專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，尤其是，涉及防止寄生電流的二極管。
背景技術(shù)：
以往，通常在半導(dǎo)體基板上設(shè)置二極管元件。二極管作為單純的電阻或用于得到一定電壓的定電壓電路的一部分等而被廣泛采用。
參照附圖對(duì)半導(dǎo)體基板上設(shè)置的現(xiàn)有的二極管元件進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示現(xiàn)有的二極管元件的平面圖，圖11是沿圖10的X-X線的剖面圖。其中，在圖10中省略圖11中的陽(yáng)極配線104及陰極配線106的圖示。
在P型半導(dǎo)體基板100內(nèi)形成有由N型雜質(zhì)構(gòu)成的N阱層101。然后，在P型半導(dǎo)體基板100與N阱層101的邊界、以及在N阱層101的規(guī)定區(qū)域上環(huán)狀地形成由LOCOS(Local Oxidation of Silicon硅的局部氧化)法或STI(Shallow Trench Isolation淺溝槽隔離)法得到的元件分離絕緣膜102a、102b、102c。
另外，在被元件分離絕緣膜102a包圍的N阱層101上形成有由P型雜質(zhì)構(gòu)成的P+層103。P+層103經(jīng)由陽(yáng)極配線104與陽(yáng)極電極連接，被用作為二極管元件的陽(yáng)極區(qū)域。
在夾在元件分離絕緣膜102a與元件分離絕緣膜102b之間的N阱層101上形成有由N型雜質(zhì)構(gòu)成的接觸用的N+層105。N+層105經(jīng)由陰極配線106與陰極電極連接，被用作為二極管元件的陰極區(qū)域。
另外，在元件分離絕緣膜102b外側(cè)的半導(dǎo)體基板100的表面上形成有由P型雜質(zhì)構(gòu)成的P+層107。半導(dǎo)體基板100經(jīng)由P+層107而接地。
與上述技術(shù)相關(guān)的內(nèi)容例如記載在以下的專(zhuān)利文獻(xiàn)中。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1(日本)特開(kāi)2002-198436號(hào)公報(bào)但是，在對(duì)上述的二極管元件施加順向電壓而流經(jīng)電流時(shí)，則如圖11所示，P+層103作為發(fā)射極區(qū)域、N阱層101作為基極區(qū)域、P型半導(dǎo)體基板100作為集電極區(qū)域而出現(xiàn)使縱型寄生雙極晶體管110導(dǎo)通并使漏電流向半導(dǎo)體基板100的問(wèn)題。而且，由于該問(wèn)題而引起如下的各種問(wèn)題如，不能實(shí)現(xiàn)低耗電、不能實(shí)現(xiàn)所希望的集成電路(例如定電壓電路)等。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有使流向半導(dǎo)體基板的漏電流減少并使順向電流能力提高的二極管元件。
本發(fā)明的主要特征如下。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體基板上設(shè)有二極管元件，其特征在于，包括第一導(dǎo)電型的阱層，其形成在所述半導(dǎo)體基板上，與所述二極管元件的陰極電極連接；第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)層，其與所述二極管元件的陽(yáng)極電極連接，形成在所述阱層內(nèi)；第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)層，其與所述二極管元件的陰極電極連接，在所述阱層內(nèi)與所述第一雜質(zhì)層分開(kāi)而形成，由所述第一雜質(zhì)層、所述阱層以及所述第二雜質(zhì)層構(gòu)成橫向型的雙極晶體管。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上經(jīng)由絕緣膜而形成有電極層。
進(jìn)而，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上設(shè)有元件分離絕緣膜。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，所述阱層是逆向型(レトログレ一ド型)的阱層。這里所謂的逆向型是指濃度從其表面?zhèn)妊鼗宓纳疃确较蛏叩慕Y(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，形成新設(shè)置橫向型雙極晶體管的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可減少由縱向型的寄生雙極晶體管引起的、流向基板側(cè)的電流，并且可大幅度地提高自陽(yáng)極向陰極的電流效率。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖2是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電流效率的圖表。
圖4(a)、(b)是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電流效率的圖表。
圖5(a)、(b)是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電流效率的圖表。
圖6是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖7是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖8是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電流效率的圖表。
圖9是說(shuō)明本發(fā)明其他實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖10是說(shuō)明現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖11是說(shuō)明現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明1P型半導(dǎo)體基板；2N阱層；3a第一元件分離絕緣膜；3b第二元件分離絕緣膜；3c第三元件分離絕緣膜；4第一P+層；5第二P+層；6P-層；7P-層；8陽(yáng)極配線；9柵極絕緣膜；10電極層；11側(cè)墻；12陰極配線；13N+層；14第三P+層；20元件分離絕緣膜；30第一P+層；31電極層；50橫向型雙極晶體管；60寄生雙極晶體管；70橫向型雙極晶體管；100P型半導(dǎo)體基板；101N阱層；102a～102c元件分離絕緣膜；103第一P+層；104陽(yáng)極配線；105N+層；106陰極配線；107P+層；110寄生雙極晶體管；具體實(shí)施方式
接下來(lái)，參照

本發(fā)明的第一實(shí)施方式。圖1是表示第一實(shí)施方式的具有二極管元件的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的平面圖，圖2是沿圖1的Y-Y線的剖面圖。其中，在圖1中省略圖2中的陽(yáng)極配線8和陰極配線12的圖示。
在P型半導(dǎo)體基板1中形成有例如1μm深的N型雜質(zhì)構(gòu)成的N阱層2。N阱層2作為N型雜質(zhì)，例如將磷(P)分別以加速電壓1000KeV、注入量5×1012/cm2的條件；加速電壓450KeV、注入量5×1012/cm2的條件；加速電壓160KeV、注入量4.5×1012/cm2的條件離子注入到P型半導(dǎo)體基板1的主面，在深度方向上改變濃度。即，本實(shí)施方式的N阱層2是與基板的表面?zhèn)认啾?、較深部分的濃度高的所謂逆向型的阱層。另外，在本實(shí)施方式中，雖然分成多次進(jìn)行離子注入，但也可以通過(guò)一次離子注入而形成N阱層，另外，還可以不是逆向型的結(jié)構(gòu)。
也可以在上述離子注入之后，進(jìn)行用于調(diào)整閾值(Vt)的離子注入。用于調(diào)整閾值的離子注入例如將砷(As)離子以加速電壓60KeV、注入量2.3×1012/cm2的條件進(jìn)行。
在N阱層2的規(guī)定區(qū)域上，在P型半導(dǎo)體基板1與N阱層2的邊界及N阱層2外側(cè)的半導(dǎo)體基板1表面上分別環(huán)狀地形成有元件分離絕緣膜3a、3b、3c(例如氧化硅膜)。元件分離絕緣膜3a、3b、3c由公知的LOCOS法或STI法而形成。另外，由于STI法與LOCOS法相比，可縮小分離寬度并加深分離深度，故從謀求半導(dǎo)體裝置的高集成化及分離能力提高的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用STI法。之后，將元件分離絕緣膜3a稱(chēng)為第一元件分離絕緣膜，將元件分離絕緣膜3b稱(chēng)為第二元件分離絕緣膜，將元件分離絕緣膜3c稱(chēng)為第三元件分離絕緣膜。
在被第一元件分離絕緣膜3a包圍的N阱層2上形成有由P型雜質(zhì)構(gòu)成的第一P+層4和與該第一P+層4分開(kāi)形成的第二P+層5。分開(kāi)距離例如為約0.3μm。通過(guò)例如將后述的電極層10或形成于電極層10側(cè)壁上的側(cè)墻11用作掩模，作為P型雜質(zhì)，將硼(B)離子以加速電壓10KeV、注入量5×1015/cm2的條件離子注入，形成第一及第二P+層4、5。
另外，與第一及第二P+層4、5鄰接而分別形成低濃度的P-層6、7，形成所謂的LDD(Lightly Doped Drain輕摻雜漏極)構(gòu)造。通過(guò)將后述的電極層10用作掩模，作為P型雜質(zhì)，將二氟化硼(BF2)離子以加速電壓10KeV、注入量7×1013/cm2的條件離子注入而形成這些P-層6、7。另外，在不形成LDD構(gòu)造的情況下，不需要該離子注入。
第一P+層4經(jīng)由陽(yáng)極配線8與陽(yáng)極電極電連接，被用作陽(yáng)極區(qū)域。另外，在本實(shí)施方式中，第一P+層4在N阱層2上形成島狀。
第二P+層5與第一P+層4分離開(kāi)并且包圍第一P+層4而形成環(huán)狀。另外，第二P+層5經(jīng)由陰極配線12與陰極電極連接。
在第一P+層4與第二P+層5之間的N阱層2上形成氧化硅膜等柵極絕緣膜9，經(jīng)由該柵極絕緣膜9例如由多晶硅層等構(gòu)成的電極層10包圍第一P+層4而形成環(huán)狀。另外，在電極層10的側(cè)壁形成有側(cè)墻11。該側(cè)墻11可通過(guò)例如由CVD法沉積氧化硅膜或氮化硅膜并對(duì)該膜進(jìn)行回刻而形成。
另外，電極層10經(jīng)由陰極配線12與陰極電極連接。另外，電極層10的寬度與上述第一P+層4與第二P+層5的分開(kāi)距離大致相同，例如為0.3μm。
這樣，在本實(shí)施方式中，形成有以第一P+層4為發(fā)射極區(qū)域、以N阱層2為基極區(qū)域、以第二P+層為集電極區(qū)域的橫向型雙極晶體管50。另外，該基極區(qū)域更加詳細(xì)而言，是N阱層2、是第一P+層4與第二P+層5之間的區(qū)域。
另外，在夾于第一元件分離絕緣膜3a與第二元件分離絕緣膜3b之間的N阱層2表面形成有由N型雜質(zhì)構(gòu)成的接觸用的N+層13。通過(guò)作為N型雜質(zhì)，例如將砷(As)離子以加速電壓50KeV、注入量6×1015/cm2的條件進(jìn)行離子注入而形成N+層13。N+層13經(jīng)由陰極配線12與陰極電極連接。這樣，在本實(shí)施方式中，由第一P+層14和N層(N阱層2及N+層13)通過(guò)PN結(jié)形成二極管。
另外，在第二元件分離絕緣膜3b與第三元件分離絕緣膜3c之間的半導(dǎo)體基板1表面上形成有由P型雜質(zhì)構(gòu)成的第三P+層14。半導(dǎo)體基板1經(jīng)由第三P+層14接地。另外，P+層14可與第一及第二P+層4、5在同一工序中形成。
這樣，在第一實(shí)施方式中，形成利用橫向型PNP雙極晶體管的二極管元件。
接下來(lái)，以具體例說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造(以下，稱(chēng)為第一構(gòu)造)的電流效率。在此，電流效率＝陰極輸出電流(安培)÷陽(yáng)極輸入電流(安培)×100。另外，電流損失＝(陽(yáng)極輸入電流-陰極輸出電流)÷陽(yáng)極輸入電流×100。另外，以下的表示測(cè)定結(jié)果的圖表中橫軸中的1.E-0n〔A〕意味著1×10-n〔A〕。電流效率的測(cè)定使用Agilent 4156C(アジレント·テクノロジ一(株))而進(jìn)行。
在圖3中，連接四方(■)圖塊的線表示在第一構(gòu)造中電極層10的寬度(柵極寬度＝GL)為0.3μm時(shí)的第一構(gòu)造中，流入有各陽(yáng)極輸入電流時(shí)的電流效率。另外，連接圓(●)圖塊的線表示圖10及圖11所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電流效率。
由該圖可判斷，在此次測(cè)定的全部范圍(陽(yáng)極輸入電流為1×10-8～1×10-1〔A〕)中，第一構(gòu)造的電流效率比現(xiàn)有構(gòu)造高。尤其是在比1×10-4〔A〕低的范圍中，現(xiàn)有構(gòu)造的電流效率約為20％，而在第一構(gòu)造中大致接近100％，可見(jiàn)第一構(gòu)造的電流效率非常高。
這樣，電流效率比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)大幅度提高，考慮為是由于形成第一構(gòu)造的橫向型雙極晶體管50的結(jié)構(gòu)。即，如圖2所示，可通過(guò)第一構(gòu)造的橫向型雙極晶體管50的作用來(lái)抑制寄生雙極晶體管60的作用，將以往流向P型半導(dǎo)體基板1側(cè)的漏電流向陰極側(cè)釋放。
接下來(lái)，表示在改變電極層10寬度的情況下的測(cè)定結(jié)果，說(shuō)明電流效率與橫向型雙極晶體管50的柵極寬度(GL)的關(guān)系。圖4表示第一構(gòu)造的電極層10的寬度(GL)長(zhǎng)為0.28μm、0.30μm、0.34μm、0.54μm、0.74μm各值時(shí)的電流效率和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電流效率。圖4(b)是圖4(a)的區(qū)域R的局部放大圖。
由圖4(a)、(b)可知，電極層10的寬度(GL)越窄，橫向型雙極晶體管50的電流增幅率越高，相對(duì)于更大的陽(yáng)極輸入電流也可維持高的電流效率。因此，從提高電流效率的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選盡可能縮短橫向型雙極晶體管50的柵極寬度。
另外，如圖3、圖4(a)、(b)所示，在第一構(gòu)造中，若將陽(yáng)極輸入電流增大至超過(guò)1×10-4(A)，電流效率逐漸降低，若進(jìn)一步增大陽(yáng)極輸入電流，則電流效率逐漸上升。另外，在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，在陽(yáng)極輸入電流超過(guò)1×10-4的范圍內(nèi)，電流效率逐漸上升。這些現(xiàn)象的詳細(xì)原理還不清楚。
接下來(lái)，說(shuō)明電極層與陰極配線連接時(shí)(以下，稱(chēng)為陰極連接)、與陽(yáng)極配線連接時(shí)(以下，稱(chēng)為陽(yáng)極連接)各自的電流效率。圖5(a)表示將與上述第一構(gòu)造相同構(gòu)成的電極層陰極連接時(shí)的電流效率(A)及電流損失(B)，圖5(b)表示將相同構(gòu)成的電極層陽(yáng)極連接時(shí)的電流效率(C)及電流損失(D)。
由這些測(cè)定結(jié)果可知，陰極連接比陽(yáng)極連接的電流效率高。陽(yáng)極連接的電流效率較低是因?yàn)槿暨M(jìn)行陽(yáng)極連接，則電極層之下成為積蓄狀態(tài)而匯集電子，橫向型雙極晶體管50的電流增幅率(hFE)降低，故電流效率比陰極連接降低。因此，從提高電流效率的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選將電極層如本實(shí)施方式那樣地陰極連接。另外，任何連接情況下的電流效率都比現(xiàn)有構(gòu)造的高。
另外，從提高電流效率的觀點(diǎn)來(lái)看，考慮優(yōu)選構(gòu)成為N阱層2的濃度自表面?zhèn)仍谏疃确较蛏显龈哌@樣的逆向型。根據(jù)所述構(gòu)成，基板表面?zhèn)缺壬钐幍碾娏髟龇矢?。因此，考慮使橫向型雙極晶體管50的電流增幅率提高，相反，可抑制寄生雙極晶體管60的電流增幅率。
接下來(lái)，參照

本發(fā)明的第二實(shí)施方式。圖6是表示第二實(shí)施方式的具有二極管元件的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造(以下，稱(chēng)為第二構(gòu)造)的平面圖，圖7是沿圖6的Z-Z線的剖面圖。另外，與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。雖然省略了圖示，但根據(jù)需要而與第一實(shí)施方式的P-層6、7同樣地向第一及第二P+層4、5內(nèi)注入低濃度的離子。
設(shè)有橫向型雙極晶體管的構(gòu)成與第一實(shí)施方式相同，但在第二實(shí)施方式中，如圖6及圖7所示，通過(guò)元件分離絕緣膜20將第一P+層4和第二P+層5分離，并經(jīng)由該元件分離絕緣膜20的下方構(gòu)成橫向型PNP雙極晶體管70。
元件分離絕緣膜20通過(guò)公知的LOCOS法或STI法而形成，但從縮短分離寬度并提高該橫向型PNP雙極晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選使用STI法生成絕緣膜(溝道絕緣膜)。元件分離絕緣膜20的膜厚例如為0.3μm，其寬度例如為0.3μm。
這樣，在第二構(gòu)造中，形成有利用將元件分離絕緣膜20配置在第一P+層4與第二P+層5之間的橫向型PNP雙極晶體管的二極管元件。
接著，以具體例說(shuō)明第二構(gòu)造的電流效率。在圖8中，連接叉(×)圖塊的線表示元件分離絕緣膜20的寬度為0.3μm時(shí)的第二結(jié)構(gòu)中，流入有各陽(yáng)極輸入電流時(shí)的電流效率。另外，連接圓(●)圖塊的線表示圖10及圖11所示的現(xiàn)有構(gòu)造的電流效率。
由該圖可判明，在測(cè)定的全部范圍(陽(yáng)極輸入電流為1×10-8～1×10-1〔A〕)中，第二構(gòu)造的電流效率比現(xiàn)有構(gòu)造高出約20％左右。
另外，如圖8所示，在第二構(gòu)造中，將陽(yáng)極輸入電流增大至超過(guò)1×10-4〔A〕左右，電流效率逐漸上升。另外，在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，在陽(yáng)極輸入電流超過(guò)1×10-4〔A〕的范圍中，電流效率逐漸上升。這些現(xiàn)象的詳細(xì)原理還不清楚，但在高于1×10-1〔A〕的范圍中也預(yù)測(cè)第二構(gòu)造的電流效率比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)高。
另外，第二構(gòu)造由于在第一P+層4與第二P+層5之間形成有元件分離絕緣膜20，故耐壓效果比第一構(gòu)造好。因此，若對(duì)陽(yáng)極(第一P+層4)側(cè)施加圖2所示的柵極絕緣膜9的耐壓以上的電壓，則第二構(gòu)造是理想的。
這樣，通過(guò)如第一及第二實(shí)施方式地設(shè)置橫向型雙極晶體管，能夠減少由縱向型寄生晶體管引起的寄生電流，可使順向電流能力提高。因此，通過(guò)使用這樣的半導(dǎo)體裝置可實(shí)現(xiàn)低耗電，并且可實(shí)現(xiàn)具有所希望特性的集成電路。
另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，顯然，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可進(jìn)行變更。
例如，在上述實(shí)施方式中，第一P+層4在N阱層2上形成一個(gè)島狀，但也可以如圖9所示形成為兩個(gè)島狀(第一P+層30)并將各自的第一P+層30包圍而形成電極層31、進(jìn)行各種設(shè)計(jì)。另外，在第一實(shí)施方式中，設(shè)置側(cè)墻11并具有LDD構(gòu)造，但也可以對(duì)應(yīng)于形成在同一半導(dǎo)體基板上的其他元件而不形成側(cè)墻11或LDD結(jié)構(gòu)。另外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了由P型半導(dǎo)體基板構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，但也可以將本發(fā)明適用于由N型半導(dǎo)體基板構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體基板上設(shè)有二極管元件，其特征在于，包括第一導(dǎo)電型的阱層，其形成在所述半導(dǎo)體基板上，與所述二極管元件的陰極電極連接；第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)層，其與所述二極管元件的陽(yáng)極電極連接，形成在所述阱層內(nèi)；第二導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)層，其與所述二極管元件的陰極電極連接，在所述阱層內(nèi)與所述第一雜質(zhì)層分開(kāi)而形成，由所述第一雜質(zhì)層、所述阱層以及所述第二雜質(zhì)層構(gòu)成橫向型的雙極晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上經(jīng)由絕緣膜而形成有電極層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電極層與所述陰極電極連接。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電極層與所述陽(yáng)極電極連接。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述第一雜質(zhì)層與所述第二雜質(zhì)層之間的所述阱層上設(shè)有元件分離絕緣膜。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述元件分離絕緣膜為溝道絕緣膜。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有形成在所述阱層上的第一導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)層，所述第三雜質(zhì)層與所述陰極電極連接。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述阱層是逆向型的阱層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有二極管元件的半導(dǎo)體裝置，其目的在于防止由縱向型寄生雙極晶體管引起的漏電流并提高電流效率。該半導(dǎo)體裝置在N阱層(2)上設(shè)置元件分離絕緣膜(3a)，在由元件分離絕緣膜(3a)包圍的N阱層(2)上形成第一P+層(4)和與第一P+層(4)分離開(kāi)的第二P+層(5)。在第一P+層(4)和第二P+層(5)之間的N阱層(2)上形成電極層(10)。在元件分離絕緣膜(3a)、(3b)之間的N阱層(2)上形成接觸用的N+層(3)。第一P+層(4)與陽(yáng)極配線(8)連接，電極層(10)、第二P+層(5)及N+層(13)與陰極配線(12)連接。這樣，在半導(dǎo)體基板(1)上形成利用橫向型PNP雙極晶體管(60)的二極管元件。
文檔編號(hào)H01L27/06GK101060122SQ20071009616
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月18日
發(fā)明者廣島崇, 五嶋一智 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社