專利名稱：組件、調(diào)節(jié)系統(tǒng)、光刻裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和至少一個(gè)對象的組件、調(diào)節(jié)系統(tǒng)、光刻裝置、用于調(diào)節(jié)區(qū)域的方法以及光刻器件的制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需的圖案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的設(shè)備。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件，或者可稱為掩模(mask)或中間掩模(reticle)，可用于產(chǎn)生形成在IC的單層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一個(gè)或者多個(gè)管芯(die))上。這種圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過成像到基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進(jìn)行的。一般而言，單個(gè)基底包含由被相繼構(gòu)圖的相鄰靶部構(gòu)成的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器和掃描器，在步進(jìn)器中，對每一靶部的輻照是通過一次性將整個(gè)圖案曝光到該靶部上來進(jìn)行的；在掃描器中，對每一靶部的輻照是通過沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案穿過一輻射束，并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描該基底。還可以通過將圖案壓印到基底上而把圖案從構(gòu)圖部件轉(zhuǎn)移到基底上。
包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和至少一個(gè)對象的組件可從現(xiàn)有技術(shù)了解。例如，歐洲專利EP0498499在其附圖18中示出了光刻裝置的一部分。該裝置包括干涉儀系統(tǒng)以及可動(dòng)基底臺(tái)附近的空間，相應(yīng)的干涉束在該空間中傳播。期望的是恒定的層流氣體(空氣)流經(jīng)該空間，以使該干涉儀系統(tǒng)具有更高精度。眾所周知，對于傳播過一定氣體體積(如空氣)的干涉束來說，該體積中的氣體應(yīng)該極其純凈，并具有均勻的溫度，以便為該傳播束提供基本上恒定的氣體折射率。氣體折射率的微小變化可能會(huì)產(chǎn)生難以接受的干涉測量誤差。可以控制所供給氣體的純度和溫度。在空氣的情況下，該空氣例如具有的純度級為一級，其溫度例如穩(wěn)定在0.10℃的范圍內(nèi)或者更好。

發(fā)明內(nèi)容
希望的是改進(jìn)該組件，其中該調(diào)節(jié)系統(tǒng)能夠良好地調(diào)節(jié)相應(yīng)區(qū)域。而且，還希望提供一種改進(jìn)的調(diào)節(jié)系統(tǒng)和方法。此外，還希望提供一種改進(jìn)的光刻裝置和方法。
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和對象的組件，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道，至少部分對象可移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成根據(jù)對象的位置來調(diào)整從該流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種調(diào)節(jié)系統(tǒng)，包括第一流體分配室；和第二流體分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多個(gè)流體出口通道，這些流體出口通道構(gòu)造成使得在使用過程中，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約150，其中，第一分配室包括流體流量調(diào)節(jié)器，所述流體流量調(diào)節(jié)器構(gòu)造成將流體從第一室均勻地分配到第二室內(nèi)，使得在使用過程中，第二室中在各流體出口通道的上游入口處的平均壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約50Pa。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻裝置，其包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的組件和/或根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，提供一種調(diào)節(jié)區(qū)域的方法，該方法包括使用調(diào)節(jié)系統(tǒng)的多個(gè)流體出口通道向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體；和一對象至少部分地可移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域，根據(jù)該對象的位置調(diào)整從流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻器件制造方法，包括用圖案化投影束照射基底的靶部，該基底由基底支撐件保持；用調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)節(jié)該基底支撐件附近的區(qū)域，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括向該被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道；將該基底支撐件至少部分地移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域；和根據(jù)該基底支撐件的位置來改變從多個(gè)流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。


現(xiàn)在參考所附示意圖通過示例對本發(fā)明各實(shí)施例加以說明，附圖中相同的參考標(biāo)號表示相同的部件，其中圖1示意性地示出了光刻裝置的一個(gè)實(shí)施例；圖2A示意性地示出了在圖1中示出的部分裝置的截面，其中基底支撐件處于第一位置；圖2B是類似于圖2A的視圖，其中基底支撐件處于第二位置；圖3是類似于圖2B的視圖，它示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例；圖4是在圖3示出的實(shí)施例中多個(gè)流體出口通道的截面；圖5示意性地示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地示出了光刻裝置的一個(gè)實(shí)施例。該裝置包括照明系統(tǒng)(照明器)IL，其構(gòu)造成調(diào)節(jié)輻射束B(例如UV輻射或其它輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA并與第一定位裝置PM連接，該第一定位裝置PM構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該構(gòu)圖部件；基底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W并與第二定位裝置PW連接，該第二定位裝置PW構(gòu)造成依照某些參數(shù)精確定位該基底；投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)造成將利用構(gòu)圖部件MA賦予輻射束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
該照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件來引導(dǎo)、成形或者控制輻射，這些光學(xué)部件例如是折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者它們的任意組合。
該支撐結(jié)構(gòu)保持該構(gòu)圖部件，其對該構(gòu)圖部件的保持方式取決于該構(gòu)圖部件的方位、光刻裝置的設(shè)計(jì)以及其它條件，例如該構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境中。該支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜電或其它夾持技術(shù)來保持該構(gòu)圖部件。該支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述掩模支撐結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要而是固定的或者是活動(dòng)的。該支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對于該投影系統(tǒng)位于所需位置。在這里，術(shù)語“中間掩?！被蛘摺把谀！钡娜魏问褂镁烧J(rèn)為與更上位的術(shù)語“構(gòu)圖部件”同義。
這里所使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠向輻射束的截面中賦以圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意，賦予給該輻射束的圖案可以并不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地，賦予給該輻射束的圖案對應(yīng)于在靶部中形成的器件(如集成電路)內(nèi)的特定功能層。
該構(gòu)圖部件可以是透射型的或者反射型的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其類型例如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰減相移型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個(gè)示例采用小型反射鏡的矩陣排列，每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地傾斜，從而沿不同的方向?qū)θ肷漭椛涫M(jìn)行反射。這些傾斜的反射鏡可以在被反射鏡矩陣反射的輻射束中賦以圖案。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反射折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，以適合于所用的曝光輻射，或者適合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在這里，術(shù)語“投影透鏡”的任何使用均可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。此外，這里所使用的術(shù)語“光學(xué)系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含任意類型或波長的電磁能，可使用光學(xué)器件或控制操作所需的任何裝置來控制該電磁能。
如這里所指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘呖商鎿Q地，該裝置也可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。
該光刻裝置可以具有兩個(gè)(雙平臺(tái))或者更多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)支撐結(jié)構(gòu))。在這種“多平臺(tái)式”裝置中，可以并行使用這些附加的臺(tái)，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。
該光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中，至少部分基底由具有相對高的折射率的流體(例如水)覆蓋，以填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間。浸液也可以應(yīng)用于光刻裝置中的其它空間，例如應(yīng)用于掩模和投影系統(tǒng)之間。本領(lǐng)域中眾所周知，浸液技術(shù)可以用于增大投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語“浸液”并不意味著諸如基底的結(jié)構(gòu)必須浸沒在流體中，而只是表示在曝光期間流體位于投影系統(tǒng)和基底之間。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。輻射源和光刻裝置可以是分立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)該輻射源是準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這些情況下，不把輻射源看成是構(gòu)成了該光刻裝置的一部分，輻射束借助于束輸送系統(tǒng)BD從輻射源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述束輸送系統(tǒng)BD包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，該輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)該輻射源是汞燈時(shí)。該輻射源SO和照明器IL(如果需要可以連同該束輸送系統(tǒng)BD一起)可以被稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)照明器光瞳平面內(nèi)強(qiáng)度分布的外徑向范圍和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。該照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射束，從而使該輻射束在其橫截面上具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
該輻射束B入射到保持在該支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺(tái))MT上的構(gòu)圖部件(如掩模)MA上，并由構(gòu)圖部件進(jìn)行構(gòu)圖。穿過該構(gòu)圖部件MA后，輻射束B通過該投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將該輻射束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測量器件IF、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動(dòng)該基底臺(tái)WT，從而例如將不同的靶部C定位在輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出構(gòu)圖部件MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一位置傳感器(圖1中未明確示出)來相對于輻射束B的路徑精確定位該構(gòu)圖部件MA。一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)，可以實(shí)現(xiàn)該支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)，所述長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM的一部分。類似地，利用長行程模塊和短行程模塊也可以實(shí)現(xiàn)基底臺(tái)WT的移動(dòng)，其中該長行程模塊和該短行程模塊構(gòu)成第二定位裝置PW的一部分。在步進(jìn)器的情況下(這與使用掃描裝置的情況相反)，該支撐結(jié)構(gòu)MT可以只與短行程致動(dòng)裝置連接或者可以被固定。可以使用構(gòu)圖部件對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來將該構(gòu)圖部件MA與該基底W對準(zhǔn)。盡管如所示出的基底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了指定的靶部，但是它們也可以設(shè)置在各個(gè)靶部之間的空間中(這些空間被稱為劃片線(scribe-lane)對準(zhǔn)標(biāo)記)。類似地，在有超過一個(gè)的管芯設(shè)在構(gòu)圖部件MA上的情況下，可以將該構(gòu)圖部件對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)在這些管芯之間。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進(jìn)模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT保持基本不動(dòng)，而賦予輻射束的整個(gè)圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動(dòng)該基底臺(tái)WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT被同步掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上(即單次動(dòng)態(tài)曝光)?；着_(tái)WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動(dòng)態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在另一模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT保持基本不動(dòng)，并且保持一可編程構(gòu)圖部件，而基底臺(tái)WT被移動(dòng)或掃描，同時(shí)，賦予輻射束的圖案被投影到靶部C上。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且，在每次移動(dòng)基底臺(tái)WT之后，或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新該可編程構(gòu)圖部件。這種工作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列類型。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者也可以采用完全不同的使用模式。
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，該裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)測量系統(tǒng)IF(例如干涉儀系統(tǒng)IF)以及一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于向上述測量系統(tǒng)IF的至少部分光路OP提供大體上為層流的流體，例如氣體或氣體混合物。圖2A、圖2B和圖3中也示出了這種情況，這三幅圖示出了在圖1所示的該裝置的細(xì)節(jié)。在本實(shí)施例中，要被調(diào)節(jié)的光路OP可以具有各種長度，例如在300mm晶片光刻掃描儀中其長度超過大約350mm，最大長度為大約450mm，和/或如本領(lǐng)域技術(shù)人員所清楚的那樣具有其它長度。
在一個(gè)實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110可以用來光學(xué)地調(diào)節(jié)光刻裝置中的一個(gè)或多個(gè)光路OP。該調(diào)節(jié)可以包括光學(xué)調(diào)節(jié)，這例如是為了防止該光路中的熱變化，特別地是為了提供具有穩(wěn)定折射率的環(huán)境。光路(例如測量系統(tǒng)IF的干涉束)在圖中用參考標(biāo)號OP表示。該光路OP可以在該光刻裝置的不同部件之間行進(jìn)。例如，在使用過程中可以使用相應(yīng)的干涉束來相對于投影系統(tǒng)PS的投影元件PL而精確定位該基底支撐件WT，例如沿正交的X、Y和/或Z方向(同樣參見圖1)來進(jìn)行定位。在圖2和圖3示出的實(shí)施例中，由調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110調(diào)節(jié)的光路OP在部分干涉儀系統(tǒng)IF與基底支撐件WT之間延伸。相應(yīng)的調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110可以在使用過程中調(diào)節(jié)這些光路OP，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以在所述部分干涉儀系統(tǒng)IF與基底支撐件WT和投影元件PL之間延伸。在本實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110并不在基底支撐件WT或投影元件PL的背離所述部分干涉儀系統(tǒng)IF的那一側(cè)上延伸。因而，在本實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110大體上在投影元件PL的一個(gè)橫向側(cè)上延伸。然而，也可以不同地提供一個(gè)或多個(gè)這樣的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，例如設(shè)在該裝置的不同位置和/或調(diào)節(jié)該裝置中的其它區(qū)域。
例如，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110可以構(gòu)造成向要被調(diào)節(jié)的區(qū)域供給各種氣體，如一種或多種惰性氣體、氮、氣體混合物或其它氣體類型。在一個(gè)實(shí)施例中，該氣體是空氣，例如純度級為1的超凈空氣。該氣體的溫度相對穩(wěn)定，例如穩(wěn)定在0.1℃的范圍內(nèi)，特別地是穩(wěn)定在0.001℃的范圍內(nèi)。從現(xiàn)有技術(shù)中可以知道如何提供這種熱穩(wěn)定。可替換地，例如，該調(diào)節(jié)流體可以包括液體或氣液混合物。
圖2和3還示出了朝向基底支撐件WT延伸的其它光路OP′，該光路OP′例如垂直于上述光路OP延伸。例如，這些其它光路OP′并不是由該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10、110直接進(jìn)行調(diào)節(jié)?？梢蕴峁┮粋€(gè)或多個(gè)其它調(diào)節(jié)系統(tǒng)(未示出)，以專門調(diào)節(jié)這些其它光路OP′。
圖2A和2B示意性地示出了包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)110和可動(dòng)的基底支撐件WT的組件。特別地，該基底支撐件WT至少在基本上平行于調(diào)節(jié)系統(tǒng)110的下游流體出口側(cè)的方向上是可動(dòng)的。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括氣體簇射器110，該氣體簇射器包括具有氣體入口130和氣體出口140的氣體分配室120。該氣體入口130與一個(gè)或多個(gè)合適的流體泵、儲(chǔ)罐和/或其它裝置70連接，以向該系統(tǒng)10、110提供流體。
在使用圖2A和2B的該系統(tǒng)的過程中，氣體簇射器110通過氣體出口140向相應(yīng)的被調(diào)節(jié)光路OP提供大量的純凈氣體。為此，氣體分配室120中的壓力保持在比較高的值，以迫使該流體通過該氣體出口140，其中，為了提供均勻的氣體分布，該氣體出口140可以包括例如氣體分配膜。來自該氣體簇射器的調(diào)節(jié)氣體的流動(dòng)用箭頭CA示意性地表示。例如，在圖2中，氣體分配室120外部的壓力可以基本上是大氣壓力，或更低或更高的壓力，其中，氣體分配室120中的壓力可以比該分配室120外部的壓力大至少200Pa或者更多。
如圖2A和2B所示，該基底臺(tái)WT(例如與未在圖2和圖3中示出的基底組合使用)可以部分地移入和移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域。在圖2A中，該基底支撐件WT已經(jīng)遠(yuǎn)離該測量系統(tǒng)IF移動(dòng)了一段距離到達(dá)第一位置，使得基底支撐件WT并未面對著該調(diào)節(jié)系統(tǒng)110的該出口側(cè)延伸。在這種情況下，該調(diào)節(jié)基本上不會(huì)朝著該基底支撐件WT引導(dǎo)氣體。
在圖2B中，基底支撐件WT已經(jīng)朝著測量系統(tǒng)I F移動(dòng)一段距離到達(dá)第二位置，使得該基底支撐件WT部分地在該調(diào)節(jié)系統(tǒng)110下面延伸(在該圖中)。在這種情況下，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)110將氣體CA引導(dǎo)到基底支撐件WT上，迫使該氣體進(jìn)入在基底支撐件WT和調(diào)節(jié)系統(tǒng)110的氣體出口140之間延伸的狹縫S中。因此，大量的調(diào)節(jié)氣體CA被迫入該狹縫S中并引導(dǎo)到該基底支撐件WT上(和/或基底上，在由基底臺(tái)保持基底的情況下)。這些氣體被浪費(fèi)了而不能用來調(diào)節(jié)該光路，并且會(huì)干擾對該測量系統(tǒng)IF的光路OP和其它附近光路OP′的調(diào)節(jié)。附加地或者可替換地，受迫進(jìn)入狹縫S的這些大量調(diào)節(jié)氣體CA可從狹縫S吸收熱量和/或污染物(諸如水)，之后將這些熱量和/或污染物輸送到該光路OP、OP′中(這在圖2B中用箭頭HC表示)。附加地或者可替換地，當(dāng)該基底支撐件處于第二位置(圖2B)時(shí)，會(huì)在基底支撐件WT附近從狹縫S產(chǎn)生不希望有的高速調(diào)節(jié)氣體射流。
圖3和圖4示出了一種組件的實(shí)施例，該組件包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)10(如氣體簇射器)和光刻裝置的基底支撐件WT。在圖3和圖4的實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成根據(jù)基底支撐件WT相對于流體出口通道40的位置而被動(dòng)地調(diào)節(jié)來自相應(yīng)的流體出口通道40的調(diào)節(jié)流體的流出量?？商鎿Q地，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成主動(dòng)地控制這些通道40，以調(diào)整該調(diào)節(jié)流體的流出量。在本實(shí)施例中，基底支撐件WT和調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成例如通過在它們之間延伸的狹縫S而彼此配合，以調(diào)整來自多個(gè)通道40的調(diào)節(jié)流體的流出量。
圖3和圖4的實(shí)施例的調(diào)節(jié)系統(tǒng)10包括位于上游的第一流體分配室20A和位于下游的第二流體分配室20B。在第一和第二室20A和20B之間布置有比較薄的流體流量調(diào)節(jié)器或流體預(yù)調(diào)節(jié)器25。該流體流量調(diào)節(jié)器25構(gòu)造成接收來自第一室20A的調(diào)節(jié)流體，并且將該流體均勻地分配到第二室20B中。該第二室20B的下游側(cè)具有該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的多個(gè)流體出口通道40，參見圖3。作為一個(gè)非限制性示例，可以提供至少100個(gè)、或者至少1000個(gè)通道40。圖4在一個(gè)示例性的橫向截面中示出了多個(gè)這樣的通道40。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10還具有合適的流體供給源30，其用于向第一室20A供給流體。該系統(tǒng)也可包括一個(gè)或多個(gè)泵、儲(chǔ)罐和/或其它裝置，以經(jīng)由該流體供給源30向第一室20A提供所需量的調(diào)節(jié)流體，并且將第一室20A保持在所需壓力下。這些泵、儲(chǔ)罐和/或其它裝置在圖1中用項(xiàng)目70示意性地表示，它們可以從現(xiàn)有技術(shù)中了解，因此沒有詳細(xì)地描述。
在使用圖3的實(shí)施例的過程中，在第二室20B中各相應(yīng)通道40的上游入口處的平均壓力比該流體通道的相應(yīng)下游出口側(cè)的壓力高最多大約50Pa。這些流體出口通道可以構(gòu)造成使得在使用過程中流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)Re小于大約150。在另一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成使第一室20A的內(nèi)部相對于第二室20B中的壓力保持在相對高的過壓下，例如至少100Pa的過壓。例如，在使用過程中，第一室20A中的平均壓力可以比下游第二室20B中的平均壓力高大約150-200Pa或者更高。一個(gè)或多個(gè)合適的流體泵、儲(chǔ)罐和/或其它裝置70被構(gòu)造和控制成為第一室20A提供上述壓力，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯然的。
此外或者可替換地，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成使得在使用過程中，在第二室20B中各相應(yīng)通道40的上游入口處的壓力比在該流體通道的相應(yīng)下游出口側(cè)的平均壓力高最多10Pa，例如大約5Pa(從而使得在整個(gè)流體出口通道40上的壓降最多為大約10Pa)。
該流體流量調(diào)節(jié)器25可以各種方式進(jìn)行構(gòu)造。例如，該流體流量調(diào)節(jié)器25可以是第一室20A的底側(cè)和第二室20B的頂側(cè)。例如使用單絲織物由大量的流體通道和/或一織物層來提供該調(diào)節(jié)器25，和/或使用具有合適的微小氣體通道的薄板來提供該調(diào)節(jié)器25。在一個(gè)實(shí)施例中，該流體流量調(diào)節(jié)器25設(shè)計(jì)成將相對均勻、一致的流體流動(dòng)提供到該第二室20B中，該流體在上游第一室20A中處于上述相對高的壓力。因此，該流體流量調(diào)節(jié)器25工作時(shí)，在整個(gè)調(diào)節(jié)器25上有相對大的壓降，例如具有至少100-200Pa的壓差，或者更大的壓降。在一個(gè)實(shí)施例中，該流體流量調(diào)節(jié)器25包括微粒過濾器和/或微粒過濾介質(zhì)。
這些流體出口通道40可以是或者提供一種“清洗流體極化器”，其包括多個(gè)相對長的具有某一雷諾數(shù)直徑的管道40。該調(diào)節(jié)流體(例如氣體)層流地流過這些調(diào)節(jié)管道40，該調(diào)節(jié)管道的長度設(shè)計(jì)成可特定降低所有非軸向的氣體速度流動(dòng)矢量，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯然的。此外，該長管道或流體出口通道40可以朝著要被調(diào)節(jié)的區(qū)域特定地引導(dǎo)該調(diào)節(jié)流體，而不必在每個(gè)通道上都施加大的壓差。
在又一個(gè)實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成使得在使用過程中，各相應(yīng)的流體出口通道的上游入口處的壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)的平均壓力高最多大約10Pa。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10可以有利地構(gòu)造成使得在使用過程中，各相應(yīng)流體出口通道40的上游入口處的靜壓與該通道40的相應(yīng)下游出口側(cè)的平均動(dòng)壓大致相同。如果調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成使得在使用過程中，流過各相應(yīng)流體通道40的流體的雷諾數(shù)Re小于大約20，那么就可以獲得良好的結(jié)果。這樣，可以在調(diào)節(jié)系統(tǒng)10與該可動(dòng)的基底支撐件WT之間實(shí)現(xiàn)良好且有效的配合，從而使得該基底支撐件WT可以用作多個(gè)流體出口通道40的非接觸式外部流動(dòng)限制裝置。
該流體分配室20A、20B可以具有各種形狀和尺寸。例如，在圖3的實(shí)施例中，第一室和第二室20A、20B均包括錐形部分或端部，該錐形端部例如在投影系統(tǒng)PS的元件PL附近延伸，所述元件例如是投影系統(tǒng)的最末光學(xué)元件PL。在這種情況下，第一室和第二室20A、20B分別有一部分在沿基本上平行于流體出口通道40的流體流出方向的方向測量時(shí)(即，沿圖中的Z方向測量時(shí))具有變化的橫向截面。圖5示出了該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的可替換實(shí)施例，該實(shí)施例與圖3和圖4的實(shí)施例類似。在圖5中，該系統(tǒng)包括基本上為矩形的、比較扁平的第一室20A和第二室20B。
此外，在圖3-圖5的實(shí)施例中，流體分配室20A、20B的長度K1(沿圖中的X方向測量)基本上與相應(yīng)的被調(diào)節(jié)光路OP或被調(diào)節(jié)區(qū)域的最大長度相同，或者還略長一些。例如，上述長度K1在大約20-50cm的范圍內(nèi)，或者是其它長度。流體分配室20A、20B的寬度K2(沿圖中的Y方向測量)明顯小于長度K1。該寬度K2例如在大約4-15cm的范圍內(nèi)，或者是其它寬度。流體分配室20A、20B的總高度(沿圖中的Z方向測量)明顯小于寬度K2。該總高度K3例如小于大約5cm，或者是其它高度。例如，各流體分配室20A、20B可以是相對長、或細(xì)長的室，其在橫向方向上具有相對小的尺寸，特別地是在垂直于被調(diào)節(jié)光路OP或者被清洗區(qū)域的高度方向上具有相對小的尺寸。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，從該系統(tǒng)的橫向截面來看，第二室20B的高度L3小于第一室20A的高度。作為一個(gè)示例，第二室20B的最大高度(不包括流體出口通道40的高度)可以是大約1cm或者是其它值。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，第二室20B的內(nèi)部容積與上游第一室20A的內(nèi)部容積相同，或者小于該第一室的內(nèi)部容積。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，顯而易見的是流體分配室20A、20B還可以具有其它形狀和尺寸。
在圖2和圖3的實(shí)施例中，該基底支撐件WT可用作該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的至少部分流體出口通道的可動(dòng)閘或可動(dòng)流量限制器。該基底支撐件WT可提供一種非接觸式閘，包括一閘面，該閘面可移動(dòng)到與調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的至少部分流體出口通道40的出口側(cè)相對的位置(如圖3所示)，以便限制來自這些出口側(cè)的流體流動(dòng)，而不用機(jī)械地接觸這些通道40的出口側(cè)。換句話說，該基底支撐件WT(以及例如保持于其上的基底)可移動(dòng)到該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的第一數(shù)量的通道40的下游出口側(cè)，并且可移動(dòng)離開該第一數(shù)量的通道40的下游出口側(cè)。當(dāng)該基底支撐件WT已經(jīng)移動(dòng)遠(yuǎn)離這些通道40的相應(yīng)的出口側(cè)并到達(dá)上述第一位置時(shí)(參見上文和圖2A)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10布置成使得該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的該第一數(shù)量的通道40將一定(第一)量的調(diào)節(jié)流體排放到要被調(diào)節(jié)地區(qū)域中。在基底支撐件WT已經(jīng)移動(dòng)到相應(yīng)的第二位置(參見圖2B和圖3)的情況下，使得部分基底支撐件面對著這些通道40的相應(yīng)出口側(cè)延伸，從而可以基本上限制來自調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的該第一數(shù)量的通道40的流體流動(dòng)。
在一個(gè)實(shí)施例中，基底支撐件WT和流體出口通道40的出口側(cè)之間的最近距離L1相對較小。如圖3所示，該最近距離L1是該狹縫S的高度，該狹縫在基底支撐件WT和通道40的出口側(cè)之間延伸。例如，在本實(shí)施例中，該狹縫S的高度L1小于5mm、小于大約3mm，或大約2.5mm或者更小。例如當(dāng)?shù)诙?0B中的壓力保持在上述相對較低的值的情況下，這種相對較小的狹縫S可為來自鄰近通道40的流出物提供良好的流動(dòng)阻力。
在該圖中在基本上平行于YZ平面的平面中測量時(shí)，第二室20B的內(nèi)部截面可以大于在同一平面中測量的上述狹縫S的最小截面，該狹縫S可以在第二室20B和該可動(dòng)的基底支撐件WT之間延伸。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在該圖中在基本上平行于YZ平面的平面中測量時(shí)，第二室20B的最小內(nèi)部截面可以至少與在同一平面中測量的上述狹縫S的最小截面相同，或者大于該狹縫S的最小截面。僅僅作為一個(gè)非限制性的示例，其中該狹縫S的高度L1為2.5mm，寬度K2為10cm，狹縫S的最小截面為250mm2，在這種情況下，在上述平面中測量的第二室20B的最小內(nèi)部截面至少為250mm2，或者更大。然而，第二室20B的一個(gè)或多個(gè)部分也可以具有比狹縫S更小的截面，例如在該室為錐形的情況下(圖3)，該第二室20B的頂端部分可以具有比狹縫S更小的截面。
該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的流體出口通道40可以各種方式進(jìn)行構(gòu)造。在一個(gè)實(shí)施例中，這些通道40可以一起提供一種層流管組件，該管組件可以以上述壓力向該光路OP提供層流的且基本上均勻的調(diào)節(jié)流體CA(例如純凈空氣)的流動(dòng)。例如，如圖4所示，這些通道40可具有基本上為蜂窩狀的截面，這可以獲得良好的結(jié)果?？商鎿Q地或者附加地，一個(gè)或多個(gè)通道40可具有不同的截面，例如圓形、矩形和/或其它形狀。進(jìn)一步，這些通道40可以具有各種尺寸。各通道40的長度L2可以是相應(yīng)通道的直徑D的至少10至30倍。例如，通道40的直徑D可以在大約0.1mm-5mm的范圍內(nèi)。各通道40的長度可以在例如1-6cm的范圍內(nèi)，特別是大約為1cm。而且，在一個(gè)實(shí)施例中，這些通道40具有基本上相同的直徑D，并且基本上彼此平行。此外，例如，這些通道40可以設(shè)計(jì)成以第二室20B中的上述壓力或在這些通道40的上述壓降下提供基本上均勻的、層流的向下流動(dòng)(沿圖中的Z方向)的速度，例如大約1m/s或者更高，或者速度范圍是大約0.4-2.9m/s，或者是其它速度。
在一個(gè)實(shí)施例中，例如，各通道40的長度L2選擇成使得在使用過程中，可以在第二室20B內(nèi)部的某一工作壓力下，基本上防止通過這些通道的逆流(該逆流從被調(diào)節(jié)區(qū)域開始經(jīng)由這些通道進(jìn)入第二室20B)。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，各通道40的長度L2可以是使得在使用過程中，例如由于臨時(shí)壓力峰值或通道40的出口附近區(qū)域中的壓力變化，僅有流過通道的微小臨時(shí)性逆流(在第二室20B內(nèi)部的某一工作壓力下)產(chǎn)生，其中這種通過通道的微小逆流不會(huì)導(dǎo)致流體和/或微粒從被調(diào)節(jié)區(qū)域輸送到第二室20B中。
在本實(shí)施例中，流體出口通道40相對于被調(diào)節(jié)光路OP基本垂直地(在圖中沿Z方向)延伸。可替換地，通道40可以相對于該光路傾斜。通道40也可以具有其它形狀和尺寸。這些通道40可以包括多個(gè)管、一束或多束毛細(xì)管，它們由具有通孔或小孔(如激光鉆孔)的薄板提供，和/或以不同的方式提供。
例如在一種器件制造方法中可以使用在圖3中示出的該組件。正如從上面(也是參見圖1)所得出的，該方法包括用圖案化輻射束照射基底的靶部，基底由基底支撐件WT保持，然后調(diào)節(jié)基底支撐件WT附近的區(qū)域。在使用過程中，該基底支撐件WT可以至少部分地移入和移出該要被調(diào)節(jié)的區(qū)域。
為了提供對光路OP的調(diào)節(jié)，經(jīng)由流體供給源30并使用一個(gè)或多個(gè)合適的流體泵、儲(chǔ)罐和/或其它裝置70(入口30與該裝置連接)，將調(diào)節(jié)流體(如純凈空氣)提供給第一室20A。使該調(diào)節(jié)流體在第一室20A中保持在這樣一種壓力下，即，使得該流體流量調(diào)節(jié)器25能夠?qū)⒃摿黧w均勻一致地分配到第二室20B中(如圖3中的箭頭H所表示的那樣)。例如，第一室20A中的壓力可以比第二室20B中的壓力高至少100Pa或更多，或者高大約200Pa或更多，如上所述。
在一個(gè)實(shí)施例中，正如從上面所得出的，第二室20B中的壓力在使用過程中相對較低。例如，在各流體出口通道40的上游入口處的壓力可以保持成比該通道40的相應(yīng)下游出口側(cè)的平均壓力高最多大約50Pa。作為一個(gè)示例，通道40的下游出口側(cè)的壓力可以與被調(diào)節(jié)區(qū)域的平均壓力大致相同，該被調(diào)節(jié)區(qū)域被本實(shí)施例中的測量系統(tǒng)的射束穿過。此外，在各相應(yīng)流體出口通道40的上游入口處的靜壓保持成與該通道40的相應(yīng)下游出口側(cè)的平均動(dòng)壓大致相同或者略高于該平均動(dòng)壓的情況下，可以獲得良好的結(jié)果。
在一個(gè)實(shí)施例中，例如在被調(diào)節(jié)區(qū)域中有臨時(shí)壓力脈沖的情況下，各流體出口通道40的上游入口處的靜壓可以暫時(shí)地低于在該通道40的相應(yīng)下游出口側(cè)的瞬間動(dòng)壓，這可能導(dǎo)致微小的、暫時(shí)的逆流通過該通道，從而使得來自被調(diào)節(jié)區(qū)域的潛在的非調(diào)節(jié)流體會(huì)進(jìn)入一個(gè)或多個(gè)通道40，但是該來自被調(diào)節(jié)區(qū)域的潛在的非調(diào)節(jié)流體基本上不會(huì)經(jīng)由通道40進(jìn)入第二室20B。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，基底支撐件WT朝通道40的移動(dòng)可能會(huì)在使用過程中導(dǎo)致這種臨時(shí)壓力脈沖。
例如，下游第二室20B中的壓力可以設(shè)置成能防止例如由于被調(diào)節(jié)區(qū)域中的臨時(shí)壓力脈沖或變化而導(dǎo)致有可能有逆流通過這些通道40。因此，可以防止?jié)撛诘姆钦{(diào)節(jié)流體通過通道40從被調(diào)節(jié)區(qū)域滲入第二室20B，而獲得對光路OP的良好調(diào)節(jié)。特別地，例如，第二室20B中相對低的壓力和通道40的一定長度L2可以組合起來使得在工作過程中基本上防止通過通道40的逆流，或者至少使得可能存在于被調(diào)節(jié)區(qū)域的潛在的非調(diào)節(jié)流體不會(huì)通過通道40進(jìn)入第二室20B。
在一個(gè)實(shí)施例中，在使用過程中，在各流體出口通道40的上游入口處的(工作)壓力比該通道40的相應(yīng)下游出口側(cè)的壓力高最多大約10Pa。例如，第二室20B中的總壓力比被調(diào)節(jié)區(qū)域中的平均壓力高最多大約10Pa。流過該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的各流體出口通道40的流體的雷諾數(shù)Re可以小于大約150(Re＜150)，并且可小于大約20(Re＜20)。本領(lǐng)域技術(shù)人員很清楚如何獲得該雷諾數(shù)，例如根據(jù)所使用的調(diào)節(jié)流體。
這樣，可以朝著光路OP從該流體出口通道40提供基本均勻的、基本上層流的調(diào)節(jié)流體CA。此外，來自流體出口通道40的調(diào)節(jié)流體CA的流出量取決于基底支撐件WT的位置，其中存在一種對這些通道40上的調(diào)節(jié)流體分布的被動(dòng)控制。
在一個(gè)實(shí)施例中，該流體流量調(diào)節(jié)器25可提供高的壓降層，而流體出口通道40可提供低的壓降層。調(diào)節(jié)系統(tǒng)10和基底支撐件WT可以彼此配合，以根據(jù)該對象相對于這些通道40的位置來改變來自至少一些流體出口通道40的流體CA的流動(dòng)。特別是，當(dāng)基底支撐件WT已經(jīng)移動(dòng)到所述第二位置時(shí)，基底支撐件WT距離多個(gè)出口通道40的下游端部較短的距離(參見圖3)，從而由該基底支撐件WT來顯著減小或阻止來自這些通道40的流體流動(dòng)。該基底支撐件WT用作一些流體通道40的非接觸式閘或節(jié)流器，當(dāng)基底支撐件WT處于第二位置(參見圖3)時(shí)，該基底支撐件WT面對著這些流體通道40延伸。這里，該基底支撐件WT(和保持于其上的基底)與相面對的調(diào)節(jié)系統(tǒng)的流體出口通道40一起限定了一個(gè)小的狹縫S，該通道40朝著狹縫S延伸。該狹縫S可為來自這些通道40的流出物提供流動(dòng)阻力，因而減小了這種流出物。由于第二室20B中的低壓，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以在狹縫S提供的流動(dòng)阻力的影響下，基本上被動(dòng)地減小來自流體出口通道40的流出量。第二室20B中的流體朝著這些基本上被阻塞的通道40的流動(dòng)可以在第二室20B中被重新引導(dǎo)向其它出口通道40，以調(diào)節(jié)光路OP。這種重新引導(dǎo)在圖3中用箭頭Q表示。
通過這種方式，不會(huì)將大量的調(diào)節(jié)流體CA引導(dǎo)到基底支撐件WT上(和/或基底上，在基底由基底支撐件WT保持的情況下)。因此，可以非常好地防止從基底支撐件WT吸收熱量和/或污染物，以及防止或基本上消除在基底支撐件WT附近所不期望有的高速調(diào)節(jié)流體射流。因而，在本實(shí)施例中，可以很好地對該光路OP進(jìn)行光學(xué)調(diào)節(jié)，其中可以降低該光路OP中的熱變化。此外或者可替換地，通過這種方式可以防止例如從基底支撐件WT或狹縫S向其它光路OP′輸送熱量和/或污染物。此外或者可替換地，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10在調(diào)節(jié)流體的消耗方面更加經(jīng)濟(jì)且有效。此外，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以做得相對緊湊，特別是具有相對小的總高度(在圖中的Z方向)。
如這里所描述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以各種方式應(yīng)用。例如，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以用于調(diào)節(jié)一個(gè)或多個(gè)光路OP和/或其它區(qū)域。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)例如可在晶片臺(tái)、晶片處理系統(tǒng)中和/或干涉測量過程中提供氣簾。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以應(yīng)用于光刻裝置和/或方法，或者應(yīng)用于其它類型的裝置和/或方法，例如應(yīng)用于熱學(xué)地和/或光學(xué)地調(diào)節(jié)一個(gè)或多個(gè)區(qū)域的任何裝置和/或方法中。作為一個(gè)示例，可以將3D測量裝置、干涉測量器件、轉(zhuǎn)換壓力室和/或其它裝置提供給這里描述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
在如上所述的非限制性實(shí)施例中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)10構(gòu)造成被動(dòng)地改變調(diào)節(jié)流體的流出量。可替換地或者附加地，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以構(gòu)造成主動(dòng)地控制出口通道40，以調(diào)整該調(diào)節(jié)流體的流出量。例如，各通道40可以分別具有一閥門，以在基底支撐件移動(dòng)到與這些通道40相面對的位置時(shí)關(guān)閉該相應(yīng)的通道40。這種閥門例如可以布置在通道40的入口處或下游出口處，或者布置在通道40內(nèi)?？商鎿Q地或者附加地，例如，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)可具有可動(dòng)的閘裝置，其能夠根據(jù)基底支撐件WT相對于通道40的位置來關(guān)閉多個(gè)流體出口通道40。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)也可以以不同的方式進(jìn)行構(gòu)造。
盡管在本申請中可以具體參考該光刻裝置在IC制造中的使用，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以與更上位的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以在例如勻膠顯影機(jī)(track，通常將抗蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計(jì)量工具和/或檢驗(yàn)工具中對這里提到的基底進(jìn)行處理。在可應(yīng)用的地方，這里的公開可應(yīng)用于這種和其它基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進(jìn)行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指已經(jīng)包含多個(gè)已處理的層的基底。
盡管在上文已經(jīng)具體參考了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻環(huán)境中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用，例如壓印光刻法，在本申請?jiān)试S的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻法。在壓印光刻法中，構(gòu)圖部件中的構(gòu)形限定了在基底上形成的圖案。該構(gòu)圖部件的構(gòu)形可以被壓入到施加于基底上的抗蝕劑層中，并在基底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或上述方式的組合來使抗蝕劑固化。在抗蝕劑固化之后，可以將構(gòu)圖部件從抗蝕劑中移出而留下圖案。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，355，248，193，157或者126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。
在本申請?jiān)试S的地方，術(shù)語“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任意一種或組合，包括折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件和靜電光學(xué)部件。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，可以以不同于所描述的其它方式來實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計(jì)算機(jī)程序的形式，該計(jì)算機(jī)程序包含描述了上面所公開方法的一個(gè)或多個(gè)序列的機(jī)器可讀指令，或者包含其中存儲(chǔ)有這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。
上面的描述是為了說明性的而非限制性的。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離下面描述的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以對所描述的發(fā)明進(jìn)行各種修改。
應(yīng)該理解，在本申請中，術(shù)語“包括”不排除其它元件或步驟。此外，術(shù)語“一”和“一個(gè)”不排除多個(gè)。此外，單個(gè)處理器或其它單元可以實(shí)現(xiàn)在權(quán)利要求中列舉的幾個(gè)裝置的功能。權(quán)利要求中的任何參考標(biāo)號不應(yīng)該解釋為限制權(quán)利要求的范圍。
例如，關(guān)于被調(diào)節(jié)區(qū)域的術(shù)語“區(qū)域”應(yīng)廣義地進(jìn)行解釋，它可以包括體積、體積空間、空間、地區(qū)和/或類似術(shù)語。類似地，例如，關(guān)于被調(diào)節(jié)空間的術(shù)語“空間”應(yīng)廣義地進(jìn)行解釋，它可以包括體積、體積空間、區(qū)域、地區(qū)和/或其它類似術(shù)語。
權(quán)利要求
1.一種包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和對象的組件，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道，至少部分對象可移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成根據(jù)該對象的位置來調(diào)整從該流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
2.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述對象和所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成彼此配合，以調(diào)整從多個(gè)流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
3.如權(quán)利要求2所述的組件，其特征在于，所述對象布置成一種非接觸式閘，該非接觸式閘包括一閘面，該閘面可移動(dòng)到與至少多個(gè)流體出口通道的出口側(cè)相面對的位置，以在沒有機(jī)械接觸所述出口側(cè)的情況下限制從這些流體出口通道流出的流體流動(dòng)。
4.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述對象至少可移動(dòng)到第一數(shù)量的流體出口通道的出口側(cè)，以及可移動(dòng)離開該第一數(shù)量的流體出口通道的出口側(cè)，其中，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)布置成當(dāng)所述對象已經(jīng)移動(dòng)離開這些出口側(cè)時(shí)，該第一數(shù)量的流體出口通道能將一定量的調(diào)節(jié)流體排放到該被調(diào)節(jié)區(qū)域中，以及當(dāng)所述對象移動(dòng)到這些出口側(cè)時(shí)，能基本上限制從該調(diào)節(jié)系統(tǒng)的該第一數(shù)量的流體出口通道流出的流體流動(dòng)。
5.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中，在各流體出口通道的上游入口處的壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約50Pa。
6.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中，在各流體出口通道的上游入口處的壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約10Pa。
7.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中，在各流體出口通道的上游入口處的靜壓與該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的動(dòng)壓大致相同。
8.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約150。
9.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約20。
10.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，各流體出口通道的長度是相應(yīng)流體通道的直徑的至少10至30倍。
11.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述對象可移動(dòng)到使得該對象與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)限定了一狹縫的位置，該狹縫構(gòu)造成向來自與該狹縫鄰近的流體出口通道的流體流出物提供流動(dòng)阻力；并且，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成在該狹縫所提供的流動(dòng)阻力的影響下顯著減小來自與該狹縫鄰近的流體出口通道的流出量。
12.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，各流體出口通道具有蜂窩狀截面。
13.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括第一流體分配室和第二流體分配室以及流量調(diào)節(jié)器，該流量調(diào)節(jié)器構(gòu)造成將流體從第一室均勻地分配到第二室內(nèi)，其中，所述流體出口通道由該第二室的下游部分提供。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成使第一室相對于第二室保持在相對較高的過壓下。
15.如權(quán)利要求13所述的組件，其特征在于，所述流體流量調(diào)節(jié)器由大量流體通道、一織物層或這兩者提供，它們在第一室和第二室之間延伸。
16.如權(quán)利要求13所述的組件，其特征在于，所述第一室、第二室或這兩個(gè)室具有變化的橫向截面。
17.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述對象構(gòu)造成保持或支撐基底。
18.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，還包括測量系統(tǒng)，所述測量系統(tǒng)構(gòu)造成經(jīng)由所述區(qū)域朝著所述對象引導(dǎo)一束。
19.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述對象和流體出口通道的出口側(cè)之間的最近距離是小于5mm、小于大約3mm或大約2.25mm中之一，或者更小。
20.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，各流體出口通道的長度選擇成使得該被調(diào)節(jié)區(qū)域中的臨時(shí)壓力脈沖基本上不會(huì)導(dǎo)致潛在的非調(diào)節(jié)流體經(jīng)由相應(yīng)的出口通道到達(dá)該第二室。
21.一種調(diào)節(jié)系統(tǒng)，包括第一流體分配室；和第二流體分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多個(gè)流體出口通道，這些流體出口通道構(gòu)造成使得在使用過程中，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約150，其中，第一分配室包括流體流量調(diào)節(jié)器，所述流體流量調(diào)節(jié)器構(gòu)造成將流體從第一室均勻地分配到第二室內(nèi)，使得在使用過程中，第二室中在各流體出口通道的上游入口處的平均壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約50Pa。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)構(gòu)造成在使用過程中使第一室的壓力相對第二室中的壓力保持至少100Pa的過壓。
23.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)構(gòu)造成使得在使用過程中，第二室中在各流體出口通道的上游入口處的壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約10Pa。
24.一種光刻裝置，包括一組件，該組件包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和對象，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道，至少部分對象可移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成根據(jù)該對象的位置來調(diào)整從該流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
25.如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于，所述對象包括基底支撐件，其中，該裝置還包括構(gòu)造成朝著基底支撐件引導(dǎo)測量束的測量系統(tǒng)，并且，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成光學(xué)地調(diào)節(jié)該基底支撐件附近的區(qū)域，所述測量束穿過該區(qū)域。
26.一種光刻裝置，包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括第一流體分配室；和第二流體分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多個(gè)流體出口通道，這些流體出口通道構(gòu)造成使得在使用過程中，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約150，其中，第一分配室包括流體流量調(diào)節(jié)器，所述流體流量調(diào)節(jié)器構(gòu)造成將流體從第一室均勻地分配到第二室內(nèi)，使得在使用過程中，第二室中在各流體出口通道的上游入口處的平均壓力比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約50Pa。
27.如權(quán)利要求26所述的裝置，其特征在于，還包括基底支撐件；和構(gòu)造成朝著基底支撐件引導(dǎo)測量束的測量系統(tǒng)，其中，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)構(gòu)造成光學(xué)地調(diào)節(jié)該基底支撐件附近的區(qū)域，所述測量束穿過該區(qū)域。
28.一種調(diào)節(jié)區(qū)域的方法，該方法包括使用調(diào)節(jié)系統(tǒng)的多個(gè)流體出口通道向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體；和一對象至少部分地可移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域，根據(jù)該對象的位置調(diào)整從流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，包括根據(jù)該對象相對于多個(gè)流體出口通道的位置來改變從那些流體出口通道流出的流體的流動(dòng)。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，包括將各流體出口通道的上游入口處的壓力保持為比該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的壓力最多高大約50Pa。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，包括將各流體出口通道的上游入口處的靜壓保持為與該流體出口通道的相應(yīng)下游出口側(cè)處的動(dòng)壓大致相同或者比后者略高。
32.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，包括經(jīng)由流體流量調(diào)節(jié)器將該調(diào)節(jié)流體從第一分配室均勻地分配到第二分配室內(nèi)，該第二室具有流體出口通道，其中，第一室中的流體壓力比第二室中的壓力至少高100Pa或更多，或者至少高200Pa或更多。
33.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，流過各流體出口通道的流體的雷諾數(shù)小于大約150。
34.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，包括將該對象移動(dòng)一位置，該對象在該位置與該調(diào)節(jié)系統(tǒng)限定了一狹縫，該狹縫向來自于朝著該狹縫延伸的那些流體出口通道的流體流出物提供流動(dòng)阻力。
35.一種光刻器件制造方法，包括用圖案化投影束照射基底的靶部，該基底由基底支撐件保持；用調(diào)節(jié)系統(tǒng)調(diào)節(jié)該基底支撐件附近的區(qū)域，該調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括向該被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道；將該基底支撐件至少部分地移入和/或移出該被調(diào)節(jié)區(qū)域；和根據(jù)該基底支撐件的位置來改變從多個(gè)流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
全文摘要
公開了一種組件，其包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)和可移入和/或移出被調(diào)節(jié)區(qū)域的對象。該調(diào)節(jié)系統(tǒng)具有向被調(diào)節(jié)區(qū)域提供調(diào)節(jié)流體的流體出口通道，并構(gòu)造成根據(jù)該對象的位置來調(diào)整從該流體出口通道流出的調(diào)節(jié)流體的流出量。
文檔編號H01L21/027GK101046637SQ20071008970
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月27日
發(fā)明者R·范德哈姆, T·A·R·范埃姆佩, H·沃格, N·J·J·羅塞特 申請人:Asml荷蘭有限公司