專利名稱：有機無機復合半導體材料、液態(tài)材料、有機發(fā)光元件、有機發(fā)光元件的制造方法、發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機無機復合半導體材料、液態(tài)材料、有機發(fā)光元件、有機發(fā)光元件的制造方法、發(fā)光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
使用有機半導體材料或有機半導體材料與有機無機復合半導體材料的有機半導體元件，包括有機發(fā)光元件、有機晶體管、有機太陽電池等。
其中，發(fā)光性有機層(有機電致發(fā)光層)被設(shè)置在陰極與陽極之間的有機電致發(fā)光(EL)元件，與無機EL元件相比，可以大幅度降低施加電壓，可以制作多彩的發(fā)光色的元件。
目前，為了得到更高性能的有機EL元件，提議有在陰極與發(fā)光性有機層(發(fā)光層)之間或陽極與有機發(fā)光層之間設(shè)置各種層的器件結(jié)構(gòu)，研究工作正在被活躍地進行。
這種層之一包括在陰極與有機發(fā)光層之間設(shè)置的電子輸送層或進一步在電子輸送層與陰極之間設(shè)置的電子注入層，但這種電子輸送層或電子注入層的性能由于極大地受器件特性支配，所以急待對其進行改良。
例如，在專利文獻1中，提出了通過共蒸鍍電子輸送層的有機化合物和含有作為功函數(shù)低的金屬的堿金屬的金屬化合物，通過在電子輸送層中混入金屬化合物，來改善電子注入層的特性的結(jié)構(gòu)。
但是，這種結(jié)構(gòu)的電子注入層最終的目的是降低驅(qū)動電壓、提高發(fā)光效率，難以改善耐久性。
另外，通過真空蒸鍍法成膜電子注入層，所以需要大規(guī)模設(shè)備，難以精密地調(diào)整同時蒸鍍2種以上的材料時的蒸鍍速度，生產(chǎn)率較差。
專利文獻1特開2005-63910號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供電子注入性和電子輸送性高的有機無機復合半導體材料、將這種有機無機復合半導體材料溶解于溶劑中的液態(tài)材料、使用這種有機無機復合半導體材料的發(fā)光效率和耐久性出色的有機發(fā)光元件、可以高生產(chǎn)率地制造這種有機發(fā)光元件的制造方法、具備這種有機發(fā)光元件的可靠性高的發(fā)光裝置及電子設(shè)備。
通過下述本發(fā)明可以實現(xiàn)這樣的目的。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，其特征在于，以含有下述通式(1)[化1] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的材料為主材料構(gòu)成。
這樣，可以得到電子注入性、電子輸送性高，耐久性和高壽命出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，優(yōu)選由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3為具有取代基的苯基。
這樣，可以得到電子注入性和電子輸送性更高、耐久性和高壽命更出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，優(yōu)選由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3的取代基是由下述通式(2)[化2]
(式中，Ar4和Ar5彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的基團。
這樣，可以得到電子注入性和電子輸送性進一步更高、耐久性和高壽命進一步出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，優(yōu)選由所述通式(2)表示的取代基的Ar4和Ar5為苯基。
這樣，可以得到電子注入性和電子輸送性進一步更高、耐久性和高壽命進一步更出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上。
這樣，可以得到電子注入性和電子輸送性進一步更高、耐久性和高壽命進一步更出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機無機復合半導體材料，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上。
這樣，可以得到電子注入性和電子輸送性進一步更高、耐久性和高壽命進一步更出色的有機無機復合半導體材料。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，其特征在于，包括陽極；在該陽極的一面?zhèn)仍O(shè)置的有機發(fā)光層；在該有機發(fā)光層上設(shè)置的電子輸送層；在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)設(shè)置的陰極，
所述電子輸送層以含有下述通式(1)[化3] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的材料為主材料構(gòu)成。
這樣，可以得到發(fā)光效率、耐久性和高壽命出色，電子注入性和電子輸送性出色的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，優(yōu)選由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3為具有取代基的苯基。
這樣，可以得到高發(fā)光效率、耐久性和高壽命更出色，電子注入性和電子輸送性更出色的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，優(yōu)選由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3的取代基是由下述通式(2)[化4] (式中，Ar4和Ar5彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的基團。
這樣，可以得到高發(fā)光效率、耐久性和高壽命進一步更出色，電子注入性和電子輸送性進一步更出色的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，優(yōu)選由所述通式(2)表示的取代基的Ar4和Ar5為苯基。
這樣，可以得到高發(fā)光效率、耐久性和高壽命進一步更出色，電子注入性和電子輸送性進一步更出色的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上。
這樣，可以提高電子輸送性、改善元件的耐久性。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件，述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上。
這樣，可以進一步提高電子輸送性、改善元件的耐久性，可以得到高發(fā)光效率、耐久性和高壽命進一步更出色，電子注入性和電子輸送性進一步更出色的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的液態(tài)材料，其特征在于，包含下述通式(1)[化5] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基。)表示的化合物；具有選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的金屬化合物；和溶劑。
這樣，可以得到用于效率和耐久性出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選所述溶劑難以將所述有機發(fā)光層溶脹或溶解。
這樣，用于有機半導體元件時，可以防止有機半導體薄膜的變質(zhì)·劣化或膜厚極端變薄，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選所述溶劑為質(zhì)子型極性溶劑。
這樣，可以防止效率的低下，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選所述溶劑以水及醇類中的至少一種為主成分。
這樣，可以可靠地從金屬化合物離解金屬離子，液態(tài)材料的配制變得容易，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選所述醇類為碳原子數(shù)1～7的一元醇。
這樣的碳原子數(shù)的一元醇，對于金屬化合物的溶解性高，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選所述金屬化合物以金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽內(nèi)的至少一種為主成分。
由于這些金屬化合物容易離解金屬離子，所以，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，優(yōu)選混合含有由所述通式(1)表示的化合物的第一溶液和含有所述金屬化合物的第二溶液，配制所述液態(tài)材料。
這樣，容易配制含有有機物和金屬化合物的液態(tài)材料，結(jié)果，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
這樣，可以得到用于高效率和耐久性進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的液態(tài)材料，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
這樣，可以得到用于高效率、耐久性和高壽命進一步更出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，該有機發(fā)光元件包括陽極、在該陽極的一面?zhèn)仍O(shè)置的有機發(fā)光層、在該有機發(fā)光層上設(shè)置的電子輸送層、在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)設(shè)置的陰極，所述有機發(fā)光元件的制造方法的特征在于，包括配制包含由下述通式(1)[化6] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、金屬化合物、和溶劑的液態(tài)材料的第一工序，其中所述金屬化合物具有選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子；
在所述有機發(fā)光層上供給所述液態(tài)材料之后，將其干燥，形成所述電子輸送層的第二工序；在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)形成所述陰極的第三工序。
這樣，可以高生產(chǎn)率地制造發(fā)光效率和耐久性出色、電子注入性和電子輸送性高的有機發(fā)光元件本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選所述溶劑難以將所述有機發(fā)光層溶脹或溶解。
這樣，可以防止有機發(fā)光層的發(fā)光材料的變質(zhì)·劣化或有機發(fā)光層的膜厚極端變薄，結(jié)果，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選所述溶劑為質(zhì)子型極性溶劑。
這樣，可以防止發(fā)光效率的低下，可以高生產(chǎn)率地制造有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選所述質(zhì)子型極性溶劑以水及醇類中的至少一種為主成分。
這樣，可以可靠地從金屬化合物離解金屬離子，液態(tài)材料的配制變得容易，結(jié)果，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選所述醇類為碳原子數(shù)1～7的一元醇。
這樣的碳原子數(shù)的一元醇，對于金屬化合物的溶解性高，結(jié)果，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選所述金屬化合物以金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽中的至少一種為主成分。
由于這些金屬化合物容易離解金屬離子，所以，結(jié)果，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高效率和耐久性出色的、電子注入性和電子輸送性高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，優(yōu)選混合含有由所述通式(1)表示的化合物的第一溶液和含有所述金屬化合物的第二溶液，配制所述液態(tài)材料。
這樣，容易配制含有有機物和金屬化合物的溶液材料，結(jié)果，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
這樣，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的有機發(fā)光元件的制造方法，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
這樣，可以生產(chǎn)率進一步更高地制造高發(fā)光效率和耐久性進一步更出色的、電子注入性和電子輸送性進一步更高的有機發(fā)光元件。
本發(fā)明的發(fā)光裝置，其特征在于，具備本發(fā)明的有機發(fā)光元件。
這樣，可以得到可靠性高的發(fā)光裝置。
本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光裝置。
這樣，可以得到可靠性高的電子設(shè)備。


圖1是以示意性表示本發(fā)明的有機發(fā)光元件的實施方式的縱截面的圖。
圖2是表示適用本發(fā)明的發(fā)光裝置的顯示裝置的實施方式的縱截面圖。
圖3是表示適用本發(fā)明的電子設(shè)備的移動型(或筆記本型)的個人電腦的構(gòu)成的立體圖。
圖4是表示適用本發(fā)明的電子設(shè)備的攜帶電話(也包括PHS)的構(gòu)成的立體圖。
圖5是表示適用本發(fā)明的電子設(shè)備的數(shù)碼靜態(tài)照相機的構(gòu)成的立體圖。
圖中，1-有機發(fā)光元件，2-基板，3-陽極，4-空穴輸送層，5-有機發(fā)光層，6-電子輸送層，7-陰極，8-密封構(gòu)件，10-顯示裝置，20-基體，21-基板，22-電路部，23-保護層，24-驅(qū)動用TFT，241-半導體層，242-柵絕緣層，243-柵電極，244-源電極，245-漏電極，25-第一層間絕緣層，26-第二層間絕緣層，27-布線，31-第一隔壁部，32-第二隔壁部，1100-個人電腦，1102-鍵盤，1104-主體部，1106-顯示單元，1200-便攜式電話，1202-操作按鈕，1204-受話口，1206-送話口，1300-數(shù)碼靜態(tài)照相機，1302-機箱(主體)，1304-受光單元，1306-快門按鈕，1308-電路基板，1312-視頻信號輸出端子，1314-數(shù)據(jù)通信用輸入出端子，1430-電視監(jiān)視器，1440-個人電腦。
具體實施例方式
以下對本發(fā)明的有機無機復合半導體材料、含有有機無機復合半導體的液態(tài)材料、有機發(fā)光元件、有機發(fā)光元件的制造方法、發(fā)光裝置及電子設(shè)備的優(yōu)選實施方式進行說明，附圖顯示有機發(fā)光元件、發(fā)光裝置及電子設(shè)備。
圖1是模式地表示本發(fā)明的有機發(fā)光元件的實施方式的縱截面的圖。此外，以下，為了便于說明，圖1中的上側(cè)為“上”、下側(cè)為“下”，進行說明。
圖1所示的有機發(fā)光元件(有機電致發(fā)光元件)1是層疊在基板2上設(shè)置的陽極3、陰極7、在陽極3與陰極7之間從陽極3側(cè)依次為空穴輸送層4、有機發(fā)光層5、電子輸送層6而成的元件，其整體用密封構(gòu)件8密封。
基板2是成為有機發(fā)光元件1的支撐體的構(gòu)件。由于本實施方式的有機發(fā)光元件1是從基板2側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)(底部散發(fā)型)，所以實際上基板2及陽極3分別為透明(無色透明、著色透明或半透明)。
作為基板2的構(gòu)成材料，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、環(huán)烯烴聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯之類的樹脂材料或石英玻璃、鈉玻璃之類的玻璃材料等，可以使用其中的1種或組合2種以上。
對這樣的基板2的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.1～30mm左右，更優(yōu)選為0.1～10mm左右。
此外，有機發(fā)光元件1為從基板2的相反側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)(頂部散發(fā)型)的情況下，基板2可以使用透明基板及不透明基板的任意一種。
作為不透明基板，例如可以舉出用氧化鋁之類的陶瓷材料構(gòu)成的基板、在不銹鋼之類的金屬基板的表面上形成氧化膜(絕緣膜)的基板、用樹脂材料構(gòu)成的基板等。
陽極3是向后述的空穴輸送層4中注入空穴的電極。作為該陽極3的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)大、導電性出色的材料。
作為陽極3的構(gòu)成材料，例如可以舉出ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、In3O3、SnO2、含Sb的SnO2、含Al的ZnO等氧化物，Au、Pt、Ag、Cu或含這些的合金等，可以使用其中的1種或組合2種以上。
另一方面，陰極7是向后述的電子輸送層6注入電子的電極，被設(shè)置于電子輸送層6的與有機發(fā)光層5的相反側(cè)。作為該陰極7的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料。
作為陰極7的構(gòu)成材料，例如可以舉出Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或含這些的合金等，可以使用其中的1種或組合(例如多層的層疊體等)2種以上。
特別是在使用合金作為陰極7的構(gòu)成材料的情況下，優(yōu)選使用含Ag、Al、Cu等穩(wěn)定的金屬元素的合金，具體而言，MgAg、AlLi、CuLi等合金。通過使用這樣的合金作為陰極7的構(gòu)成材料，可以實現(xiàn)陰極7的電子注入效率和穩(wěn)定性的提高。
對這樣的陰極7的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為100～10000nm左右，更優(yōu)選為200～500nm左右。
在為頂部散發(fā)型的情況下，使功函數(shù)小的材料或含有它們的合金為5～20nm左右，使其具有透過性，進而以100～500nm左右的厚度在其上面形成ITO等透過性高的導電材料。
此外，本實施方式的有機發(fā)光元件1由于是底部散發(fā)型，所以對陰極7沒有特別要求光透過性。
在陽極3上設(shè)置空穴輸送層4。該空穴輸送層4具有將從陽極3注入的空穴輸送到有機發(fā)光層5的功能。
作為空穴輸送層4的構(gòu)成材料，例如可以舉出酞菁、銅酞菁(CuPc)、鐵酞菁之類的金屬或無金屬酞菁系化合物，聚芳基胺、芴-芳基胺共聚物、芴-雙噻吩共聚物、聚(N-乙烯基咔唑)、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚(對亞苯基亞乙烯基)、聚亞噻吩基(チニレン)亞乙烯基、芘甲醛樹脂、乙基咔唑甲醛樹脂或其衍生物等，可以使用其中的1種或組合2種以上。
另外，上述化合物也可以作為與其他化合物的混合物使用。作為一例，可以舉出聚(3，4-亞乙二氧基噻吩/苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等作為含聚噻吩的混合物。
對這樣的空穴輸送層4的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為10～150nm左右，更優(yōu)選為50～100nm左右。
在空穴輸送層4上，即陽極3的一面?zhèn)龋O(shè)置有機發(fā)光層5。向該有機發(fā)光層5，分別從后述的電子輸送層6供給(注入)電子，或從上述空穴輸送層4供給(注入)空穴。接著，在有機發(fā)光層5內(nèi)，空穴與電子復合，利用該復合時放出的能量產(chǎn)生激子(激子)，在激子恢復到基底狀態(tài)時放出能量(熒光或磷光)(發(fā)光)。
作為發(fā)光層5的構(gòu)成材料，可以舉出苯并噻二唑之類的噻二唑系化合物，1，3，5-三[(3-苯基-6-三氟甲基)喹喔啉-2-?；鵠苯(TPQ1)、1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-?；鵠苯(TPQ2)之類的苯系化合物，酞菁、銅酞菁(CuPc)、鐵酞菁之類的金屬或非金屬酞菁系化合物，三(8-羥基喹啉酸酯)鋁(Alq3)、三(フツクトリス)(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)之類的低分子系的構(gòu)成材料，這些可以使用1種或組合2種。
對這樣的有機發(fā)光層5的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為10～150nm左右，更優(yōu)選為50～100nm左右。
在有機發(fā)光層5上設(shè)置電子輸送層6。該電子輸送層6具有將從陰極7注入的電子輸送到有機發(fā)光層5的功能。
在本發(fā)明中，該電子輸送層6的結(jié)構(gòu)(特別是構(gòu)成的有機無機復合半導體材料)有特征。對于該點(特征)，后面詳述。
對這樣的電子輸送層6的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為1～100nm左右，更優(yōu)選為10～50nm左右。
密封構(gòu)件8設(shè)置為覆蓋有機發(fā)光元件1(陽極3、空穴輸送層4、有機發(fā)光層5、電子輸送層6及陰極7)，具有密封這些構(gòu)件，阻擋氧或水分的功能。通過設(shè)置密封構(gòu)件8，可以得到提高有機發(fā)光元件1的可靠性或防止變質(zhì)·劣化(提高耐久性)等效果。
作為密封構(gòu)件8的構(gòu)成材料，例如可以舉出Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti或含有它們的合金、氧化硅、各種樹脂材料等。此外，使用具有導電性的材料作為密封材料8的構(gòu)成材料時，為了防止短路，優(yōu)選根據(jù)需要在密封構(gòu)件8與有機發(fā)光元件1之間設(shè)置絕緣膜。
另外，密封構(gòu)件8作為平板狀，也可以使其與基板2對置，在它們之間用例如熱固化性樹脂等密封材料密封。
進而，本發(fā)明人為了提高在含有磷原子的有機化合物為主材料的電子輸送層6中的電子輸送特性和使用該電子輸送層6制作的有機發(fā)光元件1的特性及耐久性，反復進行了潛心研究。
結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過向下述通式(1)[化7] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基。)表示的化合物為主材料的電子輸送層6中，混入堿金屬離子、堿土類金屬離子或稀土類金屬離子作為金屬離子，可以提高有機發(fā)光元件1的發(fā)光特性(發(fā)光亮度的上升、驅(qū)動電壓的降低、發(fā)光效率的提高等)及耐久性。
推測該發(fā)光效率的上升及驅(qū)動電壓的降低是由如下所述的主要原因引起產(chǎn)生的。即，第一，在利用真空蒸鍍法等在電子輸送層6上制作陰極7時，通過使電子輸送層6的與陰極7的界面附近存在的上述金屬離子還原成中性的功函數(shù)低的金屬狀態(tài)，來提高從陰極7向電子輸送層6注入電子的效率；第二，金屬離子在通式(1)表示的化合物中含有的磷原子之間，通過產(chǎn)生化學相互作用(例如離子鍵、配位鍵等)，有機化合物的能量能級發(fā)生相對變化，即HOMO(最高占有分子軌道)與LUMO(最低非占有分子軌道)變?yōu)橄鄬Φ偷哪芗?。所以，電子輸送?與陰極7的界面上的電子注入勢壘變小，從陰極7向電子輸送層6的電子注入效率提高，可以更有效地向有機發(fā)光層5進行電子注入。結(jié)果，產(chǎn)生發(fā)光亮度的上升、驅(qū)動電壓的降低。
另外，還推測可能性很大的提高發(fā)光效率的主要原因在于，如上所述，通過降低HOMO能級，抑制未復合的空穴被送至陰極7，空穴在電子輸送層6的與有機發(fā)光層5的界面上有效地蓄積，結(jié)果，該蓄積的空穴再次賦予復合。
另一方面，推測通過在通式(1)表示的化合物與金屬離子之間產(chǎn)生化學相互作用，抑制金屬離子向有機發(fā)光層5的擴散，抑制金屬離子引起的消光，進而，通過利用上述化學相互作用來穩(wěn)定化有機化合物的結(jié)構(gòu)，在輸送電子(交接)時，抑制立體結(jié)構(gòu)變形等的變化等在驅(qū)動時的電子輸送層6的穩(wěn)定化，是可能性很大的提高耐久性的主要原因。
本發(fā)明正是基于這種見解而提出的，其特征在于，以含有下述通式(1)[化8]
(式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基。)表示的化合物和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的材料為主材料構(gòu)成。
用通式(1)表示的化合物具有磷原子，所以電負性適度地高，在通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)中，可以使電子向該原子側(cè)若干偏向。所以，可以提高通式(1)表示的化合物與金屬離子之間的化學相互作用，結(jié)果，可以使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定化，從而抑制金屬離子的擴散。另外，該原子的鍵級適度地高，所以具有與金屬離子相互作用的不對稱電子，而且與其他元素容易形成鍵。
在此，通式(1)中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基。
對芳香族環(huán)基的碳原子數(shù)沒有特別限定，優(yōu)選為2～20，更優(yōu)選為2～15。
具體而言，可以舉出苯環(huán)(苯基)等單環(huán)式芳香族烴基、噻吩環(huán)、三嗪環(huán)、呋喃環(huán)、吡嗪環(huán)、吡啶環(huán)、噻唑環(huán)、咪唑環(huán)、嘧啶環(huán)等單環(huán)式雜環(huán)基，萘環(huán)、蒽環(huán)等縮合多環(huán)式芳香族烴基，噻吩并(chieno)[3，2-b]呋喃環(huán)等縮合多環(huán)式雜環(huán)基，聯(lián)苯環(huán)、三聯(lián)苯環(huán)等環(huán)集合式芳香族烴基，聯(lián)噻吩環(huán)、雙環(huán)呋喃環(huán)等環(huán)集合式雜環(huán)基，吖啶環(huán)、異喹啉環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、咔啉環(huán)、喹啉環(huán)、氧芴、肉啉環(huán)、硫茚環(huán)、1，10-菲繞啉環(huán)、吩噻嗪環(huán)、嘌呤環(huán)、苯并呋喃環(huán)、西龍(シロ一ル)環(huán)等芳香族環(huán)與雜環(huán)的組合構(gòu)成的基團。其中，特別優(yōu)選苯環(huán)(苯基)。這樣，可以使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，可以提供發(fā)光效率、耐久性和壽命出色的電子注入性和電子輸送層出色的有機發(fā)光元件1。
作為可以與這種芳香族環(huán)基結(jié)合的取代基，可以舉出烷基、鹵原子、氰基、硝基、氨基、芳基、二芳基氧膦基、烷氧基或下述通式(2)[化9] (式中，Ar4和Ar5彼此獨立，表示，可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的基團等。
這些取代基中，優(yōu)選通式(2)表示的化合物。這樣，可以提供發(fā)光效率、耐久性和壽命出色，電子注入性和電子輸送性出色的有機發(fā)光元件1。
對烷基的碳原子數(shù)沒有特別限定，優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10。具體而言，可以舉出甲基、乙基、丁基、己基等。另外，還可以與該取代基結(jié)合的苯環(huán)的碳原子一起，相互形成取代或無取代的芳香環(huán)。這樣，可以使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。此外，作為該芳香環(huán)被取代的情況下的取代基，可以舉出烷基、烷氧基、鹵原子、氰基、硝基、氨基、芳基及二芳基氧膦基等。
作為鹵原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
作為芳基，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基、菲基、聯(lián)三苯基、芘基等芳香族烴基，它們可以無取代或被取代。此外，作為被取代時的取代基，可以舉出烷基、烷氧基、鹵原子、氰基、硝基、氨基、芳基及二芳基氧膦基等。
二芳基氧膦基的芳基與上述芳基相同。
對烷氧基的碳原子數(shù)沒有特別限定，優(yōu)選為1～20，更優(yōu)選為1～10。具體而言，可以舉出甲氧基、乙氧基、丁氧基、苯氧基等。這樣，可以使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。
通式(2)中的Ar4和Ar5的芳香族環(huán)基、可以取代芳香族環(huán)基的取代基與在上述Ar1、Ar2和Ar3中說明的基團相同，特別優(yōu)選苯基。這樣，可以使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，可以提供發(fā)光效率、耐久性和壽命出色，電子注入性和電子輸送性出色的有機發(fā)光元件1。
以下組合以上說明的通式(1)表示的化合物的Ar1～Ar3芳香族環(huán)基及可以取代這些的取代基，顯示通式(1)表示的化合物的具體例。此外，以下的具體例只是代表性的例子，本發(fā)明不被這些例子所特別限定。
(I)具有1個通式(2)表示的取代基的化合物[化10]
(II)具有2個通式(2)表示的取代基的化合物[化11-A]
[化11-B]
(III)具有3個通式(2)表示的取代基的化合物

化12-B

化12-C
相對電子輸送層6的構(gòu)成材料，通式(1)表示的化合物的含有量優(yōu)選為30～70wt％。
此外，通式(1)表示的化合物可以利用公知的方法例如WO2005/104628中記載的方法合成。
另一方面，作為金屬離子，可以根據(jù)通式(1)表示的化合物的種類，從Li、Na、K等堿金屬離子，Mg、Ca、Sr等堿土類金屬離子或Yb、Sc、Y等稀土類金屬離子中適當選擇。作為通式(1)表示的化合物，例如在使用上述化12(特別是化13)表示的化合物的情況下，優(yōu)選Li、Cs、Ca、Mg、Yb之類的金屬離子。這些金屬離子也可以組合使用2種以上。
電子輸送層6優(yōu)選以含有通式(1)表示的化合物和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種的金屬離子的材料為主材料，相對電子輸送層6的構(gòu)成材料，該材料更優(yōu)選含有31～100wt％，最優(yōu)選含有50～100wt％。這樣，可以提高電子注入性和電子輸送性，得到發(fā)光效率和耐久性出色的有機發(fā)光元件1。
在電子輸送層6中，這些通式(1)表示的化合物與金屬離子之間的量比，在通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目為A[個]、金屬離子的數(shù)目為B[個]時，B/A優(yōu)選為0.05以上，更優(yōu)選為0.2以上，最優(yōu)選為0.2～1.5左右。通過是B/A在上述范圍內(nèi)，可以使金屬離子相對通式(1)表示的化合物不過多過少地存在，可以更可靠地使通式(1)表示的化合物的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化。另外，可以充分地提高利用金屬離子的作用從陰極7向電子輸送層6的注入效率。這樣，可以進一步提高電子輸送層6的特性。進而，在電子輸送層6中，可以充分地減少在與通式(1)表示的化合物之間不產(chǎn)生化學相互作用的金屬離子的數(shù)目，可以可靠地防止金屬離子向有機發(fā)光層5擴散。結(jié)果，可以很好地防止伴隨有機發(fā)光元件1的時間經(jīng)過及驅(qū)動的發(fā)光亮度降低。
構(gòu)成這樣的電子輸送層6的含有上述通式(1)表示的化合物和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中至少一種的金屬離子的材料，也可以用作有機無機復合半導體材料。
通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3、通式(2)表示的化合物的Ar4和Ar5、各取代基、優(yōu)選實施方式以及堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子、這種材料的含有量，與在上述電子輸送層6中說明的相同。
另外，在有機無機復合半導體材料中，這些通式(1)表示的化合物與金屬離子之間的量比，在通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目為A[個]、金屬離子的數(shù)目為B[個]時，B/A的值也與上述電子輸送層6中說明的相同。
這樣的材料由于電子注入性、電子輸送性高，耐久性及壽命出色，所以也可以用作各種器件的半導體材料。
另外，通過在這些有機無機復合半導體材料中含有溶劑，也可以用作各種液態(tài)材料。
作為該溶劑，優(yōu)選在用于有機發(fā)光元件1時難以將有機發(fā)光層5溶脹或溶解。這樣，可以防止發(fā)光材料的變質(zhì)·劣化或有機發(fā)光層5溶解、膜厚極端地減少。結(jié)果，可以防止有機發(fā)光元件1的發(fā)光效率的降低。
另外，還優(yōu)選容易溶解金屬化合物、離解金屬離子的溶劑。具體而言，優(yōu)選使用質(zhì)子型極性溶劑。
作為質(zhì)子型極性溶劑，例如可以舉出水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、芐醇、二乙二醇一甲醚等一元醇，乙二醇、甘油等多元醇之類的醇類，醋酸、甲酸、(甲基)丙烯酸之類的羧酸類，乙二胺、二乙胺之類的胺類，甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺之類的酰胺類，苯酚、對丁基苯酚之類的酚類，乙酰丙酮、二乙基丙二酸酯之類的活性亞甲基化合物等，可以使用其中的1種或組合2種以上。
其中，優(yōu)選以水及醇類中的至少一種為主成分。水或醇類對金屬化合物的溶解性高，所以作為質(zhì)子型極性溶劑，通過使用水及醇類中的至少一種為主成分的溶劑，可以可靠地從金屬化合物離解金屬離子，液態(tài)材料的配制變得容易。
特別是作為醇類，優(yōu)選為碳原子數(shù)1～7、更優(yōu)選碳原子數(shù)1～4的一元醇。從金屬化合物的溶解性高的角度出發(fā)，優(yōu)選這樣的碳原子數(shù)的一元醇。例如，如果將碳酸銫(Cs2CO3)作為金屬化合物溶解于一元醇(R-OH)，通過如下所述的反應(yīng)，Cs離子發(fā)生離解。
Cs2CO3+2ROH→2Cs(OR)+CO2+H2OCs(OR)+H2O→Cs++OH-+ROH
此外，在含有有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料中，混合通式(1)表示的化合物和金屬化合物，其中，通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目A[個]與金屬離子的數(shù)目B[個]之間的關(guān)系，與在得到的電子輸送層6中，用上述有機無機復合半導體材料中說明的關(guān)系相同。
具有選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中至少一種的金屬離子的金屬化合物優(yōu)選為金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽。這樣，可以得到用于金屬離子容易離解、用于高效率和耐久性出色的有機半導體元件的制造、生產(chǎn)率進一步更出色的液態(tài)材料。這些也可以組合使用2種以上。
此外，金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽以及它們的含有量在后述的有機發(fā)光元件1的制造方法中進行說明。
這樣的有機發(fā)光元件1例如可以如下所述地制造。此外，與上述已說明的內(nèi)容重復的事項，省略對其說明。
首先，準備基板2，在該基板2上形成陽極3。
陽極3可以用例如使用等離子CVD、熱CVD、激光CVD之類的化學蒸鍍法(CVD)，真空蒸鍍、濺射、離子鍍等干式鍍敷法，電鍍敷、浸鍍、非電解鍍層等濕式鍍敷法，金屬噴鍍法、溶膠·凝膠法、MOD法、金屬箔的接合等形成。
接著，在陽極3上形成空穴輸送層4。
空穴輸送層4例如可以在陽極3上供給在溶劑中溶解或在分散介質(zhì)中分散空穴輸送材料而成的空穴輸送層形成用材料，然后通過干燥(脫溶劑或脫分散介質(zhì))形成。
作為空穴輸送層形成用材料的供給方法，例如可以使用旋涂法、澆鑄法、微凹板印刷涂敷法、凹板印刷涂敷法、棒涂法、輥涂法、拉絲錠涂敷法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、橡皮凸版印刷法、膠印印刷法、噴墨印刷法等各種涂布法。通過使用這種涂布法，可以較容易地形成空穴輸送層4。
作為空穴輸送層形成用材料的配制中使用的溶劑或分散介質(zhì)，例如可以舉出硝酸、硫酸、氨、過氧化氫、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸乙烯等無機溶劑，或甲基乙基甲酮(MEK)、丙酮、二乙基甲酮、甲基異丁酮(MIBK)、甲基異丙酮(MIPK)、環(huán)己醇等酮系溶劑，甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、二乙二醇(DEG)、甘油等醇系溶劑，二乙醚、二異丙醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二氧雜環(huán)乙烷、四氫呋喃(THF)、四氫化吡喃(THP)、苯甲醚、二乙二醇二甲醚(二甘醇二甲醚)、二乙二醇乙醚(卡必醇)等醚系溶劑，甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、苯基溶纖劑等溶纖劑系溶劑，己烷、戊烷、庚烷、環(huán)己烷等脂肪族烴系溶劑，甲苯、二甲苯、苯等芳香族烴系溶劑，吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族雜環(huán)化合物系溶劑，N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶劑，氯苯、二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷等鹵化合物系溶劑，醋酸乙酯、醋酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶劑，二甲亞砜(DMSO)、環(huán)丁砜等硫化合物系溶劑，乙腈、丙腈、丙烯腈等硝基系溶劑，甲酸、醋酸、三氯醋酸、三氟醋酸等有機酸系溶劑之類的各種有機溶劑或含有它們的混合溶劑等。
此外，干燥例如可以通過在大氣壓或減壓環(huán)境中放置、加熱處理、惰性氣體的吹氣等進行。
另外，在本工序之前，也可以在陽極3的上面實施氧等離子處理。這樣，可以進行向陽極3的上面賦予親液性；除去(清洗)附著于陽極3的上面的有機物；調(diào)整陽極3的上面附近的功函數(shù)等。
在此，作為氧等離子處理的條件，例如優(yōu)選為等離子功率100～800W左右、氧氣流量50～100mL/min左右、被處理構(gòu)件(陽極3)的輸送速度0.5～10mm/sec左右、基板2的溫度70～90℃左右。
接著，在空穴輸送層4上(陽極3的一面?zhèn)?形成有機發(fā)光層5。
有機發(fā)光層5例如可以在空穴輸送層4上供給在溶劑中溶解或在分散介質(zhì)中分散空穴輸送材料而成的有機發(fā)光層形成用材料，然后通過干燥(脫溶劑或脫分散介質(zhì))形成。
有機發(fā)光層形成用材料的供給方法及干燥方法與在上述空穴輸送層4的形成中說明的相同。
此外，使用如上所述的發(fā)光材料的情況下，作為用于配制有機發(fā)光層形成用材料的溶劑或分散介質(zhì)，優(yōu)選為非極性溶劑，例如可以舉出二甲苯、甲苯、環(huán)己基苯、二氫苯并呋喃、三甲苯、四甲苯等芳香族烴系溶劑，吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族雜環(huán)化合物系溶劑，己烷、戊烷、庚烷、環(huán)己烷等脂肪族雜環(huán)化合物系溶劑，這些可以單獨使用或使用含有它們的混合溶劑。
接著，在有機發(fā)光層5上形成電子輸送層6。
(a)第一工序首先，配制含有如上所述的通式(1)表示的化合物和金屬離子的有機無機復合半導體的液態(tài)材料(液態(tài)材料)。
這可以通過如下所述配制，即混合通式(1)表示的化合物、包含堿金屬、堿土類金屬或稀土類金屬中至少一種的金屬化合物，和溶劑，使金屬離子從金屬化合物離解。
另外，也可以分別單獨配制通式(1)表示的化合物和金屬離子的溶液，再混合。即，也可以混合含有通式(1)表示的化合物的第一溶液和含有金屬化合物的第二溶液來混合。此時，各溶液中使用的溶劑如果不分離、可以混合，也可以為不同溶劑。這樣，即使在通式(1)表示的化合物與金屬化合物相對單一溶劑的溶解性變化很大，難以以需要的量比混合的情況下，也可以配制溶液。
進而，上述任意液態(tài)材料的配制方法，上述B/A均可以以需要的值，即與在液態(tài)材料中說明的值相同的值混合。這樣，可以高生產(chǎn)率地制造發(fā)光效率及耐久性出色的有機發(fā)光元件1。
金屬化合物為具有堿金屬離子、堿土類金屬離子或稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的化合物。例如，可以舉出Li、Na、K等堿金屬，Mg、Ca、Sr等堿土類金屬或Yb、Sc、Y等稀土類金屬，碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽等無機酸鹽，醋酸鹽、乙酰乙酸鹽等有機酸鹽以及氯化物、溴化物之類的鹵化物等金屬鹽，甲醇鹽、乙醇鹽之類的金屬醇鹽，乙酰丙酮化物之類的具有易脫離的配位基的金屬配位化合物等。
更具體而言，可以舉出碳酸銫、醋酸銫、氯化銫、乙酰丙酮化銫、碳酸鋰、醋酸鋰、氯化鋰、乙酰丙酮鋰、碳酸鐿、醋酸鐿、氯化鐿、乙酰丙酮化鐿、碳酸鈣、醋酸鈣、氯化鈣、乙酰丙酮化鈣等。
其中，優(yōu)選以至少一種為主成分，特別是從在大氣中比較穩(wěn)定、容易處理、容易離解金屬離子的角度出發(fā)，優(yōu)選醋酸銫、醋酸銫、氯化銫、氯化鐿、氯化鈣、乙酰丙酮鋰。這樣，可以生產(chǎn)率更進一步高地制造高效率及耐久性出色、電子注入性及電子輸送性高的有機半導體元件。
相對電子輸送層6的構(gòu)成材料，電子輸送層6中的金屬化合物的含有量優(yōu)選為1～30wt％。
作為配制含有有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料的溶劑，優(yōu)選難以溶脹或溶解有機發(fā)光層5的溶劑。這樣，可以防止發(fā)光材料的變質(zhì)·劣化或有機發(fā)光層5溶解、膜厚極端地減少。結(jié)果，可以防止有機發(fā)光元件1的發(fā)光效率的降低。
進而，在分別準備該溶劑、通式(1)表示的化合物和金屬化合物的溶液的情況下，金屬化合物的溶液中使用的溶劑優(yōu)選溶解金屬化合物容易、離解金屬離子的溶劑。
考慮到以上因素的情況下，優(yōu)選在溶劑中使用質(zhì)子型極性溶劑。這樣，可以防止發(fā)光效率的降低，可以生產(chǎn)率高地制造有機發(fā)光元件1。
作為質(zhì)子型極性溶劑，例如可以舉出水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、芐醇、二乙二醇一甲醚等一元醇，乙二醇、甘油等多元醇之類的醇類，醋酸、甲酸、(甲基)丙烯酸之類的羧酸類，乙二胺、二乙胺之類的胺類，甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺之類的酰胺類，苯酚、對丁基苯酚之類的酚類，乙酰丙酮、二乙基丙二酸酯之類的活性亞甲基化合物等，可以使用其中的1種或組合2種以上。
其中，作為質(zhì)子型極性溶劑，優(yōu)選以水及醇類中的至少一種為主成分。水或醇類對金屬化合物的溶解性高，所以作為質(zhì)子型極性溶劑，通過使用水及醇類中的至少一種為主成分的溶劑，可以可靠地從金屬化合物離解金屬離子，含有有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料的配制變得容易。
特別是作為醇類，優(yōu)選為碳原子數(shù)1～7(更優(yōu)選碳原子數(shù)1～4)的一元醇。這樣的碳原子數(shù)的一元醇，金屬化合物的溶解性高。例如，如果將碳酸銫(Cs2CO3)作為金屬化合物溶解于一元醇(R-OH)，通過如下所述的反應(yīng)，Cs離子(金屬離子)發(fā)生離解。
Cs2CO3+2ROH→2Cs(OR)+CO2+H2OCs(OR)+H2O→Cs++OH-+ROH此外，在含有有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料中，混合通式(1)表示的化合物和金屬化合物，其中，通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目A[個]與金屬離子的數(shù)目B[個]之間的關(guān)系B/A優(yōu)選為0.05以上，更優(yōu)選為0.2以上，最優(yōu)選為0.2～1.5。這樣，可以生產(chǎn)率更進一步高地制造高效率及耐久性進一步更出色、電子注入性及電子輸送性進一步更高的有機半導體元件1。
例如，對使用下述化13所示的化合物作為通式(1)表示的化合物，使用Cs2CO3作為金屬化合物，B/A為0.2的情況進行說明。
化13所示的化合物中含有4個P＝O堿。與此相對，從Cs2CO3離解2個Cs離子。所以，為了使B/A為0.2，相對化13所示的化合物1摩爾，混合0.4摩爾Cs2CO3即可。
(b)第二工序接著，向有機發(fā)光層5上供給含有已配制的有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料，然后干燥(脫溶劑)。這樣，可以得到用有機無機復合半導體材料構(gòu)成的電子輸送層6。
含有有機無機復合半導體材料的液態(tài)材料的供給方法及干燥方法，與在上述空穴輸送層4的形成中說明的相同。
接著，在電子輸送層6上(有機發(fā)光層5的相反側(cè))形成陰極7。
(c)第三工序本工序是在電子輸送層6的與有機發(fā)光層5相反的一側(cè)形成陰極的工序。
陰極7例如可以使用真空蒸鍍法、濺射法、金屬箔的接合、金屬微粒油墨的涂布及燒成等形成。
經(jīng)過如上所述的工序，可以單獨有機發(fā)光元件1。
最后，套上密封構(gòu)件8，來覆蓋得到的有機發(fā)光元件1，與基板2接合。
利用如上所述的制造方法，在有機層(空穴輸送層4、有機發(fā)光層5、電子輸送層6)的形成、或使用金屬微粒的情況下陰極7的形成中，不需要真空裝置等大規(guī)模設(shè)備，所以可以削減有機發(fā)光元件1的制造時間及制造成本。另外，通過適用噴墨法(液滴噴出法)，大面積的元件的制作或多色的分涂成為可能。
此外，在本實施方式中，對利用液相過程制造空穴輸送層4及有機發(fā)光層5進行了說明，但在本發(fā)明中，對應(yīng)使用的空穴輸送材料及發(fā)光材料的種類，例如也可以利用真空蒸鍍法等氣相過程形成這些層。
這樣的有機發(fā)光元件1例如可以用作光源等。另外，通過將多個有機發(fā)光元件1配置成矩陣狀，可以構(gòu)成顯示裝置(本發(fā)明的發(fā)光裝置0。
此外，作為顯示裝置的驅(qū)動方式，沒有特別限定，可以為有源矩陣方式、無源矩陣方式的任意一種。
接著，對適用本發(fā)明的發(fā)光裝置的顯示裝置的一例進行說明。
圖2是表示適用本發(fā)明的發(fā)光裝置的顯示裝置的實施方式的縱截面圖。
圖2所示的顯示裝置10由基體20、在該基體20上設(shè)置的多個有機發(fā)光元件1構(gòu)成。
基體20具有基板21、在該基板21上形成的電路部22。
電路部22具有在基板21上形成的例如由氧化硅層構(gòu)成的保護層23、在該保護層23上形成的驅(qū)動用TFT(開關(guān)元件)24、第一層間絕緣層25、和第二層間絕緣層26。
驅(qū)動用TFT24具有硅構(gòu)成的半導體層241、在半導體層241上形成的柵絕緣層242、在柵絕緣層242上形成的柵電極243、源電極244、和漏電極245。
在這樣的電路部22上，分別對應(yīng)各驅(qū)動用TFT24設(shè)置有機發(fā)光元件1。另外，鄰接的有機發(fā)光元件1之間被第一隔壁部31及第二隔壁部32劃分。
在本實施方式中，各有機發(fā)光元件1的陽極3構(gòu)成像素電極，利用布線27與各驅(qū)動用TFT24的漏電極245電連接。另外，各有機發(fā)光元件1的陰極7為共通電極。
接著，密封構(gòu)件(未圖示)與基體20接合，并覆蓋各有機發(fā)光元件1，各有機發(fā)光元件1被密封。
顯示裝置10也可以為單色顯示，通過選擇各有機發(fā)光元件1中使用的發(fā)光材料，彩色顯示也是可能的。
這樣的顯示裝置10(本發(fā)明的發(fā)光裝置)可以安裝到各種電子設(shè)備。
圖3是表示使用本發(fā)明的電子設(shè)備的移動型(或筆記本型)個人電腦的構(gòu)成立體圖。
在該圖中，個人電腦1100由具備鍵盤1102的主體部1104、具備顯示部的顯示單元1106構(gòu)成，顯示單元1106借助樞紐結(jié)構(gòu)部，相對主體部1104被可以旋轉(zhuǎn)地支撐。
在該個人電腦1100中，具備顯示單元1106的顯示部由前述的顯示裝置10構(gòu)成。
圖4是表示適用本發(fā)明的電子設(shè)備的便攜式電話(也包括PHS)的構(gòu)成立體圖。
在該圖中，便攜式電話1200具備多個操作按鈕1202、受話口1204及送話口1206的同時，還具備顯示部。
在便攜式電話1200中，該顯示部由上述的顯示裝置10構(gòu)成。
圖5是表示適用本發(fā)明的電子設(shè)備的數(shù)碼靜態(tài)照相機的構(gòu)成立體圖。其中，該圖中，也簡單地顯示與外部儀器的連接。
在此，通常的照相機利用被攝體的光像使銀鹽照片膠卷感光，與此相對，數(shù)碼靜態(tài)照相機1300利用CCD(電荷偶聯(lián)器件)等攝像元件對被攝體的光像進行光電轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生攝像信號(圖像信號)。
在數(shù)碼靜態(tài)照相機1300中的機身(主體)1302的背面設(shè)置顯示部，成為基于利用CCD的攝像信號進行顯示的結(jié)構(gòu)，發(fā)揮作為將被攝體作為電子圖像顯示的取景鏡功能。
在數(shù)碼靜態(tài)照相機1300中，該顯示部由上述顯示裝置10構(gòu)成。
機身內(nèi)部設(shè)置電路基板1308。該電路基板1308設(shè)置可以存儲(記憶)攝像信號的存儲器。
另外，在機身1302的正面?zhèn)?附圖結(jié)構(gòu)中為內(nèi)面?zhèn)?，設(shè)置含光學透鏡(攝像光學系)或CCD等的受光單元1304。
攝影者確認在顯示部中顯示的被攝體像，按下快門按鈕1306，該時刻的CCD的攝像信號被傳送·存儲到電路基板1308的儲存器中。
另外，在該數(shù)碼靜態(tài)照相機1300中，在機身1302的側(cè)面設(shè)置視頻信號輸出端子1312和數(shù)據(jù)通信用輸入出端子1314。接著，如圖所示，分別根據(jù)需要，電視監(jiān)視器1430與視頻信號輸出端子1312、個人電腦1440與數(shù)據(jù)通信用輸入出端子1314連接。進而，成為利用規(guī)定的操作被存儲到電路基板1308的存儲器的攝像信號，被輸出到電視監(jiān)視器1430、或個人電腦1440的結(jié)構(gòu)。
此外，除了圖3的個人電腦(移動型個人電腦)、圖4的便攜式電話、圖5的數(shù)碼靜態(tài)照相機，本發(fā)明的電子設(shè)備還可以適用于例如電視機、攝像機、取景器型/監(jiān)視器型錄像機、筆記本型個人電腦、導航儀裝置、尋呼機、電子筆記本(也包括帶通信功能)、電子字典、臺式電子計算機、電子游戲機、文字處理器、工作站、視頻電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠鏡、POS終端、具備接觸屏的儀器(例如金融機構(gòu)的自動柜員機、自動販賣機)、醫(yī)療儀器(例如電子體溫計、血壓計、血糖儀、心電顯示裝置、超聲波診斷裝置、內(nèi)窺鏡用顯示裝置)、魚群探測機、各種測定儀器、計量儀器類(例如車輛、飛機、船舶的儀器類)、飛行模擬器、其他各種監(jiān)視器類、投影儀等投射型顯示裝置等。
以上基于附圖的實施方式對本發(fā)明的有機無機復合半導體材料、液態(tài)材料、有機發(fā)光元件、有機發(fā)光元件的制造方法、發(fā)光裝置和電子設(shè)備進行了說明，但本發(fā)明不限于這些。
例如本發(fā)明的有機發(fā)光元件也可以在各層之間的至少1個設(shè)置1層以上任意目的的層。
實施例接著，對本發(fā)明的具體實施例進行說明。
1.有機發(fā)光元件的制造(實施例1)<1>首先，準備平均厚度0.5mm的透明玻璃基板。
<2>接著，在該基板上，利用濺射法，形成平均厚度100nm的ITO電極(陽極)。
接著，按照丙酮、2-丙醇的順序浸漬基板，進行超聲波清洗。
<3>接著，在ITO電極上，利用旋涂法，涂布聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩/苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水分散液，然后在加熱到200℃的熱板上，在大氣壓下干燥10分鐘，這樣，形成平均厚度60nm的空穴輸送層。
<4>接著，在空穴輸送層上，利用旋涂法，涂布溶解了聚乙烯咔唑和發(fā)果三(fac tris)(苯基吡啶)銥的氯苯溶液，然后干燥。這樣，形成平均厚度70nm的有機發(fā)光層。
此外，聚乙烯咔唑與發(fā)果三(苯基吡啶)銥的配合比，以重量比，為97∶3。
<5>首先，在2-丙醇中溶解作為金屬化合物的碳酸銫(Cs2CO3)，。接著，在4，4’，4”-三(二苯基氧膦基)-三苯基氧化膦(以下簡稱為“TPPO-Burst”。)中添加該溶液，然后用2-丙醇稀釋至TPPO-Burst的濃度成為0.5wt％。這樣，得到電子輸送層形成用材料。
此外，TPPO-Burst與碳酸銫的配合比，摩爾比為2∶1。即，上述B/A成為0.25。
在有機發(fā)光層上，利用旋涂法，涂布該已配制的電子輸送層形成用材料，然后在加熱至130℃的熱板上，在氮氣氛下干燥10分鐘，這樣，形成平均厚度15nm的電子輸送層。
<6>接著，在電子輸送層上，利用真空蒸鍍法，形成平均厚度200nm的A1電極(陰極)。
接著，套上玻璃制的保護蓋(密封構(gòu)件)，覆蓋形成的各層，利用環(huán)氧樹脂固定、密封。
(實施例2)
在上述工序<5>中，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與碳酸銫的配合比，摩爾比為10∶1，上述B/A為0.05，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例3)在上述工序<5>中，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與碳酸銫的配合比，摩爾比為5∶1，上述B/A為0.1，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例4)在上述工序<5>中，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與碳酸銫的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.5，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例5)在上述工序<5>中，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與碳酸銫的配合比，摩爾比為1∶2，上述B/A為1.0，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例6)在上述工序<5>中，使用乙酰丙酮鋰(Li(acac))作為金屬化合物，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與乙酰丙酮鋰的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.25，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例7)在上述工序<5>中，使用氯化銫作為金屬化合物，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與氯化銫的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.25，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例8)在上述工序<5>中，使用醋酸銫作為金屬化合物，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與醋酸銫的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.25，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例9)在上述工序<5>中，使用氯化鈣(CaCl2)作為金屬化合物，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與氯化鈣的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.25，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(實施例10)在上述工序<5>中，使用氯化鐿(YbCl3)作為金屬化合物，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與氯化鐿的配合比，摩爾比為1∶1，上述B/A為0.25，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(比較例1)在上述工序<5>中，除了省略配合碳酸銫之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
(比較例2)在上述工序<5>中，碳酸銫與TPPO-Burst(化13所示的化合物)的上述B/A為0.05，共蒸鍍形成電子輸送層，除此之外，與上述實施例1相同地制造有機發(fā)光元件。
此外，TPPO-Burst(化13所示的化合物)與碳酸銫的比，摩爾比為2∶1。
2.評價2-1.金屬離子的存在的確認在各實施例和各比較例中，分別在形成Al電極之前，利用X射線分光分析法(XPS法)確認存在于電子輸送層中的金屬的電子狀態(tài)。
此外，該X射線分光分析法使用XPS裝置(PHI公司制，“QuarteraSXM”)進行。
結(jié)果，在各實施例中的電子輸送層中，均可以確認金屬離子的存在。
2-2.發(fā)光效率的評價對在各實施例及各比較例中制造的有機發(fā)光元件，分別向陽極與陰極之間，施加來自直流電源的8V電壓，測定此時的電流值及亮度。接著，從這些值求得發(fā)光效率[cd/A]。
2-3.耐久性的評價對在各實施例及各比較例中制造的有機發(fā)光元件，分別向陽極與陰極之間，施加來自直流電源的電壓，進行初期亮度400Cd/m2的定電流驅(qū)動。接著，求得亮度成為初期的一半的期間(半衰期)。
2-2(發(fā)光效率的評價)及2-3(耐久性的評價)的評價結(jié)果顯示于下表1。
表1

此外，表1中，對于各評價結(jié)果，實施例1～10分別為在比較例1和2為“1”時的相對值。
如表1所示，在各實施例中制造的有機發(fā)光元件均在發(fā)光效率及耐久性方面出色。
與此相對，在各比較例中制造的有機發(fā)光元件均在本發(fā)明的有機發(fā)光元件的發(fā)光效率及耐久性方面很差。
權(quán)利要求
1.一種有機無機復合半導體材料，其特征在于，以含有下述通式(1)[化1] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的材料為主材料構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機無機復合半導體材料，其中，由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3是具有取代基的苯基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機無機復合半導體材料，其中，由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3的取代基是由下述通式(2)[化2] (式中，Ar4和Ar5彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的基團。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機無機復合半導體材料，其中，由所述通式(2)表示的取代基的Ar4和Ar5為苯基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項所述的有機無機復合半導體材料，其中，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的有機無機復合半導體材料，其中，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上。
7.一種有機發(fā)光元件，其特征在于，包括陽極；在該陽極的一面?zhèn)仍O(shè)置的有機發(fā)光層；在該有機發(fā)光層上設(shè)置的電子輸送層；在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)設(shè)置的陰極，所述電子輸送層以含有下述通式(1)[化3] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、和選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的材料為主材料構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光元件，其中，由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3是具有取代基的苯基。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的有機發(fā)光元件，其中，由所述通式(1)表示的化合物的Ar1、Ar2和Ar3的取代基是由下述通式(2)[化4] (式中，Ar4和Ar5彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的基團。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光元件，其中，由所述通式(2)表示的取代基的Ar4和Ar5為苯基。
11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任意一項所述的有機發(fā)光元件，其中，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任意一項所述的有機發(fā)光元件，其中，所述有機無機復合半導體材料中的由所述通式(1)表示的化合物與所述金屬離子的量比在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上。
13.一種液態(tài)材料，其特征在于，包含下述通式(1)[化5] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物；具有選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子的金屬化合物；和溶劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液態(tài)材料，其中，所述溶劑難以將所述有機發(fā)光層溶脹或溶解。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的液態(tài)材料，其中，所述溶劑為質(zhì)子型極性溶劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求13～15中任意一項所述的液態(tài)材料，其中，所述溶劑以水及醇類中的至少一種為主成分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液態(tài)材料，其中，所述醇類為碳原子數(shù)為1～7的一元醇。
18.根據(jù)權(quán)利要求13～17中任意一項所述的液態(tài)材料，其中，所述金屬化合物以金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽中的至少一種為主成分。
19.根據(jù)權(quán)利要求13～18中任意一項所述的液態(tài)材料，其中，將含有由所述通式(1)表示的化合物的第一溶液、和含有所述金屬化合物的第二溶液混合，配制所述液態(tài)材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求13～19中任意一項所述的液態(tài)材料，其中，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求13～19中任意一項所述的液態(tài)材料，其中，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
22.一種有機發(fā)光元件的制造方法，該有機發(fā)光元件包括陽極、在該陽極的一面?zhèn)仍O(shè)置的有機發(fā)光層、在該有機發(fā)光層上設(shè)置的電子輸送層、在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)設(shè)置的陰極，所述有機發(fā)光元件的制造方法的特征在于，包括配制包含由下述通式(1)[化6] (式中，Ar1、Ar2和Ar3彼此獨立，表示可以具有取代基的芳香族環(huán)基)表示的化合物、金屬化合物、和溶劑的液態(tài)材料的第一工序，其中所述金屬化合物具有選自堿金屬離子、堿土類金屬離子及稀土類金屬離子中的至少一種金屬離子；在所述有機發(fā)光層上供給所述液態(tài)材料之后，將其干燥，形成所述電子輸送層的第二工序；在該電子輸送層的與所述有機發(fā)光層相反的一側(cè)形成所述陰極的第三工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，所述溶劑難以將所述有機發(fā)光層溶脹或溶解。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，所述溶劑為質(zhì)子型極性溶劑。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，所述質(zhì)子型極性溶劑以水及醇類中的至少一種為主成分。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，所述醇類為碳原子數(shù)為1～7的一元醇。
27.根據(jù)權(quán)利要求22～26中任意一項所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，所述金屬化合物以金屬鹽、金屬配位化合物及金屬醇鹽中的至少一種為主成分。
28.根據(jù)權(quán)利要求22～27中任意一項所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，將含有由所述通式(1)表示的化合物的第一溶液、和含有所述金屬化合物的第二溶液混合，配制所述液態(tài)材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求22～28中任意一項所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.05以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求22～28中任意一項所述的有機發(fā)光元件的制造方法，其中，以在將由所述通式(1)表示的化合物中含有的P＝O鍵的數(shù)目設(shè)為A[個]、將所述金屬離子的數(shù)目設(shè)為B[個]時，B/A為0.2以上的方式，配制所述液態(tài)材料。
31.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求7～12中任意一項所述的有機發(fā)光元件。
32.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求31所述的發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供電子注入性和電子輸送性高的有機無機復合半導體材料、將這種有機無機復合半導體材料溶解于溶劑中的液態(tài)材料、使用這種有機無機復合半導體材料的發(fā)光效率和耐久性出色的有機發(fā)光元件、可以高生產(chǎn)率地制造這種有機發(fā)光元件的制造方法、具備這種有機發(fā)光元件的可靠性高的發(fā)光裝置及電子設(shè)備。有機發(fā)光元件1層疊有陽極3、陰極7、在陽極3與陰極7之間從陽極3側(cè)依次為空穴輸送層4、有機發(fā)光層5、電子輸送層6，電子輸送層6的特征在于，以含有上述通式(1)，(式中，Ar
文檔編號H01L51/56GK101055924SQ20071009216
公開日2007年10月17日 申請日期2007年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月3日
發(fā)明者牧浦理惠, 奧山智幸, 川瀨健夫, 納戶光治, 林田剛, 后藤康之 申請人:精工愛普生株式會社, 大電株式會社, 九州電力株式會社