專利名稱：一種制造nor flash芯片的離子注入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于芯片制造領(lǐng)域，涉及一種芯片的制造方法，尤其涉及一種 NOR FLASH芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代社會生活的日新月異，各種電子產(chǎn)品相繼融入現(xiàn)代社會的生活 中，帶給用戶很多便利。而其中閃存(FLASH)是上述電子產(chǎn)品中的重要一 員，通常使用的U盤、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)里均需要閃存的配套使用才可以發(fā)揮 其日益豐富的作用。
閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、 NAND、 NOR、 DiNOR 等，其中NAND和NOR是目前較為常見的類型。NOR閃存(NORFLASH) 是目前最通用的閃存，其在存儲格式和讀寫方式上都與常用的內(nèi)存相近，支 持隨機(jī)讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲程序及相關(guān)數(shù)據(jù)，手 機(jī)就是它的用武之地。
在現(xiàn)有的NORFLASH的制造方法中，采用的是自對準(zhǔn)源極注入(SAS IMP)技術(shù)。通常的IC設(shè)計(jì)中會選用金屬(metal)線或者多晶硅(dosepoly) 作為導(dǎo)線，而Nor Flash通過對底層(substrate)離子注入(implant)產(chǎn)生的 導(dǎo)體作為存儲單元(cell array)的共源極(common source)。這種技術(shù)叫做 SAS IMP技術(shù)。
NORFLASH芯片一般使用上述SAS IMP技術(shù)制造，首先把原本平坦的
底層(substrate)刻出一道道的溝渠(trench)。此后蝕刻過程中產(chǎn)生的電漿 (plasma)、及清洗(clean)過程中的磁振動都可能導(dǎo)致溝渠側(cè)壁的倒塌或 者破裂，出現(xiàn)有源區(qū)(Active Area,簡稱AA)破損的現(xiàn)象。而在此方法的 離子注入過程中，注入的砷(Arsenic)離子濃度(dose)通常為3"0"顆/CM2， 注入的砷離子速度(energy)通常為20Kev。這組離子注入的參數(shù)不能保證 電流的通道暢通，因此當(dāng)AA破損出現(xiàn)時(shí)，NORFLASH芯片即失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可以提高NOR FLASH芯片制造良率的離子 注入方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一 種制造NOR FLASH芯片的離子注入 方法，該方法包括離子注入步驟氣體帶著要摻的雜質(zhì)砷、磷在離子注入機(jī) 中離化，釆用高電壓和磁場來控制并加速離子，致使所述高能雜質(zhì)離子穿透 涂膠硅片的表面；該方法的離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于3*1015 顆/CM2。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于 20Kev。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于 等于4承10"顆/CM2。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于 等于5"0"顆/CM2。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度為 5求10'5顆/CM2。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于
等于6"0"顆/CM2。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于
等于20Kev。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于 等于25Kev。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于 等于30Kev。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度為 30Kev。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于 等于40Kev。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明揭示的用于制造NOR FLASH芯片的離子注入 方法，通過提高砷離子注入的注入濃度(dose)及注入速度(energy)來增 加砷離子的注入量，從而降低導(dǎo)線的阻值；阻值降低后，自然就會為電流產(chǎn) 生暢通的通道，從而提高制造NORFLASH芯片的良率。


圖l是芯片制造工藝的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明做具體介紹。 實(shí)施例一
請參與圖l,圖中主要介紹了芯片制造中平面化工藝的流程圖，主要包 括擴(kuò)散步驟、光刻步驟、刻蝕步驟、離子注入步驟、薄膜沉淀步驟、拋光步 驟、測試揀選步驟。本發(fā)明改進(jìn)的是其中的離子注入步驟。
本發(fā)明揭示了一種制造NOR FLASH芯片的離子注入方法，尤其是 0.18nm的NOR FLASH芯片的離子注入方法。該離子注入方法包括離子注 入步驟氣體帶著要摻的雜質(zhì)砷、磷在離子注入機(jī)中離化，采用高電壓和磁 場來控制并加速離子，致使所述高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面。本發(fā)明 為了保證NORFLASH芯片底層的電流通道暢通，離子注入步驟中，注入的 砷離子濃度大于3^0"顆/CM2，離子速度大于20Kev。本實(shí)施例的離子注入 步驟中，注入的砷離子濃度為5"0"顆/CM2，離子速度為30Kev。
在離子注入過程中使用上述注入?yún)?shù)，可以把NOR FLASH芯片的制造 良品率從不足90%提高到95%。
實(shí)施例二
本實(shí)施例中，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于等于4*1015顆 /CM2，注入的砷離子速度大于等于25Kev。如，離子注入步驟中，注入的砷 離子濃度為4芍0"顆/CM2，注入的砷離子速度為25Kev。
實(shí)施例三
本實(shí)施例中，在離子注入過程中，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度 大于等于5"0"顆/CM2，注入的砷離子速度大于等于30Kev。如，離子注入
步驟中，注入的砷離子濃度為5.5"0"顆/CM2,注入的砷離子速度為30Kev。 實(shí)施例四
本實(shí)施例中，在離子注入過程中，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度 大于等于6"0"顆/CM2，注入的砷離子速度大于等于35Kev。如，離子注入 步驟中，注入的砷離子濃度為6"0"顆/CM2,注入的砷離子速度為40Kev。
實(shí)施例五
本實(shí)施例中，在離子注入過程中，離子注入步驟中，注入的砷離子濃度 大于等于6.5W0"顆/CM2,注入的砷離子速度大于等于40Kev。如，離子注 入步驟中，注入的砷離子濃度為7*1015顆/0\12，注入的砷離子速度為45Kev。
以上實(shí)施例僅用以說明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明保護(hù)的離子 注入方法可以適用于使用底層(substrate)作為導(dǎo)體的任何芯片，并不被限 制在NOR FLASH芯片的范圍之內(nèi)。另外，離子注入的參數(shù)只要滿足"離子 注入步驟中，注入的砷離子濃度大于3nO"顆/CM2、注入的砷離子速度大于 20Kev"，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。不脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改 或局部替換，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種制造NOR FLASH芯片的離子注入方法，該方法包括離子注入步驟，過程如下氣體帶著要摻的雜質(zhì)砷、磷在離子注入機(jī)中離化，采用高電壓和磁場來控制并加速離子，致使所述高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面；其特征在于所述離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于3*1015顆/CM2。
2、 如權(quán)利要求1所述NOR FLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于20Kev。
3、 如權(quán)利要求l所述NOR FLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于等于4"0"顆/CM2。
4、 如權(quán)利要求3所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于等于5H0"顆/CM2。
5、 如權(quán)利要求4所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子濃度為5"0"顆/CM2。
6、 如權(quán)利要求4所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于等于6H0"顆/CM2。
7、 如權(quán)利要求2或3或4或5或6所述NOR FLASH芯片的離子注入方 法，其特征在于，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于等于20Kev。
8、 如權(quán)利要求7所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于等于25Kev。
9、 如權(quán)利要求8所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于，離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于等于30Kev。
10、 如權(quán)利要求9所述N0RFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子速度為30Kev。
11、 如權(quán)利要求9所述NORFLASH芯片的離子注入方法，其特征在于， 離子注入步驟中，注入的砷離子速度大于等于40Kev。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造NOR FLASH芯片的離子注入方法，該方法包括離子注入步驟氣體帶著要摻的雜質(zhì)在離子注入機(jī)中離化，采用高電壓和磁場來控制并加速離子，致使所述高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面；該方法的離子注入步驟中，注入的砷離子濃度大于3*10¹⁵顆/cm²。本發(fā)明通過提高砷離子注入的注入濃度及注入速度來增加注入砷離子的數(shù)量，從而降低導(dǎo)線的阻值；阻值降低后，自然就會為電流產(chǎn)生暢通的通道。
文檔編號H01L21/265GK101350299SQ20071004405
公開日2009年1月21日 申請日期2007年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日
發(fā)明者張艷紅, 芳 王, 陸韻峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司