專利名稱：磁場發(fā)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體集成電路的測試裝置，特別是涉及一種適 用于線性霍爾傳感器芯片測試的磁場發(fā)生裝置。
背景技術(shù)：
為了評價線性霍爾傳感器芯片的性能，不僅需要將線性霍爾傳感器芯
片置于不同磁場強度下測試其輸出電壓，即BV特性，還需要知道線性霍 爾傳感器芯片在不同溫度下的BV特性。但是現(xiàn)有的磁場發(fā)生裝置都不能 進行全溫度范圍內(nèi)(-80°C 225°C)的測試，僅能進行局部溫度范圍不同 磁場強度下的測試；而現(xiàn)有的溫度控制裝置又不具有產(chǎn)生磁場的功能，這 樣就無法滿足霍爾傳感器性能測試的要求。
如果專門為此設(shè)計制造一種適用于全溫度范圍的磁場發(fā)生裝置，不僅 需要進行復(fù)雜的技術(shù)設(shè)計，而且需要半導(dǎo)體集成電路制造商付出昂貴的費 用成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種磁場發(fā)生裝置，它能夠產(chǎn)生全溫 度范圍內(nèi)測試所需的高分辨率磁場，對線性霍爾傳感器芯片進行評價。 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置，包括 一磁場發(fā)生器基座；
一對磁極，相對設(shè)置，固定安裝在所述磁場發(fā)生器基座上端面的兩端側(cè)；
一工作平臺，設(shè)置在所述一對磁極的中間位置；
一耐溫隔板，設(shè)置在所述工作平臺上端面，所述耐溫隔板的中間位
置設(shè)有一測試插座，該測試插座的測試電纜從工作平臺底部引出；
一耐溫導(dǎo)氣管，可拆卸地罩設(shè)所述測試插座，位于該耐溫導(dǎo)氣管的 頂部可與熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口連接，熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口、耐溫導(dǎo)氣管和 耐溫隔板組成一個可以改變溫度的腔體，耐溫導(dǎo)氣管的外壁與磁極的兩極
面不接觸。
由于采用本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置， 一對磁極可以得到高精度的磁場， 耐溫導(dǎo)氣管一頭連接熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口 ，另一頭安裝在墊有耐溫隔板的 工作平臺上，并將測試插座完全罩住，形成了一個由熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口、 耐溫導(dǎo)氣管和耐溫隔板組成的，可以改變溫度的腔體。由此產(chǎn)生全溫度范 圍內(nèi)測試所需的高分辨率磁場，實現(xiàn)對線性霍爾傳感器芯片進行不同溫 度、不同磁場強度下的性能測試。完全能夠滿足對線性霍爾傳感器芯片性 能評價的需要。
本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置結(jié)構(gòu)非常簡單、制造容易，而且成本不高，能 夠使集成電路制造商降低生產(chǎn)的成本。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明 圖1是本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置的主視圖； 圖2是圖1的側(cè)視圖。
具體實施方式
參見圖1、 2所示，本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置包括一磁場發(fā)生器基座2，
一對磁極4相對設(shè)置，固定安裝在磁場發(fā)生器基座2上端面的兩端側(cè)，用 于產(chǎn)生磁場。
還包括一工作平臺1。該工作平臺1為倒置的凹字形，設(shè)置在一對磁 極4的中間位置，通過螺釘5將工作平臺1固定在磁場發(fā)生器基座2上。 工作平臺1采用鋁型材料制造，或者采用其他非磁性、可承重的材料制造。
一耐溫隔板3設(shè)置在工作平臺1上端面，所述耐溫隔板3的中間位 置設(shè)有一測試插座6。工作平臺1及位于其上端面的耐溫隔板3中間位置 設(shè)有一通孔，測試插座6上的測試電纜7穿過該通孔從工作平臺1底部引 出。所述耐溫隔板3采用硅膠板材質(zhì)制作。
所述磁極4由一磁場發(fā)生器極柱8，設(shè)置在磁場發(fā)生器極柱8上的磁 場發(fā)生器線圈9組成。磁極4由非磁性材料制造的支撐座10支撐固定在 磁場發(fā)生器基座2上。磁場發(fā)生器線圈9的供電電源采用高分辨率電源， 由此得到高精度磁場。所述支撐座10與磁場發(fā)生器基座2可以加工成一 體，也可以通過連接件固定安裝在一起。
一耐溫導(dǎo)氣管11可拆卸地罩設(shè)所述測試插座6，位于該耐溫導(dǎo)氣管 11的頂部可與熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口 12連接。熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口 12、耐 溫導(dǎo)氣管11和耐溫隔板3組成了一個可以改變溫度的腔體。耐溫導(dǎo)氣管 11的外壁與磁極4的兩極面不接觸。耐溫導(dǎo)氣管11和熱量發(fā)生系統(tǒng)的端 口 12可以拆卸地設(shè)置，在不需要溫度測試時可以不安裝耐溫導(dǎo)氣管11 和熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口 12。耐溫導(dǎo)氣管11可拆卸地設(shè)置，還便于更換測 試芯片。耐溫導(dǎo)氣管ll采用耐溫塑料制成，還可以采用其他非磁性耐溫材料制造。
對線性霍爾傳感器芯片13進行測試時，首先根據(jù)測試的磁場范圍調(diào)
整好磁極4之間的間距。然后把待測的線性霍爾傳感器芯片13插到測試 插座6上，通過改變磁極4的磁場發(fā)生器線圈9激勵電流來改變磁場強度， 可以測試不同磁場強度下的線性霍爾傳感器芯片的輸出端電壓。這樣可以 測試線性霍爾傳感器芯片13在室溫環(huán)境下的BV特性。調(diào)節(jié)螺釘5可以使 被測的線性霍爾傳感器芯片13正好處于磁場正中。
接著安裝好耐溫導(dǎo)氣管11和熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口 12，通過熱量發(fā)生 系統(tǒng)來產(chǎn)生設(shè)定溫度的氣體，該氣體從熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口進入耐溫導(dǎo)氣 管11，再從耐溫導(dǎo)氣管底部排出，氣流溫度傳導(dǎo)給待測芯片。比如設(shè)置 熱量發(fā)生系統(tǒng)產(chǎn)生-4(TC的氣體，測試-4CTC時線性霍爾傳感器芯片13的 BV特性。當然，還可以測試-8(TC 225。C范圍內(nèi)任意溫度下線性霍爾傳 感器芯片13的BV特性，從而實現(xiàn)對待測芯片的全溫度范圍內(nèi)不同磁場強 度下的測試。氣流溫度只改變被測芯片的溫度，而不會影響到磁極4的溫 度，所以不會對磁場產(chǎn)生影響。
本發(fā)明的磁場發(fā)生裝置中除磁極4外，磁場發(fā)生器基座2、工作平臺 1、支撐座10既可采用磁性材料、也可采用非磁性材料；其余的零部件均 采用非磁性耐高低溫材料制成。非磁性材料是為了不影響磁場的高分辨 率，耐高低溫材料是為了保證可以產(chǎn)生-80。C 225'C全溫度范圍的測試環(huán) 境。
本發(fā)明用簡單的裝置實現(xiàn)在原有磁場系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，增加與溫度相關(guān) 的測試，并且不影響磁場的分辨率。以上通過具體實施方式
對本發(fā)明進行了詳細的說明，但是這些并非對 于本發(fā)明的限制。本發(fā)明的保護范圍還應(yīng)包括那些對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來 說顯而易見的變換、替代及變形。
權(quán)利要求
1、一種磁場發(fā)生裝置，其特征在于，包括一磁場發(fā)生器基座；一對磁極，相對設(shè)置、固定安裝在所述磁場發(fā)生器基座上端面的兩端側(cè)；一工作平臺，設(shè)置在所述一對磁極的中間位置；一耐溫隔板，設(shè)置在所述工作平臺上端面，所述耐溫隔板的中間位置設(shè)有一測試插座，該測試插座的測試電纜從工作平臺底部引出；一耐溫導(dǎo)氣管，可拆卸地罩設(shè)所述測試插座，該耐溫導(dǎo)氣管的頂部可與熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口連接，熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口、耐溫導(dǎo)氣管和耐溫隔板組成一個可以改變溫度的腔體，耐溫導(dǎo)氣管的外壁與磁極的兩極面不接觸。
2、 如權(quán)利要求1所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于所述工作平臺 為倒置的凹字形，通過螺釘固定在磁場發(fā)生器基座上。
3、 如權(quán)利要求1所述的磁場發(fā)生裝置，其特征在于所述磁極由一 磁場發(fā)生器極柱，設(shè)置在磁場發(fā)生器極柱上的磁場發(fā)生器線圈組成，所述 磁極由支撐座支撐固定在磁場發(fā)生器基座上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁場發(fā)生裝置，一對磁極相對設(shè)置，固定安裝在場發(fā)生器基座上端面的兩端側(cè)；一工作平臺，設(shè)置在所述極的中間位置；一耐溫隔板，設(shè)置在所述工作平臺上端面，所述耐溫隔板的中間位置設(shè)有一測試插座；一耐溫導(dǎo)氣管，可拆卸地罩設(shè)所述測試插座，該耐溫導(dǎo)氣管的頂部可與熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口連接，熱量發(fā)生系統(tǒng)的端口、耐溫導(dǎo)氣管和耐溫隔板組成一個可以改變溫度的腔體，耐溫導(dǎo)氣管的外壁與磁極的兩極面不接觸。本發(fā)明能夠產(chǎn)生全溫度范圍內(nèi)測試所需的高分辨率磁場，適用于對線性霍爾傳感器芯片進行測試。
文檔編號H01F7/00GK101458986SQ20071009444
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者寧 張, 川 洛, 楠 王 申請人:上海華虹Nec電子有限公司