專利名稱：可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶卡裝置，特別是涉及一種可以分割記憶體磁區(qū)，還 可模組化裝配，并且不會(huì)有模封溢膠污染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)情形的可分割記憶體》茲區(qū)的4莫組化記憶卡裝置(MODULARIZED MEMORY CARD DEVICE CAPABLE OF DIVIDING MEMORY REGIONS)。
背景技術(shù)：
記憶卡裝置可以具體運(yùn)用至微型保全數(shù)位卡(Micro SD card)、小型保 全數(shù)位卡(Mini SD card)、保全數(shù)位卡(SD card)、多媒體儲(chǔ)存卡(畫C)及 隨身碟。隨著半導(dǎo)體制程的演進(jìn)，奈米級(jí)晶圓制程以及更多晶片堆疊的封 裝技術(shù)的能力越來(lái)越強(qiáng)。因此，記憶卡裝置的記憶體(記憶體即存儲(chǔ)介質(zhì)，存 儲(chǔ)器，內(nèi)存等，以下均稱為記憶體)容量是倍數(shù)成長(zhǎng)，由早期的512Mb、 1Gb到 2Gb、 4Gb、 8Gb甚至更多。因此，高容量的記憶卡裝置可以預(yù)見(jiàn)地能作為可 攜式電子產(chǎn)品的硬盤(硬碟)使用，作業(yè)系統(tǒng)與更多的數(shù)字資料可以儲(chǔ)存在 高容量的記憶卡裝置內(nèi)。依消費(fèi)者使用習(xí)性不同，在單一顆高容量記憶卡 裝置中，希望可以分割并選擇可儲(chǔ)存資料的磁區(qū)，如同硬盤的C、 D槽使用 方式，或選擇全部，進(jìn)行格式化(format)、資料刪除或資料備份等獨(dú)立作 業(yè)。然而目前的記憶卡裝置并無(wú)法符合此一需求。以下進(jìn)一步說(shuō)明現(xiàn)有習(xí) 知的記憶卡裝置的基本架構(gòu)并未具備可分割記憶體磁區(qū)的功能。請(qǐng)參閱圖1所示，是一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡裝置的截面示意圖。該現(xiàn) 有習(xí)知的記憶卡裝置100,主要包含一基板110、 一控制器晶片120、復(fù)數(shù) 個(gè)記憶體晶片130以及一封膠體140。該基板110，通常是為一雙面導(dǎo)通的 印刷電3各板。該控制器晶片120與該些記憶體晶片130,是設(shè)置于該基板 110的一內(nèi)表面，并以該封膠體140密封之。該封膠體140，是可利用壓模 技術(shù)成形，由該封膠體140與該基板110的外形輪廓構(gòu)成卡片型態(tài)。另在 該基板110的一外表面設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)外接觸指111,藉由插接方式電性連接至 外部電子產(chǎn)品。該記憶卡裝置100的內(nèi)部電性連接方式，其是先由該些記 憶體晶片130經(jīng)由該基板110的線路至該控制器晶片120,再經(jīng)由該基板 110的線路最后到該些外接觸指111,故存在有該些記憶體晶片130的記憶 體容量為不可分割的問(wèn)題。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的記憶卡裝置在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不 便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而 一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決 的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶 卡裝置，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的記憶卡裝置存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn) 品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加 以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡 裝置，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的記憶卡裝置，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的 研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過(guò)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本 發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的記憶卡裝置存在的缺陷，而提供 一種新型結(jié)構(gòu)的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的可分割記憶體磁區(qū)的模 組化記憶卡裝置，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以模組化裝配，并且不會(huì)有模封溢膠(mold flash)污染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)的情形，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其包含 一殼 體，其具有一容置槽與一移動(dòng)開(kāi)關(guān)，該容置槽內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一控制器連接 端與復(fù)數(shù)個(gè)第 一記憶體連接端，依據(jù)該移動(dòng)開(kāi)關(guān)的移動(dòng)調(diào)整而選擇性電性 連接對(duì)應(yīng)的第一控制器連接端與第一記憶體連接端；以及一記憶體封裝構(gòu) 造,其嵌埋于該殼體的該容置槽，該記憶體封裝構(gòu)造包含被密封的一控制器 晶片與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片以及外露的復(fù)數(shù)個(gè)第二控制器連接端、復(fù)數(shù)個(gè)第 二記憶體連接端以及復(fù)數(shù)個(gè)卡片接觸指；其中，當(dāng)該記憶體封裝構(gòu)造是嵌 埋于該殼體的該容置槽內(nèi)，該些第一控制器連接端是電性連接至對(duì)應(yīng)該些 第二控制器連接端，該些第一記憶體連接端是電性連接至對(duì)應(yīng)該些第二記 憶體連接端，而該些卡片接觸指是顯露于該殼體之外。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的記憶體封 裝構(gòu)造更包含有一基板與一封膠體，由該基板與該封膠體的外形構(gòu)成為四 方片體。前述的可分割記憶體^F茲區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的基板具有 一內(nèi)表面及一外表面，該控制器晶片與該些記憶體晶片是設(shè)置于該基板的 該內(nèi)表面，該封膠體是形成于該基板的該內(nèi)表面上，以密封該控制器晶片 與該些記憶體晶片。前述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的該些第二 控制器連接端與該些第二記憶體連接端是為導(dǎo)電凸塊或?qū)щ娭?，其是由?基板的該內(nèi)表面延伸穿過(guò)該封膠體。前述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的該些第二 控制器連接端與該些第二記憶體連接端是鄰近于該基板遠(yuǎn)離該些卡片接觸 指的一側(cè)緣。前述的可分割記憶體^f茲區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的該些記憶 體晶片是為同尺寸相互堆疊。前述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其可為一微型保全數(shù)位卡(Micro SD card)。前述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其中所述的記憶體封 裝構(gòu)造的外形是如同微型保全數(shù)位卡的外形，該殼體的外形是如同小型保 全數(shù)位卡的外形。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方 案，本發(fā)明可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有 益效果1、 本發(fā)明可以分割記憶體^ 茲區(qū)，非常適于實(shí)用。2、 另外，本發(fā)明可以模組化裝配，并且不會(huì)有模封溢膠(mold flash)污 染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)的情形，更加適于實(shí)用。3、 再者，本發(fā)明的記憶體封裝構(gòu)造的外形可變化成如同^f效型保全數(shù)位 卡的外形，該殼體的外形可變化成如同小型保全數(shù)位卡的外形或其它較大 尺寸的記憶卡外形，而可以擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用范圍，更加深具實(shí)用性。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝 置，主要包含一殼體以及一記憶體封裝構(gòu)造。該記憶體封裝構(gòu)造包含被密封 的一控制器晶片與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片以及外露的復(fù)數(shù)個(gè)卡片接觸指。 一移 動(dòng)開(kāi)關(guān)設(shè)置于該殼體并且該殼體具有一用以嵌埋該記憶體封裝構(gòu)造的容置 槽,可以達(dá)到模組化裝配，并且模封溢膠不會(huì)污染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)。藉由該移動(dòng) 開(kāi)關(guān)的移動(dòng)調(diào)整可以使該控制器晶片選擇性電性連接部分或全部的記憶體 晶片。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上 皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較 現(xiàn)有的記憶卡裝置具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè) 的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖l是一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡裝置的截面示意圖。圖2是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例， 一種可分割記憶體磁區(qū)的模組化記 憶卡裝置在組合前的截面示意圖。圖3是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組化記憶卡裝置于組合前的立 體示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組化記憶卡裝置的殼體的底面 示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該^t組化記憶卡裝置的記憶體封裝 構(gòu)造的底面示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該;溪組化記憶卡裝置于組合后的底 面示意圖。圖7A至圖7B是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，繪示移動(dòng)一移動(dòng)開(kāi)關(guān)以分 割該模組化記憶卡裝置的記憶體磁區(qū)的示意圖。100:記憶卡裝置110:基板111:卡片接觸指120:控制器晶片130:記憶體晶片140:封膠體200:模組化記憶卡裝置210:殼體211:容置槽212:移動(dòng)開(kāi)關(guān)213A:第一控制器連接端213B:第一控制器連接端214A:第一記憶體連接端214B:第一記憶體連^l妄端215A:接觸端子215B:接觸端子216A:接觸端子216B:接觸端子220:記憶體封裝構(gòu)造221:控制器晶片222A:記憶體晶片222B:記憶體晶片223A:第二控制器連接端223B:第二控制器連接端224A:第二記憶體連接端224B:第二記憶體連接端225:卡片接觸指226:基板226A:內(nèi)表面226B:夕卜表面226C:側(cè)緣227:封膠體具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的可分割記憶體磁區(qū)的 模組化記憶卡裝置其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，如圖2、圖3及圖6所示，揭示了一種可分 割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置。請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，圖2是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例， 一種可 分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置在組合前的截面示意圖。圖3是依據(jù) 本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組化記憶卡裝置于組合前的立體示意圖。該 可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置200，主要包含一殼體210以及一記 憶體封裝構(gòu)造220。在本實(shí)施例中，該模組化記憶卡裝置200是以一微型保 全數(shù)位卡(Micro SD card)具體說(shuō)明之。然而，不受限制地在不同的實(shí)施例 中，該記憶卡裝置200可為小型保全數(shù)位卡(Mini SD card)、保全數(shù)位卡(SD card)、多媒體儲(chǔ)存卡(MMC)或隨身碟等等。請(qǐng)參閱圖2所示，上述的殼體210，具有一容置槽211與一移動(dòng)開(kāi)關(guān) 212。請(qǐng)結(jié)合參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組化記憶卡裝置的殼體的底面示意圖。該容置槽211,其內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一控制器連接端213A、 213B與復(fù)數(shù) 個(gè)第一記憶體連接端214A、 214B,用以分別電性連接至該記憶體封裝構(gòu)造 220的一控制器晶片與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片。該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212,是可以在該殼體210的一受限槽孔內(nèi)作移動(dòng)調(diào)整，其 中該受限槽孔內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)組的接觸端子215A與215B以及216A與 216B。此外，該殼體210是具有線路結(jié)構(gòu)，其中接觸端子215A與216A是分別 電性連接至該第一控制器連接端213A與213B;其中接觸端子215B與216B 是分別電性連接至該第一記憶體連接端214A與214B。因此，依據(jù)該移動(dòng)開(kāi) 關(guān)212的移動(dòng)調(diào)整而能選擇性電性連接對(duì)應(yīng)的第一控制器連接端213A、213B 與第一記憶體連接端214A、 214B。(容后詳述)請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，上述的記憶體封裝構(gòu)造220,是嵌埋于該殼體 210的該容置槽211內(nèi)。該記憶體封裝構(gòu)造220主要包含被密封的一控制器 晶片221與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片222A、 222B。該些記憶體晶片222A、 222B是 可為同尺寸相互堆疊。通常該些記憶體晶片222A、 222B是為NAND型或NOR 型快閃記憶體或其它非揮發(fā)性記憶體元件，每一記憶體晶片222A、 222B的 記憶體容量可由128Mb至10Gb不等。請(qǐng)參閱圖2及圖5所示，圖5是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組 化記憶卡裝置的記憶體封裝構(gòu)造的底面示意圖。該記憶體封裝構(gòu)造220更 包含外露的復(fù)數(shù)個(gè)第二控制器連接端223A、 223B、復(fù)數(shù)個(gè)第二記憶體連接 端224A、 224B以及復(fù)數(shù)個(gè)卡片接觸指225。在本實(shí)施例中，該記憶體封裝 構(gòu)造220是更可包含有一基板226與一封膠體227，由該基板226與該封膠 體227的外形構(gòu)成為四方片體。該基板226,具有一內(nèi)表面226A及一外表面226B。所謂"內(nèi)表面"是 指被該封膠體227覆蓋的表面，所謂"外表面"是指不被該封膠體227所覆 蓋的表面。通常該基板226是可以為一印刷電路板、 一導(dǎo)線架或一電路薄 膜。該些卡片接觸指225可形成于該外表面226B的一側(cè)邊。該控制器晶片 221與該些記憶體晶片222A、 222B是設(shè)置于該基板226的內(nèi)表面226A,可 利用焊線或凸塊電性連接至該基板226。該封膠體227,是形成于該基板226的該內(nèi)表面226A上，以密封該控 制器晶片221與該些記憶體晶片222A、 222B。此外，該些第二控制器連接端 223A、 223B是經(jīng)由該基板226的內(nèi)部線路電性連接至控制器晶片221。該些第二記憶體連接端224A、 224B，是經(jīng)由該基板226的內(nèi)部線路分 別電性連接至該些記憶體晶片222A、 222B。在本實(shí)施例中，該些第二控制 器連接端223A、 223B與該些第二記憶體連接端224A、 224B，是可為導(dǎo)電凸 塊或?qū)щ娭?，其是由該基?26的內(nèi)表面226A延伸穿過(guò)該封膠體227。因 此，該些第二控制器連接端223A、 223B與該些第二記憶體連接端224A、 224B 是顯露在該記憶體封裝構(gòu)造220相對(duì)于該些卡片接觸指225的另一表 面。較佳地，該些第二控制器連接端223A、 223B與該些第二記憶體連接端 224A、 224B,是可以鄰近于該基板226遠(yuǎn)離該些卡片接觸指225的一側(cè)緣 226C，而可以避免影響該記憶卡裝置200的插接。請(qǐng)參閱圖6所示，是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，該模組化記憶卡裝 置于組合后的底面示意圖。當(dāng)該記憶體封裝構(gòu)造220嵌埋于該殼體210的 該容置槽211內(nèi)，該些第一控制器連接端213A、 213B是電性連接至對(duì)應(yīng)該 些第二控制器連接端223A、 223B,該些第一記憶體連接端214A、 214B是電 性連接至對(duì)應(yīng)該些第二記憶體連接端224A、 224B，而該些卡片接觸指225 是顯露于該殼體210之外。因此，可以模組化裝配該模組化記憶卡裝置200,并且不會(huì)有形成該封 膠體227的模封溢膠(mold flash)污染至該殼體210的移動(dòng)開(kāi)關(guān)212的情 形。請(qǐng)參閱圖6所示，藉由該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212的移動(dòng)調(diào)整，可使該控制器晶片 221A選擇性電性連接該些記憶體晶片222A或/與222B。在本實(shí)施例中，該 移動(dòng)開(kāi)關(guān)212是設(shè)置于該殼體210的一可移動(dòng)空間，以遠(yuǎn)離于該記憶卡裝 置200的插置端，以利于手動(dòng)調(diào)整。再如圖6所示，該殼體210的接觸端子215A、 215B、 216A、 216B是靠 近該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212。藉由該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212可使得對(duì)應(yīng)組的接觸端子215A至 215B或是接觸端子216A至216B達(dá)到電性連接或是電性斷路。其中，部分的 接觸端子215A是藉由第一控制器連接端213A、第二控制器連接端223A電 性連接至該控制器晶片221;對(duì)應(yīng)同一組的接觸端子215B是藉由第一記憶體連接端214A、第二記憶體連接端224A電性連接至至少一記憶體晶片 222A。部分的接觸端子216A是藉由第一控制器連接端213B、第二控制器連 接端223B電性連接至該控制器晶片221;對(duì)應(yīng)同一組的接觸端子216B是藉 由第一記憶體連接端214B、第二記憶體連接端22化電性連接至至少一記憶 體晶片222B。請(qǐng)參閱圖6所示，當(dāng)不需要分割記憶體磁區(qū)時(shí)，該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212是調(diào) 整在該殼體210的一開(kāi)孔中央位置，而使得其中一接觸端子215A可電性連 接至對(duì)應(yīng)的接觸端子215B,并且其中另一接觸端子216A可電性連接至對(duì)應(yīng) 的接觸端子216B，故該控制器晶片221可以同時(shí)控制該些記憶體晶片221A 與222B。請(qǐng)參閱圖7A至圖7B所示，是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，繪示移動(dòng) 一移動(dòng)開(kāi)關(guān)以分割該模組化記憶卡裝置的記憶體磁區(qū)的示意圖。如圖7A所 示，當(dāng)需要分割某一特定記憶體磁區(qū)時(shí)，該移動(dòng)開(kāi)關(guān)212是移動(dòng)并調(diào)整在該 殼體210的一開(kāi)孔上方位置，使得其中一接觸端子215A可電性連接至對(duì)應(yīng) 的接觸端子215B。然而，其中另一接觸端子216A卻與對(duì)應(yīng)組的接觸端子 216B為電性斷路。故該控制器晶片220僅可控制部分的該些記憶體晶片 222A,而可達(dá)到分割記憶體》茲區(qū)的功效。此外，如圖7B所示，當(dāng)需要分割另一特定記憶體^f茲區(qū)時(shí)，該移動(dòng)開(kāi)關(guān) 212是移動(dòng)并調(diào)整在該殼體210的一開(kāi)孔下方位置，使得其中一接觸端子 215A卻與對(duì)應(yīng)組的接觸端子215B為電性斷路，相反地，其中一接觸端子 216A可電性連接至對(duì)應(yīng)的接觸端子216B。故該控制器晶片221僅可控制部 分的該些記憶體晶片222B,而可達(dá)到選擇性分割記憶體磁區(qū)的功效。再者，本發(fā)明并不局限該殼體210與該記憶體封裝構(gòu)造220的外形，在 不同實(shí)施例的變化中，該記憶體封裝構(gòu)造220的外形可以變化成如同微型 保全數(shù)位卡的外形，該殼體210的外形可以變化成如同小型保全數(shù)位卡的 外形或其它較大尺寸的記憶卡外形，以擴(kuò)大產(chǎn)品應(yīng)用范圍，更加深具實(shí)用 性。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，本發(fā)明技術(shù)方案范圍當(dāng)依所附申請(qǐng)專利范圍為準(zhǔn)。任何熟悉本 專業(yè)的技術(shù)人員可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變 化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技 術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本 發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其特征在于其包含一殼體，其具有一容置槽與一移動(dòng)開(kāi)關(guān)，該容置槽內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一控制器連接端與復(fù)數(shù)個(gè)第一記憶體連接端，依據(jù)該移動(dòng)開(kāi)關(guān)的移動(dòng)調(diào)整而選擇性電性連接對(duì)應(yīng)的第一控制器連接端與第一記憶體連接端；以及一記憶體封裝構(gòu)造，其嵌埋于該殼體的該容置槽，該記憶體封裝構(gòu)造包含被密封的一控制器晶片與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片以及外露的復(fù)數(shù)個(gè)第二控制器連接端、復(fù)數(shù)個(gè)第二記憶體連接端以及復(fù)數(shù)個(gè)卡片接觸指；其中，當(dāng)該記憶體封裝構(gòu)造是嵌埋于該殼體的該容置槽內(nèi)，該些第一控制器連接端是電性連接至對(duì)應(yīng)該些第二控制器連接端，該些第一記憶體連接端是電性連接至對(duì)應(yīng)該些第二記憶體連接端，而該些卡片接觸指是顯露于該殼體之外。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的記憶體封裝構(gòu)造更包含有一基板與一封膠體，由該基 板與該封膠體的外形構(gòu)成為四方片體。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的基板具有一 內(nèi)表面及一外表面，該控制器晶片與該些 記憶體晶片是設(shè)置于該基板的該內(nèi)表面，該封膠體是形成于該基板的該內(nèi) 表面上，以密封該控制器晶片與該些記憶體晶片。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的該些第二控制器連接端與該些第二記憶體連接端是為 導(dǎo)電凸塊或?qū)щ娭?，其是由該基板的該?nèi)表面延伸穿過(guò)該封膠體。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的該些第二控制器連接端與該些第二記憶體連接端是鄰 近于該基板遠(yuǎn)離該些卡片接觸指的 一側(cè)緣。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的該些記憶體晶片是為同尺寸相互堆疊。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其可為一《敖型保全數(shù)位卡(Micro SD card)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，其 特征在于其中所述的記憶體封裝構(gòu)造的外形是如同微型保全數(shù)位卡的外形，該殼體的外形是如同小型保全數(shù)位卡的外形。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種可分割記憶體磁區(qū)的模組化記憶卡裝置，主要包含一殼體以及一記憶體封裝構(gòu)造。該記憶體封裝構(gòu)造，包含被密封的一控制器晶片與復(fù)數(shù)個(gè)記憶體晶片以及外露的復(fù)數(shù)個(gè)卡片接觸指。一移動(dòng)開(kāi)關(guān)設(shè)置于該殼體，并且該殼體具有一用以嵌埋該記憶體封裝構(gòu)造的容置槽，可達(dá)到模組化裝配，并且模封溢膠不會(huì)污染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)。藉由該移動(dòng)開(kāi)關(guān)的移動(dòng)調(diào)整可使該控制器晶片選擇性電性連接部分或全部的記憶體晶片。本發(fā)明可以分割記憶體磁區(qū)，另外還可以模組化裝配，并且不會(huì)有模封溢膠污染至移動(dòng)開(kāi)關(guān)的情形，非常適于實(shí)用。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101281612SQ20071009076
公開(kāi)日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2007年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月2日
發(fā)明者吳智偉 申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司