ILt:，且位于左缺口航缺口的上方。
戶;f^缺口和右缺口的皿為"d"字形，旨支撐平板的皿為"工"字形。 當(dāng)腐蝕槽加熱時，腐蝕^/人設(shè)有加熱管的一女雕央口流出，沿垂直于承織的方向流 向另一端的缺口， 、^it支撐平板下面的空腔中，再髓誕加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱，
如此不斷循環(huán)。這樣，不i5^h硅片表面的受熱均勻，而皿蝕液流動皿均勻，腐蝕
液與硅片的撤蟲機率更均勻，從而使得腐t^ffl均勻，所形成的絨面結(jié)構(gòu)均勻一致。


圖1~2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖； 其中，圖2為圖1的俯視圖中，1-槽休2-加熱管；3-支撐平板；4^圭片承織；5-左缺口； 6-右缺口； 7-槽體底面; 8畫槽體內(nèi)壁；9-空腔；10勒。
下面結(jié)合附圖1、圖2詳細說明本發(fā)明的具體實施方式
，所述單晶硅太陽能電 自 面腐蝕槽，由槽體l、力口熱管2、支撐平板3、硅片承織4會賊，在支撐平板3的左右 兩端開有"d"字形的左缺口 5和右缺口 6，旨窮掌平板3的開娥為"工"字形，支撐 平板3架設(shè)在槽體1內(nèi)，并與槽體底面7形成一個空腔9，所述加熱管2安M槽體內(nèi) 壁8上，且位于支撐平板3的右缺口6的上方，硅片承織4方爐支撐平板3上，硅片 10插^^硅片承i^4上。
權(quán)利要求
1、一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體(1)、加熱管(2)、支撐平板(3)、硅片承載器(4)，支撐平板(3)架設(shè)在槽體(1)內(nèi)，并與槽體底面(7)形成一個空腔(9)，硅片承載器(4)放置在支撐平板(3)上，硅片(10)插裝在硅片承載器(4)上，其特征是在支撐平板(3)的兩端開有左缺口(5)和右缺口(6)，所述加熱管(2)安裝在槽體內(nèi)壁(8)上，且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，其特征是所述左 缺口 (5)和右缺口 (6)的形狀為"D"字形，支撐平板(3)的形狀為"工" 字形。
全文摘要
一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器，在支撐平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口，支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi)，并與槽體底面形成一個空腔，所述加熱管安裝在槽體內(nèi)壁上，且位于左缺口或右缺口的上方，硅片承載器放置在支撐平板上。當(dāng)腐蝕槽加熱時，腐蝕液從加熱管的缺口垂直于承載器的方向流動，沿著支撐平板的缺口流到支撐平板下面的空腔中，再沿著靠近加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱，如此不斷循環(huán)。這樣，整個硅片表面的受熱均勻，腐蝕液流動均勻，腐蝕速度均勻，絨面結(jié)構(gòu)一致。
文檔編號H01L21/306GK101097971SQ20071002396
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月30日
發(fā)明者劉志剛, 荀建華 申請人:荀建華;劉志剛