專利名稱：一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的CRT顯示器依靠陰極射線管發(fā)射電子撞擊屏幕上的磷光粉來(lái)顯示圖像，但液晶顯 示的原理則完全不同，如圖1所示。通常，液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板，彼此 有一定間隔和互相正對(duì)。形成在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)。液晶夾在上基板和下基飯 之間。電壓通過(guò)基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從 而顯示圖像、因?yàn)槿缟纤鲆壕э@示裝置不發(fā)射光，它需要光源來(lái)顯示圖像.因此，液晶顯 示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據(jù)液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而 顯示圖像。在兩塊偏光片之間夾有玻璃基板、彩色濾光片、電極、液晶層和晶體管薄膜，液 晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。背光源發(fā)出的光線經(jīng)過(guò)下偏光片，成為具 有一定偏振方向的偏振光。晶體管控制電極之間所加電壓，而該電壓作用于液晶來(lái)控制偏振 光的偏振方向，偏振光透過(guò)相應(yīng)的彩膜色層后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏 光片，則顯示出相應(yīng)的顏色；電場(chǎng)強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過(guò)的光強(qiáng)不一 樣，顯示的亮度也不同。通過(guò)紅綠藍(lán)三種顏色的不同光強(qiáng)的組合來(lái)顯示五顏六色的圖像。
在液晶顯示器的制造過(guò)程中，需要較高的潔凈度，小顆粒的灰塵會(huì)導(dǎo)致不良的發(fā)生。另 外由于工藝偏差也非常容易形成各種缺陷。特別是當(dāng)缺陷發(fā)生在晶體管部分時(shí)可能會(huì)形成點(diǎn) 缺陷。
目前常用的點(diǎn)修復(fù)方法是將亮點(diǎn)通過(guò)激光將柵極8驅(qū)動(dòng)線和像素打成短路，從而將亮點(diǎn)變 成暗點(diǎn)。而暗點(diǎn)則無(wú)法進(jìn)行修復(fù)，當(dāng)暗點(diǎn)的量超過(guò)一定數(shù)量時(shí)將導(dǎo)致不良品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，當(dāng)液晶顯示器薄膜晶 體管結(jié)構(gòu)存點(diǎn)缺陷時(shí)，能夠徹底修復(fù)亮點(diǎn)，改變目前只能將亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，而暗點(diǎn)無(wú)法徹底 修復(fù)的現(xiàn)象。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采取了如下技術(shù)方案 一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)， 包括工作晶體管、像素電極，信號(hào)線、柵極信號(hào)線、工作晶體管的源極和信號(hào)線連接、工作 晶體管的漏極和像素電極連接、工作晶體管的柵極與柵極信號(hào)線連接，增加一個(gè)或者多個(gè)冗 余晶體管，工作晶體管和冗余晶體管串聯(lián)。冗余晶體管的源極和漏極同時(shí)與像素電極連接。
由于相比現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，本發(fā)明多了一個(gè)與工作晶體管并列 串聯(lián)的相同的冗余晶體管，使得在液晶顯示裝置的陣列面板中的某個(gè)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)生晶 體管缺陷導(dǎo)致有缺陷點(diǎn)(亮點(diǎn)或暗點(diǎn))產(chǎn)生的情況下，可以通過(guò)阻斷發(fā)生故障的工作晶體管， 連通備用的冗余晶體管等手段，恢復(fù)該薄膜晶體管單元中晶體管的功能作用，進(jìn)而徹底恢復(fù) 這一薄膜晶體管單元結(jié)構(gòu)的色彩顯示功能，從而改變了現(xiàn)有技術(shù)中只能將亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，而 暗點(diǎn)無(wú)法徹底修復(fù)的現(xiàn)狀。


工作晶體管l、冗余晶體管2、信號(hào)線3、柵極8信號(hào)線4、像素電極5、源極6、漏極7、 柵極8、柵極搭界9、晶體管溝道部IO、激光切斷點(diǎn)ll、激光打擊點(diǎn)12
圖l本發(fā)明實(shí)施例l結(jié)構(gòu)示意圖
圖2本發(fā)明實(shí)施例l修復(fù)點(diǎn)缺陷示意圖
圖3本發(fā)明實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖
圖4本發(fā)明實(shí)施例2修復(fù)點(diǎn)缺陷示意圖
圖5本發(fā)明實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖
圖6本發(fā)明實(shí)施例3修復(fù)點(diǎn)缺陷示意圖
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述。
實(shí)施例l
如圖1所示，兩晶體管采取串聯(lián)模式，冗余晶體管2的源極6和漏極7同時(shí)與像素電極5連接， 冗余晶體管2的柵極8和柵極信號(hào)線4連接。
平時(shí)的工作狀態(tài)下，因?yàn)槿哂嗑w管2的源極6與漏極7同時(shí)接在像素電極5上形成短路結(jié) 構(gòu)，實(shí)際其開(kāi)關(guān)作用的是工作晶體管l。
如圖2所示，當(dāng)工作晶體管l發(fā)生短路或者斷路的情況下按如下工藝步驟進(jìn)行處理第一 步，通過(guò)激光將工作晶體管1的柵極8與柵極信號(hào)線4切開(kāi)，并且將工作晶體管1的源極6、漏極
7通過(guò)激光打擊與下面已經(jīng)與柵極信號(hào)線4隔開(kāi)的金屬圖形形成短路，工作晶體管l起到實(shí)質(zhì)上 的導(dǎo)線作用。第二步將連接兩晶體管的金屬部分與像素電極5部分通過(guò)激光切斷，信號(hào)直接從 信號(hào)線3傳輸?shù)饺哂嗑w管2的源極6，從而使得冗余晶體管2起到開(kāi)關(guān)作用。
實(shí)施例2
如圖3所示，兩晶體管采取串聯(lián)模式，冗余晶體管2的源極6和漏極7同時(shí)與像素電極5連接， 冗余晶體管2的柵極8和柵極信號(hào)線4斷開(kāi)，冗余晶體管2的柵極8和柵極信號(hào)線4之間間隙的上 方設(shè)置柵極搭界9。
平時(shí)的工作狀態(tài)下，因?yàn)槿哂嗑w管2的源極6與漏極7同時(shí)接在像素電極5上形成短路結(jié) 構(gòu)，實(shí)際其開(kāi)關(guān)作用的是工作晶體管l。冗余晶體管2再不其作用時(shí)盡量減少其所帶來(lái)的副作 用，因此將冗余晶體管2的柵極8與柵極信號(hào)線4隔絕開(kāi)，第二金屬層的柵極8搭界9以浮置電極 狀態(tài)存在，通過(guò)這種方式可以降低由于冗余設(shè)計(jì)的冗余晶體管2帶來(lái)的寄生電容的影響。
如圖4所示，當(dāng)工作晶體管l發(fā)生短路或者斷路的情況下，則第一步，通過(guò)激光將工作晶 體管1的柵極8與柵極信號(hào)線4切開(kāi)，并且將工作晶體管1的源極6、漏極7通過(guò)激光打擊與下面 已經(jīng)與柵極信號(hào)線4隔開(kāi)的金屬圖形形成短路，工作晶體管l起到實(shí)質(zhì)上的導(dǎo)線作用。第二步 將連接兩晶體管的金屬部分與像素電極5部分通過(guò)激光切斷，信號(hào)直接從信號(hào)線3傳輸?shù)饺哂?晶體管2的源極6，同時(shí)將冗余晶體管2的柵極8利用激光打擊通過(guò)第二金屬層即柵極搭界9的兩 頭與柵極信號(hào)線4導(dǎo)通。從而使得冗余晶體管2起到開(kāi)關(guān)作用。
實(shí)施例3
如圖5所示，兩晶體管采取串聯(lián)橫放模式，工作晶體管1和冗余晶體管2橫向串聯(lián)，冗余晶 體管2的源極6和漏極7同時(shí)與像素電極5連接，工作晶體管1和冗余晶體管2橫向串聯(lián)，冗余晶 體管2的柵極8和柵極信號(hào)線4斷開(kāi)，冗余晶體管2的柵極8和柵極信號(hào)線4之間間隙的上方設(shè)置 柵極搭界9。
平時(shí)的工作狀態(tài)下，因?yàn)槿哂嗑w管2的源極6與漏極7同時(shí)接在像素電極5上形成短路結(jié) 構(gòu)，實(shí)際其開(kāi)關(guān)作用的是工作晶體管l。
如圖6所示，同時(shí)將當(dāng)工作晶體管l發(fā)生短路或者斷路的情況下，則第一步，通過(guò)激光將 工作晶體管1的柵極8與柵極信號(hào)線4切開(kāi)，并且將工作晶體管1的源極6、漏極7通過(guò)激光打擊 與下面己經(jīng)與柵極信號(hào)線4隔開(kāi)的金屬圖形形成短路，工作晶體管l起到實(shí)質(zhì)上的導(dǎo)線作用
第二步將連接兩晶體管的金屬部分與像素電極5部分通過(guò)激光切斷，信號(hào)直接從信號(hào)線3傳輸 到冗余晶體管2的源極6，同時(shí)將冗余晶體管2的柵極8，通過(guò)激光打擊第二金屬層即柵極搭界9 的兩頭的方法，與柵極信號(hào)線4導(dǎo)通。從而使得冗余晶體管2起到開(kāi)關(guān)作用。
本發(fā)明為說(shuō)明方便選取5層mask工藝作為實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但并不局限于5層。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括工作晶體管(1)、像素電極(5)，信號(hào)線(3)、柵極信號(hào)線(4)、工作晶體管(1)的源極(6)和信號(hào)線(3)連接、工作晶體管(1)的漏極(7)和像素電極(5)連接、工作晶體管(1)的柵極(8)與柵極信號(hào)線(4)連接，其特征在于，增加一個(gè)或者多個(gè)冗余晶體管(2)，工作晶體管(1)和冗余晶體管(2)串聯(lián)。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征是，冗余晶體管(2) 的源極(6)和漏極(7)同時(shí)與像素電極(5)連接，冗余晶體管(2)的柵極(8)和柵極信 號(hào)線(4)連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征是，冗余晶體管2)的 源極(6)和漏極(7)同時(shí)與像素電極(5)連接，冗余晶體管(2)的柵極(8)和柵極信號(hào) 線(4)斷開(kāi)，冗余晶體管(2)的柵極(8)和柵極信號(hào)線(4)之間間隙的上方設(shè)置柵極搭 界(9)。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征是，冗余晶體管(2) 的源極(6)和漏極(7)同時(shí)與像素電極(5)連接，工作晶體管(1)和冗余晶體管(2)橫 向串聯(lián)，冗余晶體管(2)的柵極(8)和柵極信號(hào)線(4)斷開(kāi)，冗余晶體管(2)的柵極(8) 和柵極信號(hào)線(4)之間間隙的上方設(shè)置柵極搭界(9)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)相比現(xiàn)有技術(shù)增加一個(gè)或者多個(gè)冗余晶體管，工作晶體管和冗余晶體管串聯(lián)，冗余晶體管的源極和漏極同時(shí)與像素電極連接。由于相比現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，本發(fā)明多了一個(gè)與工作晶體管并列串聯(lián)的相同的冗余晶體管，使得在液晶顯示裝置的陣列面板中的某個(gè)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)生晶體管缺陷導(dǎo)致有缺陷點(diǎn)(亮點(diǎn)或暗點(diǎn))產(chǎn)生的情況下，可以通過(guò)阻斷發(fā)生故障的工作晶體管，連通備用的冗余晶體管等手段，恢復(fù)該薄膜晶體管單元中晶體管的功能作用，進(jìn)而徹底恢復(fù)這一薄膜晶體管單元結(jié)構(gòu)的色彩顯示功能，從而改變了現(xiàn)有技術(shù)中只能將亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)，而暗點(diǎn)無(wú)法徹底修復(fù)的現(xiàn)狀。
文檔編號(hào)H01L29/786GK101382709SQ20071004557
公開(kāi)日2009年3月11日 申請(qǐng)日期2007年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月4日
發(fā)明者鋒 秦 申請(qǐng)人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司