專利名稱：苯并環(huán)丁烯層沉積方法及凸點制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓級封裝工藝，特別涉及其中的苯并環(huán)丁烯層沉積方法及凸 點制作方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，封裝技術(shù)其實就是一種將芯片打包的技術(shù)。這種打包對于芯 片來說是必須的，也是至關(guān)重要的。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣 中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片 也更便于安裝和運輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB (印制電路板)的設(shè)計和制造，因此至關(guān)重要。封裝也 可以說是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，不僅起著安放、固定、密封、 保護(hù)芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的 橋梁一芯片上的接點用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷 電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝技術(shù)是集成電路產(chǎn)業(yè)中非 常關(guān)鍵的一環(huán)。目前，經(jīng)過多年的發(fā)展，封裝技術(shù)經(jīng)歷了從最初的針腳插入式實裝技術(shù) 到表面貼裝技術(shù)再到球柵陣列端子BGA (ball grid array)型封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)變， 在BGA封裝技術(shù)開始推廣的時候，另外一種從BGA發(fā)展來的芯片規(guī)模封裝 (CSP, Chip Scale Package)也逐漸流行起來。與BGA相比，CSP的性能又 有了革命性的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過l: 1.14, 已經(jīng)相當(dāng)接近l: 1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的 BGA的1/3。這樣在相同體積下，內(nèi)存條可以裝入更多的芯片，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提 高三倍。CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最 有效散熱路徑僅有0.2mm,大大提高了內(nèi)存芯片在長時間運行后的可靠性， 線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。CSP封裝的電氣性 能和可靠性也相比BGA有相當(dāng)大的提高。在相同的芯片面積下CSP所能達(dá)到 的引腳數(shù)明顯的要比BGA引腳數(shù)多的多(BGA以600根為限，CSP原則上 可以制造1000根)，這樣它可支持I/0端口的數(shù)目就增加了很多。此外，CSP 封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效的縮短了信號的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減 少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間 比BGA改善15% - 20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過一個個錫球 焊接在PCB板上，由于焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運行 中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從 背面散熱，且熱效率良好，運用CSP封裝的內(nèi)存可使傳導(dǎo)到PCB板上的熱量 高達(dá)88.4%。另外由于CSP芯片結(jié)構(gòu)緊湊，電路冗余度低，因此它也省去了 很多不必要的電功率消耗，致使芯片耗電量和工作溫度相對降低。芯片規(guī)才莫封裝(CSP)已改變了集成電路的設(shè)計和制造技術(shù)，較早的CSP 類型與傳統(tǒng)封裝形式相同，也就是說，將晶圓片上芯片分離后，應(yīng)用后端工 藝進(jìn)行封裝，此傳統(tǒng)工藝方法雖然使用后端設(shè)施運作良好，但是不能轉(zhuǎn)變?yōu)?最節(jié)省成本的封裝方案。近來已出現(xiàn)較新的趨勢，就是驅(qū)使封裝向芯片尺寸 方向的微縮，封裝在切片之前直接在晶圓片上進(jìn)行。微型表面貼裝元器件 (microSMD)是晶圓級芯片規(guī)模封裝(CSP),通常把CSP確定為封裝的外 部尺寸小于或等于內(nèi)部芯片尺寸的120%以內(nèi)，微型SMD主要優(yōu)點在于，該 封裝是采用晶圓形式裝配的，適合于標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝的加工工藝，最適合于下 一代更快、更小，更輕和更節(jié)省成本的產(chǎn)品，其封裝工藝步驟包括(l)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓前段制造工藝；(2)再分布連線沉積工藝；(3)凸點下金屬層(UBM, Under-Bump Metallurgy)沉積；(4)晶圓凸點制造工藝。在例如申請?zhí)枮?00410007435.5的中國專利申請中還能找到更多關(guān)于晶 圓級封裝工藝的介紹。目前，在再分布連線沉積工藝中需要使用耐腐蝕性，可顯影性，光敏性， 絕緣性以及流動性好的苯并環(huán)丁烯薄膜來定義再分布電路的路徑。然而，由 于苯并環(huán)丁烯(BCB)薄膜的熱膨脹系數(shù)與晶圓表面的鈍化層的熱膨脹系數(shù) 相差很大，苯并環(huán)丁烯(BCB)薄膜的熱膨脹系數(shù)在20- 70E-6廠C的范圍之內(nèi)， 而作為鈍化層的材料，例如氮化硅的熱膨脹系數(shù)在2.4-3E-6/。C左右，在晶圓 凸點的回流加熱工序中，苯并環(huán)丁烯(BCB)和氮化硅因受熱而產(chǎn)生的收縮 比相差大，結(jié)果使苯并環(huán)丁烯(BCB)產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，并產(chǎn)生由內(nèi)應(yīng)力 引發(fā)的劈裂，最終導(dǎo)致晶圓的失效。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明即是為了解決現(xiàn)有技術(shù)苯并環(huán)丁烯與晶圓表面鈍化層之間由于熱 膨脹系數(shù)差異較大而引起的劈裂失效問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種苯并環(huán)丁烯層沉積方法，包括提供 具有鈍化層的晶圓或晶片，在所述鈍化層上形成過渡層，在所述過渡層上形 成苯并環(huán)丁烯層。并且，所述過渡層的熱膨脹系數(shù)小于苯并環(huán)丁烯層的熱膨 脹系數(shù)，并且大于鈍化層的熱膨脹系數(shù)。本發(fā)明還提供了一種凸點制作方法，包括，提供具有鈍化層的晶圓或晶片，并在鈍化層上依次形成過渡層和第一苯 并環(huán)丁烯層；對第一苯并環(huán)丁烯層進(jìn)行曝光，顯影定義出再分布連線金屬的溝槽，蝕 刻去除溝槽內(nèi)的過渡層，并在溝槽位置電鍍形成再分布連線層；在晶圓或晶片表面形成第二苯并環(huán)丁烯層，通過對第二苯并環(huán)丁烯層進(jìn)行曝光、顯影定義出晶圓或晶片凸點的溝槽開口，從而曝露出再分布連線層； 在第二苯并環(huán)丁烯層開口位置的再分布連線層上形成凸點下金屬層；在凸點下金屬層上電鍍焊料； 回流焊料形成凸點。所述過渡層的熱膨脹系數(shù)為4E-6至10E-6廠C。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案具有以下優(yōu)點上述方案通過在晶圓或晶片 表面鈍化層上形成苯并環(huán)丁烯層之前先生長一層熱膨脹系數(shù)大于鈍化層的熱 膨脹系數(shù)，并且小于苯并環(huán)丁烯層的熱膨脹系數(shù)的過渡層，再在過渡層上形 成苯并環(huán)丁烯層，避免了苯并環(huán)丁烯層與鈍化層之間因熱膨脹系數(shù)差異而引起的應(yīng)力集中導(dǎo)致的劈裂失效。


圖1是本發(fā)明實施例苯并環(huán)丁烯層沉積方法流程圖； 圖2A至圖2C是本發(fā)明實施例苯并環(huán)丁烯層沉積方法示意圖； 圖3是本發(fā)明實施例凸點制作方法流程圖； 圖4A至41是本發(fā)明實施例凸點制作方法流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明苯并環(huán)丁烯層沉積方法和凸點制作方法的實質(zhì)是在晶圓或晶片表 面鈍化層上形成苯并環(huán)丁烯層之前先生長一層熱膨脹系數(shù)大于鈍化層的熱膨 脹系數(shù)，并且小于苯并環(huán)丁烯層的熱膨脹系數(shù)的過渡層，再在過渡層上形成 苯并環(huán)丁烯層。本發(fā)明工藝過程更加清楚。如圖l所示，本發(fā)明實施例苯并環(huán)丁烯層沉積方法包括下列步驟， 步驟sl,提供具有鈍化層的晶圓。 步驟S2，在所述鈍化層上形成過渡層。 步驟S3，在所述過渡層上形成苯并環(huán)丁烯層。 所述鈍化層為氮化硅，所述過渡層為二氧化硅。結(jié)合圖1和圖2A所示，晶圓IO表面已經(jīng)具有了一層鋁墊層12,在晶圓 表面形成一層鈍化層11。鈍化層11的作用在于保護(hù)晶圓的芯片里的器件和電 路。所述鈍化層11可以釆用氮化硅或者氮氧化硅。下面以形成氮化硅的工藝 為例，形成氮化硅可以采用化學(xué)氣相沉積法，而較優(yōu)的是采用離子增強型化 學(xué)氣相沉積法(PECVD)。離子增強型化學(xué)氣相沉積就是采用增強的等離子 體，增加淀積能量，增強的能量允許晶圓在最高450。C的條件下進(jìn)行淀積。離 子增強型化學(xué)氣相沉積一般是在真空反應(yīng)室中進(jìn)行的，晶圓被送入反應(yīng)室并 且由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來后，將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣 體，例如本實施例的氮化硅氣體，并且該氣體通過電極板或其他等離子體射 頻，在反應(yīng)室內(nèi)形成等離子體。安裝在晶圓托架下面的輻射加熱器加熱晶圓， 形成冷墻淀積系統(tǒng)。通過增強的等離子體增加淀積能量，從而使得淀積的薄 膜均勻性更好。本實施例中反應(yīng)室的壓力為4.5-4.9torr,加熱晶圓的溫度為 380-420°C,在形成氮化硅的時候在反應(yīng)室中通入硅烷、氨氣和氮氣，所述 珪烷的流量為598sccm,氨氣的流量為263sccm,氮氣的流量為8600sccm， 所述氮化硅沉積的厚度在2500至6000埃，其中較佳的是3000埃。結(jié)合圖1和圖2B所示，在完成表面鈍化層11的沉積之后，接下來就需 要在鈍化層上形成過渡層12。過渡層12的作用在于使得苯并環(huán)丁烯在遇熱膨 脹時不致因為與鈍化層的受熱收縮比相差很大而產(chǎn)生很大的內(nèi)應(yīng)力，從而引 起應(yīng)力集中導(dǎo)致的劈裂失效。所述過渡層12可以采用熱膨脹系數(shù)介于苯并環(huán) 丁烯和鈍化層之間的材料， 一般為4E-6 - 10E-6廠C之間，例如4E-6/°C 、4.3*E-6/。C、 6E-6廠C、 7.2傘E-6廠C以及10E-6廠C等，其中較佳的為熱膨脹系數(shù)為4.3*E-6/ 。C的二氧化硅。下面以形成二氧化硅的工藝為例，形成二氧化硅可以采用熱 氧化法或常壓或低壓化學(xué)氣相沉積法沉積而成。而較優(yōu)的是采用離子增強型 化學(xué)氣相沉積法，參照形成氮化硅的方法，以四乙基正硅酸鹽(TEOS)為硅源 在氮化硅上沉積低密度型二氧化硅。本實施例中反應(yīng)室的壓力為4.5-4.9torr， 加熱晶圓的溫度為380 - 420。C ，所述二氧化硅的厚度在3800 - 4200埃，其中 較佳的是4000埃。并且，由于二氧化硅的表面粗糙度較高，因此能夠更好地 與苯并環(huán)丁烯和鈍化層黏結(jié)，從而更能夠增強苯并環(huán)丁烯和鈍化層的附著力。 當(dāng)然，形成過渡層12的方法并不僅限于所述的離子增強型化學(xué)氣相沉積法， 過渡層12的材料也不僅限于二氧化硅，如前所述，熱膨脹系數(shù)介于4E-6-10E-6廠C之間，并且具有較好黏結(jié)力的材料都可以應(yīng)用于本發(fā)明上。結(jié)合圖1和圖2C所示，在完成了過渡層12的工藝之后，接下來就在過 渡層12上形成苯并環(huán)丁烯層13。形成苯并環(huán)丁烯層的工藝采用本領(lǐng)域技術(shù)人 員公知的技術(shù)，可以采用旋轉(zhuǎn)涂層工藝，在常壓、室溫下、持續(xù)時間為25s - 100s、轉(zhuǎn)速為500 - 800rpm。所述苯并環(huán)丁烯層的厚度在4um至8um,但 不僅限于所述的厚度。如圖3所示，本發(fā)明實施例的凸點制作方法包括下列步驟， 步驟s10,提供具有鈍化層的晶圓，并在鈍化層上依次形成過渡層和第一 苯并環(huán)丁烯層；步驟sll,對第一笨并環(huán)丁烯層進(jìn)行曝光，顯影定義出再分布連線金屬的 溝槽，蝕刻去除溝槽內(nèi)的過渡層，并在溝槽位置電鍍形成再分布連線層；步驟sl2,在晶圓表面形成第二苯并環(huán)丁烯層，通過對第二苯并環(huán)丁烯層 進(jìn)行曝光、顯影定義出晶圓凸點的溝槽開口，從而曝露出再分布連線層；步驟sl3,在第二苯并環(huán)丁烯層開口位置形成凸點下金屬層；步驟sl4,在凸點下金屬層上電鍍焊料層；步驟Si 5,回流焊料形成凸點。結(jié)合圖3和圖4A所示，晶圓100上已經(jīng)具有了一層鋁塾層101，依次在 晶圓100表面形成鈍化層102、過渡層103和第一苯并環(huán)丁烯層104的具體工 藝步驟參照實施例1的描述，即首先使用離子增強型化學(xué)氣相沉積法在晶圓 100表面形成一層厚度為2500至6000埃的氮化硅作為鈍化層102,其中較佳 的氮化硅厚度為3000埃。接下來，同樣使用離子增強型化學(xué)氣相沉積法，以 四乙基正硅酸鹽(TEOS)為硅源在氮化硅上沉積低密度型二氧化硅作為過渡 層103,形成的二氧化硅的厚度在3800-4200埃，其中較佳的是4000埃。然 后，使用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在二氧化硅上形成厚度在4um至8um的第一苯并環(huán)丁 烯層104。如前所述，形成所述鈍化層102、過渡層103的方法并不僅限于離 子增強型化學(xué)氣相沉積法，并且鈍化層102和過渡層103以及第一苯并環(huán)丁 烯層104的厚度也都是根據(jù)實際的工藝需求而定的。結(jié)合圖3和圖4B所示，由于苯并環(huán)丁烯具有可顯影性及光敏性好的特性， 因此可以充當(dāng)光阻層的作用。對第一苯并環(huán)丁烯層104進(jìn)行曝光，顯影定義 出再分布連線金屬的溝槽的技術(shù)采用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)，首先通過 再分布連線的掩膜圖形對于第一苯并環(huán)丁烯層104進(jìn)行曝光，曝光的光源可 采用離子束或高壓汞燈等，然后使用顯影劑洗去再分布連線的金屬的溝槽位 置的苯并環(huán)丁烯，就能在第一苯并環(huán)丁烯層上形成溝槽開口 了。結(jié)合圖3和圖4C所示，接下來就需要蝕刻去除溝槽開口內(nèi)的過渡層103 曝露出鋁墊層101。蝕刻去除過渡層103的工藝可采用濕法蝕刻的工藝，但根 據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)并不僅限于濕法蝕刻工藝。在去除了過渡層103曝露出鋁墊層101之后，就可以通過電鍍的方法形 成再分布連線的金屬層105,本發(fā)明實施例中的金屬層105為銅，但不僅限于 銅。結(jié)合圖3和圖4D所示，電鍍的方法采用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)，以 電鍍銅為例，將晶圓置于包含銅離子的電鍍液中， 一般為硫酸銅等，然后將晶圓接陰極，將電鍍液接陽極，并在陰極和陽極間通電，利用電場的作用就 能在第 一苯并環(huán)丁烯層104的開口位置上形成所需的銅層了 。結(jié)合圖3和圖4E所示，在完成了再分布連線的金屬層105的工藝之后， 在晶圓表面再形成第二苯并環(huán)丁烯層106,所述第二苯并環(huán)丁烯層106的厚度 為4至8um,形成所述第二苯并環(huán)丁烯層106的方法也采用上述的涂層工藝。 并且，結(jié)合圖3和圖4F所示，還是采用如上所述的曝光及顯影的方法在第二 苯并環(huán)丁烯層106上形成晶圓凸點溝槽的開口，并曝露出再分布連線的金屬 層105。結(jié)合圖3和圖4G所示，根據(jù)上步驟形成的開口，在第二苯并環(huán)丁烯層 106開口位置形成凸點下金屬層107。形成凸點下金屬層107的方法可采用在 晶圓上通過濺射或者蒸發(fā)工藝形成凸點下金屬層，凸點下金屬層可以是鈦、 鈦-鴒合金、銅、鎳等。結(jié)合圖3和圖4H所示，在凸點下金屬層107上電鍍焊料層108的工藝為 本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)，這里就不再贅述了。焊料通常釆用鉛錫合金或 純錫。結(jié)合圖3和圖41所示，在完成電鍍焊料層108之后，就需要進(jìn)行回流工 藝以形成焊料凸點?；亓餍纬珊噶贤裹c的工藝為在焊料層108上涂布助焊劑， 然后在回流爐內(nèi)保溫回流，形成凸點108a。回流的溫度在230-260°C。因為 采用過渡層103,第一苯并環(huán)丁烯層104和作為鈍化層102的氮化硅就不會直 接接觸，從而避免了以下情況在晶圓凸點的回流加熱工序中，苯并環(huán)丁烯 和氮化硅因受熱而產(chǎn)生的收縮比相差大，結(jié)果使苯并環(huán)丁烯產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng) 力，并產(chǎn)生由內(nèi)應(yīng)力引發(fā)的劈裂，最終導(dǎo)致晶圓失效。綜上所述，本發(fā)明苯并環(huán)丁烯層沉積方法和凸點制作方法通過在苯并環(huán) 丁烯層和鈍化層之間形成一層熱膨脹系數(shù)介于苯并環(huán)丁烯層和鈍化層之間的 過渡層，均衡了苯并環(huán)丁烯產(chǎn)生的較大內(nèi)應(yīng)力，避免了苯并環(huán)丁烯產(chǎn)生較大內(nèi)應(yīng)力而引發(fā)劈裂的情況，提高了后續(xù)封裝工藝的質(zhì)量<
權(quán)利要求
1.一種苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，包括，提供具有鈍化層的晶圓；在所述鈍化層上形成過渡層；在所述過渡層上形成苯并環(huán)丁烯層。
2. 如權(quán)利要求1所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述過渡層的 熱膨脹系數(shù)小于苯并環(huán)丁烯層的熱膨脹系數(shù)，并且大于鈍化層的熱膨脹系數(shù)。
3. 如權(quán)利要求2所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述過渡層的 熱膨脹系數(shù)為4E-6至10E-6。
4. 如權(quán)利要求3所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述過渡層為 熱膨脹系數(shù)為4.3* E-6的二氧化硅。
5. 如權(quán)利要求4所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，形成所述過渡 層的工藝離子增強型化學(xué)氣相沉積法。
6. 如權(quán)利要求5所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述二氧化硅 的厚度為3800-4200埃。
7. 如權(quán)利要求6所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述二氧化硅 的厚度為4000埃。
8. 如權(quán)利要求1所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述鈍化層為 氮化硅。
9. 如權(quán)利要求8所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，形成所述鈍化 層的工藝為離子增強型化學(xué)氣相沉積法。
10. 如權(quán)利要求9所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述氮化硅的 厚度為2500至6000埃。
11. 如權(quán)利要求10所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述氮化硅 的厚度為3000埃。
12. 如權(quán)利要求1所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，形成苯并環(huán)丁 烯層的工藝為涂層工藝。
13. 如權(quán)利要求12所述的苯并環(huán)丁烯層沉積方法，其特征在于，所述苯并環(huán) 丁烯層的厚度為4um至8um。
14. 一種凸點制作方法，其特征在于，包括下列步驟，提供具有鈍化層的晶圓，并在鈍化層上依次形成過渡層和第一苯并環(huán)丁 烯層；對第一苯并環(huán)丁烯層進(jìn)行曝光，顯影定義出再分布連線金屬的溝槽，蝕 刻去除溝槽內(nèi)的過渡層，并在溝槽位置電鍍形成再分布連線層；在晶圓表面形成第二苯并環(huán)丁烯層，通過對第二苯并環(huán)丁烯層進(jìn)行曝光、 顯影定義出晶圓凸點的溝槽開口 ，從而曝露出再分布連線層；在第二苯并環(huán)丁烯層開口位置的再分布連線層上形成凸點下金屬層；在凸點下金屬層上電鍍焊料層； 回流焊料形成凸點。
15. 如權(quán)利要求14所述的凸點制作方法，其特征在于，所述過渡層的熱膨脹 系數(shù)小于第一苯并環(huán)丁烯層的熱膨脹系數(shù)，并且大于鈍化層的熱膨脹系數(shù)。
16. 如權(quán)利要求15所述的凸點制作方法，其特征在于，所述過渡層的熱膨脹 系數(shù)為4E-6至10E-6。
17. 如權(quán)利要求16所述的凸點制作方法，其特征在于，所述過渡層為熱膨脹 系數(shù)為4.3* E-6的二氧化硅。
18. 如權(quán)利要求17所述的凸點制作方法，其特征在于，形成所述過渡層的工 藝為離子增強型化學(xué)氣相沉積法。
19. 如權(quán)利要求18所述的凸點制作方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度為3800-4200埃。
20. 如權(quán)利要求19所述的凸點制作方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度 為4000埃。
21. 如權(quán)利要求14所述的凸點制作方法，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅。
22. 如權(quán)利要求21所述的凸點制作方法，其特征在于，形成所述鈍化層的工 藝為離子增強型化學(xué)氣相沉積法。
23. 如權(quán)利要求22所述的凸點制作方法，其特征在于，所述氮化硅的厚度為 2500至6000埃。
24. 如權(quán)利要求23所述的凸點制作方法，其特征在于，所述氮化硅的厚度為 3000埃。
25. 如權(quán)利要求14所述的凸點制作方法，其特征在于，形成第一苯并環(huán)丁烯 層和第二苯并環(huán)丁烯層的工藝為涂層工藝。
26. 如權(quán)利要求25所述的凸點制作方法，其特征在于，所述第一苯并環(huán)丁烯 層和第二苯并環(huán)丁烯層的厚度為4um至8um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種苯并環(huán)丁烯層沉積方法，包括在晶圓表面依次形成鈍化層、過渡層和苯并環(huán)丁烯層，并且所述過渡層的熱膨脹系數(shù)小于苯并環(huán)丁烯層的熱膨脹系數(shù)，并且大于鈍化層的熱膨脹系數(shù)。本發(fā)明苯并環(huán)丁烯層沉積方法可以避免苯并環(huán)丁烯與鈍化層之間因熱膨脹系數(shù)差異而引起的應(yīng)力集中導(dǎo)致的劈裂失效。
文檔編號H01L21/31GK101330018SQ200710042348
公開日2008年12月24日 申請日期2007年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月21日
發(fā)明者明 李, 婕 蘇, 陳險峰, 強 高 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司