專利名稱：?jiǎn)卧炊嗦┑膍os器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是涉及一種M0S器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的M0S晶體管的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱圖1 (a)，在襯底B上，兩個(gè)重?fù)诫s區(qū) 形成源極S和漏極D，重?fù)诫s的(導(dǎo)電的)多晶硅區(qū)作為柵極G， 一層薄二 氧化硅使柵極G和襯底B隔離。如果是麗0S器件，就是在p型襯底上，兩 個(gè)重?fù)诫sn區(qū)形成源極和漏極；如果是PMOS器件，就是在n型襯底上，兩 個(gè)重?fù)诫sP區(qū)形成源極和漏極。這種傳統(tǒng)的M0S晶體管的示意圖如圖1 (b) 所示，柵極G位于中間分隔左右兩側(cè)的源極S和漏極D。
在實(shí)際電路中經(jīng)常出現(xiàn)多個(gè)M0S晶體管互連的情況，例如掩模型只讀 存儲(chǔ)器(MASKR0M)電路、與非門陣列存儲(chǔ)器(NANDR0M)電路、或非門存 儲(chǔ)器電路(NOR ROM)電路。請(qǐng)參閱圖3，這是一個(gè)或門陣列存儲(chǔ)器(OR ROM) 的局部電路，其中WL行表示位線(Word Line), BL列表示字線(Bit Line)， 虛線框內(nèi)的四個(gè)MOS晶體管M1、 M2、 M3和M4具有相同的源極和柵極。MOS 晶體管M1 M4的柵極均為基準(zhǔn)電壓VbiM，源極均為接地。
對(duì)于這種多個(gè)具有相同源極和柵極的MOS晶體管，傳統(tǒng)的MOS器件的 示意圖如圖4 (a)所示， 一個(gè)柵極G串聯(lián)其多個(gè)各自獨(dú)立的漏極D和源極 S。圖4 (a)所示的MOS器件轉(zhuǎn)化為版圖設(shè)計(jì)時(shí)，會(huì)占用較大的面積，

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單源多漏的M0S器件，該器件
等同于多個(gè)具有相同源極和柵極的M0S晶體管，并且在版圖設(shè)計(jì)時(shí)占用較 小的面積。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明單源多漏的M0S器件包括源極、柵極和 漏極，所述源極在襯底上的投影為多邊形，所述柵極包圍在源極四周且所 述柵極外圍在襯底上的投影為多邊形，所述漏極有多個(gè)且各自獨(dú)立，所述 漏極分布在柵極四周。
所述源極和柵極外圍在襯底上的投影為具有相同數(shù)目的邊的多邊形。 所述漏極的個(gè)數(shù)等于所述源極在襯底上的投影的多邊形所具有的邊數(shù)。
所述多邊形均為正多邊形。 所述多邊形均為正方形或正六邊形。
所述M0S器件的源極、柵極和任意一個(gè)漏極均構(gòu)成一個(gè)M0S晶體管， 所述M0S器件根據(jù)所述漏極的個(gè)數(shù)構(gòu)成多個(gè)M0S晶體管。
所述M0S器件所構(gòu)成的多個(gè)MOS晶體管具有相同的源極和柵極。
本發(fā)明單源多漏的M0S器件可以在各類存儲(chǔ)器電路中實(shí)現(xiàn)具有相同源 極和柵極的多個(gè)M0S晶體管，使不同M0S晶體管的源極和柵極實(shí)現(xiàn)共享， 與傳統(tǒng)M0S器件相比有效節(jié)省了存儲(chǔ)器面積。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1是現(xiàn)有的MOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明單源多漏的M0S器件的結(jié)構(gòu)示意圖3是或門陣列存儲(chǔ)器的局部電路示意圖4是具有相同的源極和柵極的多個(gè)M0S晶體管所形成的MOS器件的 示意圖5是或非門陣列存儲(chǔ)器的局部電路示意圖6是具有相同的源極和柵極的兩個(gè)MOS晶體管所形成的MOS器件的 示意圖。
圖中附圖標(biāo)記為B —襯底；S —源極；G —柵極；D —漏極；V。。一漏極
電壓；Vbias—基準(zhǔn)電壓；WL0 WL3—字線；BL0 BL3—位線；N1 N5、 Ml M4—M0S晶體管。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明單源多漏的M0S器件包括源極S、柵極G和漏極D。 其中源極S在襯底上的投影為多邊形，柵極G包圍在源極S四周，并且柵 極G的外圍在襯底上的投影為多邊形，漏極D有多個(gè)并且各自獨(dú)立，多個(gè) 各自獨(dú)立的漏極D分布在柵極G的外圍。圖2 (a)所示的MOS器件的源極 S和柵極G外圍都為正方形，圖2 (b)所示的M0S器件的源極S和柵極G 外圍都為正六邊形。
在優(yōu)選的情況下，本發(fā)明單源多漏的M0S器件的源極S和柵極G的外 圍在襯底上的投影為具有相同條邊數(shù)的多邊形，漏極D的個(gè)數(shù)等于源極S 和柵極G的外圍在襯底上的投影的多邊形所具有的邊數(shù)，并且所述多邊形均為正多邊形。
本發(fā)明單源多漏的M0S器件可以在各類存儲(chǔ)器電路中實(shí)現(xiàn)具有相同源 極和柵極的多個(gè)MOS晶體管。請(qǐng)參閱圖3，其中虛線框內(nèi)的具有相同的源極 和柵極的四個(gè)MOS晶體管M1、 M2、 M3和M4可以以圖4 (b)所示的本發(fā)明 單源多漏的MOS器件實(shí)現(xiàn)。圖4 (b)中，單源多漏的MOS器件包括一個(gè)源 極S、 一個(gè)柵極G和四個(gè)漏極D。其中源極S在襯底上的投影為正方形，柵 極G的外圍在襯底上的投影也是正方形，柵極G包圍在源極S四周。實(shí)際 上，柵極G就是其外圍在襯底上的投影所形成的較大的正方形與源極S在 襯底上的投影所形成的較小的正方形之間的部分。四個(gè)漏極D各對(duì)應(yīng)于柵 極G的外圍在襯底上的投影所形成的正方形的各一條邊。圖4 (b)所示的 M0S器件中，源極S、柵極G和每個(gè)漏極D均構(gòu)成了一個(gè)MOS晶體管，由于 漏極D有4個(gè)，所以一共構(gòu)成了 4個(gè)M0S晶體管M1、 M2、 M3和M4。這四個(gè) M0S晶體管M1、 M2、 M3和M4具有相同的源極和漏極。
圖3所示的或門陣列存儲(chǔ)器(OR ROM)的局部電路中，M0S晶體管N1 N5無(wú)法由本發(fā)明單源多漏的M0S器件實(shí)現(xiàn)。這是由于只有M0S晶體管Nl和 N4是由同一條字線WL1相連接，具有相同的柵極；M0S晶體管N3和N5是 由同一條字線WL2相連接，具有相同的柵極；其余晶體管之間都不具有相 同的柵極。而M0S晶體管Nl和N4的漏極均為漏極電壓VDD，具有相同的漏 極；源極分別連接位線BL0和BL3，不具有相同的源極，因此無(wú)法由本發(fā)明 單源多漏的M0S器件實(shí)現(xiàn)，M0S晶體管N3和N5的情況與之類似。
請(qǐng)參閱圖5，這是或非門陣列存儲(chǔ)器的局部電路圖。其中M0S晶體管Ml M4的柵極均接地，漏極均為漏極電壓VDD，源極分別連接字線BL0 BL3， 具有相同的柵極和漏極，由于MOS晶體管的對(duì)稱性，只需將本發(fā)明單源多 漏的MOS器件的源極與漏極反接，即可實(shí)現(xiàn)圖5中的具有相同的柵極和漏 極的MOS晶體管M1 M4。 MOS晶體管N1 N5中只有MOS晶體管Nl和N4是 由同一條字線WL1相連接，具有相同的柵極；MOS晶體管N3和N5是由同一 .條字線WL2相連接，具有相同的柵極；其余晶體管之間都不具有相同的柵 極。而M0S晶體管Nl和N4的源極均接地，具有相同的源極；漏極分別連 接位線BL0和BL3，不具有相同的漏極，因此由本發(fā)明單源多漏的MOS器件 實(shí)現(xiàn)M0S晶體管N1和N4如圖6 (b)所示。圖6 (b)中的多邊形為正方形 僅為示例，還可以是其他多邊形?？墒菬o(wú)論什么形狀的多邊形，采用本發(fā) 明單源多漏的M0S器件實(shí)現(xiàn)后的簡(jiǎn)化模型都如圖6 (a)所示，圖6 (a)正 是傳統(tǒng)MOS器件實(shí)現(xiàn)MOS晶體管Nl和N4的示意圖。因此在兩個(gè)具有相同 源極和柵極的MOS晶體管的情況下，本發(fā)明單源多漏的MOS器件實(shí)現(xiàn)起來(lái) 不如傳統(tǒng)的MOS器件簡(jiǎn)潔，MOS晶體管N3和N5的情況與之類似。但是對(duì)于 一些特殊的版圖設(shè)計(jì)要求，例如只有方塊面積，沒有長(zhǎng)條形面積，傳統(tǒng)的 MOS器件將無(wú)法實(shí)現(xiàn)，而本發(fā)明單源多漏的MOS器件則可以實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1. 一種單源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源極、柵極和漏極，其特征是所述源極在襯底上的投影為多邊形，所述柵極包圍在源極四周且所述柵極外圍在襯底上的投影為多邊形，所述漏極有多個(gè)且各自獨(dú)立，所述漏極分布在柵極四周。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單源多漏的M0S器件，其特征是所述源極 和柵極外圍在襯底上的投影為具有相同數(shù)目的邊的多邊形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的單源多漏的M0S器件，其特征是所述漏極 的個(gè)數(shù)等于所述源極在襯底上的投影的多邊形所具有的邊數(shù)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的單源多漏的MOS器件，其特征是所述多邊 形均為正多邊形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的單源多漏的MOS器件，其特征是所述多邊 形均為正方形或正六邊形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單源多漏的MOS器件，其特征是所述MOS 器件的源極、柵極和任意一個(gè)漏極均構(gòu)成一個(gè)MOS晶體管，所述MOS器件 根據(jù)所述漏極的個(gè)數(shù)構(gòu)成多個(gè)MOS晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的單源多漏的M0S器件，其特征是所述MOS 器件所構(gòu)成的多個(gè)MOS晶體管具有相同的源極和柵極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源極、柵極和漏極，所述源極在襯底上的投影為多邊形，所述柵極包圍在源極四周且所述柵極外圍在襯底上的投影為多邊形，所述漏極有多個(gè)且各自獨(dú)立，所述漏極分布在柵極四周。本發(fā)明單源多漏的MOS器件可以在各類存儲(chǔ)器電路中實(shí)現(xiàn)具有相同源極和柵極的多個(gè)MOS晶體管，使不同MOS晶體管的源極和柵極實(shí)現(xiàn)共享，與傳統(tǒng)MOS器件相比有效節(jié)省了存儲(chǔ)器面積。
文檔編號(hào)H01L27/085GK101452936SQ20071009439
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者博 張, 云 徐, 科 董 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司