專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置的制造方法，特別涉及液晶顯示裝置陣列基 板的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的陰極射線(xiàn)管(Cathode Ray Tube, CRT)顯示器依靠陰極射線(xiàn)管發(fā)射 電子撞擊屏幕上的磷光粉來(lái)顯示圖像，而液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)的原理與CRT顯示器完全不同，通常，液晶顯示裝置具有上基板(也稱(chēng)彩 色濾光片基板)和下基板(也稱(chēng)陣列基板)，彼此有一定間隔和互相正對(duì)，形成 在兩個(gè)基板上的多個(gè)電極相互正對(duì)，液晶夾在上基板和下基飯之間，電壓通過(guò) 基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列從而 顯示圖像。但是如上所述的液晶顯示裝置本身自己不發(fā)射光，它需要額外的光 源來(lái)顯示圖像，因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源，根據(jù)液 晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖^f象。 一般液晶顯示裝置的結(jié) 構(gòu)如下在兩塊偏光片之間夾有玻璃基板、彩色濾光片、電極、液晶層和薄膜 晶體管，液晶分子是具有折射率及介電常數(shù)各向異性的物質(zhì)。背光源發(fā)出的光 線(xiàn)經(jīng)過(guò)下偏光片，成為具有一定偏振方向的偏振光。晶體管控制電極之間所加 電壓，而該電壓作用于液晶來(lái)控制偏振光的偏振方向，偏振光透過(guò)相應(yīng)的彩膜 色層后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片，則顯示出相應(yīng)的顏 色；根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度不同，液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度也不同，透過(guò)的光強(qiáng)不一樣，顯 示的亮度也不同，通過(guò)紅綠藍(lán)三種顏色的濾光片形成不同光強(qiáng)的組合來(lái)顯示五 顏六色的圖^f象。
在目前液晶顯示裝置的陣列基板中，陣列基板內(nèi)布線(xiàn)主要由第 一金屬層、 第二金屬層、有源層、氧化物導(dǎo)電層和絕緣膜組成。陣列側(cè)的柵極掃描線(xiàn)、公 共電極和端子布線(xiàn)、屏內(nèi)布線(xiàn)的一部分是由第一金屬層構(gòu)成的，信號(hào)掃描線(xiàn)、 部分端子布線(xiàn)、屏內(nèi)布線(xiàn)是由第二金屬層構(gòu)成。當(dāng)有信號(hào)需要從第一金屬層流入第二金屬層，或第二金屬層流入第一金屬層時(shí)，需要通過(guò)制作第一金屬層， 第二金屬層接觸孔并通過(guò)氧化物導(dǎo)電層連接。
在目前使用四張光罩制造陣列基板工藝中，首先在玻璃基板上賊射第一金 屬層通過(guò)工藝的方式形成第一金屬層的圖形，然后淀積絕緣膜，然后淀積有源
層，濺射第二金屬層，通過(guò)灰色調(diào)掩膜板(Gray Tone Mask,以下簡(jiǎn)稱(chēng)GTM)或 者半色調(diào)掩膜板(Half Tone Mask,以下簡(jiǎn)稱(chēng)HTM)的曝光方式形成第二金屬 層的圖形和晶體管溝道，然后淀積絕緣膜，刻蝕第一金屬層和第二金屬層接觸 孔處的絕緣膜，然后濺射氧化物導(dǎo)電層，連接第一金屬層和第二金屬層的圖形， 使其電氣連接，并形成端子壓接部。而五張光罩工藝中，有源層，和第二金屬 層不通過(guò)GTM或HTM的一張掩模版曝光方式形成，而是通過(guò)兩張掩模版形成。
但在上述制造工藝中，由于第一金屬層和第二金屬層以及第二金屬和氧化 物導(dǎo)電層之間有絕緣膜存在，可以防止第一金屬測(cè)層和第二金屬層以及第二金 屬層和氧化物導(dǎo)電層的電氣短路現(xiàn)象。而陣列設(shè)計(jì)中，為了能夠使需要電氣連 接的第一金屬層以及第二金屬層能夠正常連接，端子部能夠在壓接中和外部電 路電氣連接，需要在絕緣膜上通過(guò)刻蝕接觸孔的方式暴露出金屬表面，再通過(guò) 氧化物導(dǎo)電層連接。但目前由于第一金屬層、第二金屬層、氧化物導(dǎo)電層屬于 不同的工藝層，之間有絕緣膜存在，也就是說(shuō)第一金屬層和氧化物導(dǎo)電層之間 存在兩層絕緣膜，第二金屬層和氧化物導(dǎo)電層之間存在絕緣膜。而刻蝕工藝中 所有需要刻蝕接觸孔的地方是同時(shí)刻蝕的，也就是在第二金屬層表面的接觸孔 刻蝕完成后，還需要對(duì)第一金屬層表面的接觸孔繼續(xù)進(jìn)行刻蝕，其結(jié)果就是當(dāng) 第一金屬層上的接觸孔刻蝕完成后，第二金屬層接觸孔存在的表面已經(jīng)被過(guò)刻 了一段時(shí)間，表面會(huì)變得粗糙不平，當(dāng)通過(guò)氧化物導(dǎo)電層連接后，接觸孔表面 的接觸電阻會(huì)變得非常大，大大影響了電氣導(dǎo)通能力，大量增加接觸孔的數(shù)目 可以增加導(dǎo)通能力但會(huì)對(duì)屏周邊的布線(xiàn)以及顯示區(qū)開(kāi)口率造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置的制造方法，通過(guò)該制造方 法提高液晶顯示裝置的電氣導(dǎo)通能力。
為達(dá)到上迷目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法，其包括以下
5步驟在潔凈的玻璃表面上濺射并形成第一金屬層圖形；在形成第一金屬層圖 形的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜和有源層；濺射并形成第二金屬層圖形；通過(guò)利用掩膜 板進(jìn)行曝光、顯影后形成第一金屬層圖形的接觸孔；刻蝕接觸孔直到接觸孔處 的第一金屬層圖形暴露出來(lái)；濺射并形成氧化物導(dǎo)電層圖形；在氧化物導(dǎo)電層 圖形上淀積絕緣膜；最后剝離絕緣膜使氧化物導(dǎo)電層暴露出來(lái)。
本發(fā)明的另 一技術(shù)方案是提供一種液晶顯示裝置的制造方法，其包括以下 步驟在潔凈的玻璃表面上濺射并形成第一金屬層圖形；在形成第一金屬層圖 形的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜和有源層；濺射并形成第二金屬層圖形；淀積絕緣膜； 通過(guò)利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影后形成第一金屬層圖形和第二金屬層圖形的接 觸孔；刻蝕接觸孔直到接觸孔處的第一金屬層圖形暴露出來(lái)；剝離絕緣膜使第 二金屬層圖形表面暴露出來(lái)；賊射并形成氧化物導(dǎo)電層圖形。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu) 點(diǎn)和積極效果本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法在形成接觸孔的同時(shí)，第二金 屬層表面不用通過(guò)刻蝕接觸孔，而直接在第二金屬層表面和氧化物導(dǎo)電層接觸 的方式電氣連接，再通過(guò)第一金屬層表面的接觸孔實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬 層的電氣連接，這樣提高了接觸孔的導(dǎo)通能力，可以減小原有的接觸孔數(shù)目， 為屏內(nèi)的布線(xiàn)提供了更大的空間。此外還提高了第二金屬層的信號(hào)輸入能力， 顯示區(qū)像素內(nèi)的接觸孔也可以省略，從而提高了開(kāi)口率和像素信號(hào)的輸入能力。 同時(shí)，由于絕緣膜形成于氧化物導(dǎo)電層之上，所以在第一金屬層的圖形和氧化 物導(dǎo)電層之間只有絕緣膜存在，從而存儲(chǔ)電容E增加，在設(shè)計(jì)中有利于提高像 素的開(kāi)口率。


圖1為本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法第一實(shí)施例工序示意圖，圖1A為本 發(fā)明形成第一金屬層示意圖，圖1B為本發(fā)明形成第二金屬層示意圖，圖1C為 剝離光刻膠后示意圖，圖1D為形成第一金屬層接觸孔示意圖，圖1E為剝離光 刻膠后示意圖，圖1F為形成氧化物導(dǎo)電層后示意圖，圖1G為淀積絕緣膜后示 意圖，圖1H為剝離光刻膠后示意圖2為本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法第二實(shí)施例工序示意圖，圖2A為本
6發(fā)明保留光刻膠后示意圖，圖2B為本發(fā)明淀積絕緣膜后示意圖，圖2C為剝離 光刻膠后示意圖3為本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法第三實(shí)施例工序示意圖，圖3A為本 發(fā)明形成第一金屬層示意圖，圖3B為本發(fā)明形成第二金屬層示意圖，圖3C為 本發(fā)明形成溝道區(qū)域示意圖，圖3D為淀積絕緣膜后示意圖，圖3E為形成接觸 孔示意圖，圖3F為剝離光刻膠后示意圖，圖3G為形成氧化物導(dǎo)電層后示意圖， 圖3H為剝離光刻膠后示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明液晶顯示裝置陣列基板的制造方法作進(jìn)一步的詳 細(xì)描述。
實(shí)施例1
在本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法第一實(shí)施例中，如圖1A所示，首先在潔 凈的玻璃IOO表面上濺射第一金屬層200,涂布光刻膠，通過(guò)第一光罩掩膜板曝 光、顯影后，再蝕刻制作第一金屬層200圖形，然后剝離光刻膠。
如圖1B所示，在完成第一金屬層200的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜300，也就是說(shuō) 在區(qū)域B-B，形成第一金屬層200圖形的保護(hù)絕緣膜300。在絕緣膜300上且位 于區(qū)域C-C，上淀積有源層400,在絕緣膜300上且位于區(qū)域B-B，上'減射形成 第二金屬層500,然后涂布光刻膠600,通過(guò)第二光罩掩膜板進(jìn)行曝光、顯影， 該第二光罩掩膜板為灰色調(diào)掩膜板(Gray Tone Mask,以下簡(jiǎn)稱(chēng)GTM)或者半色 調(diào)掩膜板(Half Tone Mask,以下簡(jiǎn)稱(chēng)HTM),通過(guò)第二光罩掩膜板將光刻膠 600的曝光狀況分成兩層。
如圖1C所示，剝離第一層光刻膠，通過(guò)刻蝕方式形成第二金屬層500的溝 道區(qū)域，然后剝離第二層光刻膠602。
如圖ID所示，在第二金屬層500的表面再涂布光刻膠600，通過(guò)第三光罩 掩膜板曝光、顯影后形成第一金屬層200的圖形的接觸孔901和903。
如圖1E所示，刻蝕接觸孔901、 903直到接觸孔901、 903處的第一金屬層 200圖形暴露出來(lái)，然后剝離光刻膠600。
如圖1F所示，形成接觸孔901、 903后在表面濺射氧化物導(dǎo)電層800，涂布光刻膠600，通過(guò)第四光罩掩膜板曝光、顯影形成氧化物導(dǎo)電層800的圖形。
如圖1G所示，刻蝕形成氧化物導(dǎo)電層800的圖形，保留未被曝光的光刻膠 600,在保留有未被曝光的光刻膠600的表面淀積絕緣膜700。
如圖1H所示，通過(guò)溶劑剝離未被曝光的光刻膠600，同時(shí)也將未被曝光的 光刻膠600上的絕緣膜700剝離，通過(guò)上述光刻膠600和絕緣膜700的剝離后 氧化物導(dǎo)電層800被暴露出來(lái)。這樣，所需要電氣連接的第一金屬層200和第 二金屬層500、區(qū)域A-A，和B-B，的端子壓接部IOOI、 1002和4妄觸孔901、 903 都已刻蝕完成。
通過(guò)此方法，在形成接觸孔901、 903的同時(shí)，第二金屬層500表面不用通 過(guò)刻蝕接觸孔，而直接在第二金屬層500表面和氧化物導(dǎo)電層800接觸的方式 電氣連接，再通過(guò)第一金屬層200表面的接觸孔實(shí)現(xiàn)第一金屬層200和第二金 屬層500的電氣連接，這樣提高了接觸孔901、 903的導(dǎo)通能力，可以減小原有 的接觸孔數(shù)目，為屏內(nèi)的布線(xiàn)提供了更大的空間。此外還提高了第二金屬層500 的信號(hào)輸入能力，顯示區(qū)像素內(nèi)的接觸孔也可以省略，從而提高了開(kāi)口率和像 素信號(hào)的輸入能力。同時(shí)，由于絕緣膜700形成于氧化物導(dǎo)電層800之上，所 以在第一金屬層200的圖形和氧化物導(dǎo)電層800之間只有絕緣膜300存在，從 而存儲(chǔ)電容E增加，在設(shè)計(jì)中有利于提高像素的開(kāi)口率。
實(shí)施例2
在實(shí)施例2中，實(shí)施例2的前五步驟與實(shí)施例1的圖1A至IE相同，這里 就不再詳述，其與實(shí)施例l不同點(diǎn)在于如圖2A所示，第四光罩使用灰色調(diào)掩 膜板(Gray Tone Mask,以下簡(jiǎn)稱(chēng)GTM)或者半色調(diào)掩膜板(Half Tone Mask, 以下簡(jiǎn)稱(chēng)HTM)進(jìn)行曝光，在氧化物導(dǎo)電層800的像素電極區(qū)域H保留部分光刻 膠602不被曝光，刻蝕完形成氧化物導(dǎo)電層800的圖形后，如圖2B所示，灰化 未被曝光的光刻膠602，像素電極以外氧化物導(dǎo)電層800的圖形上光刻膠602保 留，在表面淀積絕緣膜700;如圖2C所示通過(guò)溶劑剝離光刻膠602,同時(shí)光刻 膠602上的絕緣膜700被剝離，這樣位于第二金屬層500上的氧化物導(dǎo)電層800 就被暴露出來(lái)。由于像素電極區(qū)域H存在絕緣膜700,在摩擦工藝時(shí)，不會(huì)由于 第一金屬層200的圖形和第二金屬層500的圖形和像素電極之間的段差造成摩 擦不良，提高了摩擦能力。實(shí)施例3
如圖3A所示，首先在潔凈的玻璃IOO表面上濺射第一金屬層200，涂布光 刻膠，通過(guò)第一光罩掩膜板曝光、顯影后，再蝕刻制作第一金屬層200圖形， 然后剝離光刻膠。
如圖3B所示，在完成第一金屬層200的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜300，也就是說(shuō) 在區(qū)域B-B，形成第一金屬層200的圖形的保護(hù)絕緣膜300。在絕緣膜300上且 位于區(qū)域C-C，上淀積有源層400,在絕緣膜300上且位于區(qū)域B-B，上'踐射形 成第二金屬層500，然后涂布光刻膠600，通過(guò)第二光罩掩膜板進(jìn)行曝光、顯影， 該第二光罩掩膜板為GTM板或者HTM板，通過(guò)第二光罩掩膜板將光刻膠600的 曝光狀況分成三層，去掉已經(jīng)被光的光刻膠。
如圖3C所示，刻蝕形成所需要的第二金屬層500的圖形，其次剝離第一層 光刻膠，通過(guò)工藝刻蝕方式形成溝道區(qū)域，再次剝離第二層光刻膠602，保留第 三層光刻膠603。
如圖3D所示，在保留有第三層光刻膠603的表面淀積絕緣膜700，形成第 二金屬層500表面的隔離保護(hù)層。
如圖3E所示，在絕緣膜700上涂布光刻膠600，通過(guò)刻蝕工藝刻蝕接觸孔 901、 902、 903、 904,在刻蝕到第三層光刻膠603表面時(shí)，由于第一金屬層200 表面的接觸孔901， 903未完全刻蝕完成，所以還會(huì)繼續(xù)刻蝕，但在有第三層光 刻膠603存在的第二金屬層500表面，由于第三層光刻膠603的保護(hù)不會(huì)再被 刻蝕，所以第二金屬層500表面不會(huì)受到刻蝕的破壞，刻蝕一直進(jìn)行到第一金 屬層200上的接觸孔901完全刻蝕完成。
如圖3F所示，當(dāng)?shù)谝唤饘賹?00上的接觸孔901, 903完全刻蝕完成后， 通過(guò)剝離的方式剝離保留的第三層光刻膠603，此時(shí)在保留有第三層光刻膠603 上的絕緣膜700同時(shí)被剝離，并形成了接觸孔902， 904,所以在第三層光刻膠 603下的第二金屬層500表面通過(guò)此剝離后暴露出來(lái)。這樣，所需要電氣連接的 第一金屬層200和第二金屬層500以及端子壓接部1001， 1002的第一金屬層200 和第二金屬層500的接觸孔901， 902都已刻蝕完成。
如圖3G所示，在絕緣膜700上濺射氧化物導(dǎo)電層800,此時(shí)第一金屬層200 和第二金屬層500已經(jīng)電氣連接。然后通過(guò)曝光方式形成氧化物導(dǎo)電層800的
9圖形。
如圖3H所示，在氧化物導(dǎo)電層800上涂布光刻膠600,刻蝕氧化物導(dǎo)電層 800的已曝光部分，然后玻璃光刻膠600，將氧化物導(dǎo)電層800中不需要電氣連 接的部分和不需要圖形的部分去除。
通過(guò)此方法，在形成接觸孔901， 902， 903, 904的同時(shí)，第二金屬層500 表面不會(huì)在接觸孔刻蝕工藝中被過(guò)刻蝕，從而可以保證接觸孔處第二金屬層500 表面接觸電阻不會(huì)因?yàn)檫^(guò)刻蝕而變大的不良，提高了接觸孔901， 902， 903， 904 的導(dǎo)通能力，可以減小原有的接觸孔數(shù)目，為屏內(nèi)的布線(xiàn)提供了更大的空間， 提高了像素信號(hào)的輸入能力。
在上述實(shí)施例中，本發(fā)明中所述第一金屬層所用材料可以為AlNd， AI， Cu， MO， MoW或Cr的一種或者為AlNd， AI， Cu， MO， MoW或Cr之一或任意組合所 構(gòu)成的復(fù)合。所述絕緣膜可以為Si02, SiNx或SiOxNy材料之一或任意組合所 構(gòu)成的復(fù)合。所述第二金屬層金屬為Mo, MoW或Cr的一種或者為Mo, MoW或 Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合，所述氧化物導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電層，如銦錫氧 化物，銦鋅氧化物。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不能以此來(lái)限定本發(fā)明的 范圍。任何對(duì)本發(fā)明的測(cè)量裝置作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分 立，以及對(duì)本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本 發(fā)明的揭露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟在潔凈的玻璃表面上濺射并形成第一金屬層圖形；在形成第一金屬層圖形的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜和有源層；濺射并形成第二金屬層圖形；通過(guò)利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影后形成第一金屬層圖形的接觸孔；刻蝕接觸孔直到接觸孔處的第一金屬層圖形暴露出來(lái)；濺射并形成氧化物導(dǎo)電層圖形；在氧化物導(dǎo)電層圖形上淀積絕緣膜；最后剝離絕緣膜使氧化物導(dǎo)電層暴露出來(lái)。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成第 一金屬層圖形、第二金屬層圖形、氧化物導(dǎo)電層圖形的步驟是通過(guò)涂布光刻膠 后，利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕工藝形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成 第一金屬層圖形、第二金屬層圖形、刻蝕接觸孔的步驟后進(jìn)行剝離光刻膠。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成氧 化物導(dǎo)電層圖形的步驟后保留未被曝光的光刻膠。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成 氧化物導(dǎo)電層圖形的步驟后灰化未被曝光的光刻膠。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成 第二金屬層圖形的步驟中掩膜板將光刻膠的曝光狀況分成兩層。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩膜 板為灰色調(diào)掩膜板。
8. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩膜 板為半色調(diào)掩膜板。
9. 一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟 在潔凈的玻璃表面上濺射并形成第一金屬層圖形；在形成第 一金屬層圖形的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜和有源層； 濺射并形成第二金屬層圖形；淀積絕緣膜；通過(guò)利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影后形成第一金屬層圖形和第二金屬層圖形 的接觸孔；刻蝕接觸孔直到接觸孔處的第一金屬層圖形暴露出來(lái)； 剝離絕緣膜使第二金屬層圖形表面暴露出來(lái)； 濺射并形成氧化物導(dǎo)電層圖形。
10. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成 第一金屬層圖形、第二金屬層圖形、氧化物導(dǎo)電層圖形的步驟通過(guò)涂布光刻膠 后，利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕工藝形成。
11. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述形成 第二金屬層圖形的步驟中掩膜板將光刻膠的曝光狀況分成三層。
12. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩 膜板為灰色調(diào)掩膜板。
13. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述掩 膜板為半色調(diào)掩膜板。
14. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述淀 積絕緣膜的步驟在保留有第三層光刻膠的表面上淀積絕緣膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置的制造方法，其包括以下步驟在潔凈的玻璃表面上濺射并形成第一金屬層圖形；在形成第一金屬層圖形的基礎(chǔ)上淀積絕緣膜和有源層；濺射并形成第二金屬層圖形；通過(guò)利用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影后形成第一金屬層圖形的接觸孔；刻蝕接觸孔直到接觸孔處的第一金屬層圖形暴露出來(lái)；濺射并形成氧化物導(dǎo)電層圖形；在氧化物導(dǎo)電層圖形上淀積絕緣膜；最后剝離絕緣膜使氧化物導(dǎo)電層暴露出來(lái)。采用本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法可提高接觸孔的導(dǎo)通能力，減小原有的接觸孔數(shù)目，提高像素信號(hào)的輸入能力。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101424837SQ20071004772
公開(kāi)日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日
發(fā)明者李小和 申請(qǐng)人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司