專利名稱：太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種專用于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的激光標(biāo)刻設(shè)備，屬于 激光標(biāo)刻、定位技術(shù)領(lǐng)域。
技術(shù)背景目前，激光標(biāo)刻技術(shù)巳廣泛的應(yīng)用在非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，激光 標(biāo)刻系統(tǒng)所釆用的加工技術(shù)大概分為以下類型 一類是固定激光輸出標(biāo)刻頭， 把待加工的非晶硅太陽(yáng)能電池片，簡(jiǎn)稱基片放置在X-Y交聯(lián)絲桿系統(tǒng)載物工作 平臺(tái)上，通過X-Y交聯(lián)絲桿系統(tǒng)的移動(dòng)，完成在基片上的圖形標(biāo)刻。第二種類 型，是將激光輸出標(biāo)刻頭固定在分開的X-Y絲桿系統(tǒng)的X絲桿上，載物工作平 臺(tái)固定在分開的X-Y絲桿系統(tǒng)的Y絲桿上，通過X、 Y絲桿系統(tǒng)的聯(lián)動(dòng)，完成 在基片上的圖形標(biāo)刻。以上所說的兩種激光加工類型，其中傳統(tǒng)的技術(shù)存在的 不足表現(xiàn)在以下方面 一是只能刻直線和簡(jiǎn)單的曲線圖形，無法完成復(fù)雜圖形 的標(biāo)刻；再則標(biāo)刻速度慢，線速度一般在30m/min以內(nèi)。中國(guó)專利號(hào)ZL 88109264 《一種導(dǎo)電圖形的制備方法》公開的是采用激光劃線在鈉鈣玻璃基底上產(chǎn)生圖 形，可運(yùn)用于液晶裝置。使玻璃基底上形成的一層ITO膜的一些部分通過激光 脈沖照射而被除去。專利號(hào)ZL 2004200578 10 . 2《激光自動(dòng)切割機(jī)的運(yùn)行裝置》 涉及一種滿足在船舶制造流程中放樣用的激光切割機(jī)。專利號(hào)ZL 200420 1 2 1 870.6《激光自動(dòng)切割機(jī)的運(yùn)行裝置》所涉及的是激光自動(dòng)切割機(jī)，為了克服在 高速度運(yùn)動(dòng)時(shí)所造成的結(jié)構(gòu)振動(dòng)較小，使激光束輸出穩(wěn)定，在大行程激光切割 的環(huán)境下進(jìn)行高速、精密加工，分別使用了不同的兩個(gè)工作臺(tái)，就整體結(jié)構(gòu)而 言，相對(duì)來說較復(fù)雜。與此不同的是，本發(fā)明激光標(biāo)刻的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池(以下可以簡(jiǎn)稱薄膜電池或電池)屬于太陽(yáng)能電池第二代薄膜電池產(chǎn)品。由于制造出來的薄膜 電池幅面越來越大，而先前激光標(biāo)刻的薄膜電池產(chǎn)品，基本是由直線構(gòu)成的簡(jiǎn) 單圖形，現(xiàn)有技術(shù)不能標(biāo)刻大幅面薄膜電池和特殊圖形。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的之一，克服上述現(xiàn)有技術(shù)中所存在不足，使機(jī)械平臺(tái)移動(dòng)時(shí)不 會(huì)影響激光掃描。由程序控制，使載物平臺(tái)移動(dòng)與激光標(biāo)刻分時(shí)工作，能高速 加工，規(guī)?；a(chǎn)，降低生產(chǎn)成本。另一個(gè)目的，使設(shè)備加工更為靈活，激光標(biāo)刻內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜的異形非晶硅 太陽(yáng)能電池，滿足對(duì)薄膜電池的特殊圖形以及外形結(jié)構(gòu)的需要。還有一個(gè)目的，利用大幅面激光標(biāo)刻系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)在基片內(nèi)的任一位置打標(biāo)， 標(biāo)刻文字和圖案。本發(fā)明以下所說的待刻基片是非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池或簡(jiǎn)稱 基片。本發(fā)明的任務(wù)是通過以下技術(shù)解決方案來實(shí)現(xiàn)的由計(jì)算機(jī)控制的機(jī)械工作 臺(tái)和激光發(fā)生器，其特征還包括計(jì)算機(jī)程序分時(shí)控制基片工作臺(tái)，沿X或Y軸向平移，工作臺(tái)懸臂上的激光振鏡掃描系統(tǒng)靜 止不動(dòng)；到達(dá)標(biāo)刻區(qū)域后啟動(dòng)激光振鏡掃描系統(tǒng)，導(dǎo)入標(biāo)刻圖形，在標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)標(biāo)刻基片。激光振鏡掃描系統(tǒng)中振鏡聚焦透鏡焦距75 cm可調(diào)，基片工作臺(tái)是X-Y軸 精密電控平移工作臺(tái)。技術(shù)解決方案在于機(jī)械工作臺(tái)上的激光振鏡掃描系統(tǒng)在Z軸導(dǎo)軌上的高度 可調(diào)，可以更換激光頭與激光發(fā)生器相匹配。按照本發(fā)明的技術(shù)解決方案由激光器輸出激光進(jìn)入激光振鏡掃描系統(tǒng)，經(jīng)一對(duì)反射鏡反射后，再反射到聚焦透鏡，通過光路激光束聚焦到標(biāo)刻區(qū)域標(biāo) 刻基片。激光振鏡掃描系統(tǒng)的反射鏡由振鏡電機(jī)控制其偏轉(zhuǎn)角度，而振鏡電機(jī)的偏 轉(zhuǎn)是由計(jì)算機(jī)通過D/A卡來控制，使聚光斑按照計(jì)算機(jī)設(shè)定的圖案、文字、及 直線軌跡運(yùn)行。按照本發(fā)明的技術(shù)解決方案是所說的基片工作臺(tái)，根據(jù)基片幅面大小，可 以是多幅面標(biāo)刻的X-Y交聯(lián)平臺(tái)或是單幅面標(biāo)刻的單向平臺(tái)。按照本發(fā)明的實(shí)施方案所說旋臂激光振鏡掃描系統(tǒng)，可以是紅外光激光 振鏡標(biāo)刻系統(tǒng)或激光振鏡綠激光標(biāo)刻系統(tǒng)。激光振鏡頭可以串聯(lián)也可以并聯(lián)。 激光振鏡掃描系統(tǒng)中，可以匹配光纖激光器或泵浦綠激光器。本發(fā)明的積極效果表現(xiàn)在，用計(jì)算機(jī)控制，激光振鏡掃面與加工平臺(tái)分時(shí) 工作，通過D/A卡控制，激光標(biāo)刻圖案、文字及直線。通過激光定位，減少了 機(jī)械平臺(tái)工作時(shí)間，使激光功率輸出穩(wěn)定、可靠，工作效率高。標(biāo)刻最大線速度400m/min，是傳統(tǒng)激光標(biāo)刻速度的5-15倍。


圖1、是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例圖。圖l-l、是本發(fā)明大幅面薄膜電池基片分區(qū)示意圖。圖2、是本發(fā)明標(biāo)刻的單元電池背面示意圖。圖3、是圖1中A-A剖面圖。圖3-1、是3中激光振鏡掃描系統(tǒng)工作原理圖。圖4、是本發(fā)明標(biāo)刻的前電極7平面示意圖。圖5、是本發(fā)明標(biāo)刻的非晶硅層8平面示意圖。圖6、是本發(fā)明標(biāo)刻的背電極9平面示意圖。圖7、是使用本發(fā)明設(shè)備標(biāo)刻的電池基片圖。見圖7、是基片的幅面為1000mmX2000mmX3mm單元電池間距為10mm的 非晶硅太陽(yáng)能電池板激光標(biāo)刻線示意圖。見圖l，本發(fā)明設(shè)備的載物工作臺(tái)，X-Y交聯(lián)工作臺(tái)示意圖。X軸軌道l， X軸工作臺(tái)2， Y軸軌道3， Y軸工作臺(tái)4，激光振鏡掃描鏡裝置5， Z軸軌道6。 (Y軸單向工作平臺(tái)未畫出)以下所說的待加工件7是指基片，是非晶硅薄膜 太陽(yáng)能電池。見圖3和3-l，激光導(dǎo)入光束5-6，通過YI軸向反射鏡5-2折射到X1軸反 射鏡5-5，再由反射鏡5-5折射到聚焦鏡5-1上，經(jīng)過激光輸出光路5-7到標(biāo)刻 區(qū)域的被加工件7上。整個(gè)加工步驟，均由計(jì)算機(jī)通過D/A卡控制高精度振鏡 電極5-3和5-4，分別驅(qū)動(dòng)Yl軸向反射鏡5-2和Xl軸向反射鏡5-5，調(diào)整兩軸 之間反射鏡的相對(duì)偏轉(zhuǎn)角度，以實(shí)現(xiàn)激光束在振鏡標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)的正確加工軌跡， 使激光束始終沿輸出光路5-7準(zhǔn)確地投射到標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)的加工件上。在其X-Y 交聯(lián)工作平臺(tái)任意位置點(diǎn)上進(jìn)行單點(diǎn)或連續(xù)標(biāo)刻。根據(jù)待加工件的厚度和材料 特性，調(diào)整激光振鏡掃描裝置在Z軸的位置，達(dá)到調(diào)整焦距的目的。見圖2、 4、 5、 6是用本發(fā)明標(biāo)刻的電池產(chǎn)品，玻璃基片l、引出電極點(diǎn)2、 字符3、切割線4、背漆5、透明視窗6、前電極7、非晶硅8、背電極9。見圖7，其中前電極標(biāo)刻隔離線1'、前電極標(biāo)刻區(qū)域2'、非晶硅標(biāo)刻線3'， 鋁背電極標(biāo)刻隔離線4'。圖1，方框示出本發(fā)明大幅面激光標(biāo)刻系統(tǒng)由激光發(fā)生器、激光振鏡掃描工作系 統(tǒng)、X-Y交聯(lián)平臺(tái)(或X-Y絲桿交聯(lián))、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)。見圖1-1，是基片標(biāo)刻分區(qū)域圖，按X、 Y軸向等分成nXm個(gè)相鄰的 (400mm 600mm) X (400mm 600mm)標(biāo)刻區(qū)域簡(jiǎn)稱區(qū)域。工作原理，由 400mm 600mm幅面的振鏡掃描標(biāo)刻系統(tǒng)從圖1-1中的第1號(hào)標(biāo)刻區(qū)開始標(biāo)刻， 第1號(hào)標(biāo)刻區(qū)標(biāo)刻完后，由標(biāo)刻程序控制X-Y絲桿及伺服電機(jī)系統(tǒng)把基片沿X 絲桿軸向移動(dòng)一個(gè)標(biāo)刻區(qū)域?qū)挾?，把基片上?號(hào)標(biāo)刻區(qū)送到振鏡掃描標(biāo)刻系 統(tǒng)標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)，由標(biāo)刻程序控制振鏡掃描系統(tǒng)開始對(duì)圖中第2號(hào)標(biāo)刻區(qū)進(jìn)行標(biāo) 亥U，并控制第2號(hào)標(biāo)刻區(qū)所標(biāo)刻的圖形和第1號(hào)標(biāo)刻區(qū)所標(biāo)刻的圖形在X絲桿 軸向相鄰區(qū)域交界處，形成良好的銜接，以此類推，當(dāng)圖l中第n號(hào)標(biāo)刻區(qū)標(biāo) 刻完成后，由標(biāo)刻程序控制X-Y交聯(lián)絲桿及伺服電機(jī)系統(tǒng)把基片沿Y絲桿軸向 移動(dòng)一個(gè)標(biāo)刻區(qū)域?qū)挾?，把基片上?n+l)號(hào)標(biāo)刻區(qū)送到振鏡掃描標(biāo)刻系統(tǒng)標(biāo) 刻區(qū)域內(nèi)，由標(biāo)刻程序控制振鏡掃描標(biāo)刻系統(tǒng)開始對(duì)圖1-1中第(n+l)號(hào)標(biāo)刻 區(qū)進(jìn)行標(biāo)刻，并由標(biāo)刻程序控制，第(n+l)號(hào)標(biāo)刻區(qū)所標(biāo)刻的圖形和第n號(hào)標(biāo) 刻區(qū)所標(biāo)刻的圖形在Y絲桿軸向相鄰區(qū)域交界處，形成良好的銜接。以此類推， 當(dāng)圖1-1中第m或n號(hào)標(biāo)刻區(qū)域標(biāo)刻完成后，各標(biāo)刻區(qū)域的標(biāo)刻圖形在相鄰區(qū) 域交界處都形成良好的銜接，這樣一來，標(biāo)刻好的基片就形成了一個(gè)總體。在非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，應(yīng)用大幅面振鏡掃描標(biāo)刻系統(tǒng)，具有標(biāo) 刻速度快，最大線速度400m/min，是傳統(tǒng)激光標(biāo)刻速度的5-15倍。生產(chǎn)效率高， 設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小，精度高等特點(diǎn)。有效地提高了非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池 受光面的有效面積，提高了非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，還 可利用大幅面振鏡掃描標(biāo)刻系統(tǒng)，在基片上標(biāo)刻復(fù)雜圖形，在基片上可文字打 標(biāo)。可實(shí)現(xiàn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜的異形非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)，滿足如 太陽(yáng)能手表行業(yè)對(duì)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特殊要求，拓廣了非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的應(yīng)用領(lǐng)域。 具體實(shí)施例l，在尺寸為355.6mmX406.4mmX0. 7mm基片上，激光標(biāo)刻外形為正八邊 形中間帶有圓形透明視窗的環(huán)形非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池單幅面標(biāo)刻(工作臺(tái)未 畫，原理同圖1)前電極圖形制作將尺寸為355.6咖X406. 4mmX0. 7mm的ITO、 ZnO或Sn02 透明導(dǎo)電膜玻璃膜面朝上放置到圖1-1中第1號(hào)標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)，啟動(dòng)大幅面紅外光 激光標(biāo)刻系統(tǒng)，導(dǎo)入電池前電極標(biāo)刻圖形，并把振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為 360mmX410mm，采用單幅面標(biāo)刻的方式，把襯底上的連續(xù)導(dǎo)電膜刻蝕成要求形 狀和尺寸的獨(dú)立小塊，如圖4中所示前電極圖形7。紅外光激光波長(zhǎng)為1064nm， 激光功率為30 50瓦，激光聲光頻率為15 35KHz，前電極相鄰圖形間絕緣隔離 線寬度為0.1 0.4mm，絕緣電阻大于2MQ;激光標(biāo)刻非晶硅將已鍍好非晶硅光電轉(zhuǎn)換層的基片膜面朝下放置到圖1 中第l號(hào)標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)，啟動(dòng)大幅面綠激光標(biāo)刻系統(tǒng)，導(dǎo)入電池非晶硅標(biāo)刻圖形， 并把振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為360mmX410mm，采用單幅面標(biāo)刻的方式，在 己沉積非晶硅的襯底上前電極圖形區(qū)域內(nèi)相應(yīng)位置，按設(shè)計(jì)圖形要求，刻除非 晶硅膜層，露出前電極引出圖形。使非晶硅圖形和前電極圖形隔離線邊緣間距 為0.1 0.3mm。設(shè)備采用大幅面綠光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，激光波長(zhǎng)為532nm，激光功 率為10 30瓦，激光聲光頻率為5 25KHz;透明視窗制作將已制作好可焊電極的基片膜面朝上放置到圖1中第1號(hào)標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)，啟動(dòng)大幅面紅外光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，導(dǎo)入電池透明視窗標(biāo)刻圖形，并把激光振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為360mmX410mm，采用單幅面標(biāo)刻的方式，把電池內(nèi)部按設(shè)計(jì)需要做成透明視窗區(qū)域的棕色非晶硅層刻除，制作出透明視窗，見圖2中6所示的白色部分。大幅面紅外光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，波長(zhǎng)為 1064nm，功率為30 50瓦，激光聲光頻率為15 35KHz;外形為正八邊形中間帶有圓形透明視窗的環(huán)形非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制作完成。實(shí)例2，實(shí)施例圖1， m=2， n=4，同上生產(chǎn)單元電池間距為10mm外形 尺寸為1000mmX2000mmX3. Oram的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池板。前電極圖形制作將尺寸為1000mmX20()0mmX3.0mm的復(fù)合透明導(dǎo)電膜玻 璃膜面朝上，放置到X-Y交聯(lián)工作平臺(tái)上，啟動(dòng)大幅面紅外光激光標(biāo)刻系統(tǒng)， 導(dǎo)入電池前電極標(biāo)刻圖形，并把振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為500mmX500mm， 將1000mmX2000腿X3. Omm的待標(biāo)刻基片等分為8個(gè)500mmX500咖的標(biāo)刻區(qū) 域，采用多幅面標(biāo)刻的方式，在襯底連續(xù)導(dǎo)電膜上標(biāo)刻出IOO條平行于長(zhǎng)邊的 間距為10mm的絕緣隔離線，參見圖7中1'所示部分。這樣一來，襯底上的連 續(xù)導(dǎo)電膜就被刻蝕分割成100條平行于長(zhǎng)邊的間距為10mm的矩形獨(dú)立塊，如 圖10中2'所示的部分，即前電極圖形。用大幅面紅外光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，激光 波長(zhǎng)為1064nm，激光功率為30 50瓦，激光聲光頻率為15 35KHz，前電極相 鄰圖形間絕緣隔離線寬度為0.1 0.4mm，絕緣電阻大于2MQ ;例3、見實(shí)施例圖l，激光標(biāo)刻非晶硅將已鍍好非晶硅光電轉(zhuǎn)換層的基片 膜面朝下放置到X-Y交聯(lián)載物平臺(tái)上，啟動(dòng)大幅面綠激光標(biāo)刻系統(tǒng)，導(dǎo)入電池 非晶硅標(biāo)刻圖形，并把振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為500mmX500mm，將1000mm X2000mraX3. 0咖的待標(biāo)刻基片等分為8個(gè)500mmX500咖的標(biāo)刻區(qū)域，采用多 幅面標(biāo)刻的方式，在已沉積非晶硅的襯底上前電極圖形區(qū)域內(nèi)相應(yīng)位置，按設(shè)計(jì)圖形要求刻除非晶硅層，把襯底上的連續(xù)非晶硅膜刻蝕出100條平行于長(zhǎng)邊的間距為10mm的標(biāo)刻線，露出前電極引出圖形，刻除非晶硅的標(biāo)刻線和前電 極圖形隔離線邊緣間距為0.1 0.3mm。設(shè)備采用大幅面綠光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，激光 波長(zhǎng)為532nm,激光功率為10~30瓦，激光聲光頻率為5 25KHz;鋁背電極制作采用真空蒸發(fā)鍍鋁或磁控濺射鍍鋁技術(shù)，在非晶硅層表面均勻地鍍上一層鋁膜背電極。將已鍍好鋁層的基片膜面朝下放置到X-Y交聯(lián)載物 平臺(tái)上，啟動(dòng)大幅面綠激光標(biāo)刻系統(tǒng)，導(dǎo)入電池鋁背電極標(biāo)刻圖形，并把振鏡 掃描系統(tǒng)標(biāo)刻范圍設(shè)定為500mmX500咖，將IOOO腿X2000mmX 3. Oram的待標(biāo)刻 基片等分為8個(gè)500mmX500mm的標(biāo)刻區(qū)域，采用多幅面標(biāo)刻的方式，在襯底 上前電極圖形區(qū)域內(nèi)相應(yīng)位置，按設(shè)計(jì)圖形要求刻除鋁層，把襯底上的連續(xù)鋁 膜刻蝕出IOO條平行于長(zhǎng)邊的間距為10mm的標(biāo)刻線，形成鋁背電極的隔離線， 如圖7中4'所示的部分，刻除鋁膜的標(biāo)刻線和非晶硅標(biāo)刻線邊緣間距為 0.1 0.3mm。設(shè)備采用大幅面綠光激光標(biāo)刻系統(tǒng)，激光波長(zhǎng)為532nm，激光功率 為10~30瓦，激光聲光頻率為5 25KHz。
權(quán)利要求
1. 太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，包括由計(jì)算機(jī)控制的機(jī)械工作臺(tái)和激光發(fā)生器，其特征還包括計(jì)算機(jī)程序分時(shí)控制基片工作臺(tái)，沿X或Y軸向平移，工作臺(tái)懸臂上的激光振鏡掃描系統(tǒng)靜止不動(dòng)；到達(dá)標(biāo)刻區(qū)域后啟動(dòng)激光振鏡掃描系統(tǒng)，導(dǎo)入標(biāo)刻圖形，在標(biāo)刻區(qū)域內(nèi)標(biāo)刻基片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說激光 振鏡掃描系統(tǒng)中振鏡聚焦透鏡焦距75 cm可調(diào)，基片工作臺(tái)是X-Y軸精密電控 平移工作臺(tái)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說機(jī)械 工作臺(tái)上的激光振鏡掃描系統(tǒng)在Z軸導(dǎo)軌上的高度可調(diào)，激光振鏡掃描系統(tǒng)中 可以更換激光頭與激光發(fā)生器相匹配。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述激的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說的 激光振鏡掃描系統(tǒng)標(biāo)刻工作時(shí)，由激光器輸出激光進(jìn)入激光振鏡掃描系統(tǒng)，經(jīng) 一對(duì)反射鏡反射后，再反射到聚焦透鏡，通過光路激光束聚焦到標(biāo)刻區(qū)域標(biāo)刻 基片。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說的激 光振鏡掃描系統(tǒng)的反射鏡由振鏡電機(jī)控制其偏轉(zhuǎn)角度，而振鏡電機(jī)的偏轉(zhuǎn)是由 計(jì)算機(jī)通過D/A卡來控制，使聚光斑按照計(jì)算機(jī)設(shè)定的圖案、文字、及直線軌 跡運(yùn)行。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說的基 片工作臺(tái)，根據(jù)基片幅面大小，可以是多幅面標(biāo)刻的X-Y交聯(lián)平臺(tái)或是單幅面 標(biāo)刻的單向平臺(tái)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征在于所說的激光振鏡掃描系統(tǒng)，可以是紅外光激光振鏡標(biāo)刻系統(tǒng)或激光振鏡綠激光標(biāo)刻系 統(tǒng)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征是所說的激光 振鏡掃描系統(tǒng)的激光振鏡頭可以串聯(lián)或并聯(lián)在懸臂上。
9、 根據(jù)權(quán)^"要求1所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征是所說待刻的 基片是非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池激光標(biāo)刻設(shè)備，其特征是所說的激 光振鏡掃描系統(tǒng)中，匹配的是光纖激光器或泵浦綠激光器。
全文摘要
本發(fā)明涉及用激光標(biāo)刻太陽(yáng)能電池的設(shè)備，屬于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池加工領(lǐng)域。本發(fā)明以提高太陽(yáng)能電池的標(biāo)刻速度和精度為目的。技術(shù)特征在于由計(jì)算機(jī)程序控制X-Y軸精密電控平移工作臺(tái)和激光振鏡掃描系統(tǒng)分時(shí)工作。當(dāng)X-Y平移時(shí)，固定在Z軸軌道上的激光振鏡掃描停止。激光振鏡掃描系統(tǒng)的反射鏡由振鏡電機(jī)控制其偏轉(zhuǎn)角度，而振鏡電機(jī)的偏轉(zhuǎn)是由計(jì)算機(jī)通過D/A卡來控制，使聚光斑按照計(jì)算機(jī)設(shè)定的圖性、文字、及直線軌跡運(yùn)行。其效果，高速大幅面標(biāo)刻非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，最大線速度400m/min，復(fù)雜圖形。機(jī)械平臺(tái)重量及運(yùn)行速度不會(huì)影響微小標(biāo)刻路徑的精度，生產(chǎn)效率高，成本低。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101222001SQ20071007281
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月8日
發(fā)明者毅 李, 李全相 申請(qǐng)人:毅 李