專利名稱：雙階段自行對準接觸窗及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種集成電路元件及其制造方法，且特別涉及一種雙階段自
行對準接觸窗(Self-aligned contact, SAC)及其制造方法。
背景技術：
隨著科技的進步，電子元件的制造必須提高積集度，以符合電子元件輕、 薄、短、小的趨勢。提高積集度的方法，除了縮小半導體元件本身的尺寸之 外，也可經由減小半導體元件之間的距離來達成。然而，不論是縮小半導體 元件其本身的尺寸，或是縮小半導體元件間的距離，都會發(fā)生一些工藝上的問題。
以自行對準接觸窗的工藝來說，接觸窗的尺寸縮小之后，其高寬比 (Aspect ratio)增加，蝕刻的難度高，工藝的空間小。為能去除蝕刻工藝中的 殘留物，確保觸窗開口能完全開啟，通常會進行長時間的過度蝕刻，以避免 接觸窗開口無法完全開啟(Contact open)。然而，請參照圖l，由于在進行光 刻時，時有誤對準的情形，而在蝕刻介電層16以形成接觸窗開口 14時亦有 擴口的問題(Bowling effect),因此，過度蝕刻的時間過長，很容易使得柵極 12的頂角10棵露出來，而造成柵極多晶硅短路(poly short)的問題，如A區(qū) 所示。另一面，隨著接觸窗開口的高寬比的增加，金屬層也愈來愈難以填入 于接觸窗開口的中。
美國專利申請第2005/0136649號披露一種自行對準接觸窗的制造方法。 該申請案是先在基底上形成多層材質相異的堆疊膜層之后，再形成內絕緣 層，之后，利用各膜層蝕刻速率的不同，進行源極/漏極區(qū)的單階段自行對準 接觸窗蝕刻工藝。在工藝進行去除內絕緣層與部分的堆疊膜層期間，以堆疊 層中的其中 一層膜層作為蝕刻終止層，以形成剖面呈T字型的接觸窗開口， 棵露出該堆疊膜層中作為蝕刻終止層的膜層。
美國專利第6791190號披露一種自行對準接觸窗的制造方法。該專利是 在基底上形成層共形襯層，再形成內層介電層，之后，再以共形村層為蝕刻終止層，將內層介電層圖案化，以形成自行對準接觸窗開口/無著陸接觸窗開
口 (borderless contact opening)，在本方法中同樣是以單階段自行對準接觸窗 蝕刻工藝形成開口。
另一方面，在目前常見半導體工藝中，為了增加電子或空穴在金屬氧化 物半導體晶體管的溝道中的移動率(mobility)，通常是在于金屬氧化物半導體 晶體管制作完成之后，會在基底上形成一層應力層。對于P型金屬氧化物半 導體晶體管來說，在基底上形成一層具有壓縮應力(compressive stress)的應力 層，可以在P型金屬氧化物半導體晶體管中沿著溝道方向形成壓縮應力。而 對于N型金屬氧化物半導體晶體管來說，在基底上形成一層具有拉伸應力 (tensile stress)的應力層，可以在N型金屬氧化物半導體晶體管中沿著溝道方 向形成拉伸應力。隨著壓縮應力或拉伸應力的增加，空穴或電子在溝道中的 移動率也隨的增加，進而增加驅動電流(drive current)以提升元件效能。
由于應力層的非常厚，以上述的單階段的已知方法來進行自行對準接觸 窗的蝕刻工藝，仍然會面臨上述的問題且有應用區(qū)域僅能限制在范圍較大、 精確度不高的源極/漏極區(qū)的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種自行對準接觸窗的蝕刻工藝，以避免接觸窗開口無法完 全開啟的問題。
本發(fā)明提供一種自行對準接觸窗的蝕刻工藝，可以改善接觸窗和柵極之 間的對準精確度空間(Aligned accuracy window),解決誤對準以及過度蝕刻擴 口所造成的短路問題。
本發(fā)明提供一種自行對準接觸窗工藝，可以在接觸窗開口中輕易填滿導 電層。
本發(fā)明提供一種自行對準接觸窗工藝，以降低蝕刻的難度，增加工藝的 空間，提升產量(throughput)。
本發(fā)明提供一種可以與應力層整合的自行對準接觸窗工藝。 本發(fā)明提出一種自行對準接觸窗的制造方法。首先，在具有接觸區(qū)的基 底上形成第一介電層。接著，在第一介電層中形成下部開口，其與接觸區(qū)相 對應。之后，在第一介電層上形成第二介電層。接著，在第二介電層中形成 上部開口 ，其自行對準下部開口并與其連通構成自行對準接觸窗開口 。然后，于自行對準接觸窗開口中形成導電層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，在第一 介電層中形成下部開口的步驟中，所形成的下部開口棵露出接觸區(qū)上的部分 第一介電層，且在進行形成上部開口的步驟時，還包括去除該下部開口底部 的第一介電層，棵露出接觸區(qū)。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，第一介 電層包括應力層。應力層的材質包括氮化硅。在第一介電層中形成下部開口 的步驟中是以定時方式蝕刻應力層，使所形成的下部開口的底部仍有部分應 力層覆蓋于接觸區(qū)上。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，第一介 電層由下而上包括蝕刻終止層、終點偵測層與應力層。蝕刻終止層的材質包 括氮化硅，終點偵測層的材質包括氧化硅，應力層的材質包括氮化硅。在第 一介電層中形成下部開口的步驟中，下部開口是棵露出應力層、終點偵測層 或蝕刻終止層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，第一介 電層由下而上包括終點偵測層與應力層。終點偵測層的材質包括氧化硅，應 力層的材質包括氮化硅。在第一介電層中形成下部開口的步驟中，下部開口 是棵露出應力層或終點偵測層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法，還包括在 形成下部開口之后，形成第二介電層之前，于下部開口的側壁形成襯層。襯 層的材質包括氧化硅或氮氧化硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，第二介 電層的材質是選自于常壓化學氣相沉積的氧化硅、高密度等離子體氣相沉積 的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃與氟摻雜玻璃及其組合所組成的族群。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，自行對 準接觸窗為源極/漏極區(qū)的接觸窗、柵極的接觸窗，或源極/漏極區(qū)與柵極的 共用接觸窗。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，下部開 口與上部開口的尺寸不同。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗的制造方法中，下部開 口的尺寸小于與上部開口的尺寸。本發(fā)明提出 一種自行對準接觸窗，其包括位于基底的介電層中的下部接 觸窗與上部接觸窗，其中上部接觸窗位于下部接觸窗上并與其電性連接，且 上部接觸窗與下部接觸窗的尺寸不同。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，上部接觸窗的尺寸 大于下部接觸窗的尺寸。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，自行對準接觸窗為 與源極/漏極區(qū)連接的接觸窗、與柵極連接的接觸窗，或為源極/漏極區(qū)與柵 極的共用接觸窗。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗，還包括襯層，位于下 部接觸窗之外圍與介電層之間。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，襯層的材質包括氧 化硅或氮氧化硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，第一介電層包括應 力層。應力層的材質包括氮化硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，第一介電層由下而 上包括蝕刻終止層、終點偵測層與應力層。蝕刻終止層的材質包括氮化硅， 終點偵測層的材質包括氧化硅，應力層的材質包括氮化硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的自行對準接觸窗中，第一介電層由下而 上包括終點偵測層與應力層。終點偵測層的材質包括氧化硅，應力層的材質 包括氮化硅。
本發(fā)明的自行對準接觸窗工藝可以改善接觸窗和柵極之間的對準精確 度空間，解決誤對準以及過度蝕刻擴口所造成的短路問題。
又，本發(fā)明采分段蝕刻，可以降低蝕刻的難度，避免接觸窗開口開啟不 完全的問題，因此，本發(fā)明可增加工藝的空間，提升產量。
此外，由于接觸窗之上部開口的尺寸大于下部開口的尺寸，因此，導電 層可以很容易填入于接觸窗開口的中。
再者，在下部開口形成村層，可使工藝可以釆用現今光刻等級而制造出 更小的開口尺寸。
另一方面，本發(fā)明可以與現今廣為采用的應力層結合。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu) 選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1繪示已知一種接觸窗的示意圖。圖2A至圖2F是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種半導體元件的制造方法 的流程剖面圖。圖3A至圖3H是依照本發(fā)明實施例所繪示的另一種半導體元件的制造 方法的流程剖面圖。附圖標記說明10:柵極頂角12:柵極14:接觸窗16、122、 130:介電層100:基底102、103:晶體管104:柵介電層106:柵極110:源4及/漏極區(qū)114:間隙壁116:蝕刻終止層118:終點偵測層120:應力層122:介電層124、 146:光刻膠層136、166、 186:下部開口138、 168、 188:上部開口140、170:自行對準-接觸窗開口150:共形襯層材料層150a:襯層190:自行對準共接觸窗開口142、172:自行對準接觸窗192:自行對準共接觸窗具體實施方式
實施例一圖2A至圖2F是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種半導體元件的制造方法 的流程剖面圖。請參照圖2A，首先提供基底100。此基底100例如是硅基底，如N型 硅基底或P型硅基底。當然，基底IOO也可以是絕緣層上有硅的基底等。在 此基底100上已形成有晶體管102與103。晶體管102和103例如是N溝道 金屬氧化物半導體導體元件(NMOS)或P溝道金屬氧化物半導體導體元件 (PMOS)。晶體管102和103可分別由柵介電層104、柵極106、間隙壁114以及源極/漏極區(qū)110所構成。柵介電層104位于柵極106與基底100之間。柵介 電層104的材質可以由氧化硅層所構成。柵極106的材質包括以硅為基礎的 材料，例如是摻雜硅、未摻雜硅、摻雜多晶硅或未摻雜多晶硅的其中之一。 當柵極106的材質為摻雜硅或摻雜多晶硅時，在硅或多晶硅中的摻雜劑可以 是N型摻雜劑，也可以是P型摻雜劑。間隙壁114可以是由單一間隙壁所構 成，或是由兩個間隙壁所構成。在此例中，間隙壁114是以單一的間隙壁來 表示的。間隙壁114的材質例如是氧化硅或氮化硅。此外，間隙壁114的形 狀并無特別的限制。源極/漏極區(qū)IIO是設置于柵極106兩側的基底中。源極/漏極區(qū)110的 摻雜劑可以是N型摻雜劑，也可以是P型摻雜劑。源極/漏極區(qū)110的材質 例如是以半導體材料或是半導體化合物為主要材料。半導體材料例如是硅。 半導體化合物的材料例如是硅化鍺或是碳化硅。在一個實施例中，在柵極106的表面上以及源極/漏極區(qū)110上還分別包 括硅化金屬層(未繪示)。硅化金屬層包括耐火金屬的硅化金屬層，例如是鎳、 鈷、鈦、銅、鉬、鉭、鴒、鉺、鋯、鉑與這些金屬的合金的硅化物的其中之請繼續(xù)參照圖2A，在基底IOO上形成介電層122。在一個實施例中，介 電層122例如是由應力層120所構成，此應力層120可增加驅動電流，提升 元件效能。對于P型溝道金屬氧化物半導體晶體管來說，應力層120為壓縮 應力層，可以在P型溝道金屬氧化物半導體晶體管中沿著溝道方向形成壓縮 應力，使空穴在溝道中的移動率增加。而對于N型溝道金屬氧化物半導體晶 體管來說，應力層120為拉伸應力層，可以在N型溝道金屬氧化物半導體晶 體管中沿著溝道方向形成拉伸應力，使電子在溝道中的移動率增加。應力層 120的材質例如是氮化硅，形成的方法例如是化學氣相沉積法。在另一實施例中，介電層122除了包括上述的應力層120之外，還包括 終點偵測層118位于應力層120的下方。終點偵測層118的材質與應力層120 的材質不同，在蝕刻的過程中，與應力層120具有不同的蝕刻速率。終點偵 測層118的材質例如是氧化硅，其形成的方法例如是化學氣相沉積法。在又一實施例中，介電層122除了包括上述的應力層120、終點偵測層 118之外，還包括一層蝕刻終止層116，位于終點偵測層118的下方。蝕刻 終止層116的材質與終點偵測層118的材質不同，在蝕刻的過程中，與終點偵測層118具有不同的蝕刻速率。蝕刻終止層116的材質例如是氮化硅，其形成的方法例如是化學氣相沉積法。其后，請繼續(xù)參照圖2A,在介電層122上形成一層圖案化光刻膠層124。 之后，請參照圖2B，進行介電層的第一階段的圖案化工藝。以圖案化 光刻膠層124為蝕刻掩模，蝕刻介電層122,以在介電層122中形成下部開 口 136、 166、 186,其與預定的接觸區(qū)相對應，而有部分的介電層122覆蓋， 即分別對應但并未棵露出源極/漏極區(qū)110、晶體管103的柵極106以及晶體 管102的柵極106，以在后續(xù)的蝕刻工藝中作為保護層，避免遭受蝕刻的破 壞。當介電層122是由應力層120所構成時，進行蝕刻工藝之后所形成的下 部開口 136、 166與186底部仍有應力層120留在源極/漏4及區(qū)110、晶體管 103的柵極106以及晶體管102的柵極106上。當介電層122是由應力層120與終點偵測層118所構成時，蝕刻工藝可 以以終點偵測層118作為蝕刻終止層，使所形成的下部開口 136、 166與186 底部棵露出終點偵測層118?；蚴?，蝕刻工藝可以利用定時控制，而停止于 應力層120,使所形成的下部開口 136、 166與186底部仍有應力層120留在 源極/漏極區(qū)110、晶體管103的柵極106以及晶體管102的柵極106上。當介電層122是由應力層120、終點偵測層118與蝕刻終止層116所構 成時，蝕刻工藝可以如同以上所述，使得所形成的下部開口 136、 166與186 底部棵露出終點偵測層118，或是棵露出應力層120。亦或是，棵露出蝕刻 終止層116。蝕刻介電層122的方法可以采用各向異性蝕刻工藝，例如是以氟烴或是 已知的各種氣體作為蝕刻氣體源的干法蝕刻工藝。其后，請參照圖2C,移除圖案化光刻膠層124。移除圖案化光刻膠層 124的方法例如濕法移除法，或是干法移除法如氧等離子體灰化法。接著， 在基底IOO上形成另一層介電層130。介電層130例如是由單一層所構成， 或是由兩種以上的材料層所構成。在本實施例中，是以單層的介電層130來 說明的。介電層130的材質例如是常壓化學氣相沉積的氧化硅、高密度等離 子體氣相沉積的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃或氟摻雜玻璃等。之后，請參照圖2D,進行介電層的第二階段的圖案化工藝，在介電層 130上形成圖案化光刻膠層146。然后，以圖案化光刻膠層146為蝕刻掩模，殘留的介電層122作為蝕刻終止層，蝕刻介電層130，以在介電層130中形 成上部開口 138、 168與188。上部開口 138自^f亍對準下部開口 136,并與其 相連通；上部開口 168自行對準下部開口 166，并與其相連通；上部開口 188 自行對準下部開口 168，并與其相連通。在形成上部開口 138、 168與188 的蝕刻過程中，可以以介電層122的應力層120、終點偵測層118或是蝕刻 終止層116為終止層，保護其下方的源極/漏極區(qū)110以及柵極106，避免遭 受蝕刻的破壞。蝕刻介電層130的方法可以采用各向異性蝕刻工藝，例如是 以氟烴或是已知的各種氣體作為蝕刻氣體源的干法蝕刻工藝。繼之，請參照圖2E,移除下部開口 136、 166、 186底部的介電層122， 以棵露出源極/漏極區(qū)110、晶體管103的柵極106、以及晶體管102的柵極 106與源極/漏極區(qū)110，完成由上部開口 138與下部開口 136所構成的自行 對準接觸窗開口 140、上部開口 168與下部開口 166所構成的自行對準接觸 窗開口 170、以及上部開口 188與下部開口 186所構成的自行對準共接觸窗 開口 190。移除下部開口 136、 166、 186底部的介電層122的方法可以采用 各向異性蝕刻工藝，例如是以氟烴或是已知的各種氣體作為蝕刻氣體源的干 法蝕刻工藝。之后，移除圖案化光刻膠層146。移除圖案化光刻膠層146的方法例如 濕法移除法，或是干法移除法如氧等離子體灰化法。之后，請參照圖2F,在自行對準接觸窗開口 140與170以及自行對準 共接觸窗開口 190中填入導電層，以形成自行對準接觸窗142與172以及自 行對準共接觸窗192。導電層的形成方法可以在基底IOO上依序形成覆蓋介 電層130并且填入自行對準接觸窗開口 140與170以及自行對準共接觸窗開 口 190的導電材料層(未繪示)，之后，利用化學機械拋光法或是回蝕刻法， 移除覆蓋介電層130的部分，完成自行對準接觸窗142與172以及自行對準 共接觸窗192的制作。導電材料層的材質例如是鴒金屬、銅金屬或其合金， 或是摻雜的多晶硅。通常，除了前述的材料之外，導電材料層還包括一層阻 障層或是一層粘著層，其材質例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭或其組合。實施例二圖3A至3H是依照本發(fā)明實施例所繪示的另一種半導體元件的制造方 法的流程剖面圖。請參照圖3A與3B,依照實施例所述的方法，將基底100上的介電層122進行第一階段的圖案化工藝，以在介電層122中形成與源極/漏極區(qū)110 相對應的下部開口 136、與晶體管103的柵極106對應的下部開口 166以及 與晶體管102的柵極106以及晶體管103的源極/漏極區(qū)110對應的下部開口 186。請參照圖3C,去除光刻膠層124之后，先在基底100上形成共形的襯 層材料層150，覆蓋介電層122以及下部開口 136、166與186的側壁與底部。 襯層材料層150的材質包括氧化硅或氮氧化硅，形成的方法例如是化學氣相 沉積法。之后，請參照圖3D，對共形的襯層材料層150進行各向異性蝕刻工藝， 留下位于下部開口 136、 166與186側壁的部分，以形成襯層150a。村層150a 可以用來縮小下部開口 136、 166與186的尺寸。亦即，下部開口 136、 166 與186的形成方法可以采用現有的光刻工藝來進行曝光、顯影，當進行蝕刻 工藝之后，再通過襯層150a的形成來縮小下部開口 136、 166與186的尺寸。請參照圖3E至3H，依照上述實施例一的方法，形成介電層130。接著， 以殘留的介電層122作為蝕刻終止層，并進行第二階段的圖案化工藝，以在 介電層130中形成上部開口 138、 168與188。之后，移除下部開口 136、 166、 186底部的介電層122，以棵露出源極/漏極區(qū)110、晶體管103的柵極106、 以及晶體管102的柵極106與源極/漏極區(qū)110，完成由上部開口 138與下部 開口 136所構成的自^"對準^接觸窗開口 140、上部開口 168與下部開口 166 所構成的自行對準接觸窗開口 170、以及上部開口 188與下部開口 186所構 成的自行對準共接觸窗開口 190。之后，再于自行對準接觸窗開口 140與170 以及自行對準共接觸窗開口 190中填入導電層，以形成自行對準接觸窗142 與172以及自行對準共接觸窗192。本發(fā)明實施例的自行對準接觸窗是由下部接觸窗以及上部接觸窗所構 成。上部接觸窗的尺寸大于下部接觸窗的尺寸。在另一實施例中，下部接觸 窗之外圍與介電層之間還包括襯層其可以用來縮小所形成的下部開口的尺 寸，使工藝可以采用現今光刻等級而制造出更小的開口尺寸。綜上所述，在本發(fā)明的自行對準接觸窗工藝是以兩階段或多階段來進行 蝕刻，可以改善接觸窗和柵極之間的對準精確度空間，避免錯誤對準與長時 間過度蝕刻所導致的柵極與源極/漏極區(qū)之間的短路問題。再者，本發(fā)明采分段蝕刻，由于每一階段的接觸窗開口的高寬比變小，因此，蝕刻的難度變低，可避免接觸窗開口開啟不完全的問題，提升工藝的產量。又，由于接觸窗之上部開口的尺寸大于下部開口的尺寸，因此，導電層 可以很容易填入于接觸窗開口的中。此外，在下部開口形成襯層，可使工藝可以采用現今光刻等級而制造出 更小的開口尺寸。另一方面，本發(fā)明可以與現今廣為采用的應力層結合。此應力層中可作 為自行對準下部開口的第一層介電層，并可作為后續(xù)上部開口的蝕刻工藝的 蝕刻終止層。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領 域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因 此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求所界定的為準。
權利要求
1. 一種雙階段自行對準接觸窗的制造方法，包括提供基底，該基底上具有接觸區(qū)；在該基底上形成第一介電層；在該第一介電層中形成下部開口，其與該接觸區(qū)相對應；在該第一介電層上形成第二介電層；在該第二介電層中形成上部開口，其自行對準該下部開口并與其連通構成自行對準接觸窗開口；以及在該自行對準接觸窗開口中形成導電層。
2. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中在該 第 一介電層中形成該下部開口的步驟中，所形成的該下部開口棵露出該接觸 區(qū)上的部分該第一介電層，且在進行形成該上部開口的步驟時，還包括去除 該下部開口底部的該第一介電層，棵露出該4妻觸區(qū)。
3. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該第 一介電層包括應力層。
4. 如權利要求3所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該應 力層的材質包括氮化硅。
5. 如權利要求3所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中在該 第 一介電層中形成該下部開口的步驟中是以定時方式蝕刻該應力層，使所形 成的該下部開口的底部仍有部分該應力層覆蓋于該接觸區(qū)上。
6. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該第 一介電層由下而上包括蝕刻終止層、終點偵測層與應力層。
7. 如權利要求6所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該蝕 刻終止層的材質包括氮化硅，該終點偵測層的材質包括氧化硅，該應力層的 材質包括氮化硅。
8. 如權利要求6所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中在該 第一介電層中形成該下部開口的步驟中，該下部開口是棵露出該應力層、該 終點偵測層或該蝕刻終止層。
9. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該第 一介電層由下而上包括終點偵測層與應力層。
10. 如權利要求9所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該終點偵測層的材質包括氧化硅，該應力層的材質包括氮化硅。
11. 如權利要求9所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中在該 第 一介電層中形成該下部開口的步驟中，該下部開口是棵露出該應力層或該 終點偵測層。
12. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，還包括在 該形成該下部開口之后，形成該第二介電層之前，在該下部開口的側壁形成襯層。
13. 如權利要求12所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該 襯層的材質包括氧化硅或氮氧化硅。
14. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該第 二介電層的材質是選自于常壓化學氣相沉積的氧化硅、高密度等離子體氣相 沉積的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃與氟摻雜玻璃及其組合所組成的族群。
15. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該自 行對準接觸窗為源極/漏極區(qū)的接觸窗、柵極的接觸窗，或源極/漏極區(qū)與柵 極的共用接觸窗。
16. 如權利要求1所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該下 部開口與該上部開口的尺寸不同。
17. 如權利要求16所述的雙階段自行對準接觸窗的制造方法，其中該 下部開口的尺寸小于與該上部開口的尺寸。
18. —種自行對準接觸窗，包括 下部接觸窗，位于基底的介電層中；以及上部接觸窗，位于該介電層中且位于該下部接觸窗上并與其直接連接， 且該上部接觸窗與該下部接觸窗的尺寸不同。
19. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，其中該上部接觸窗的尺寸 大于該下部接觸窗的尺寸。
20. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，其中該自行對準接觸窗為 與源極/漏極區(qū)連接的接觸窗、與柵極連接的接觸窗，或為源極/漏極區(qū)與柵 極的共用接觸窗。
21. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，還包括襯層，位于該下部 接觸窗之外圍與該介電層之間。
22. 如權利要求21所述的自行對準接觸窗，其中該村層的材質包括氧化硅或氮氧化硅。
23. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，其中該第一介電層包括應 力層。
24. 如權利要求23所述的自行對準接觸窗，其中該應力層的材質包括 氮化硅。
25. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，其中該第一介電層由下而 上包括蝕刻終止層、終點偵測層與應力層。
26. 如權利要求25所述的自行對準接觸窗，其中該蝕刻終止層的材質 包括氮化硅，該終點偵測層的材質包括氧化硅，該應力層的材質包括氮化硅。
27. 如權利要求18所述的自行對準接觸窗，其中該第一介電層由下而 上包括終點偵測層與應力層。
28. 如權利要求27所述的自行對準接觸窗，其中該終點偵測層的材質 包括氧化硅，該應力層的材質包括氮化硅。
全文摘要
一種雙階段自行對準接觸窗的制造方法。此方法是在具有接觸區(qū)的基底上形成第一介電層，再于第一介電層中形成與接觸區(qū)相對應的下部開口。之后，在第一介電層上形成第二介電層，再于第二介電層中形成上部開口，此上部開口自行對準該下部開口并與其連通，構成自行對準接觸窗開口。其后，再于自行對準接觸窗開口中形成導電層。
文檔編號H01L21/768GK101281879SQ200710091610
公開日2008年10月8日 申請日期2007年4月3日 優(yōu)先權日2007年4月3日
發(fā)明者周玲君, 曹博昭, 陳銘聰 申請人:聯華電子股份有限公司