專利名稱：半導(dǎo)體元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的元件結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種半導(dǎo)體元件及其 制造方法。
背景技術(shù)：
對(duì)于硅金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件而言，當(dāng)柵極長(zhǎng)度縮小至深亞樣t米 范圍時(shí)，由于載子穿越時(shí)間隨著溝道長(zhǎng)度縮短而減小，因此可得到較佳的元 件效能。然而，此種工藝發(fā)展在技術(shù)上仍有許多需克服的難題。目前，為得到較佳的元件效能，已正積極發(fā)展以硅鍺技術(shù)來制作源極/ 漏極區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。硅鍺材料既可選擇性地成長(zhǎng)于源極/漏極 區(qū)，且相對(duì)于硅與氧化硅，硅鍺材料又可被選擇性地蝕刻。通常，在利用硅鍺技術(shù)所制作的源極/漏極區(qū)中會(huì)摻入高濃度的硼(boron)，以降低其電阻率。而且，對(duì)以具有高濃度硼摻雜的多晶硅鍺層當(dāng)作 源極/漏極區(qū)的晶體管元件而言，硼的濃度較高則可獲得較佳的元件電流增 益。然而，在多晶硅鍺層中所摻入的硼會(huì)不可避免地向外擴(kuò)散。若硼摻質(zhì)產(chǎn) 生縱向擴(kuò)散，會(huì)使得結(jié)深度(junction depth)過深，而易造成電學(xué)擊穿(punch through)效應(yīng)等問題；若硼摻質(zhì)產(chǎn)生橫向擴(kuò)散，則易造成短溝道效應(yīng)，而影 響元件效能。因此，如何利用硅鍺技術(shù)來制作晶體管元件中的源極/漏極區(qū)，且可避免 上述的種種問題，已成為業(yè)界發(fā)展的重要課題之一。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，能 夠抑制多晶硅鍺層中的硼摻質(zhì)的擴(kuò)散，以避免因電學(xué)擊穿效應(yīng)或短溝道效應(yīng) 等問題，而影響元件效能。本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件，其包括基底、槺極結(jié)構(gòu)、間隙壁、具有硼 摻雜的第一多晶珪鍺層與第二多晶硅鍺層。其中，基底中具有兩個(gè)開口，柵極結(jié)構(gòu)配置在兩個(gè)開口之間的基底上。間隙壁配置在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位 于部分兩個(gè)開口上方。另外，第一多晶硅鍺層配置在基底的兩個(gè)開口表面上， 而第二多晶硅鍺層配置在第一多晶硅鍺層上，且第二多晶硅鍺層的頂部高于基底的表面。其中，第一多晶硅鍺層的硼濃度低于第二多晶硅鍺層的硼濃度。依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的半導(dǎo)體元件，其可進(jìn)一步包括有至少 一層具 有硼摻雜的第三多晶硅鍺層。此第三多晶硅鍺層配置于第一多晶硅鍺層與第 二多晶硅鍺層之間，且第三多晶硅鍺層的硼濃度介于第一多晶硅鍺層與第二 多晶硅鍺層的硼濃度之間。依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的半導(dǎo)體元件，上述的第一多晶硅鍺層的鍺含 量大于第二多晶硅鍺層的鍺含量。另外，第一多晶硅鍺層的鍺含量等于第二 多晶硅鍺層的鍺含量。本發(fā)明另提出一種半導(dǎo)體元件，其包括基底、柵極結(jié)構(gòu)、間隙壁以及具 有硼摻雜的多晶硅鍺層。其中，基底中具有兩個(gè)開口，柵極結(jié)構(gòu)配置在兩個(gè) 開口之間的基底上。間隙壁配置在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分兩個(gè)開口上 方。另外，多晶硅鍺層配置在基底的兩個(gè)開口中，而多晶硅鍺層的頂部高于 基底的表面，且多晶硅鍺層具有往基底方向遞減的漸變硼濃度值。依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的半導(dǎo)體元件，上述的多晶硅鍺層具有往基底 方向遞增的漸變鍺含量值。另外，多晶硅鍺層中的鍺含量亦可為固定值。本發(fā)明又提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，在基底上依序形成柵 極氧化層以及柵極導(dǎo)體層。然后，定義柵極導(dǎo)體層以及柵極氧化層，以形成 柵極結(jié)構(gòu)。接著，在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁。之后，在間隙壁兩側(cè)的基 底中形成兩個(gè)開口，且兩個(gè)開口延伸至部分間隙壁下方。接著，在兩個(gè)開口 中依序形成具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層與第二多晶珪鍺層，而第二多晶硅 鍺層的頂部高于基底的表面，且第一多晶硅鍺層的硼濃度低于第二多晶硅鍺 層的硼濃度。依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其可進(jìn)一步在第一 多晶硅鍺層與第二多晶硅鍺層之間形成有至少一層具有硼摻雜的第三多晶 硅鍺層。而且，第三多晶珪鍺層的硼濃度介于第一多晶硅鍺層與第二多晶硅 鍺層的硼濃度之間。另外，第一多晶硅鍺層的鍺含量大于第二多晶硅鍺層的鍺含量。第一多晶硅鍺層的鍺含量亦可等于第二多晶硅鍺層的鍺含量。承上 述，第一多晶珪鍺層與第二多晶珪鍺層的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。在間隙壁兩側(cè)的基底中形成兩個(gè)開口的方法例如是各向同性蝕刻法。另外， 在兩個(gè)開口形成之后，還可對(duì)兩個(gè)開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。本發(fā)明再提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，在基底上依序形成柵 極氧化層以及柵極導(dǎo)體層。然后，定義柵極導(dǎo)體層以及柵極氧化層，以形成 柵極結(jié)構(gòu)。接著，在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁。之后，在間隙壁兩側(cè)的基 底中形成兩個(gè)開口，且部分兩個(gè)開口延伸至間隙壁下方。接著，在兩個(gè)開口 中形成具有硼摻雜的多晶硅鍺層，而多晶硅鍺層的頂部高于基底的表面，且 多晶硅鍺層具有往基底方向遞減的漸變硼濃度值。依照本發(fā)明的實(shí)施例所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，上述的多晶硅鍺層 具有往基底方向遞增的漸變鍺含量值。而多晶硅鍺層中的鍺含量亦可為固定 值。承上述，多晶硅鍺層的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。在間隙壁兩側(cè) 的基底中形成兩個(gè)開口的方法例如是各向同性蝕刻法。此外，在兩個(gè)開口形 成之后，還可進(jìn)一步對(duì)兩個(gè)開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。鍺層作為源^l/漏極，且多晶硅鍺層中與基底接觸的部分具有較低的硼濃度。 因此，本發(fā)明可有效抑制硼摻質(zhì)向外擴(kuò)散，以改善現(xiàn)有技術(shù)因硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò) 散而產(chǎn)生的電學(xué)擊穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等問題。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特#^1 選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。圖2為依照本發(fā)明的另 一 實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。 圖3、圖4、圖5、圖6(a)和6(b)為依照本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體 元件的制造方法的流程剖面示意圖。圖7表示多晶硅鍺層中硼濃度與半導(dǎo)體元件的源457漏極的結(jié)深度的關(guān)系圖。附圖標(biāo)記說明100、 200:半導(dǎo)體元件 101、 301:基底102、 306:柵極結(jié)構(gòu) 104、 308:間隙壁106、 310:開口 108:第一多晶硅鍺層110:第二多晶珪鍺層 120、 312、 314、 320:多晶珪鍺層302:柵極氧化層 304:柵4及導(dǎo)體層710、 720、 730:曲線具體實(shí)施方式
圖1為依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件100包括基底101、柵^l結(jié)構(gòu)102、間 隙壁104、具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層108以及第二多晶硅鍺層110。上 述，基底101例如是硅基底或其他合適的半導(dǎo)體基底，且在基底101中具有 兩個(gè)開口 106。柵極結(jié)構(gòu)102是配置于開口 106之間的基底101上，而柵極 結(jié)構(gòu)102例如是由柵極介電層(未繪示)與柵極導(dǎo)體層(未繪示)所構(gòu)成，且其 材質(zhì)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，所以于此不再贅述。另外，間隙壁104是配 置于柵極結(jié)構(gòu)102的側(cè)壁，且位于部分開口 106上方。間隙壁104可例如是 單層間隙壁結(jié)構(gòu)或多層間隙壁結(jié)構(gòu)，其中多層間隙壁結(jié)構(gòu)由至少一層補(bǔ)償間 隙壁(offset spacer)與間隙壁所構(gòu)成。本實(shí)施例的第一多晶硅鍺層108是配置在開口 106的表面。第二多晶硅 鍺層IIO是配置在第一多晶硅鍺層108上，且第二多晶硅鍺層IIO的頂部會(huì) 高于基底101的表面。而且，第一多晶硅鍺層108的硼濃度低于第二多晶硅 鍺層110的硼濃度。在本實(shí)施例中，第一多晶硅鍺層108的鍺含量等于第二 多晶硅鍺層110的鍺含量。承上述，第一多晶硅鍺層108與第二多晶硅鍺層 IIO是用來作為半導(dǎo)體元件100的源才 L/漏極，其可提供低的電阻，且可降低 漏電;充。特別要說明的是，第一多晶硅鍺層108具有較低的硼濃度，如此可抑制 整個(gè)源^L/漏極中的硼摻質(zhì)向外擴(kuò)散，以改善現(xiàn)有技術(shù)因硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò)散而產(chǎn) 生的電學(xué)擊穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等問題。詳言之，由于本實(shí)施例的半導(dǎo)體元 件100的源極/漏極是由具有不同濃度硼摻雜的兩層多晶硅鍺層所組成，而與 基底101接觸的第一多晶硅鍺層108的硼濃度較低，因此相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)僅 用高濃度硼摻雜的多晶硅鍺層作為源才 l/漏極而言，本實(shí)施例可有效抑制硼摻 質(zhì)的嚴(yán)重?cái)U(kuò)散情形。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，第一多晶硅鍺層108的鍺含量可大于第二多晶 硅鍺層110的鍺含量，如此亦有助于達(dá)到抑制硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò)散的目的。在又一實(shí)施例中，于本實(shí)施例的半導(dǎo)體元件100中，還可進(jìn)一步包括至少一層第三多晶硅鍺層(未繪示)。第三多晶硅鍺層可配置于第一多晶硅鍺層108與第二多晶硅鍺層110之間。而且，第三多晶硅鍺層的硼濃度可介于第 一多晶硅鍺層108與第二多晶硅鍺層110的硼濃度之間。本發(fā)明除了上述實(shí)施例的外，尚具有其他的實(shí)施型態(tài)。圖2為依照本發(fā) 明的另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。其中在圖2中與圖1相 同的構(gòu)件給予相同的標(biāo)號(hào)，并省略可能重復(fù)的說明。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件200包括基底101、柵極結(jié)構(gòu)102、間 隙壁104以及具有硼摻雜的多晶硅鍺層120。其中，柵極結(jié)構(gòu)102是配置于 開口 106之間的基底101上。間隙壁104是配置于柵極結(jié)構(gòu)102的側(cè)壁，且 位于開口 106上方。另外，多晶硅鍺層120配置在開口 106中，多晶硅鍺層 120的頂部高于基底101的表面，且多晶硅鍺層120具有往基底101方向遞 減的漸變硼濃度值。在本實(shí)施例中，多晶硅鍺層120中的鍺含量可為固定值。同樣地，多晶硅鍺層120與基底101接觸的部分具有較低的硼濃度，如 此可抑制硼摻質(zhì)向外擴(kuò)散，以避免現(xiàn)有技術(shù)因硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò)散而衍生的種種 問題。另外，在一個(gè)實(shí)施例中，多晶硅鍺層120還可以是具有往基底101方向 遞增的漸變鍺含量值，如此亦有助于達(dá)到抑制硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò)散的目的。以下，以圖3至圖6(a)、 6(b)詳細(xì)說明本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法。 圖3、圖4、圖5、圖6(a)和6(b)為依照本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件 的制造方法的流程剖面示意圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3，在基底301上形成一層?xùn)艠O氧化層302。柵極氧化 層302的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。然后，在柵極氧 化層302上形成一層?xùn)艠O導(dǎo)體層304。柵極導(dǎo)體層304的材質(zhì)例如是多晶硅， 其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。接著，定義柵極導(dǎo)體層304與槺極氧化層302,以形成柵極結(jié)構(gòu)306。 上述，柵極結(jié)構(gòu)306的形成方法例如是，在柵極導(dǎo)體層304上形成圖案化的 掩模層，之后以圖案化的掩模層為掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，移除部分柵極導(dǎo)體 層304與柵極氧化層302，以形成之。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4，在柵極結(jié)構(gòu)306的側(cè)壁形成間隙壁308。間隙壁308 可以例如是單層間隙壁結(jié)構(gòu)或多層間隙壁結(jié)構(gòu)。若間隙壁308為單層間隙壁結(jié)構(gòu)，則其材質(zhì)例如是氮化硅；若間隙壁308為多層間隙壁結(jié)構(gòu)，則其材質(zhì) 例如是氧化硅/氮化硅。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D5，在間隙壁308兩側(cè)的基底301中形成兩個(gè)開口 310。 開口 310的形成方法例如是，進(jìn)行各向同性蝕刻工藝，移除間隙壁308兩側(cè) 的部分基底301，以形成該開口，而部分開口 310會(huì)延伸至間隙壁308下方。 在本實(shí)施例中，開口 310的深度可介于700nm至800nm之間。另外，在開 口 310形成之后，通常會(huì)進(jìn)行預(yù)清洗(pre-cleaning)工藝以清潔開口 310底部 的基底301表面。隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D6(a)與圖6(b)，在開口 310中形成硼濃度不同的多晶硅 鍺層，以作為半導(dǎo)體元件的源極/漏極。其中，圖6(a)的結(jié)構(gòu)包括兩層不同硼 濃度的多晶硅鍺層312、 314,而圖6(b)的結(jié)構(gòu)中的多晶硅鍺層320具有往基 底301方向遞減的漸變硼濃度值。若欲形成如圖6(a)所示的結(jié)構(gòu)，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法 來制備。更詳細(xì)而言，先在開口 310中使用鍺烷(GeH4)、硅烷(Si2H6)當(dāng)作反 應(yīng)氣體以及H2或N2當(dāng)作載氣，以沉積一層多晶硅鍺材料層，之后再進(jìn)行摻 入硼原子的摻雜工藝，以形成多晶硅鍺層312。此多晶硅鍺層312的厚度約 為100 nm左右，硼摻質(zhì)的濃度介于1 x 1018~5x 1019個(gè)原子/每立方厘米之 間，而鍺含量約為22°/。左右。然后，在多晶硅鍺層312形成之后，接著以臨 場(chǎng)(in situ)方式形成多晶硅鍺層314，亦即是指多晶硅鍺層312與多晶硅鍺層 314的制備可以是在同一反應(yīng)室或同一機(jī)臺(tái)中完成。多晶硅鍺層314的厚度 約為1 ， 100 nm 左右，硼摻質(zhì)的濃度介于5 x 102D~ 1 x 1021個(gè)原子/每立方厘米 之間，而鍺含量約為22%左右。另外，亦可使所形成的多晶硅鍺層312的鍺 含量約為27%左右，而多晶硅鍺層314的鍺含量約為22%左右。另外，若欲形成如圖6(b)所示的多晶硅鍺層320,其形成方法例如是利 用化學(xué)氣相沉積法，并藉由調(diào)整反應(yīng)氣體流量以及硼榜"質(zhì)濃度，而于開口 310 中形成多晶硅鍺層320，其中多晶硅鍺層320可具有往基底301方向遞減的 漸變硼濃度值。在此多晶硅鍺層320中，其鍺含量可為固定值。當(dāng)然，多晶 硅鍺層320亦可具有往基底301方向遞增的漸變鍺含量值。要注意的是，在圖3至圖6(a)、 6(b)的制造流程中所列出的開口深度以 及多晶硅鍺層的厚度、硼濃度或鍺含量等數(shù)值皆為舉例說明，其并非用以限 制本發(fā)明，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)特征，而能夠具體實(shí)施本發(fā)明。接下來，以圖7來更加詳細(xì)說明本發(fā)明的功效。請(qǐng)參照?qǐng)D7，其顯示多晶硅鍺層中硼濃度與半導(dǎo)體元件的源^l/漏極的結(jié) 深度的關(guān)系圖。其中，X軸表示源極/漏極的結(jié)深度(nm), Y軸表示多晶硅鍺 層中的硼濃度(atom/cm3)。如圖7所示，曲線720、 730的硼濃度較曲線710 的硼濃度低，且曲線720、 730的擴(kuò)散后的結(jié)深度較曲線710的擴(kuò)散后的結(jié) 深度淺。所以，由圖7可以得到硼濃度較低則擴(kuò)散后的結(jié)深度較淺的結(jié)杲。 因此，在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件中，與基底接觸的多晶硅鍺層的硼濃度較低， 如此確實(shí)可有效抑制硼摻質(zhì)的嚴(yán)重?cái)U(kuò)散情形。綜上所述，在本發(fā)明中，與基底接觸的多晶硅鍺層的硼濃度較低，如此 可抑制硼摻質(zhì)向外擴(kuò)散，以改善現(xiàn)有技術(shù)因硼摻質(zhì)嚴(yán)重?cái)U(kuò)散而產(chǎn)生的電學(xué)擊 穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等問題。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)由權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體元件，包括基底，該基底中具有兩個(gè)開口；柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個(gè)開口之間的該基底上；間隙壁，配置在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個(gè)開口上方；具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個(gè)開口表面上；以及具有硼摻雜的第二多晶硅鍺層，配置在該第一多晶硅鍺層上，且該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，其中該第一多晶硅鍺層的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，更包括至少一層具有硼摻雜的第 三多晶硅鍺層，其配置于該第一與該第二多晶硅鍺層之間，且該第三多晶硅 鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量 大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一多晶硅鍺層的鍺含量 等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
5. —種半導(dǎo)體元件，包括 基底，該基底中具有兩個(gè)開口；柵極結(jié)構(gòu)，配置在該兩個(gè)開口之間的該基底上；間隙壁，配置在該對(duì)冊(cè)極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分該兩個(gè)開口上方；以及 具有硼摻雜的多晶硅鍺層，配置在該基底的該兩個(gè)開口中，而該多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度值。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。
7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該多晶硅鍺層中的鍺含量為 固定值。
8. —種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括 在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層；定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)； 在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個(gè)開口 ，且部分該兩個(gè)開口延伸至該 間隙壁下方；以及在該兩個(gè)開口中依序形成具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層與第二多晶硅 鍺層，而該第二多晶硅鍺層的頂部高于該基底的表面，且該第一多晶硅鍺層 的硼濃度低于該第二多晶硅鍺層的硼濃度。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括在該第一與該 第二多晶硅鍺層之間形成至少 一層具有硼摻雜的第三多晶硅鍺層，其中該第 三多晶硅鍺層的硼濃度介于該第一與該第二多晶硅鍺層的硼濃度之間。
10. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺 層的鍺含量大于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
11. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一多晶硅鍺 層的鍺含量等于該第二多晶硅鍺層的鍺含量。
12. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該第一與該第二 多晶硅鍺層的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法。
13. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該間隙壁兩側(cè) 的該基底中形成該兩個(gè)開口的方法包括各向同性蝕刻法。
14. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該兩個(gè)開口形 成之后，更包括對(duì)該兩個(gè)開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。
15. —種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括 在基底上依序形成柵極氧化層以及柵極導(dǎo)體層； 定義該柵極導(dǎo)體層以及該柵極氧化層，以形成柵極結(jié)構(gòu)； 在該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；在該間隙壁兩側(cè)的該基底中形成兩個(gè)開口 ，且該兩個(gè)開口延伸至部分該 間隙壁下方；以及在該兩個(gè)開口中形成具有硼摻雜的多晶硅鍺層，而該多晶硅鍺層的頂部 高于該基底的表面，且該多晶硅鍺層具有往該基底方向遞減的漸變硼濃度 值。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層 具有往該基底方向遞增的漸變鍺含量值。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層 中的鍺含量為固定值。
18. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該多晶硅鍺層 的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法。
19. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該間隙壁兩 側(cè)的該差^底中形成該兩個(gè)開口的方法包括各向同性蝕刻法。
20. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中在該兩個(gè)開口 形成之后，更包括對(duì)該兩個(gè)開口進(jìn)行預(yù)清洗工藝。
全文摘要
一種半導(dǎo)體元件，其包括基底、柵極結(jié)構(gòu)、間隙壁、具有硼摻雜的第一多晶硅鍺層與第二多晶硅鍺層。其中，基底中具有兩個(gè)開口，柵極結(jié)構(gòu)配置在兩個(gè)開口之間的基底上。間隙壁配置在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且位于部分兩個(gè)開口上方。另外，第一多晶硅鍺層配置在基底的兩個(gè)開口表面上，而第二多晶硅鍺層配置在第一多晶硅鍺層上，且第二多晶硅鍺層的頂部高于基底的表面。其中，第一多晶硅鍺層的硼濃度低于第二多晶硅鍺層的硼濃度。
文檔編號(hào)H01L29/78GK101257046SQ20071008432
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2007年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日
發(fā)明者鄭博倫 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司